CN101615659A - 发光装置及发光装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光装置及发光装置的制造方法，实现发光特性优良的EL面板及EL面板的制造方法。其中，在第一电极和第二电极之间夹有至少1层以上载体输送层的发光装置的制造方法中，将围着上述第一电极至少一边的周围的隔壁的表层去除厚度50nm以上，与上述隔壁相接并且在上述第一电极上形成包含过渡性金属氧化物的上述载体输送层。

Description

发光装置及发光装置的制造方法

技术领域

本发明涉及发光装置及发光装置的制造方法。

背景技术

近年来，作为便携式电话机等电子设备的显示器件，使用EL面板的器件已为众所周知，该EL面板将作为自发光元件的多个EL(电发光：ElectroLuminescence)发光元件排列成矩阵状。

在该EL面板的制造过程中，有进行蒸镀或者涂敷使EL层成膜的工序。

例如，在日本特开2007-134321号公报中公开了一种在涂敷EL层成膜时，通过在该工序之前，施以紫外线照射处理或者等离子体处理，谋求电极表面的可湿性提高等，来使EL层良好地成膜的技术。

但是，已知在实施上述现有技术制造出的EL面板中，构成该EL面板的发光区域的多个EL元件之中，有时产生EL元件部分不发光的非发光部分。在这些非发光部分中，有在EL面板的任意位置上部分不发光的区域，所谓的暗点或暗区，该暗区是集中发生于EL面板周缘部的非发光区域。

发明内容

因此，本发明的优点为，提供一种发光特性优良的发光装置及发光装置的制造方法。

本发明的第一方式是一种发光装置的制造方法，该发光装置在第一电极和第二电极之间夹有至少1层以上的载体输送层，

将围着上述第一电极的至少一边的周围的隔壁的表层去除厚度50nm以上，

与上述隔壁相接并且在上述第一电极上形成包含过渡性金属氧化物的上述载体输送层。

本发明的第二方式是一种发光装置，在第一电极和第二电极之间夹有至少1层以上的载体输送层，

围着上述第一电极的至少一边的周围的隔壁其表层的厚度比成膜时被去除50nm以上，

上述载体输送层包含过渡性金属氧化物，与上述隔壁相接并且在上述第一电极上形成。

根据本发明，可以实现具有优良发光特性的发光装置。

优选的是，上述隔壁包含聚酰亚胺类树脂材料。

优选的是，上述过渡性金属氧化物包含氧化钼。

优选的是，上述隔壁按大于等于50nm且小于等于1μm的厚度被去除表层。

优选的是，上述隔壁按大于等于90nm且小于等于1μm的厚度被去除表层。

优选的是，上述隔壁通过等离子体处理被去除表层。

优选的是，上述隔壁通过氧等离子体处理被去除表层。

优选的是，发光装置通过上述发光装置的制造方法来制造。

附图说明

图1是表示EL面板的像素配置的结构的俯视图。

图2是表示EL面板的概略结构的俯视图。

图3是表示相当于EL面板的一个像素的电路的电路图。

图4是表示EL面板的一个像素的俯视图。

图5是沿着图4的V-V线的面的向视剖面图。

图6是沿着图4的VI-VI线的面的向视剖面图。

图7是表示基板的上表面侧所形成的堤坝(bank)的剖面图。

图8是表示开口部内所形成的空穴注入层的剖面图。

图9是表示开口部内所形成的空穴注入层、功能层及发光层的剖面图。

图10是表示EL面板的像素的配置结构的俯视图。

图11是表示EL面板的一个像素的俯视图。

图12是表示EL面板的一个像素的俯视图。

图13是沿着图12的XIII-XIII线的面的向视剖面图。

图14是表示EL面板的一个像素的俯视图。

图15是表示发光试验用的EL面板的像素的配置结构的俯视图。

图16是沿着图15的XVI-XVI线的面的向视剖面图，是表示一个像素部分的说明图。

图17是表示与实施2分钟时间UV臭氧处理的堤坝的表面形状有关的数据的说明图。

图18是表示与实施5分钟时间氧等离子体处理的堤坝表面形状有关的数据的说明图。

图19是表示与实施10分钟时间氧等离子体处理的堤坝表面形状有关的数据的说明图。

图20A是表示堤坝表层未被削减的比较例的EL面板中央附近的发光图像的说明图，图20B是表示堤坝表层被去除35nm的比较例的EL面板中央附近的发光图像的说明图。

图21A是表示堤坝的表层被去除50nm的实施例的EL面板中央附近的发光图像的说明图，图21B是表示堤坝的表层被去除70nm的实施例的EL面板中央附近的发光图像的说明图。

