CN101619437B - 硅基金属合金薄膜、具该薄膜的外壳和电子装置及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的硅基金属合金薄膜的硅含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。另外,将所述硅基金属合金薄膜设置在外壳,例如:电子装置的壳体表面,就可制成具硅基金属合金薄膜的电子装置。本发明的所述硅基金属合金薄膜不会对任何电磁波信号产生衰减,且具金属光影和质感以增加产品价值,而且具有不易变色、生产良率高、批次间色泽差异小、耐候性佳、附着性强、半成品储存时间长等功效。而且,所述硅基金属合金薄膜可直接应用于高产率的模内射出工艺,以增加产量,且可利用成本较低的直流溅镀方法制造,所以可降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜、具镀膜的外壳和电子装置以及在壳体表面形成镀膜的制造方法,具体地说,涉及一种硅基金属合金薄膜、具硅基金属合金薄膜的外壳和电子装置以及在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的制造方法。
背景技术
为了增加产品的美观和附加价值,会在产品的表面设置装饰镀膜。以移动3C产品(例如:移动电话或个人数字助理)为例,为达到降低生产成本和大量生产的目的,常规移动3C产品大多采用塑料作为制造外壳的材料,只有高级机种才会使用镁合金等金属材质。为了改善塑料材质所产生的廉价感,业者常在产品的外壳喷涂添加金属颗粒或珍珠的颜料,以增加产品的美感、科技感和现代感,借此提升产品的质量和价值。
近年来,因无线通信的广泛应用,几乎所有3C产品都具有红外线(IR)、蓝牙(Bluetooth)、无线网络(Wi-Fi)、无线宽带(Wi-Max)或全球定位系统(GPS)中的至少一种功能,然而,上述功能的高频电磁波的传递易受金属的阻隔。一般来说,导电性良好的材质,例如:铜、铝、银等金属的薄膜,厚度只要数千(10-10米),就会完全阻隔电磁波的传输和接收。因此,如何使塑料材质的外壳具有金属光泽,且不影响无线信号的传输和接收,成为具有无线传输和接收功能产品进行装饰镀膜的议题。
图1显示常规产品壳件的局部示意图。所述常规产品壳件1包括塑料衬底11、装饰镀膜12和透明染料层13。所述装饰镀膜12由铟或锡以蒸镀工艺在所述塑料衬底11上沉积而成,其中所述装饰镀膜12具有多个不连续的岛状结构121,所以不具导电特性,因此不干扰无线传输信号强度,且可通过所述装饰镀膜12的所述岛状结构121的散射效果,以反射外界光线的光泽而产生流动金属般的光影。
所述透明染料层13以喷涂方法形成,所述透明染料层13覆盖所述装饰镀膜12和部分所述塑料衬底11。所述装饰镀膜12是为了使所述产品壳件1具有金属反射效果,以增加产品价值。但是,所述装饰镀膜12有分布不均匀、易变色、生产良率低、批次间色泽差异大、耐候性不佳、附着性差且不能应用于高生产效率的模内射出工艺等缺点。
因此,有必要提供一种创新且富有进步性的硅基金属合金薄膜、具硅基金属合金薄膜的外壳和电子装置以及在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的制造方法,以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种硅基金属合金薄膜,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
本发明进一步提供一种具硅基金属合金薄膜的外壳,其包括:壳体和硅基金属合金薄膜。所述硅基金属合金薄膜设置在所述壳体的一表面,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
本发明进一步提供一种具硅基金属合金薄膜的电子装置,其包括:壳体和硅基金属合金薄膜。所述硅基金属合金薄膜设置在所述壳体的一表面,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
本发明进一步提供一种在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:(a)提供硅基金属合金靶材,其中所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组;以及(b)在所述壳体的表面形成硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为所述金属。
本发明的所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构,且所述硅基金属合金薄膜电性绝缘,所以不会对任何电磁波信号产生衰减,因此可保持电磁波信号有效地、良好地传输和接收。并且,所述硅基金属合金薄膜具有非晶质连续结构,使得产品的壳体表面更为平滑,更增加反射外界光线的效果,以产生极佳的流动金属般的光影,所以可增加产品价值。
另外,本发明是以溅镀方法将所述硅基金属合金薄膜设置在产品的壳体表面,因此所述硅基金属合金薄膜具有分布均匀、不易变色、生产良率高、批次间色泽差异小、耐候性佳、附着性强、半成品储存时间长等功效。
