CN101654218A - 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法 - Google Patents

一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101654218A
CN101654218A CN200910023940A CN200910023940A CN101654218A CN 101654218 A CN101654218 A CN 101654218A CN 200910023940 A CN200910023940 A CN 200910023940A CN 200910023940 A CN200910023940 A CN 200910023940A CN 101654218 A CN101654218 A CN 101654218A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
bifeo
sams
ots
self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910023940A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101654218B (zh
Inventor
宋亚玉
谈国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi University of Science and Technology
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN2009100239401A priority Critical patent/CN101654218B/zh
Publication of CN101654218A publication Critical patent/CN101654218A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101654218B publication Critical patent/CN101654218B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，按照以下步骤：(1)制备洁净基片；(2)制备OTS－SAMs基体；(3)制备图案化SAMs；(4)制备前驱体溶液；(5)制备BiFeO3薄膜；(6)BiFeO3薄膜在60℃低温环境下干燥，然后在350℃进行预处理10min以便络合物及有机物分解获得样品；最后将样品放于马弗炉中以3℃/min速率升温，在400－620℃的高温下保温2小时使BiFeO3薄膜晶化。本发明的有益效果是所制备的BiFeO3薄膜表面结构致密均一，在较低的煅烧温度下即可生成纯相的BiFeO3薄膜，还可以根据不同的实际需要提供不同表面微结构的BiFeO3图案化薄膜。制备工艺简单，制备过程也不会产生污染，是一种环境友好薄膜制备技术。

Description

一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法
技术领域：
本发明属于功能材料领域，涉及一种利用自组装单层膜来诱导BiFeO3薄膜生长的方法，尤其是一种制备表面致密均一的纯相BiFeO3薄膜及具有微米级图案的BiFeO3薄膜的方法。
背景技术：
铁磁电材料是一种因为电磁有序而导致铁电性和磁性共存并且具有磁电耦合性质的材料。铁电性和磁性的共存使得这种材料可由电场E诱导产生磁化M，同时磁场H也可以诱发铁电极化P，此性质被称为磁电效应ME(Magnetoelectric effect)。BiFeO3(BFO)是少数在室温下同时具有铁电性和磁性的材料之一，它具有三角扭曲钙钛矿型结构，BFO长程电有序和长程磁有序使其同时具有铁电性和反铁磁性，二者共存的特性为研制新型存储器件提供了坚实的理论基础和重要的现实意义
目前对于BiFeO3薄膜的制备方法主要有脉冲激光沉积法、磁控溅射法等。脉冲激光沉积法其优点是可降低基底温度，能保持较好的化学计量比，薄膜质量好(密度高)、附着性能强，适于生长复杂组份的薄膜，需解决主要问题是如何获得大面积均匀薄膜。溅射法可以大面积成膜，且薄膜质量高，但生长速度慢，薄膜的微结构与组成均匀性有持改善。以上这些制备工艺设备较为复杂、需要严格的真空环境和工艺制度、成本昂贵，而且往往含有的少量杂质难以去除而得不到纯相，如Bi2Fe4O9和Bi25FeO40。化学液相沉积方法是一种湿化学方法，它不需要昂贵设备，适于大面积制备薄膜，广泛应用于合成各种功能材料，并且取得了巨大的成功。
自组装单层膜(self-assembled monolayers)技术(简称SAMs技术)是仿生合成工艺的核心技术，它是通过表面活性剂的活性头基与基底之间产生化学吸附，在界面上自发形成有序的分子组装层。由于SAMs是有机分子在溶液中(或者有机分子蒸汽)自发通过化学键牢固地吸附在固体基底上所形成的超薄有机膜，因此它具有原位自发形成、成键高度有序排列、缺陷少、结合力强、呈“结晶态”等特点。目前利用SAMs技术可以在金属、单晶硅、陶瓷等基底上生长出多种形态及晶粒大小可控的无机物薄膜，包括FeOOH、SnO2、CdS、TiO2、CdSe、SrTiO3、ZrO2、V2O5、Y2O3和ZnO等多种无机陶瓷薄膜。对于自组装技术制备BiFeO3薄膜，还没有见到相关文献的报导，所制备BiFeO3薄膜，不仅在制备工艺上值得研究和探讨，而且采用这种方法得到的产品的结构和性能的关系也是非常值得我们进行探索和研究的。