图22A是表示堤坝的表层被去除50nm的EL面板的周缘区域的发光图像的说明图，图22B是表示堤坝的表层被去除70nm的EL面板的周缘区域的发光图像的说明图。

图23A是表示堤坝的表层被去除90nm的EL面板的发光图像的说明图，图23B是表示堤坝的表层被去除110nm的EL面板的发光图像的说明图。

图24A是表示堤坝的表层被去除50nm的EL面板整体的发光图像的说明图，图24B是表示堤坝的表层被去除110nm的EL面板整体的发光图像的说明图。

具体实施方式

下面，对于用来实施本发明的最佳方式，使用附图进行说明。但是，在下面所述的实施方式中，虽然为了实施本发明附加了技术上优选的各种限定，但是并不将发明的范围限定为下面的实施方式及图示例。

还有，在本实施方式中，将发光装置应用于作为显示装置的EL面板中，对于本发明进行说明。

图1是表示EL面板1上的多个像素P的配置结构的俯视图，图2是表示EL面板1的概略结构的俯视图。

如图1、图2所示，在EL面板1上，例如分别发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光的多个像素P按规定的图案配置成矩阵状。

在该EL面板1上，排列多条扫描线2使之沿着行方向相互大致平行，并且排列多条信号线3使之沿着俯视与扫描线2大致正交的列方向相互大致平行。另外，在相邻的扫描线2之间沿着扫描线2设有电压供应线4。而且，由和这些各扫描线2相邻的二根信号线3及各电压供应线4围着的范围相当于像素P。

另外，在EL面板1上，设有格子状的作为隔壁的堤坝13使之覆盖于扫描线2、信号线3及电压供应线4的上方。由该堤坝13包围起来的大致长方形状的多个开口部13a按每个像素P形成，在该开口部13a内设有下述的空穴注入层8b、功能层8c及发光层8d。

图3是表示相当于以有源矩阵驱动方式动作的EL面板1的一个像素的电路的电路图。

如图3所示，在EL面板1上，设有扫描线2、与扫描线2交叉的信号线3以及沿着扫描线2的电压供应线4，在该EL面板1的每一个像素P，设有作为薄膜晶体管的开关晶体管5、作为薄膜晶体管的驱动晶体管6、电容器7及EL元件8。

在各像素P，开关晶体管5的栅极连接在扫描线2上，开关晶体管5的漏极及源极之中的一个连接在信号线3上，开关晶体管5的漏极和源极之中的另一个连接在电容器7的一个电极及驱动晶体管6的栅极上。驱动晶体管6的源极和漏极之中的一个连接在电压供应线4上，驱动晶体管6的源极和漏极之中的另一个连接在电容器7的另一个电极及EL元件8的阳极上。还有，全部像素P的EL元件8的阴极被保持成一定电压Vcom(例如被接地)。

另外，在该EL面板1的周围，各扫描线2连接于扫描驱动器上，各电压供应线4连接于恒定电压源或者输出适当电压信号的驱动器上，各信号线3连接于数据驱动器上，通过这些驱动器，EL面板1以有源矩阵驱动方式被驱动。对电压供应线4，通过恒定电压源或者驱动器供应规定的电力。

下面，对于EL面板1和其像素P的电路结构，使用图4～图6进行说明。这里，图4是相当于EL面板1一个像素P的俯视图，图5是沿着图4的V-V线的面的向视剖面图，图6是沿着图4的VI-VI线的面的向视剖面图。还有，在图4中主要表示电极及布线。

如图4所示，开关晶体管5及驱动晶体管6排列为沿着信号线3，在开关晶体管5的附近配置电容器7，在驱动晶体管6的附近配置EL元件8。另外，在与该像素对应的扫描线2及电压供应线4之间，配置有开关晶体管5、驱动晶体管6、电容器7及EL元件8。