而且,本发明的所述硅基金属合金薄膜可直接应用于模内射出工艺,而模内射出工艺具有较高的生产效率,所以可增加产量。此外,因所述硅基金属合金靶材可以是晶质结构,即,所述硅基金属合金靶材可以是电性导体,本发明可利用成本较低的直流溅镀方法,以制作所述硅基金属合金薄膜,所以可降低生产成本。
附图说明
图1显示常规产品壳件的局部示意图;
图2A到2C显示本发明硅基金属合金薄膜的三个方面的示意图;
图3显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第一实施例的制造方法流程图;
图4显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第二实施例的制造方法流程图;
图5A显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第三实施例的制造方法流程图;
图5B显示本发明将转印基材设置在成型模具中的示意图;
图6显示本发明具硅基金属合金薄膜的外壳的示意图;
图7显示本发明具硅基金属合金薄膜的电子装置的示意图;以及
图8显示常规装饰镀膜和本发明的硅基金属合金薄膜在不同波长的光源下的反射率示意图。
具体实施方式
图2A显示本发明硅基金属合金薄膜的示意图。在本实施例中,所述硅基金属合金薄膜2是利用硅基金属合金靶材(未图示),以溅镀方法制得。其中,根据不同应用,所述溅镀方法可选择使用直流(DC)溅镀、直流加脉冲(DC and pulse)溅镀或射频(RF)溅镀。
在本实施例中,所述硅基金属合金薄膜2的硅含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属。其中,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组,优选的是,所述硅基金属合金为硅铝合金。所述硅基金属合金薄膜2的厚度优选为200到600纳米,在本实施例中,所述硅基金属合金薄膜2的厚度为500纳米,所述硅基金属合金薄膜2的电阻值大于100M欧姆(Ω)。其中,所述硅基金属合金薄膜2具有极薄的厚度且电性绝缘,且是均匀的非晶质连续结构。因此,所述硅基金属合金薄膜2不会对任何电磁波信号产生衰减,所以可保持电磁波信号有效地、良好地传输和接收,即,所述硅基金属合金薄膜2可应用于低电磁波屏蔽(Low Electro Magnetic Shielding,LEMS)的技术领域。
此外,以溅镀方法制得的所述硅基金属合金薄膜2具有分布均匀、外观色泽较高、不易变色、在可见光范围内反射率可达50%以上且承受工艺温度最高可达580℃的功效。
其中,本发明可进一步在所述硅基金属合金薄膜2的一表面形成至少一个图样201(例如:文字或图形)(如图2B所示),并且,可再形成彩色透光层(未图示),以覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样201。在其它应用中,还可进一步包括基础薄膜202,所述图样201设置在所述硅基金属合金薄膜2与所述基础薄膜202之间,如图2C所示。优选的是,所述基础薄膜202为高分子薄膜。
图3显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第一实施例的制造方法流程图,其中,所述硅基金属合金薄膜与上述图2A的结构大致相同,所以下文现以图2A的硅基金属合金薄膜2的元件符号加以说明。配合参考图2A和图3,首先参考步骤S31,提供硅基金属合金靶材,其中所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组,在本实施例中,所述硅基金属合金靶材为晶质结构,且所述硅基金属合金为硅铝合金。参考步骤S32,在壳体的表面形成硅基金属合金薄膜2。
在本实施例中,利用溅镀方法在所述壳体的表面形成所述硅基金属合金薄膜2。所述溅镀方法可选择使用直流溅镀、直流加脉冲溅镀或射频溅镀。其中,直流溅镀方法成本较低,且所述硅基金属合金靶材为晶质结构,所以本发明实施例的所述溅镀方法优选地选择使用直流溅镀,以降低生产成本。
图4显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第二实施例的制造方法流程图,其中,所述硅基金属合金薄膜与上述图2B的结构大致相同,所以下文现以图2B的硅基金属合金薄膜2的元件符号加以说明。配合参考图2B和图4,首先参考步骤S41,提供硅基金属合金靶材,其中所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组,且所述硅基金属合金靶材为晶质结构。
参考步骤S42,在壳体的表面形成所述硅基金属合金薄膜2。其中,所述第二实施例的制造方法与上述第一实施例的制造方法的不同之处在于,在所述第二实施例中,在步骤S42之后可进一步包括步骤S43,在所述硅基金属合金薄膜2的表面形成至少一个图样201,其中,所述图样201可以喷涂方法形成于所述硅基金属合金薄膜2的表面。
