CN101635287B - 功率半导体模块 - Google Patents

功率半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN101635287B
CN101635287B CN2009101521842A CN200910152184A CN101635287B CN 101635287 B CN101635287 B CN 101635287B CN 2009101521842 A CN2009101521842 A CN 2009101521842A CN 200910152184 A CN200910152184 A CN 200910152184A CN 101635287 B CN101635287 B CN 101635287B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power semiconductor
substrate
housing
semiconductor modular
load connecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2009101521842A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101635287A (zh
Inventor
雷纳尔·波浦
马库斯·格鲁贝尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Publication of CN101635287A publication Critical patent/CN101635287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101635287B publication Critical patent/CN101635287B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

本发明介绍了一种功率半导体模块(10)，所述半导体模块(10)具有衬底(12)、壳体(14)和桥元件(16)。壳体(14)可以固定在冷却结构件上。桥元件(16)布置在壳体内并且以推压元件(32)向衬底(12)推压。此外，桥元件(16)为了定位负载连接元件(38)而与衬底(12)的导体轨(20)相关地设置。为了确保出色的耐电压强度或者说击穿强度，衬底(12)与桥元件(16)一起形成结构单元(26)，该结构单元(26)以在所有横向方向上可受限制地运动的方式布置在壳体(14)中。

Description

功率半导体模块
技术领域
本发明涉及一种功率半导体模块，所述功率半导体模块具有衬底、壳体及桥元件(Brückenelement)，其中，衬底在第一主体面上具有用于负载连接元件及用于功率半导体结构元件的导体轨并且在相对置的第二主体面上具有金属层，设置所述金属层用于将热量导出到冷却结构件上，其中，可以将壳体固定在该冷却结构件上，并且其中，桥元件布置在壳体上并且为了对负载连接元件的接触区段进行定位而与衬底的导体轨相关地被设置并且凭借推压元件向衬底的第一主体面推压。
背景技术
对于衬底例如是指DCB衬底(直接铜键合)。对这样的功率半导体模块提出如下要求，功率半导体模块在-30℃至150℃的温度范围内在很长的使用持续时间期间可靠地行使功能。这样大的温度范围引发相应的由热膨胀引起的尺寸变化。
例如在申请人的DE 10 2006 006 424 A1中公开了开头所述类型的功率半导体模块。在该公知类型的功率半导体模块中，冷却结构件与固定在该冷却结构件上的壳体和设置于壳体内的桥元件一起形成第一结构单元并且衬底与以适配于电路的方式施加在该衬底上的功率半导体结构元件和负载连接元件一起形成第二结构单元。这两个公知的结构单元相互之间不具有彼此在机械上刚性的连接，而是第二结构单元可以在横向上在第一结构单元内部运动，如在该出版的现有技术的第[0030]段所介绍的那样。在该公知的功率半导体模块中，衬底同样可以关于壳体以由于温度而受限制的方式运动。在衬底的外部边缘与壳体的附属的固定边缘之间的环形间隙中具有电绝缘的灌注物，以便使得设置在衬底的第一主体面上的导体轨相对于冷却结构件电绝缘。已硬化的灌注物具有很高的介电常数，从而确保相应的击穿强度。然而由于衬底的基于温度而受限制的、关于固定在冷却结构件上的壳体的可运动性，在公知的功率半导体模块中，未可靠地消除已硬化的灌注物的开裂，从而出现不希望的空气间隙，该空气间隙具有对应空气的相应的介电常数ε0，并且相应于已硬化的灌注物的介电常数ε的击穿强度相应地降低至对应空气的介电常数ε0的数值。这意味着，功率半导体模块的寿命可能相应地缩减。
发明内容
基于对现况的认识，本发明的任务在于，完成开头所述类型的功率半导体模块，所述功率半导体模块在结构简单的同时具有很高的运行可靠性。
根据本发明地，该任务通过权利要求1的特征，也就是以如下方式来解决，衬底与桥元件一起形成结构单元，将该结构单元以可以在所有平行于衬底的第一和第二主体面的横向方向上受限制地运动的方式布置在壳体中。由衬底和桥元件组成的结构单元可在垂直于所述横向方向的方向上优选受限制地运动。
在根据本发明的功率半导体模块中，衬底也不是与可固定在冷却结构件上的壳体一起形成结构单元，而是与可受限制地运动地设置在壳体内的桥元件一起形成结构单元。沿着衬底的环形边缘和桥元件的附属的固定边缘设置有电绝缘的灌注物，其中，已硬化的灌注物的开裂被可靠地消除，这是因为在形成结构单元的桥元件与衬底之间消除了由温度而引起的相对运动进而阻止形成降低击穿强度的空气间隙。根据本发明的功率半导体模块因而在结构简单以及与此同时寿命长的情况下具有出色的运行可靠性。
