CN101670491A - 微孔加工新工艺 - Google Patents

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Inventor
马雪松
顾苏兰
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Shanghai Lanang Electronic Technology Development Co Ltd
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Shanghai Lanang Electronic Technology Development Co Ltd
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Abstract

本发明实现了在大面积范围内一次性进行多数量微孔的加工,也可以一次性批量加工大孔径的孔。本发明尤其适用于在大面积范围内的毫米级较厚材质上一次性进行多数量微孔的加工。本发明是先用高熔点的材质,按具体要求加工出具有通孔的模板或模面,再将低熔点的待加工材质使用激光透过模板或模面的通孔进行大面积微孔加工。

Description

微孔加工新工艺
发明内容
本发明与现有的微孔加工工艺,如拉伸法、化学法、激光打孔法等有着根本的不同。
本发明利用了不同材质间熔点的差异,使用激光进行加工,但又不同于现有的激光打孔工艺。因为现有的激光打孔工艺是单个打孔,而且打孔的孔径受最小光斑等条件的限制,尤其是微米级的孔,加工困难,效率也非常低。本发明的目的是使用激光在大面积范围内一次性进行多数量微孔的加工,当然也可以批量加工大孔径的孔。本发明尤其适用于在毫米级的较厚材质上的大面积范围内一次性进行多数量微孔的加工。
本发明的内容是,先用高熔点的材质,按孔分布、孔径、孔形状等具体要求加工出具有通孔的模板或模面,再将低熔点的待加工材质使用激光透过模板或模面的通孔进行大面积微孔加工。工艺流程如下:
(1)加工出具有通孔的模板或模面
(2)调整激光功率或光斑大小:
根据待加工材质和模板或模面材质的熔点和辅助物化性质,以及待加工材质的厚度来调整,使激光对模板或模面没有影响但可穿透待加工材质
(3)将模板或模面材质放置在待加工材质的表面上或放置在距离待加工材质的表面的适当距离
(4)开启激光进行加工
本发明的效果是积极的,优点如下:
(1)可以在大面积范围内一次性加工多数量的微孔
(2)可以对孔径进行精确控制
(3)可以对微孔的分布方式精确控制
(4)材质厚度范围较宽:
实现了在毫米级的较厚材质上批量加工微米级或更小的孔,效率较高。而现有工艺几乎无法实现
(5)可以在曲面上加工
实施例
本发明的实施方案很多。很明显,实施方案将不只局限于实施例。
实施例1  在1毫米厚的亚克力板上批量加工7至9微米的孔
用普通激光打孔工艺,在0.05毫米的不锈钢板上按具体要求打出7至9微米通孔,作为加工模板,或直接选用相应孔径的不锈钢微孔筛作为加工模板。选用二氧化碳激光器,功率80瓦,光斑直径6至8毫米。将加工模板紧贴放置在1毫米厚的亚克力板上,固定。打开激光机,对打孔区域进行垂直扫描加工。激光透过加工模板上的通孔对下面的亚克力板进行穿透,最终在亚克力板上形成7至9微米的通孔。
实施例2  在PET薄膜上批量加工1微米的孔
用微电子行业的光刻工艺,在集成电路硅片上,按具体要求加工出1微米通孔,作为加工模板。选用二氧化碳激光器,功率80瓦,光斑直径8毫米。将PET薄膜绷紧,固定,将加工模板放置在距离PET薄膜0.1毫米的上方,固定。打开激光机,对打孔区域进行垂直扫描加工。激光透过加工模板上的通孔对下面的PET薄膜进行穿透,最终在PET薄膜上形成1微米的通孔。

Claims (5)

1、一种微孔加工新工艺,其特征在于,是先用高熔点的材质,按具体要求加工出具有通孔的模板或模面,再将低熔点的待加工材质使用激光透过模板或模面的通孔进行大面积微孔加工;
2、根据权利要求1所述的微孔加工新工艺,其特征在于,本发明可以在大面积范围内一次性进行多数量微孔的加工;
3、根据权利要求1所述的微孔加工新工艺,其特征在于,本发明实现了在毫米级的较厚材质上批量加工微米级或更小的孔,且效率高;
4、根据权利要求1所述的微孔加工新工艺,其特征在于,本发明也适用于大孔的加工;
5、根据权利要求1所述的微孔加工新工艺,其特征在于,本发明是使用激光。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102211221A (zh) * 2011-04-27 2011-10-12 山东大学 利用低熔点合金来控制微细加工中毛刺产生的方法
CN109063272A (zh) * 2018-07-12 2018-12-21 江西洪都商用飞机股份有限公司 一种柔性钻孔模板的设计方法

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Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20100317