在本实施例中,在将所述图样201形成于所述硅基金属合金薄膜2的表面之后,可进一步包括步骤S44,形成彩色透光层,以覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样201。
图5A显示本发明在壳体表面形成硅基金属合金薄膜的第三实施例的制造方法流程图,其中,所述硅基金属合金薄膜与上述图2C的结构大致相同,所以下文现以图2C的硅基金属合金薄膜2的元件符号加以说明。配合参考图2C和图5,首先参考步骤S51,提供硅基金属合金靶材,其中所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组,且所述硅基金属合金靶材为晶质结构。
参考步骤S52,在壳体的表面形成硅基金属合金薄膜,所述硅基金属合金薄膜2为非晶质连续结构。其中,在所述第三实施例中,步骤S52包括以下步骤。
首先,参考步骤S521,提供基础薄膜202,优选的是,所述基础薄膜202为塑料薄膜。参考步骤S522,在所述基础薄膜202的一表面形成至少一个图样201。参考步骤S523,将所述硅基金属合金薄膜2溅镀在所述基础薄膜202的所述表面,且覆盖所述图样201和所述基础薄膜202,以形成转印基材。
配合参考图5B和步骤S524,将所述转印基材设置在成型模具203中,所述成型模具的内部形状配合所述壳体的形状,所述基础薄膜202的另一表面接触所述成型模具203的内面。参考步骤S525,以射出成型方法将制造所述壳体的材料设置在所述成型模具203中,使所述壳体结合所述硅基金属合金薄膜2。
配合参考图5B和步骤S526,移除所述成型模具203和所述基础薄膜202。其中,所述壳体与所述硅基金属合金薄膜2之间的结合力大于所述基础薄膜202与所述硅基金属合金薄膜2之间的结合力,所以射出成型所述壳体后,可移除所述成型模具203和所述基础薄膜202。优选的是,在步骤S526之后,可进一步包括形成彩色透光层的步骤S53,以覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样201。
图6显示本发明具硅基金属合金薄膜的外壳的示意图。所述具硅基金属合金薄膜的外壳3包括:壳体4和硅基金属合金薄膜2。其中,所述硅基金属合金薄膜2与上述图2B的结构大致相同,所以下文现以图2B的硅基金属合金薄膜2的元件符号加以说明。配合参考图2B和图6,在本实施例中,所述硅基金属合金薄膜2设置在所述壳体4的一表面。并且,将至少一个图样201设置在所述硅基金属合金薄膜2的表面,以及,彩色透光层204进一步覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样201。
图7显示本发明具硅基金属合金薄膜的电子装置的示意图。配合参考图6和图7,所述具硅基金属合金薄膜的电子装置5包括:壳体4和硅基金属合金薄膜2。其中,所述壳体4和所述硅基金属合金薄膜2与上述图6的外壳3结构大致相同,所以现以图6的外壳3的元件符号加以说明。在本实施例中,所述壳体4为非金属基材,例如:塑料材质。其中,所述壳体4可利用射出成型方法或模具成型方法制造。
在不同领域中的应用中,所述电子装置5可以是移动通信装置,例如:移动电话或个人数字助理(PDA);所述电子装置5可可以是图像显示装置,例如:阴极射线管显示器、液晶显示器或具有有机发光二极管的平面显示器;所述电子装置5可以是计算装置,例如:个人计算机或笔记本型计算机;所述电子装置5可以是视频多媒体电子装置,所述视频多媒体电子装置可接收/播放图像和音频中的至少一者,例如:卡带式音频播放装置、组合式音响、MP3播放装置或MP4播放装置;或所述电子装置5可以是计算机输入装置,例如:鼠标或键盘。在本实施例中,所述电子装置5为具有触控式显示屏的移动通信装置。
其中,特别是对于上述具有接收电磁波的电子装置,由于,所述硅基金属合金薄膜2为非晶质连续结构,且所述硅基金属合金薄膜2电性绝缘,所以不会对任何电磁波信号(例如:移动通信装置的高频电磁波信号)产生衰减,因此可保持电磁波信号有效地、良好地传输和接收。
要注意的是,所述硅基金属合金薄膜2可在形成所述壳体4后,进一步设置在所述壳体4的所述表面(如本发明将硅基金属合金薄膜2设置在壳体表面的第一实施例的制造方法);或者,所述硅基金属合金薄膜2还可先于基础薄膜的一表面,以形成转印基材,接着将所述转印基材设置在成型模具中,使所述基础薄膜的另一表面接触所述成型模具的内面,再以射出成型方法将制造所述壳体4的材料设置在所述成型模具中,最后移除所述成型模具和所述基础薄膜,以使所述硅基金属合金薄膜2覆盖在所述壳体4的表面(如本发明将硅基金属合金薄膜2设置在壳体表面的第三实施例的制造方法)。
优选的是,在所述硅基金属合金薄膜2设置在所述壳体4表面之后,可按照不同产品需求形成彩色透光层,以覆盖所述硅基金属合金薄膜2;或先将至少一个图样设置在所述硅基金属合金薄膜2的表面,再形成彩色透光层,以覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样。上述所述彩色透光层和所述图样的形成方法已在本发明将硅基金属合金薄膜2设置在壳体表面的第二实施例和第三实施例的制造方法中详细描述,在此不再加以赘述。
本实施例中,将至少一个图样201设置在所述硅基金属合金薄膜2的表面,并且,彩色透光层204进一步覆盖所述硅基金属合金薄膜2和所述图样201。