对于根据本发明的功率半导体模块被证实是适当的是，桥元件呈帽状地构造有环形的侧壁部、推压元件以及用于负载连接元件的接触区段的引导井状件，并且壳体具有框架元件和盖件。桥元件的侧壁部在此与壳体的框架元件以很小的间隙保持间隔，从而由衬底和桥式元件组成的结构单元关于待固定或已固定在冷却结构件上的壳体的、由于热膨胀而引起的运动毫无问题地可行，而不会与冷却结构件相关地对功率半导体模块的击穿强度产生影响。
在根据本发明的功率半导体模块中，优选的是，桥元件的环形侧壁部构造有为衬底环形边缘而设置的环形凸缘，该凸缘的净内部尺寸配合于衬底的外部边缘。在此，桥元件的侧壁部的环形凸缘如此地造型，即，衬底以设置在其第二主体面上的金属层稍微突出于该环形的凸缘，从而确保的衬底的金属层可靠地大面积地置于冷却结构件上。
为了在桥元件与壳体之间确保上面所提及的限定的受限制的可运动性，优选的是，桥元件的环形的侧壁部具有如下的外部尺寸，该外部尺寸稍微小于壳体的框架元件净内部尺寸。
被证实适当的是，框架元件在其朝向盖件的面上构造有用于负载连接元件连接区段的空隙并且所述盖件在其朝向框架元件的面上构造有用于负载连接元件的所述连接区段的凹处。通过这样的构造方案得到如下优点，负载连接元件可以简单而省时地装配。负载连接元件的连接区段以接触凸片优选以可自由接近的方式突出于壳体的盖件，从而功率半导体模块的负载连接元件毫无问题地从外部连接。
为了能够简单而省时地将根据本发明的功率半导体模块固定在冷却结构件上，被证实适当的是，壳体的盖件和框架元件被构造有用于固定元件的、在轴向上对齐固定孔，借助这些固定孔可以将功率半导体模块固定在冷却结构件上。固定元件例如是指螺栓元件，借助该螺栓元件将功率半导体模块固定在冷却结构件上，同时其中，引起桥元件的、向衬底的第一主体面上的导体轨的挤压压力并且引起负载连接元件的接触区段向所述导体轨的接触压力。
附图说明
由对根据本发明的功率半导体模块在附图中描述的实施例的下列介绍而获知其它细节、特征以及优点。
其中：
图1以分解图透视地示出功率半导体模块的构造方案，
图2以分解图示出依照图1的功率半导体模块的侧视图，
图3示出依据图2的功率半导体模块的剖切图，以及
图4示出已组装状态下的功率半导体模块的剖切图以及该功率半导体模块的放大细节。
具体实施方式
图1示出功率半导体模块10的构造方案，功率半导体模块10具有衬底12、壳体14以及桥元件16。如由图4可见地，衬底12在第一主体面18上具有导体轨20以及(未示出的)功率半导体结构元件并且在对置的第二主体面22上具有金属层24。设置金属层24用于导出热量到未示出的冷却结构件上。
衬底12与桥元件16一起形成结构单元26，该结构单元26在壳体14中可以在所有平行于第一主体面18和第二主体面22的横向方向上受限制地运动。受限制的可运动性在图4中由双箭头28表示。此外，也可以在垂直于所述横向方向的方向上进行运动。
如由图3可见的是，桥元件16呈帽状地构造有环形的侧壁部30、指状的推压元件32以及引导井状件34。引导井状件34被设置用于对接触区段36进行定位，功率半导体模块10的负载连接元件38被构造有该接触区段36。负载连接元件38的连接区段40从负载连接元件38的接触区段36成角地伸出。
功率半导体模块10的壳体14具有框架元件42和盖件44。从盖件44伸出为弹性的控制-或辅助连接元件48而设置的顶端件46，该控制-或辅助连接元件48在功率半导体模块10的已组装状态下与设置在衬底12上的导体轨20合适地触点接通。
如由图4明显可见的是，桥元件16的环形的侧壁部30构造有凸缘50，设置凸缘50用于衬底12在横向方向上的定位。出于该目的，环形的凸缘50的净内部尺寸配合于衬底12的外部边缘。
为了在由桥元件16和衬底12组成的结构单元与壳体14或其框架元件42之间确保在上面进一步介绍的和在图4中由双箭头28标明的可运动性，桥元件16的环形侧壁部30具有外部尺寸52，该外部尺寸52稍微小于壳体14的框架元件42的净内部尺寸54(参见图4)。
如例如由图1可见的是，盖件14的框架元件42在其朝向盖件14的面56上构造有用于负载连接元件38的连接区段40的空隙58。同样地，盖件44在其朝向壳体14的框架元件42的内面60上构造有用于负载连接元件38的连接区段40的凹处62。负载连接元件38的连接区段40以接触凸片64以可自由接近的方式突出于壳体14的盖件44的外部边缘。
壳体14的盖件44和框架元件42构造有在轴向上对齐的固定孔66和68。在功率半导体模块10的已组装状态下，固定孔66和68用于接纳未示出的固定元件，借助该固定元件可以将功率半导体模块10固定在冷却结构件上。
在图1至4中，相同的细节部分分别以同一附图标记标出，从而省掉结合所有附图分别详细地介绍所有细节部分。
附图标记列表：
10    功率半导体模块
12    衬底(属于10)
14    壳体(属于10)
16    桥元件(属于10)
18    第一主体面(属于12)
20    导体轨(在18上)
22    第二主体面(属于12)
24    金属层(在22上)
26    结构单元(由12与16组成)
28    双箭头/可运动性(26与14之间)
30    环形的侧壁部(属于16)
32    推压元件(属于16，用于12)
34    引导井状件(在16中，用于36)
36    接触区段(属于38)
38    负载连接元件(属于10)
40    连接区段(属于38)
42    框架元件(属于14)
44    盖件(属于14)
46    顶端件(在44上，用于48)
48    控制-或辅助连接元件(属于10)
50    环形的凸缘(属于30，用于12)
52    外部尺寸(属于30)
54    净内部尺寸(属于42)
56    面(属于42)
58    空隙(在56中)
60    内面(属于44)
62    凹处(在60中)
64    接触凸片(属于40)
66    固定孔(在44中)
68    固定孔(在42中)

