CN101645464A - 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 - Google Patents
具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101645464A CN101645464A CN200910091646A CN200910091646A CN101645464A CN 101645464 A CN101645464 A CN 101645464A CN 200910091646 A CN200910091646 A CN 200910091646A CN 200910091646 A CN200910091646 A CN 200910091646A CN 101645464 A CN101645464 A CN 101645464A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heterojunction
- tbmno
- terbium
- mixed powder
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有双向整流特性的铽锰氧p－n异质结，该p－n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。本发明的铽锰氧p－n异质结是采用脉冲激光沉积方法制备得到，经该方法制得的p－n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体p-n异质结，更特别地说，是指一种具有双向整流特性的铽锰氧(TbMnO3)p-n异质结及其制备方法。
背景技术
钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超导、巨磁电阻以及光学非线性等很多吸引人的特性与效应。尽管钙钛矿型氧化物的性质各异，但大部分在结构上具有很好的相容性。随着制膜技术的进步和对薄膜特性研究的深入，对于完全钙钛矿氧化物器件的探索也越来越多，如肖特基结、p-n结、场效应管等。
钙钛矿锰基氧化物一般呈绝缘体或p型半导体特性，如TbMnO3和LaMnO3，二价阳离子掺杂以后，在掺杂比例大时表现出金属特性，属空穴掺杂，如La0.67Ca0.33MnO3，La0.67Ba0.33MnO3，La0.67Sr0.33MnO3等。
铌Nb掺杂的SrTiO3实质上是电子掺杂，表现出n型掺杂的特性。低浓度铌Nb掺杂的SrTiO3是优良的半导体，与金属接触表现出良好的Schottky整流特性，而高浓度铌Nb掺杂的SrTiO3则表现出金属特性。
钙钛矿锰基氧化物与Nb-SrTiO3接触后，在界面会形成p-n结，p-n结具有较好的整流特性。
近年来，由于磁-铁电现象在磁电和磁光等装置上的潜在应用前景，人们对磁-铁电材料和物理的研究增加。最近，在磁-铁电材料的TbMnO3中发现大的磁电和磁容效应，这为实现磁场和电场的多重控制提供了可能。基于过渡金属钙钛矿氧化物TbMnO3中有很多优异的物理性能，正在开发它们在器件方面的应用。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
本发明的目的之二是提出一种采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，经该方法制得的p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性。
本发明具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的优点在于：
(1)由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
(2)该p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性。
(3)制备方法可控、操作简单、重复性好。
附图说明
图1是PLD装置沉积系统简示图。
图2是本发明实施例1研磨烧结后TbMnO3粉的XRD图。
图3是采用本发明实施例1制备步骤得到的TbMnO3薄膜的XRD图。
图4是采用本发明实施例1制备步骤得到的TbMnO3薄膜的SEM图。
图5是采用本发明实施例1制备步骤得到的铽锰氧p-n异质结的电流电压特性随温度变化图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。
本发明是一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
脉冲激光沉积(PLD)是80年代后期发展起来的新型薄膜制备技术。相对其他薄膜制备技术，PLD具有沉积速度快，靶、膜成分一致，生长过程中可原位引入多种气体，烧蚀物粒子能量高，易制备多层膜及异质结，工艺简单，灵活性大，可制备的薄膜种类多，可用激光对薄膜进行多种处理等优点。PLD装置沉积系统的结构如图1所示。
本发明采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，具体有下列步骤：
第一步：固相反应法制TbMnO3靶材
先将MnO2粉末和Tb7O11的粉末经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第一混合粉；用量：7mol的MnO2粉末中加入1mol的Tb7O11的粉末；
然后将第一混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1300℃～1400℃高温下烧10～12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第一中间混合体；
然后将中间混合体经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第二混合粉；
将第二混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1300℃～1400℃高温下烧10～12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第二中间混合体；
将第二中间混合体经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第三混合粉；
将第三混合粉加入模腔中，在50MPa～80MPa压力下，制得预成型体；然后将预成型体在1450℃～1550℃高温下经10～12小时烧结制得TbMnO3靶材。