如图4～图6所示，在基板10上的一个面上形成有栅极绝缘膜11，在开关晶体管5、驱动晶体管6及它们周围的栅极绝缘膜11之上形成有基底绝缘膜12。信号线3形成在栅极绝缘膜11和基板10之间，扫描线2及电压供应线4形成在栅极绝缘膜11和基底绝缘膜12之间。

另外，如图4、图6所示，开关晶体管5是一种逆交错(inverted stagger)结构的薄膜晶体管。该开关晶体管5具有栅极电极5a、半导体膜5b、沟道保护膜5d、杂质半导体膜5f、5g、漏电极5h及源电极5i等。

栅极电极5a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。该栅极电极5a例如包括Cr膜、Al膜、Cr/Al叠层膜、AlTi合金膜或者AlTiNd合金膜。另外，在栅极电极5a之上形成有绝缘性的栅极绝缘膜11，由该栅极绝缘膜11包覆栅极电极5a。

栅极绝缘膜11例如包括硅氮化物或者硅氧化物。在该栅极绝缘膜11上且与栅极电极5a对应的位置上形成有本征的半导体膜5b，半导体膜5b隔着栅极绝缘膜11，和栅极电极5a相对。

半导体膜5b例如包括非晶硅或者多晶硅，在该半导体膜5b上形成沟道。另外，在半导体膜5b的中央部上，形成绝缘性的沟道保护膜5d。该沟道保护膜5d例如包括硅氮化物或者硅氧化物。

另外，在半导体膜5b的一个端部之上，杂质半导体膜5f形成为一部分与沟道保护膜5d重合，在半导体膜5b的另一个端部之上，杂质半导体膜5g形成为一部分与沟道保护膜5d重合。而且，杂质半导体膜5f、5g分别相互分离，形成在半导体膜5b的两端侧。还有，虽然杂质半导体膜5f、5g是n型半导体，但是不限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜5f之上，形成有漏电极5h。在杂质半导体膜5g之上，形成有源电极5i。漏电极5h、源电极5i例如包括Cr膜、Al膜、Cr/Al叠层膜、AlTi合金膜或者AlTiNd合金膜。

在沟道保护膜5d、漏电极5h及源电极5i之上，形成有作为保护膜的绝缘性基底绝缘膜12，沟道保护膜5d、漏电极5h及源电极5i由基底绝缘膜12来包覆。而且，开关晶体管5由基底绝缘膜12来覆盖。基底绝缘膜12例如包括厚度为100nm～200nm的氮化硅或者氧化硅。

另外，如图4、图5所示，驱动晶体管6是逆交错结构的薄膜晶体管。该驱动晶体管6具有栅极电极6a、半导体膜6b、沟道保护膜6d、杂质半导体膜6f、6g、漏电极6h及源电极6i等。

栅极电极6a例如包括Cr膜、Al膜、Cr/Al叠层膜、AlTi合金膜或者AlTiNd合金膜，并且和栅极电极5a同样形成在基板10和栅极绝缘膜11之间。而且，栅极电极6a由栅极绝缘膜11包覆，该栅极绝缘膜11例如包括硅氮化物或者硅氧化物。

在该栅极绝缘膜11上，且与栅极电极6a对应的位置上，形成了沟道的半导体膜6b例如采用非晶硅或者多晶硅来形成。该半导体膜6b隔着栅极绝缘膜11，和栅极电极6a相对。

在半导体膜6b的中央部上，形成绝缘性的沟道保护膜6d。该沟道保护膜6d例如包括硅氮化物或硅氧化物。

另外，在半导体膜6b的一个端部之上，杂质半导体膜6f形成为一部分与沟道保护膜6d重合，在半导体膜6b的另一个端部之上，杂质半导体膜6g形成为一部分与沟道保护膜6d重合。而且，杂质半导体膜6f、6g分别相互分离，形成在半导体膜6b的两端侧。还有，虽然杂质半导体膜6f、6g是n型半导体，但是不限于此，也可以是p型半导体。

在杂质半导体膜6f之上，形成有漏电极6h。在杂质半导体膜6g之上，形成有源电极6i。漏电极6h、源电极6i例如包括Cr膜、Al膜、Cr/Al叠层膜、AlTi合金膜或者AlTiNd合金膜。

在沟道保护膜6d、漏电极6h及源电极6i之上，形成有作为保护膜的绝缘性基底绝缘膜12，沟道保护膜6d、漏电极6h及源电极6i由基底绝缘膜12来包覆。而且，驱动晶体管6由基底绝缘膜12来覆盖。

电容器7如图4、图6所示，具有相对的一对电极7a、7b以及夹在它们之间的作为电介质的栅极绝缘膜11。而且，一个电极7a形成在基板10和栅极绝缘膜11之间，另一个电极7b形成在栅极绝缘膜11和基底绝缘膜12之间。

还有，电容器7的电极7a与驱动晶体管6的栅极电极6a连成一体进行连接，电容器7的电极7b与驱动晶体管6的源电极6i连成一体进行连接。另外，驱动晶体管6的漏电极6h与电压供应线4连成一体。

还有，信号线3、电容器7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a及驱动晶体管6的栅极电极6a是通过采用光刻法及蚀刻法等对基板10上作为单面成膜的导电膜的栅极金属层进行形状加工来整体形成的。

另外，扫描线2、电压供应线4、电容器7的电极7b、开关晶体管5的漏电极5h、源电极5i及驱动晶体管6的漏电极6h、源电极6i是通过采用光刻法及蚀刻法等对栅极绝缘膜11等上作为单面成膜的导电膜的源极、漏极金属层进行形状加工来形成的。

另外，在栅极绝缘膜11上，在栅极电极5a和扫描线2重合的区域形成接触孔11a，于漏电极5h和信号线3重合的区域形成接触孔11b，于栅极电极6a和源电极5i重合的区域形成接触孔11c，并且在接触孔11a～11c内分别埋入了接触孔插塞20a～20c。利用接触孔插塞20a，开关晶体管5的栅极5a和扫描线2进行电导通，利用接触孔插塞20b，开关晶体管5的漏电极5h和信号线3进行电导通，利用接触孔插塞20c，开关晶体管5的源电极5i和电容器7的电极7a进行电导通，并且开关晶体管5的源电极5i和驱动晶体管6的栅极电极6a进行电导通。也可以不通过该接触孔插塞20a～20c，而扫描线2直接和栅极电极5a进行接触，漏电极5h和信号线3进行接触，源电极5i和栅极电极6a进行接触。

第一电极8a隔着栅极绝缘膜11设置在基板10上，按每个像素P单独形成。在EL面板1是从基板10出射EL元件8的光的底部发光型时，该第一电极8a是透明电极，例如包含掺锡氧化铟(ITO)、掺锌氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)的至少任一种。在EL面板1是透过下述第二电极8e出射EL元件8的光的顶发光型时，第一电极8a也可以是作为上述透明电极的层及在其层之下叠层Al膜或Al合金膜等光反射层的叠层构造。此时，光反射层也可以利用源极、漏极金属层来形成。还有，第一电极8a一部分与驱动晶体管6的源电极6i重合，第一电极8a和源电极6i进行连接。

然后，如图4～图6所示，形成基底绝缘膜12，使之覆盖扫描线2、信号线3、电压供应线4、开关晶体管5、驱动晶体管6、第一电极8a的周缘部、电容器7的电极7b及栅极绝缘膜11。

在该基底绝缘膜12，形成开口部12a以便各第一电极8a的中央部外露。因此，基底绝缘膜12俯视形成为格子状。

EL元件8如图4、图5所示，具备：作为像素电极的第一电极8a，为阳极；作为载体输送层的空穴注入层8b，形成于从堤坝13的开口部13a内外露的第一电极8a之上及其周围的堤坝13的表面上；作为载体输送层的功能层8c，形成于堤坝13的开口部13a内的空穴注入层8b之上；发光层8d，形成于功能层8c之上；以及作为相对电极的第二电极8e，形成于发光层8d之上，为阴极。第二电极8e是全部像素P共用的单一电极，在全部像素P中连续形成。

空穴注入层8b例如是包括过渡性金属氧化物的层，是从第一电极8a朝向发光层8d注入空穴的载体注入层。在该空穴注入层8b，可以使用作为过渡性金属氧化物的氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化钛等，特别优选的是氧化钼。