Claims (8)

1.功率半导体模块，具有衬底（12）、壳体（14）以及桥元件（16），
其中，所述衬底（12）在第一主体面（18）上具有用于负载连接元件（38）及用于功率半导体结构元件的导体轨（20）并且在对置的第二主体面（22）上具有金属层（24），设置所述金属层（24）用于将热量导出到冷却结构件上，
所述壳体（14）能够固定在所述冷却结构件上，并且
所述桥元件（16）布置在所述壳体（14）中并且为了对所述负载连接元件（38）的接触区段（36）进行定位而与所述衬底（12）的所述导体轨（20）相关地设置并且以推压元件（32）向所述衬底（12）的所述第一主体面（18）推压，
其特征在于，
所述衬底（12）与所述桥元件（16）形成结构单元（26），所述结构单元（26）以在所有平行于所述衬底（12）的所述第一主体面（18）及所述第二主体面（22）的横向方向上能受限制地运动的方式布置在所述壳体（14）中。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，由所述衬底（12）与所述桥元件（16）组成的所述结构单元（26）能在垂直于所述横向方向的方向上受限制地运动。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述桥元件（16）呈帽状地构造有环形的侧壁部（30）、所述推压元件（32）以及用于所述负载连接元件（38）的所述接触区段（36）的引导井状件（34），并且所述壳体（14）具有框架元件（42）和盖件（44）。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述桥元件（16）的所述环形侧壁部（30）构造有为所述衬底（12）而设置的环形凸缘（50），所述环形凸缘（50）的净内部尺寸配合于所述衬底（12）的外部边缘。
5.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述桥元件（16）的所述环形侧壁部（30）具有外部尺寸（52），所述外部尺寸（52）稍微小于所述壳体（14）的所述框架元件（42）的净内部尺寸（54）。
6.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述壳体（14）的所述框架元件（42）在其朝向所述盖件（44）的面（56）上构造有用于所述负载连接元件（38）的连接区段（40）的空隙（58），并且所述壳体（14）的所述盖件（44）在其朝向所述框架元件（42）的面（60）上构造有用于所述负载连接元件（38）的所述连接区段（40）的凹处（62）。
7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，所述负载连接元件（38）的所述连接区段（40）以接触凸片（64）以能自由接近的方式突出于所述壳体（14）的所述盖件（44）的外部边缘。
8.根据权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，所述壳体（14）的所述盖件（44）和所述框架元件（42）构造有用于固定元件的、在轴向上对齐的固定孔（66、68），借助所述固定孔（66、68）能够将所述功率半导体模块（10）固定在冷却结构件上。
CN2009101521842A 2008-07-22 2009-07-22 功率半导体模块 Active CN101635287B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008034068.5A DE102008034068B4 (de) 2008-07-22 2008-07-22 Leistungshalbleitermodul
DE102008034068.5 2008-07-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101635287A CN101635287A (zh) 2010-01-27
CN101635287B true CN101635287B (zh) 2013-08-28