本发明以十八烷基三氯硅烷(OTS)为模板，采用紫外光照射仪作为光刻蚀设备，利用短波紫外光(λ＝184.9nm)对OTS-SAMs进行表面改性及图案化刻蚀，得到微米级图案，结合化学液相沉积法设计了一种工艺简单，经济的方法，在图案化的OTS-SAMs表面制备BiFeO3图案化薄膜，这种新型的制备技术不仅对合成工艺本身来说是一种创新，而且也会对产品BiFeO3薄膜的性能产生质的影响。
发明内容：
本发明的目的是利用化学液相沉积法结合自组装单层膜技术制备出具有良好显微结构的BiFeO3薄膜及图案化，这些微米尺度上表面结构和性质的微加工或图案化已逐渐成为当代科学和技术的中心，许多现代技术发展的机会都来源于新型微观结构的成功构造或现有结构的小型化，飞速发展的微电子行业就是一个最典型的例子。
在制备BiFeO3图案化薄膜中，最关键步骤在于在图案化OTS自组装层的制备。它关系到图案的清晰度和图案线条的粗糙度，影响图案化薄膜质量。OTS自组装单层膜具有制备简单、有序程度更高、常温下膜层对溶剂的稳定性好等优点。而且通对这种膜进行紫外线照射，可以有选择地改性，使得薄膜表面具有不同的功能团改变组装分子的结构，很方便地对膜层的化学、物理和生物等性质进行控制，进一步诱导无机材料在其表面进行选择性沉积。这种图案化的薄膜在微电子领域等方面的潜在应用也是巨大的并可预见的。
本发明提供1、自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，按照以下步骤：
(1)制备洁净基片：将玻璃基片切割成长方形，将长方形玻璃基片用去离子水冲洗、洗涤剂中浸泡后，分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声波震荡清洗，最后用氮气吹干并在紫外下照射30-120min得到洁净基片；
(2)制备OTS-SAMs基体：将洁净基片浸入OTS-甲苯溶液中浸泡，浸泡后的基片用丙酮在超声波下清洗后并用氮气吹干，置于120℃下保温5-10min去掉残留杂质得到OTS-SAMs基体；
(3)制备图案化SAMs：将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下，在紫外光下照射120-240min，得到图案化SAMs；紫外光λ＝184.9nm；
(4)制备前驱体溶液：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的比例溶于醋酸溶液中，搅拌使之完全溶解，形成Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为0.25-0.3mol/L的透明溶液，将柠檬酸按Fe+3和Bi+3总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1的比例加入透明溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液；所述醋酸溶液中的醋酸与水的体积比是6∶1；
(5)制备BiFeO3薄膜：用提拉法制备BiFeO3薄膜，提拉速度为1-4mm/min；
(6)使BiFeO3薄膜图案化：BiFeO3薄膜在60℃低温环境下干燥，然后在300-350℃进行预处理10-30min以便络合物及有机物分解获得样品；最后将样品放于马弗炉中以1-3℃/min速率升温，在400-620℃的高温下保温120-240min使BiFeO3薄膜晶化。
所述步骤(1)制备洁净基片：将玻璃基片切割成长方形，将长方形玻璃基片用去离子水冲洗、洗涤剂中浸泡后，分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声波震荡清洗，最后用氮气吹干并在紫外下照射30min、60min、80min、100min或120min得到洁净基片。
所述步骤(2)将洁净基片浸入OTS-甲苯溶液中浸泡，浸泡后的基片用丙酮在超声波下清洗后并用氮气吹干，置于120℃下保温5min、7.5min或10min去掉残留杂质得到OTS-SAMs基体。
所述步骤(3)制备图案化SAMs：将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下，在紫外光下照射120min、150min、180min、210min或240min，得到图案化SAMs；紫外光λ＝184.9nm。
所述步骤(4)制备前驱体溶液：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的摩尔比溶于稀醋酸溶液中，搅拌使之完全溶解，形成Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为0.25mol/L或0.3mol/L的透明溶液，将柠檬酸按Fe+3和Bi+3总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1的比例加入透明溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液；所述稀醋酸溶液中的醋酸与水的体积比是6∶1。
所述步骤(5)使BiFeO3薄膜图案化：BiFeO3薄膜在60℃低温环境下干燥，然后在300℃、320℃或350℃进行预处理10min、20min或30min以便络合物及有机物分解获得样品；最后将样品放于马弗炉中以1-3℃/min速率升温，在400℃、450℃、500℃、550℃或620℃的高温下保温120min、150min、180min、210min或240min使BiFeO3薄膜晶化。
本发明的有益效果是所制备的BiFeO3薄膜表面结构致密均一，在较低的煅烧温度下即可生成纯相的BiFeO3薄膜，还可以根据不同的实际需要提供不同表面微结构的BiFeO3图案化薄膜。制备工艺简单，制备过程也不会产生污染，是一种环境友好薄膜制备技术。
附图说明
图一为不同退火温度下制备的BiFeO3薄膜X-Ray衍射图。图中(a)400℃；(b)450℃；(c)500℃；(d)550℃；(e)600℃和(f)620℃。
图二为不同退火温度下制备的BiFeO3薄的扫描电镜照片。(a)450℃；(b)500℃；(c)550℃；(d)600℃和(e)620℃。
图三为经过一次提拉所制备薄膜断面的扫描电镜照片。
图四为经过二次提拉所制备薄膜断面的扫描电镜照片
图五为图案化的BiFeO3薄膜扫描电镜照片。(a)图案化BiFeO3薄膜，(b)紫外线未照射区域的放大图片，(c)紫外线照射区域的放大图片，(d)是(c)图的高分辨率图片
图六为图案化的BiFeO3薄膜的面能谱
具体实施方式：
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
实施例1：
步骤一：选用普通载玻片为基底，将玻璃基片切割成20mm×10mm的长方形，其清洁预处理如下：首先将玻璃基片用去离子水冲洗后，置于洗涤剂中浸泡24h，然后分别在丙酮，乙醇和去离子水中超声波震荡清洗10min，除去表面有机污染物。每次超声波洗涤后均用大量蒸馏水反复冲洗载玻片，最后将载玻片浸入蒸馏水中超声波洗涤10min，用氮气吹干。清洗后的基片在紫外下照射30min，使基片表面达到“原子清洁度”。
步骤二：然后将载玻片迅速浸入新配制的含1vol％OTS-甲苯溶液中，浸泡完后将基片用丙酮在超声波下清洗，用氮气吹干，置于120℃下保温5min去掉残留杂质。将OTS-SAMs基体在紫外光(λ＝184.9nm)下照射30min，得到基体表面呈良好的亲水性。
步骤三：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的摩尔比溶于稀醋酸中(V醋酸∶V水＝6∶1)，搅拌使之完全溶解，形成透明溶液，保持溶液中Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为为0.3mol/L，将柠檬酸按一定量摩尔比(Fe+3和Bi+3总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1)加入前一步配制的溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液。用提拉法制备薄膜，提拉速度为1mm/min。提拉过程结束后，将薄膜立即在60℃低温环境下干燥，然后在350℃的高温下进行预处理10min以便络合物及有机物分解。为了使薄膜具有一定厚度，可重复以上提拉步骤，最后将样品放于马弗炉中以3℃/min速率升温，在400-620℃的高温下保温2小时。
实施例2：
步骤一：和实施例1中步骤1相同。
步骤二：将载玻片迅速浸入新配制的含1vol％OTS-甲苯溶液中，浸泡完后将基片用丙酮在超声波下清洗，用氮气吹干，置于120℃下保温5min去掉残留杂质。将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下，在紫外光(λ＝184.9nm)下照射120min，得到图案化SAMs。OTS自组装层受到紫外光照射的区域发生光化学改性，基体表面呈良好的亲水性；而未被紫外光照射的区域表面依然呈现原有疏水性。
步骤三：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的比例溶于稀醋酸中(V醋酸∶V水＝6∶1)，搅拌使之完全溶解，形成透明溶液，保持溶液浓度中Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为0.25mol/L，将柠檬酸按一定量摩尔比(Fe+3和Bi+总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1)加入前一步配制的溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液。用提拉法制备薄膜，提拉速度为2mm/min。提拉过程结束后，将薄膜立即在60℃低温环境下干燥，然后在350℃的高温下进行预处理10min以便络合物及有机物分解。最后将样品放于马弗炉中以3℃/min速率升温，在550℃的高温下保温2h。
从图1中可以看出，退火温度在400℃时，薄膜呈无定形态，450℃时，BiFeO3衍射峰在(101)、(012)和(110)晶面的出现，500℃时，BiFeO3所有晶面均出现，并且(101)、(012)和(110)晶面的衍射峰较强。随着温度的升高，在550℃到600℃时，晶面衍射峰尖锐，衍射峰强度也变大，薄膜的结晶度增强。当温度升高到620℃时，出现Bi2O2.33的杂峰。
从图2中可以看出，450℃时，晶粒开始生长，晶粒很小而且析晶不充分，如图2(a)。图2(b)为500℃退火后得到的薄膜，其晶粒轮廓逐渐清晰，表面存在大小不一的晶粒，并且有许多细小的晶粒存在。图2(c)和图2(d)分别为550℃和600℃退火后得到的薄膜，其晶粒轮廓逐渐清晰，表面更加平整、均匀，晶粒尺寸在100nm左右。图2(d)为620℃退火后得到的薄膜，晶粒尺寸没有发生大的变化，薄膜表面有少许气孔。
图3为经过一次提拉所制备的薄膜，从图中可以看出薄膜较薄，厚度约140nm。
图4为经过二次提拉所制备的薄膜，从图中可以看出获得的薄膜厚度约230nm。
图5为图案化的BiFeO3薄膜，从图中(a)可以看出条纹宽度在10μm～20μm之间，线边缘轮廓清晰，紫外光照射区域和未照射区域差别非常明显，这说明BiFeO3薄膜在紫外光照射区域已成功制备；从(b)中可以看出紫外光未照射的区域几乎没有BiFeO3薄膜。从(c)和(d)中可以看出经过紫外线照射的区域薄膜致密均一，其颗粒大小、粒径分布都非常均匀。粒径大小在120nm左右。
从图6和表1，2可以看出在紫外光未照射的区域几乎没有Bi和Fe元素，Mg、Na、Si等为玻璃基板中所含元素，而在紫外光照射的区域中，Fe、Bi、O元素均出现，Bi、Fe元素含量较大，Bi/Fe＝1.091，基本符合BiFeO3的化学计量。这更进一步证明BiFeO3的选择性沉积。表1为紫外线未照射区域的面能谱，表2为紫外线照射区域的面能谱。
表1
 Element   Weight％   Atomic％
 C K   5.09   8.38
 O K   47.85   59.15
 Na K   8.93   7.68
 Mg K   1.99   1.62
 Al K   0.38   0.28
 Si K   28.95   20.38
 Ca K   4.65   2.29
 Au M   2.17   0.22
 Totals   100.00
表2
  Element   Weight％   Atomic％
  C K   6.52   13.93
  O K   30.95   49.61
  Na K   4.80   5.35
  Mg K   1.24   1.31
  Al K   0.26   0.25
  Si K   23.72   21.66
  Ca K   4.48   2.87
  Fe K   4.66   2.14
  Au M   3.31   0.43
  Bi M   20.07   2.46
  Totals   100.00
综合上述X-Ray衍射、扫描电镜及能谱分析表明：利用化学液相沉积法和自组装单层膜技术成功的制备出BiFeO3薄膜及图案化。450℃时，BiFeO3晶体开始形成；500℃时已经形成结晶性良好的BiFeO3薄膜；随温度升高，结晶性增强，当温度高于620℃时，铋有着一定的挥发程度，导致Bi3+非化学计量比的化合物的生成。薄膜的厚度可以通过提拉次数来控制。通过对OTS自组装膜进行选择性的紫外刻蚀，诱导BiFeO3前驱体在不同区域选择性吸附，得到清晰图案化的BiFeO3薄膜。

Claims (7)

1、自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于，按照以下步骤：
(1)制备洁净基片；
(2)制备OTS-SAMs基体：首先把OTS和甲苯按体积分数比1∶99的比例配制OTS-甲苯溶液，将洁净基片浸入OTS-甲苯溶液中浸泡，浸泡后的基片用丙酮在超声波下清洗后并用氮气吹干，置于120℃下保温5-10min去掉残留杂质得到OTS-SAMs基体；
(3)制备图案化SAMs：将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下，在紫外光下照射120-240min，得到图案化SAMs；紫外光λ＝184.9nm；
(4)制备前驱体溶液：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的比例溶于醋酸溶液中，搅拌使之完全溶解，形成Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为0.25-0.3mol/L的透明溶液，将柠檬酸按Fe+3和Bi+3总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1的比例加入透明溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液；所述醋酸溶液中的醋酸与水的体积比是6∶1；
(5)制备BiFeO3薄膜：用提拉法制备BiFeO3薄膜，提拉速度为1-4mm/min；
(6)使BiFeO3薄膜图案化：BiFeO3薄膜在60℃干燥，然后在300-350℃进行预处理10-30min以便络合物及有机物分解获得样品；最后将样品放于马弗炉中以1-3℃/min速率升温，在400-620℃的高温下保温120-240min使BiFeO3薄膜晶化。
2、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：所述步骤(1)：将玻璃基片切割成长方形，将长方形玻璃基片用去离子水冲洗、洗涤剂中浸泡后，分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声波震荡清洗，最后用氮气吹干并在紫外下照射30-120min得到洁净基片。
3、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：所述步骤(1)：制备洁净基片：将玻璃基片切割成长方形，将长方形玻璃基片用去离子水冲洗、洗涤剂中浸泡后，分别在丙酮、乙醇和去离子水中超声波震荡清洗，最后用氮气吹干并在紫外下照射30min、60min、80min、100min或120min得到洁净基片。
4、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：所述步骤(2)将洁净基片浸入OTS-甲苯溶液中浸泡，浸泡后的基片用丙酮在超声波下清洗后并用氮气吹干，置于120℃下保温5min、7.5min或10min去掉残留杂质得到OTS-SAMs基体。
5、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：所述步骤(3)制备图案化SAMs：将OTS-SAMs基体在光掩膜的覆盖下，在紫外光下照射120min、150min、180min、210min或240min，得到图案化SAMs；紫外光λ＝184.9nm。
6、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：
所述步骤(4)制备前驱体溶液：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O以1∶1的摩尔比溶于稀醋酸溶液中，搅拌使之完全溶解，形成Fe+3和Bi+3摩尔浓度分别为0.25mol/L或0.3mol/L的透明溶液，将柠檬酸按Fe+3和Bi+3总摩尔数与柠檬酸分子摩尔数之比为1∶1的比例加入透明溶液中，搅拌均匀得到稳定的前驱体溶液；所述稀醋酸溶液中的醋酸与水的体积比是6∶1。
7、如权利要求1所述自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法，其特征在于：所述步骤(5)使BiFeO3薄膜图案化：BiFeO3薄膜在60℃低温环境下干燥，然后在300℃、320℃或350℃进行预处理10min、20min或30min以便络合物及有机物分解获得样品；最后将样品放于马弗炉中以1-3℃/min速率升温，在400℃、450℃、500℃、550℃或620℃的高温下保温120min、150min、180min、210min或240min使BiFeO3薄膜晶化。
CN2009100239401A 2009-09-17 2009-09-17 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法 Expired - Fee Related CN101654218B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100239401A CN101654218B (zh) 2009-09-17 2009-09-17 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100239401A CN101654218B (zh) 2009-09-17 2009-09-17 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101654218A true CN101654218A (zh) 2010-02-24
CN101654218B CN101654218B (zh) 2011-11-09

Family

ID=41708715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100239401A Expired - Fee Related CN101654218B (zh) 2009-09-17 2009-09-17 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101654218B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163486A (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 陕西科技大学 图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法
CN102163487A (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 陕西科技大学 功能化的Si基板表面制备图案化BiFeO3薄膜的方法
CN102503559A (zh) * 2011-11-23 2012-06-20 陕西科技大学 液相自组装法制备铜酸镧（La2CuO4）薄膜的方法
CN102534588A (zh) * 2012-02-27 2012-07-04 陕西科技大学 在FTO/glass 基板表面制备Nd 和Co 共掺的BiFeO3 薄膜的方法
CN102557474A (zh) * 2011-12-19 2012-07-11 陕西科技大学 溶胶-凝胶制备钽酸钠薄膜的方法
CN102560454A (zh) * 2011-12-19 2012-07-11 陕西科技大学 OTS法制备BiFeO3薄膜的方法
CN102583569A (zh) * 2012-02-16 2012-07-18 陕西科技大学 一种液相自组装技术制备具有介电性能的铁酸铋薄膜的方法
CN102583568A (zh) * 2012-02-16 2012-07-18 陕西科技大学 一种短波紫外光辐照预处理制备铁酸铋功能薄膜的方法
CN102633443A (zh) * 2012-02-27 2012-08-15 陕西科技大学 一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法
CN103073048A (zh) * 2012-12-24 2013-05-01 陕西科技大学 一种液相自组装技术制备图案化的ZnO薄膜的方法
CN105399339A (zh) * 2015-12-18 2016-03-16 北京汽车股份有限公司 一种含掺杂元素的铁酸铋基薄膜及其制备方法
CN105448698A (zh) * 2015-11-23 2016-03-30 哈尔滨工业大学 一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法
CN106007403A (zh) * 2016-05-20 2016-10-12 中国科学院新疆理化技术研究所 一种氯掺杂铁酸铋光电薄膜的制备方法
CN107604408A (zh) * 2017-08-25 2018-01-19 洛阳师范学院 一种铁酸铋薄膜及其制备方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102163486A (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 陕西科技大学 图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法
CN102163487A (zh) * 2010-12-30 2011-08-24 陕西科技大学 功能化的Si基板表面制备图案化BiFeO3薄膜的方法
CN102163486B (zh) * 2010-12-30 2013-08-14 陕西科技大学 图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法
CN102503559A (zh) * 2011-11-23 2012-06-20 陕西科技大学 液相自组装法制备铜酸镧（La2CuO4）薄膜的方法
CN102503559B (zh) * 2011-11-23 2013-08-14 陕西科技大学 液相自组装法制备铜酸镧（La2CuO4）薄膜的方法
CN102560454A (zh) * 2011-12-19 2012-07-11 陕西科技大学 OTS法制备BiFeO3薄膜的方法
CN102557474B (zh) * 2011-12-19 2014-04-16 陕西科技大学 溶胶-凝胶制备钽酸钠薄膜的方法
CN102557474A (zh) * 2011-12-19 2012-07-11 陕西科技大学 溶胶-凝胶制备钽酸钠薄膜的方法
CN102583568A (zh) * 2012-02-16 2012-07-18 陕西科技大学 一种短波紫外光辐照预处理制备铁酸铋功能薄膜的方法
CN102583569A (zh) * 2012-02-16 2012-07-18 陕西科技大学 一种液相自组装技术制备具有介电性能的铁酸铋薄膜的方法
CN102633443A (zh) * 2012-02-27 2012-08-15 陕西科技大学 一种在导电玻璃基板表面制备Tb掺杂BiFeO3铁电薄膜的方法
CN102534588A (zh) * 2012-02-27 2012-07-04 陕西科技大学 在FTO/glass 基板表面制备Nd 和Co 共掺的BiFeO3 薄膜的方法
CN102534588B (zh) * 2012-02-27 2013-10-09 陕西科技大学 在FTO/glass 基板表面制备Nd 和Co 共掺的BiFeO3 薄膜的方法
CN103073048B (zh) * 2012-12-24 2015-04-22 陕西科技大学 一种液相自组装技术制备图案化的ZnO薄膜的方法
CN103073048A (zh) * 2012-12-24 2013-05-01 陕西科技大学 一种液相自组装技术制备图案化的ZnO薄膜的方法