另外,关于材料的导电特性,因自由电子在材料中运动时,其速度受到材料的晶格缺陷、孔洞、错位、不纯物,以及晶格原子振动的影响,所以降低自由电子迁移速度,这就是电阻产生的原因。因此根据电子在材料中的移动速度,就可计算材料的电阻或导电率。
马修森(Matthiessen)和诺德海姆(Nordheim)规则假设添加的合金元素为任意分布的不纯物,使得外围的晶格扭曲,并造成电子接近此区域时电位的改变,导致电子的散射。如果合金原子非任意分布,而是分别占据特定的晶格位置,那么可将合金结构视为纯的化合物(如晶质结构),电阻值将低于组成相同而原子任意排列的合金(如非晶质结构)。本发明实施例的所述硅基金属合金靶材为晶质结构,其具有较低的电阻值,所以是电性导体。本发明实施例的所述硅基金属合金薄膜2为非晶质结构,其具有较高的电阻值,所以电性绝缘。因此,在上述本发明的所述实施例中,使用晶质结构的硅基金属合金靶材,因为所述硅基金属合金靶材是电性导体,所以可选择使用成本较低的直流溅镀方法,以形成所述硅基金属合金薄膜。
图8显示常规装饰镀膜和本发明的硅基金属合金薄膜在不同波长的光源下的反射率示意图。其中,曲线L1显示常规装饰镀膜在不同波长的光源下的反射率变化;曲线L2显示本发明硅基金属合金薄膜2在不同波长的光源下的反射率变化。经由曲线L1和曲线L2的比较显示,所述常规装饰镀膜的反射率为20%到40%,而本发明的所述硅基金属合金薄膜2在波长的光源下的反射率都大于50%(反射率为50%到65%)。因此,本发明的所述硅基金属合金薄膜2确实具有极佳的光源反射效果,即具有较好的金属质感。
本发明的所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构,且所述硅基金属合金薄膜电性绝缘,所以不会对任何电磁波信号产生衰减,因此可保持电磁波信号有效地、良好地传输和接收。并且,所述硅基金属合金薄膜具有非晶质连续结构,使得产品(例如:电子装置)的壳体表面更为平滑,更增加反射外界光线的效果,以产生极佳的流动金属般的光影,所以可增加产品价值。
另外,本发明以溅镀方法将所述硅基金属合金薄膜设置在产品的壳体表面,因此所述硅基金属合金薄膜具有分布均匀、不易变色、生产良率高、批次间色泽差异小、耐候性佳、附着性强、半成品储存时间长等功效。
而且,本发明的所述硅基金属合金薄膜可直接应用于模内射出工艺,而模内射出工艺具有较高的生产效率,所以可增加产量。此外,因所述硅基金属合金靶材可以是晶质结构,即,所述硅基金属合金靶材可以是电性导体,本发明可利用成本较低的直流溅镀方法,以制作所述硅基金属合金薄膜,所以可降低生产成本。
上述实施例只是说明本发明的原理及其功效,并非限制本发明。因此所属领域的技术人员对上述实施例进行修改和变化仍不脱离本发明的精神。本发明的权利范围应如所附权利要求书所列。
Claims (45)
1. 一种硅基金属合金薄膜,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
2. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜的厚度为200到600纳米。
3. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜的电阻值大于100M欧姆。
4. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金为硅铝合金。
5. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。
6. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构。
7. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜,其进一步包括设置在所述硅基金属合金薄膜的一表面上的至少一个图样。
8. 根据权利要求7所述的硅基金属合金薄膜,其进一步包括基础薄膜,所述图样设置在所述硅基金属合金薄膜与所述基础薄膜之间。
9. 根据权利要求8所述的硅基金属合金薄膜,其中所述基础薄膜为高分子薄膜。
10. 一种具硅基金属合金薄膜的外壳,其包括:
壳体;以及
硅基金属合金薄膜,其设置在所述壳体的一表面上,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
11. 根据权利要求10所述的外壳,其中所述硅基金属合金为硅铝合金。
12. 根据权利要求10所述的外壳,其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。
13. 根据权利要求10所述的外壳,其中所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构。
14. 根据权利要求10所述的外壳,其进一步包括设置在所述硅基金属合金薄膜的一表面上的至少一个图样。
15. 根据权利要求14所述的外壳,其进一步包括彩色透光层,覆盖所述图样和所述硅基金属合金薄膜。
16. 一种具硅基金属合金薄膜的电子装置,其包括:
壳体;以及