在本发明中，是否要进行高温烧结成型，主要是考虑第三混合粉经XRD测试是否具有单相结构。
在本发明中，对MnO2粉末和Tb7O11的粉末的研磨-烧结过程是否重复多次，主要依据是XRD中测试TbMnO3粉是否具有单相结构。
第二步：基片准备
将n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸截取，然后对截取的Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材进行表面抛光，表面粗糙度为1nm以下，先经质量百分比浓度为95％的酒精清洗后，再用质量百分比浓度为99.5％的丙酮清洗，吹干待用；
在本发明中，Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸为10mm×3mm×0.5mm；
第三步：脉冲激光沉积制薄膜
将第一步骤制得的TbMnO3靶材安装在如图1所示的靶子台上，将第二步骤制得的基片安装在如图1所示的基片台上；
对沉积室抽真空至真空度为1×10-4Pa～5×10-4Pa，然后充入质量百分比浓度为99.999％的氧气，使沉积室的氧气压力为35Pa～45Pa；
通过加热器对基片进行加热，使基片温度达到740℃～750℃；
调节激光束：采用248nm KrF激光器，激光的能量密度为2.0J/cm2～2.5J/cm2，激光频率为3Hz；
在基片上沉积TbMnO3材料开始，沉积8min～10min后迅速充氧使沉积室的压力达至1个大气压；然后基片以每分钟3度降至500℃，随后关闭加热器，自然降温至室温，取出，沉积薄膜厚度为100nm～130nm。
性能测试：采用XRD进行外延生长质量分析，采用扫描电子显微镜进行微观组织分析，采用KEITHLEY 2400电流源进行电流电压特性测试，在薄膜表面采用金电极，基片上采用铟电极。
在本发明中，在n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材上采用PLD方法沉积100nm～130nm的p型半导体材料TbMnO3薄膜，该结构称为铽锰氧p-n异质结。
经本发明方法制得的铽锰氧p-n异质结可以作为加工二极管的材料。是因为铽锰氧p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为1∶2；在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为2∶1。
实施例1：在基片上制100nm的TbMnO3薄膜
采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，具体有下列步骤：
第一步：固相反应法制TbMnO3靶材
先将MnO2粉末和Tb7O11的粉末经充分研磨后制得平均粒径为600nm的第一混合粉；用量：7mol的MnO2粉末中加入1mol的Tb7O11的粉末；
然后将第一混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第一中间混合体；
然后将中间混合体经充分研磨后制得平均粒径为600nm的第二混合粉；
将第二混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第二中间混合体；
将第二中间混合体经充分研磨后制得平均粒径为600nm的第三混合粉；采用X射线衍射仪对第三混合粉进行表征，如图2所示，第三混合粉无其它衍射峰，说明为单相的TbMnO3粉。
将第三混合粉加入模腔中，在80MPa压力下，制得预成型体；然后将预成型体在1500℃高温下经10小时烧结制得TbMnO3靶材。
第二步：基片准备
将n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸截取，然后对截取的Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材进行表面抛光，表面粗糙度为0.7nm，先经质量百分比浓度为95％的酒精清洗后，再用质量百分比浓度为99.5％的丙酮清洗，吹干待用；
在本发明中，Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸为10mm×3mm×0.5mm；
第三步：脉冲激光沉积制薄膜
将第一步骤制得的TbMnO3靶材安装在如图1所示的靶子台上，将第二步骤制得的基片安装在如图1所示的基片台上；
对沉积室抽真空至真空度为4×10-4Pa，然后充入质量百分比浓度为99.999％的氧气，使沉积室的氧气压力为40Pa；
通过加热器对基片进行加热，使基片温度达到740℃；
调节激光束：采用248nm KrF激光器，激光的能量密度为2.5J/cm2，激光频率为3Hz；
在基片上沉积TbMnO3材料开始，沉积10min后迅速充氧使沉积室的压力达至1个大气压；然后基片以每分钟3度降至500℃，随后关闭加热器，自然降温至30℃后，取出，得到沉积厚度为100nm薄膜。
性能测试：采用XRD进行外延生长质量分析，采用扫描电子显微镜进行微观组织分析，采用KEITHLEY 2400电流源进行电流电压特性测试。
如图3所示，实施例1制得的铽锰氧薄膜具有较好的外延生长取向。
如图4所示，实施例1制得的铽锰氧薄膜具有均匀的颗粒状微结构。
如图5所示，实施例1制得的铽锰氧p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为1∶2；在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为2∶1。
实施例2：在基片上制120nm的TbMnO3薄膜
本发明采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，具体有下列步骤：
第一步：固相反应法制TbMnO3靶材
先将MnO2粉末和Tb7O11的粉末经充分研磨后制得平均粒径500nm的第一混合粉；用量：7mol的MnO2粉末中加入1mol的Tb7O11的粉末；
然后将第一混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1300℃高温下烧10小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第一中间混合体；
然后将中间混合体经充分研磨后制得平均粒径500nm的第二混合粉；