Family

ID=41066525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101521842A Active CN101635287B (zh) 2008-07-22 2009-07-22 功率半导体模块

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2148368B1 (zh)
JP (1) JP5469942B2 (zh)
KR (1) KR101580326B1 (zh)
CN (1) CN101635287B (zh)
DE (1) DE102008034068B4 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010038735B3 (de) * 2010-07-30 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Betreiben eines PWM-Ausgangs eines Treibers für einen Leistungshalbleiter
KR101890752B1 (ko) 2012-11-01 2018-08-22 삼성전자 주식회사 균일한 병렬 스위치 특성을 갖는 파워모듈용 기판 및 이를 포함하는 파워모듈

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1381115B1 (de) * 2002-07-11 2004-06-23 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Druckkontaktiertes Leistungshalbleiterrelais

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4111247C3 (de) * 1991-04-08 1996-11-21 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE10149886A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistunghalbleitermodul
DE10306643B4 (de) * 2003-02-18 2005-08-25 Semikron Elektronik Gmbh Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE10326176A1 (de) * 2003-06-10 2005-01-05 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleitermodul
DE102004021122B4 (de) * 2004-04-29 2007-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102006006425B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102006006424B4 (de) * 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102006008807B4 (de) * 2006-02-25 2010-10-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE102007054709B4 (de) * 2007-11-16 2014-11-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1381115B1 (de) * 2002-07-11 2004-06-23 Semikron Elektronik GmbH Patentabteilung Druckkontaktiertes Leistungshalbleiterrelais

Also Published As

Publication number Publication date
KR101580326B1 (ko) 2015-12-24
CN101635287A (zh) 2010-01-27
DE102008034068B4 (de) 2019-07-18
JP2010028118A (ja) 2010-02-04
DE102008034068A1 (de) 2010-02-04
JP5469942B2 (ja) 2014-04-16
EP2148368A1 (de) 2010-01-27
EP2148368B1 (de) 2018-04-18
KR20100010494A (ko) 2010-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9190933B2 (en) Electric power converter having plurality of semiconductor modules arrayed in successive layers
KR101342884B1 (ko) 전동 압축기용의 전자부품 고정구조
CN101241887B (zh) 具有接触弹簧的功率半导体模块
US20140284765A1 (en) Electric power conversion apparatus
US20050093122A9 (en) Modular power semiconductor module
US8670223B2 (en) Case mold type capacitor
US20160219705A1 (en) Power Semiconductor Module Arrangement
CN100413392C (zh) 无风扇芯片散热装置
CN101635287B (zh) 功率半导体模块
US11129301B2 (en) Thermally conductive insulator
JP2004327185A (ja) 端子台
CN107112866B (zh) 驱动装置
US20180070480A1 (en) Power conversion apparatus provided with semiconductor module and electronic component pressurized by pressurizing member
CN108235785B (zh) 电力转换装置
JP6634722B2 (ja) 絶縁ブスバーおよび製造方法
JP2012010426A (ja) 電力変換装置
CN102652381B (zh) 具有壳体以及固定在该壳体上的母线的接线端子
CN112544127A (zh) 具有定义的转载路径的功率结构组件和用于制造的方法
EP1753025B1 (de) Leistungshalbleitermodul mit wannenförmigem Grundkörper
JP2016059167A (ja) 電力変換装置と電力変換装置の製造方法
CN2826766Y (zh) 金属结构射频激励气体激光结构
US20220263381A1 (en) Rotary electric machine
JP6584333B2 (ja) パワーモジュール
US20190335585A1 (en) Three-dimensional electrical module comprising a decoupling capacitor
JP2020167215A (ja) コンデンサユニット

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant