CN207662295U - 一种精准定位的激光打孔测试标板 - Google Patents

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China
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李质磊
吴仕梁
逯好峰
路忠林
盛雯婷
张凤鸣
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Jiangsu Sunport Power Corp Ltd
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Nanjing Day Care Pv Polytron Technologies Inc
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Abstract

本实用新型公开了一种精准定位的激光打孔测试标板,包括基板和挡板,其中基板与MWT硅片尺寸相同,在基板中部设置若干孔洞,所述孔洞与MWT激光打孔图案位置相同、尺寸一致,在基板端部设置用于定位的挡板。检验时,先将MWT硅片放置在基板上,然后利用挡板进行两者的精确定位,再观察两者孔洞的契合程度,如果孔洞完全契合,则说明硅片质量合格,反之不合格。本实用新型由于标板不变形,孔洞大小及图形与激光打孔图形一致,可以快速精确检验激光打孔的孔洞质量,避免偏移等情况发生,提高制程A级品率。

Description

一种精准定位的激光打孔测试标板
技术领域
本实用新型涉及硅太阳能电池工艺技术领域,具体涉及到MWT硅太阳能电池的测试夹具。
背景技术
目前,晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。
MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。由于MWT电池片制程需要先激光打孔,后续的掩摸和丝印负极工序均需对准激光打孔点,由此激光打孔点的精准度决定制程的A级品率,激光打孔工序的测试夹具是MWT电池制程的关键之一。目前,MWT制程通过肉眼对比两张激光打孔的硅片检验打孔质量,但不能监测、避免激光打孔整体偏移情况的发生,且关于此领域的测试夹具还未见文献或专利报告。
实用新型内容
实用新型目的:针对现有技术存在的问题,提供一种精准定位的激光打孔测试标板,避免激光打孔整体偏移情况。
技术方案:本实用新型提供一种精准定位的激光打孔测试标板,包括基板和挡板,其中基板与MWT硅片尺寸相同,在基板中部设置若干孔洞,所述孔洞与MWT激光打孔图案位置相同、尺寸一致,在基板端部设置用于定位的挡板。
工作原理:检验时,先将MWT硅片放置在基板上,然后利用挡板进行两者的精确定位,再观察两者孔洞的契合程度,如果孔洞完全契合,则说明硅片质量合格,反之不合格。
有益效果:本实用新型由于标板不变形,孔洞大小及图形与激光打孔图形一致,可以快速精确检验激光打孔的孔洞质量,避免偏移等情况发生,提高制程A级品率。
附图说明
图1是激光打孔标版示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例进一步说明本实用新型方案。
一种精准定位的激光打孔测试标板,包括基板和挡板,其中基板与MWT硅片尺寸相同,在基板中部设置若干孔洞,所述孔洞与MWT激光打孔图案位置相同、尺寸一致,在基板端部设置用于定位的挡板。
所述挡板为2个,位于基板相邻的两边上。
所述挡板为3个。
所述挡板为4个。
所述基板采用塑料或不锈钢材质。
所述挡板的厚度为5mm,高度为5mm。
所述挡板的厚度为2mm,高度为1mm。
实施例1
如图1所示,精准定位的激光打孔测试标板,采用高强度不变形、不透明的塑料作为基板1,基板1尺寸156.75mm×156.75mm,基板1上按现有MWT激光打孔图形尺寸制备6×6的贯穿孔洞2,基体两侧制备厚度5mm、高度5mm的挡板3。
实施例2
不同硅片尺寸设置不同尺寸的标板,实施例2在实施例1的基础上,将基板1材料替换成高强度不变形、不透明的不锈钢,基体尺寸为158.75mm×158.75mm,将挡板的厚度调整为2mm,高度调整为1mm。
实施例3
实施例3在实施例1或2的基础上,将所述挡板设置为3个或者4个。

Claims (7)

1.一种精准定位的激光打孔测试标板,其特征在于,包括基板和挡板,其中基板与MWT硅片尺寸相同,在基板中部设置若干孔洞,所述孔洞与MWT激光打孔图案位置相同、尺寸一致,在基板端部设置用于定位的挡板。
2.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述挡板为2个,位于基板相邻的两边上。
3.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述挡板为3个。
4.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述挡板为4个。
5.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述基板采用塑料或不锈钢材质。
6.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述挡板的厚度为5mm,高度为5mm。
7.根据权利要求1所述的定位的激光打孔测试标板,其特征在于,所述挡板的厚度为2mm,高度为1mm。
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Date Code Title Description
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 214028 Xishi Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Rituo Photovoltaic Technology Co., Ltd.

Address before: 211800 No. 29 Buyue Road, Pukou Economic Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province

Patentee before: Nanjing day care PV Polytron Technologies Inc

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