功能层8c例如是包括聚芴类材料的中间层(电子输送抑制层)，具有抑制电子从发光层8d向空穴注入层8b侧移动的功能。

发光层8d按每个像素P包含发出R(红)、G(绿)、B(蓝)光的某一种的有机材料，例如包括聚芴类发光材料或聚对苯乙炔类发光材料等共轭双键聚合物，是伴随从第二电极8e供应的电子和从空穴注入层8b注入的空穴之间的重新结合进行发光的层。因此，发出R(红)光的像素P、发出G(绿)光的像素P及发出B(蓝)光的像素P各自的发光层8d的发光材料不同。像素P的R(红)、G(绿)及B(蓝)的图案既可以是三角形排列，也可以是按纵向排列同色像素的条纹图案。

第二电极8e在EL面板1是底部发光型时，也可以是下述低功函数层和光反射层的叠层构造，该低功函数例如Mg、Ca、Ba、Li等功函数小于等于4.0eV，优选的是小于等于3.0eV，并且厚度小于等于20nm，该光反射层是设置于低功函数层上，并且为了降低薄膜电阻而厚度大于等于100nm的Al膜或Al合金膜等。另外，在EL面板1是顶发光型的场合，也可以是上述低功函数层和下述透明导电层的叠层构造，该透明导电层设置于低功函数层上，例如包括掺锡氧化铟(ITO)、掺锌氧化铟、氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者镉-锡氧化物(CTO)等。

该第二电极8e是全部像素P共用的电极，和发光层8d等一起包覆下述的堤坝13。

堤坝13是形成于基底绝缘膜12上的隔壁，例如包括感光性的聚酰亚胺类树脂材料等绝缘性的树脂材料。堤坝13当采用湿法形成功能层8c或发光层8d时，作为隔壁来发挥作用，该隔壁不使作为功能层8c或发光层8d的材料被溶剂溶解或分散的液状体向相邻的像素P流出。

而且，利用堤坝13及基底绝缘膜12，按每个像素P隔开作为发光部件的发光层8d。

在该堤坝13的开口部13a内，空穴注入层8b、功能层8c及发光层8d叠层在第一电极8a上。

例如图5所示，在堤坝13的开口部13a内的第一电极8a上，叠层了空穴注入层8b。

而且，在各开口部13a的空穴注入层8b上，涂敷含有作为功能层8c的材料的液状体，按基板10进行加热，形成使其液状体干燥并成膜的化合物膜，作为功能层8c进行了叠层。

再者，在各开口部13a的功能层8c上，涂敷含有作为发光层8d的材料的液状体，按基板10进行加热，形成使其液状体干燥并成膜的化合物膜，作为发光层8d进行叠层。

还有，设有第二电极8e，使之包覆该发光层8d和堤坝13(参见图5)。

该EL面板1如下被驱动进行发光。

通过在对全部的电压供应线4施加规定电平的电压的状态下，由扫描驱动器对扫描线2依次施加接通电压，来依次选择这些扫描线2所连接的开关晶体管5。

因为在各扫描线2被分别选择时，若由数据驱动器对全部信号线3施加与灰阶相应的电平的电压，则与其所选择的扫描线2对应的开关晶体管5接通，所以与其灰阶相应的电平的电压被施加给驱动晶体管6的栅极电极6a。

对应于向该驱动晶体管6的栅极电极6a所施加的电压，驱动晶体管6的栅极电极6a和源电极6i之间的电位差一定，并且驱动晶体管6中的漏极-源极电流大小一定，EL元件8以与其漏极-源极电流相应的明亮度进行发光。

其后，若该扫描线2的选择被解除，则开关晶体管5断开，因而与对驱动晶体管6的栅极电极6a所施加的电压相应的电荷被蓄积于电容器7中，驱动晶体管6的栅极电极6a和源电极6i间的电位差得以保持。

因此，驱动晶体管6持续流动与选择时相同的电流值的漏极-源极电流，维持EL元件8的发光亮度。

下面，对于EL面板1的制造方法进行说明。

在基板10上通过溅射使栅极金属层堆积，采用光刻法进行图案形成，来形成信号线3、电容器7的电极7a、开关晶体管5的栅极电极5a及驱动晶体管6的栅极电极6a。

接下来，采用等离子体CVD，堆积氮化硅等栅极绝缘膜11。

接下来，在连续堆积作为半导体膜5b、6b的非晶硅等半导体层及作为沟道保护膜5d、6d的氮化硅等绝缘层之后，采用光刻法对沟道保护膜5d、6d进行图案形成，在堆积作为杂质半导体膜5f、5g、6f、6g的杂质层之后，采用光刻法对杂质层及半导体层连续地进行图案形成，来形成杂质半导体膜5f、5g、6f、6g及半导体膜5b、6b。