硅基金属合金薄膜,其设置在所述壳体的一表面上,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
17. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述壳体为非金属基材。
18. 根据权利要求17所述的电子装置,其中所述非金属基材为塑料材质。
19. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述硅基金属合金薄膜的厚度为200到600纳米。
20. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述硅基金属合金薄膜的电阻值大于100M欧姆。
21. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述硅基金属合金为硅铝合金。
22. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。
23. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述壳体是利用射出成型方法制造的。
24. 根据权利要求16所述的电子装置,其进一步包括设置在所述硅基金属合金薄膜的一表面上的至少一个图样。
25. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述电子装置为移动通信装置。
26. 根据权利要求25所述的电子装置,其中所述移动通信装置为移动电话或个人数字助理。
27. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述电子装置为图像显示装置。
28. 根据权利要求27所述的电子装置,其中所述图像显示装置为阴极射线管显示器、液晶显示器或具有有机发光二极管的平面显示器。
29. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述电子装置为计算装置。
30. 根据权利要求29所述的电子装置,其中所述计算装置为个人计算机或笔记本型计算机。
31. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述电子装置为视频多媒体电子装置。
32. 根据权利要求31所述的电子装置,其中所述视频多媒体电子装置接收/播放图像和音频中的至少一者。
33. 根据权利要求31所述的电子装置,其中所述视频多媒体电子装置为卡带式音频播放装置、组合式音响、MP3播放装置或MP4播放装置。
34. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述电子装置为计算机输入装置。
35. 根据权利要求34所述的电子装置,其中所述计算机输入装置为鼠标或键盘。
36. 根据权利要求16所述的电子装置,其中所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构。
37. 一种在壳体表面上形成硅基金属合金薄膜的制造方法,其包括:
(a)提供硅基金属合金靶材,其中所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组;
以及
(b)在所述壳体的表面形成硅基金属合金薄膜,其中所述硅基金属合金薄膜中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为所述金属。
38. 根据权利要求37所述的制造方法,其中在步骤(a)中所使用的所述硅基金属合金靶材为晶质结构。
39. 根据权利要求37所述的制造方法,其中在步骤(b)中利用溅镀方法在所述壳体的表面上形成所述硅基金属合金薄膜。
40. 根据权利要求37所述的制造方法,其中在步骤(b)中进一步包括在所述硅基金属合金薄膜的表面上形成至少一个图样的步骤。
41. 根据权利要求40所述的制造方法,其中在形成所述图样步骤之后,其进一步包括形成彩色透光层以覆盖所述硅基金属合金薄膜和所述图样的步骤。
42. 根据权利要求37所述的制造方法,其中步骤(b)包括以下步骤:
(b1)提供基础薄膜;
(b2)将所述硅基金属合金薄膜溅镀在所述基础薄膜的所述表面上,以形成转印基材;
(b3)将所述转印基材设置在成型模具中,所述成型模具的内部形状配合所述壳体的形状,所述基础薄膜的另一表面接触所述成型模具的内面;
(b4)以射出成型方法将制造所述壳体的材料设置在所述成型模具中,使所述壳体结合所述硅基金属合金薄膜;以及
(b5)移除所述成型模具和所述基础薄膜。
43. 根据权利要求42所述的制造方法,其中在步骤(b1)之后进一步包括在所述基础薄膜的一表面上形成至少一个图样的步骤。
44. 根据权利要求43所述的制造方法,其中在步骤(b5)之后,进一步包括形成彩色透光层以覆盖所述硅基金属合金薄膜和所述图样的步骤。
45. 根据权利要求37所述的制造方法,其中在步骤(b)的溅镀方法为直流溅镀、直流加脉冲溅镀或射频溅镀。
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