将第二混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧10小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第二中间混合体；
将第二中间混合体经充分研磨后制得平均粒径500nm以下的第三混合粉；
将第三混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧10小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第三中间混合体；
将第三中间混合体经充分研磨后制得平均粒径500nm以下的第四混合粉；
将第四混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧10小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第四中间混合体；
将第四中间混合体经充分研磨后制得平均粒径500nm以下的第五混合粉；经XRD表征，第五混合粉无其它衍射峰，说明为单相的TbMnO3粉。
将第五混合粉加入模腔中，在60MPa压力下，制得预成型体；然后将预成型体在1550℃高温下经10小时烧结制得TbMnO3靶材。
第二步：基片准备
将n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸截取，然后对截取的Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材进行表面抛光，表面粗糙度为0.6nm，先经质量百分比浓度为95％的酒精清洗后，再用质量百分比浓度为99.5％的丙酮清洗，吹干待用；
在本发明中，Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸为10mm×3mm×0.5mm；
第三步：脉冲激光沉积制薄膜
将第一步骤制得的TbMnO3靶材安装在如图1所示的靶子台上，将第二步骤制得的基片安装在如图1所示的基片台上；
对沉积室抽真空至真空度为3×10-4Pa，然后充入质量百分比浓度为99.999％的氧气，使沉积室的氧气压力为35Pa；
通过加热器对基片进行加热，使基片温度达到740℃；
调节激光束：采用248nm KrF激光器，激光的能量密度为2.0J/cm2，激光频率为3Hz；
在基片上沉积TbMnO3材料开始，沉积10min后迅速充氧使沉积室的压力达至1个大气压；然后基片以每分钟3度降至500℃，随后关闭加热器，自然降温至27℃后，取出，沉积薄膜厚度为120nm。
实施例2制得的铽锰氧薄膜具有较好的外延生长取向。
实施例2制得的铽锰氧铽锰氧薄膜具有均匀的颗粒状微结构。
实施例2制得的铽锰氧p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为1∶2；在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为2∶1。
实施例3：在基片上制130nm的TbMnO3薄膜
本发明采用脉冲激光沉积方法(PLD)制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，具体有下列步骤：
第一步：固相反应法制TbMnO3靶材
先将MnO2粉末和Tb7O11的粉末经充分研磨后制得平均粒径为1μm的第一混合粉；用量：7mol的MnO2粉末中加入1mol的Tb7O11的粉末；
然后将第一混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第一中间混合体；
然后将中间混合体经充分研磨后制得平均粒径为1μm的第二混合粉；
将第二混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1400℃高温下烧10小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第二中间混合体；
将第二中间混合体经充分研磨后制得平均粒径为1μm的第三混合粉；
将第三混合粉加入模腔中，在50MPa压力下，制得预成型体；然后将预成型体在1450℃高温下经12小时烧结制得TbMnO3靶材。
第二步：基片准备
将n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸截取，然后对截取的Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材进行表面抛光，表面粗糙度为1nm，先经质量百分比浓度为95％的酒精清洗后，再用质量百分比浓度为99.5％的丙酮清洗，吹干待用；
在本发明中，Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸为10mm×3mm×0.5mm；
第三步：脉冲激光沉积制薄膜
将第一步骤制得的TbMnO3靶材安装在如图1所示的靶子台上，将第二步骤制得的基片安装在如图1所示的基片台上；
对沉积室抽真空至真空度为4×10-4Pa，然后充入质量百分比浓度为99.999％的氧气，使沉积室的氧气压力为40Pa；
通过加热器对基片进行加热，使基片温度达到740℃；
调节激光束：采用248nmKrF激光器，激光的能量密度为2.2J/cm2，激光频率为3Hz；
在基片上沉积TbMnO3材料开始，沉积10min后迅速充氧使沉积室的压力达至1个大气压；然后基片以每分钟3度降至500℃，随后关闭加热器，自然降温至22℃后，取出，沉积薄膜厚度为130nm。
实施例3制得的铽锰氧薄膜具有较好的外延生长取向。
实施例3制得的铽锰氧铽锰氧薄膜具有均匀的颗粒状微结构。
实施例3制得的铽锰氧p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为1∶2；在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为2∶1。
本发明制得的一种具有双向整流特性的过渡金属氧化物p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。本发明利用脉冲激光沉积方法和合理控温工艺在n型导电掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3基底上外延生长一层高质量的p型铽锰氧TbMnO3薄膜，从而构成了一种全新的过渡金属氧化物p-n异质结。通过减小反向电流-电压特性随温度的变化，使该p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，这些特性表明本发明的p-n异质结在电子技术与低温工程方面具有应用前景。