然后，采用光刻法，在栅极绝缘膜11，形成用来与位于EL面板1的一边的扫描驱动器进行连接的、使各扫描线2的外部连接端子开口的接触孔(未图示)及接触孔11a～11c。接下来，在接触孔11a～11c内形成接触孔插塞20a～20c。该接触孔插塞的形成工序也可以省略。

接下来，堆积作为开关晶体管5的漏电极5h、源电极5i及驱动晶体管6的漏电极6h、成为源电极6i的源极、漏极金属层，适当进行图案形成，来形成扫描线2、电压供应线4、电容器7的电极7b、开关晶体管5的漏电极5h、源电极5i及驱动晶体管6的漏电极6h、源电极6i。随后，在堆积ITO等的透明导电膜之后进行图案形成，来形成第一电极8a。在EL面板1是顶发光型时，也可以在透明导电膜的下方设置源极、漏极金属层或其他的光反射性导电膜。

接下来，采用气相生长法使氮化硅等的绝缘膜成膜，使之覆盖开关晶体管5和驱动晶体管6等，通过采用光刻法对该绝缘膜进行图案形成，来形成基底绝缘膜12，该基底绝缘膜12具有使第一电极8a的中央部外露的开口部12a。和该开口部12a一起，形成多个接触孔，该多个接触孔使未图示扫描线2的外部连接端子、用来与位于EL面板1的一边的数据驱动器进行连接的各信号线3的外部连接端子及电压供应线4的外部连接端子分别开口。

接下来，如图7所示，在堆积聚酰亚胺类的感光性树脂材料之后进行曝光及显影，形成格子状的堤坝13，该堤坝13具有使第一电极8a外露的开口部13a。

接下来，对该堤坝13及第一电极8a实施氧等离子体处理，去除堤坝13的表层使之削减50nm以上且1μm以下的厚度，并且去除第一电极8a上的残留有机物。

还有，由于成膜所形成的堤坝13的厚度有1.5～3.5μm左右，因而即便其表层被去除1μm左右，当涂敷了含有作为功能层8c或发光层8d的材料的液状体时，仍维持作为不使其液状体向相邻的像素P流出的隔壁的功能。

也就是说，实施氧等离子体处理，其表层被削减的堤坝13至少具有0.5μm的厚度。

接下来，如图8所示，采用溅射法、真空蒸镀法等，使包括氧化钼的过渡性金属氧化物层成膜，在第一电极8a上形成空穴注入层8b。

接下来，如图9所示，通过在堤坝13的开口部13a内的空穴注入层8b上，对于将构成功能层8c的有机材料溶解或者分散至四氢化萘、四甲基苯、三甲基苯等的有机溶剂的液状体，采用作为分离的多个液滴而喷出的喷墨方式或并使连续的液流流出的喷嘴印刷方式进行涂敷并干燥，从而在空穴注入层8b上叠层形成功能层8c。

再者，如图9所示，在堤坝13的开口部13a内的功能层8c上，对于将构成发光层8d的有机发光材料溶解或者分散至四氢化萘、四甲基苯、三甲基苯等的有机溶剂的液状体，采用喷墨方式或者喷嘴印刷方式进行涂敷并干燥，从而在功能层8c上叠层形成发光层8d。还有，也可以是不设置功能层8c而在空穴注入层8b上直接叠层发光层8d的构造。

然后，如图5所示，通过在堤坝13之上及发光层8d之上，使覆盖发光层8d的第二电极8e单面成膜，来形成EL元件8，制造EL面板1。

在上述实施方式中，采用按每个像素P设置堤坝13的开口部13a的结构，按每个开口部13a单独设置发光层8d、功能层8c。

与之相对，如图10所示，也可以设为集中围着沿列方向的多个像素P周围的带状开口部13a。这种情况下，开口部13a的数目成为与信号线3的根数相应的数目。图11是相当于EL面板1一个像素P的俯视图，和图4相比，开口部13a按列方向延伸。因此，在位于第一电极8a列方向上的扫描线2一部分之上及电压供应线4一部分之上，分别设有基底绝缘膜12，但是未设置堤坝13。因此，通过采用喷嘴印刷方式以连续的液流持续使作为功能层8c的液状材料和作为发光层8d的液状材料跨过列方向的多个像素P流动，就可以在1个开口部13a内的多个像素P内集中形成功能层8c和发光层8d。此时，在上部未形成开口部13a的基底绝缘膜12上，也可以堆积功能层8c和发光层8d，但优选的是，不在基底绝缘膜12上堆积。也就是说，功能层8c和发光层8d如果在列方向上由开口部12a隔开，在行方向上由开口部13a隔开，则从材料利用效率的观点来看也是优选的。