CN105448698A (zh) * 2015-11-23 2016-03-30 哈尔滨工业大学 一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法
CN105448698B (zh) * 2015-11-23 2018-02-06 哈尔滨工业大学 一种氧化铟锡导电玻璃上图案化磷脂膜阵列的制备方法
CN105399339A (zh) * 2015-12-18 2016-03-16 北京汽车股份有限公司 一种含掺杂元素的铁酸铋基薄膜及其制备方法
CN105399339B (zh) * 2015-12-18 2018-12-11 北京汽车股份有限公司 一种含掺杂元素的铁酸铋基薄膜及其制备方法
CN106007403A (zh) * 2016-05-20 2016-10-12 中国科学院新疆理化技术研究所 一种氯掺杂铁酸铋光电薄膜的制备方法
CN107604408A (zh) * 2017-08-25 2018-01-19 洛阳师范学院 一种铁酸铋薄膜及其制备方法
CN107604408B (zh) * 2017-08-25 2019-11-08 洛阳师范学院 一种铁酸铋薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101654218B (zh) 2011-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101654218B (zh) 一种自组装单层膜表面制备BiFeO3薄膜图案化的方法
CN102163486B (zh) 图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法
CN101659520B (zh) 一种液相自组装方法在玻璃基板上制备铁酸铋功能薄膜的方法
CN100587910C (zh) 石英/镍酸镧/铁酸铋-钛酸铅三层结构铁电材料的制备方法
Qiu et al. Fabrication of TiO2 nanotube film by well-aligned ZnO nanorod array film and sol–gel process
CN105789432B (zh) 一种基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件
CN102126724A (zh) 光滑表面硅纳米线阵列的制备方法
CN103641059A (zh) 硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法
CN102163487B (zh) 功能化的Si基板表面制备图案化BiFeO3薄膜的方法
CN101724839A (zh) 一种微米/纳米尺度BiOCl薄膜材料及其制备方法
CN102557473A (zh) 一种csd法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法
CN107732008A (zh) 一种油酸钝化有机无机杂化钙钛矿阻变存储器及其制备方法
CN102659400B (zh) 一种在玻璃基板表面制备焦绿石相钛酸铋功能薄膜的方法
CN102583569B (zh) 一种液相自组装技术制备具有介电性能的铁酸铋薄膜的方法
CN103073048B (zh) 一种液相自组装技术制备图案化的ZnO薄膜的方法
CN101955323A (zh) 一种在玻璃基板上制备钛酸铋功能薄膜的方法
Vabbina et al. Synthesis of crystalline ZnO nanostructures on arbitrary substrates at ambient conditions
CN210866243U (zh) 一种ctm存储器
CN107540402A (zh) 一种多孔钛酸铜钙薄膜的制备方法
CN111017869B (zh) 一种硅基网络结构及其制备方法
Zhang et al. Promoted reversible wettability transition by plasmonic effects at Ag/TiO2 heterointerface
CN205657088U (zh) 基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件
Cernohorsky et al. Seed layers for the growth of oriented vertical arrays of ZnO nanorods
Arifin et al. Dependence of deposition bath temperature for p-electrodeposited-Cu2O onto n-TiO2/ZnO bilayer thin films
CN102583568B (zh) 一种短波紫外光辐照预处理制备铁酸铋功能薄膜的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111109

Termination date: 20140917

EXPY Termination of patent right or utility model