Claims (5)
1、一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，其特征在于：该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
2、一种采用脉冲激光沉积方法制备如权利要求1所述的具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，其特征在于有下列步骤：
第一步：固相反应法制TbMnO3靶材
先将MnO2粉末和Tb7O11的粉末经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第一混合粉；
用量：7mol的MnO2粉末中加入1mol的Tb7O11的粉末；
然后将第一混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1300℃～1400℃高温下烧10～12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第一中间混合体；
然后将中间混合体经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第二混合粉；
将第二混合粉置入坩埚内，在高温烧结炉中，以1300℃～1400℃高温下烧10～12小时后，随炉冷却至室温后取出，制得第二中间混合体；
将第二中间混合体经充分研磨后制得粒径为1μm以下的第三混合粉；
将第三混合粉加入模腔中，在50MPa～80MPa压力下，制得预成型体；然后将预成型体在1450℃～1550℃高温下经10～12小时烧结制得TbMnO3靶材。
第二步：基片准备
将n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材按所需尺寸截取，然后对截取的Sr0.99Nb0.01TiO3单晶块材进行表面抛光，表面粗糙度为1nm以下，先经质量百分比浓度为95％的酒精清洗后，再用质量百分比浓度为99.5％的丙酮清洗，吹干待用；
第三步：脉冲激光沉积制薄膜
将第一步骤制得的TbMnO3靶材安装在靶子台上；
将第二步骤制得的基片安装在基片台上；
对沉积室抽真空至真空度为1×10-4Pa～5×10-4Pa，然后充入质量百分比浓度为99.999％的氧气，使沉积室的氧气压力为35Pa～45Pa；
通过加热器对基片进行加热，使基片温度达到740℃～750℃；
调节激光束的激光能量密度为2.0J/cm2～2.5J/cm2，激光频率为3Hz；
在基片上沉积TbMnO3材料开始，沉积8min～10min后迅速充氧气使沉积室的压力达至1个大气压；然后基片以每分钟3度降温至500℃，随后关闭加热器，自然降温至室温，取出，即制得具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结。
3、根据权利要求2所述的一种采用脉冲激光沉积方法制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，其特征在于：在第一步骤中应该保证在烧结前的混合粉经XRD测试为单相结构。
4、根据权利要求2所述的一种采用脉冲激光沉积方法制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，其特征在于：在第三步骤中沉积薄膜的厚度为100nm～130nm。
5、根据权利要求2所述的一种采用脉冲激光沉积方法制备具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结的方法，其特征在于：制得的铽锰氧p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为1∶2；在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性，正向开启电压与反向击穿之比为2∶1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100916464A CN101645464B (zh) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100916464A CN101645464B (zh) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101645464A true CN101645464A (zh) | 2010-02-10 |
| CN101645464B CN101645464B (zh) | 2011-07-27 |
Family
ID=41657249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100916464A Expired - Fee Related CN101645464B (zh) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101645464B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102201494A (zh) * | 2011-04-15 | 2011-09-28 | 北京航空航天大学 | 一种具有光电特性的TbMnO3异质结的制备方法 |
| CN103066108A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 浙江理工大学 | 一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用 |
| CN109003821A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-12-14 | 东北大学 | 一种超高介电常数复合材料、其制备方法及应用 |
| WO2022247736A1 (zh) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 松山湖材料实验室 | 脉冲激光沉积装置及方法 |
-
2009
- 2009-08-31 CN CN2009100916464A patent/CN101645464B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102201494A (zh) * | 2011-04-15 | 2011-09-28 | 北京航空航天大学 | 一种具有光电特性的TbMnO3异质结的制备方法 |
| CN102201494B (zh) * | 2011-04-15 | 2013-08-28 | 北京航空航天大学 | 一种具有光电特性的TbMnO3异质结的制备方法 |
| CN103066108A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 浙江理工大学 | 一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用 |
| CN103066108B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-11-18 | 浙江理工大学 | 一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用 |
| CN109003821A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-12-14 | 东北大学 | 一种超高介电常数复合材料、其制备方法及应用 |
| WO2020034235A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 东北大学 | 超高介电常数复合材料、其制备方法及应用 |
| WO2022247736A1 (zh) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 松山湖材料实验室 | 脉冲激光沉积装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101645464B (zh) | 2011-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Leret et al. | Nonlinear I–V electrical behaviour of doped CaCu3Ti4O12 ceramics | |
| CN103601487B (zh) | 一种(SrCa)TiO3-LaAlO3基微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101456726B (zh) | 一种制备高临界电流密度钇钡铜氧超导薄膜的方法 | |
| CN88100514A (zh) | 超导器件 | |
| CN101826549B (zh) | 半导体异质结构、其制备方法及半导体装置 | |
| CN101645464B (zh) | 具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法 | |
| CN105762197A (zh) | 基于铌镁酸铅钛酸铅单晶的半导体铁电场效应异质结构及其制备方法和应用 | |
| CN102683577B (zh) | BiFe1-yMnyO3外延复合薄膜及其制备方法 | |
| CN105355714B (zh) | 一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜 | |
| CN1905081A (zh) | 一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法 | |
| CN101419947B (zh) | 一种过渡金属氧化物p-n异质结及其制备方法 | |
| Craciun et al. | Pulsed laser deposition: fundamentals, applications, and perspectives | |
| CN1851039A (zh) | 一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法 | |
| Mao et al. | Enhanced voltage endurance capability of Ba (Zr0. 2Ti0. 8) O3 thin films induced by atomic-layer-deposited Al2O3 intercalations and the application in electrostatic energy storage | |
| Zhao et al. | High energy storage properties of calcium-doped barium titanate thin films with high breakdown field strength | |
| CN1512602A (zh) | 制作高温超导器件的表面改性方法 | |
| CN113990974B (zh) | 全铁电半导体pn结薄膜器件及其制备方法 | |
| CN112864300B (zh) | 一种碲化铋基合金薄膜-钙钛矿型氧化物异质结复合热电材料及其制备与应用 | |
| Serralta-Macías et al. | Energy storage performance in lead-free antiferroelectric 0.92 (Bi0. 54Na0. 46) TiO3-0.08 BaTiO3 ultrathin films by pulsed laser deposition | |
| CN110890280B (zh) | 一种利用钯/钯氧化物双层肖特基电极制备氧化物半导体肖特基二极管的方法 | |
| CN101901646B (zh) | 一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法 | |
| CN102201494B (zh) | 一种具有光电特性的TbMnO3异质结的制备方法 | |
| Wang et al. | Perspectives on nitride ferroelectric semiconductors: Challenges and opportunities | |
| JP4141666B2 (ja) | 酸化物高温超伝導体針状結晶の製造方法 | |
| Ritums et al. | Conducting and interfacial properties of epitaxial SVO films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110727 Termination date: 20120831 |