另外，在上述各实施方式中如图5所示，堤坝13的开口部13a设置在比基底绝缘膜12的开口部12a更靠第一电极8e的内侧。

与之相对，如图12、图13所示，也可以是基底绝缘膜12的开口部12a在行方向及列方向上位于比堤坝13的开口部13a更靠第一电极8e的内侧的结构。这种情况下，EL面板1如图1那样按每个像素P形成开口部12a及开口部13a。这种情况下优选的是，功能层8c和发光层8d形成于由基底绝缘膜12的开口部12a围着的区域内。

另外，如图14所示，也可以是基底绝缘膜12的开口部12a在行方向及列方向上位于比堤坝13的开口部13a更靠第一电极8e内侧的结构，且是开口部13a集中围着沿列方向的多个像素P周围的带状。这种情况下，EL面板1成为图10的那种结构。功能层8c和发光层8d也可以堆积于基底绝缘膜12上，但优选的是，不在基底绝缘膜12上堆积。

下面，对于确认本发明效果后的实施例及比较例，进行说明。

图15是表示发光试验所使用的EL面板100的俯视图，图16是相当于该EL面板100一个像素P的剖面图。

发光试验用的EL面板100如图15、图16所示，具备以下部件等：第一电极8a，形成于基板10的上表面；堤坝13，在第一电极8a的上表面设置为格子状；空穴注入层8b，在第一电极8a和堤坝13之上成膜；功能层8c，在空穴注入层8b上成膜；发光层8d，在功能层8c上成膜；第二电极8e，在发光层8d上成膜；密封基板30；密封件15，填充于基板10和密封基板30之间以及第二电极8e和密封基板30之间。

该EL面板100具有由堤坝13隔开的588个像素P。还有，在EL面板100上，按方格状排列的多个像素P存在的范围为发光区域(显示区域)A。

基板10及密封基板30是具有光透过性的玻璃基板。

第一电极8a是包括ITO的透明电极。

堤坝13包括正型的感光性聚酰亚胺类树脂材料，这里，使用了东丽(Toray)株式会社制造的“光敏聚酰亚胺涂覆剂(Photoneece)DL-1000”。

空穴注入层8b是使氧化钼成膜为过渡性金属氧化物层的层。

功能层8c是通过喷墨或者喷嘴印刷使下述溶液成膜的层，该溶液是将中间层材料溶于二甲苯中的溶液。

发光层8d是通过喷墨或者喷嘴印刷使下述溶液成膜的层，该溶液是将聚芴类绿色的发光材料溶于二甲苯中的溶液。

密封件15包括热固化性树脂材料，在基板10和密封基板30之间密封了构成EL元件8的各层(8a～8e)。

还有，在EL面板100上，连接着对电压供应线4和第二电极8e之间施加规定电压的电源(未图示)。

该基板10上表面侧的第一电极8a上所设置的堤坝13形成为，起初具有1.5μm左右的厚度。然后，在将形成了堤坝13的基板10用纯水洗净之后，在未进行UV臭氧处理的状况下，兼带第一电极8a的表面洗净来实施氧等离子体处理，把堤坝13的表层去除规定量。

在该氧等离子体处理中，通过使用诺信(Plasma System)公司制造的圆筒式灰化器“DES-106-254AEH”，实施真空度0.6[Torr]、RF输出250[W]、O₂流量60[sccm]条件下的灰化处理，并适当调整其处理时间(5分钟、7分钟、10分钟)，从而将堤坝13的表层只去除规定量(35nm、50nm、70nm)的厚度。

然后，在氧等离子体处理后，采用蒸镀法使作为空穴注入层8b的氧化钼按30[nm]成膜。

再者，使功能层8c、发光层8d及第二电极8e依次成膜，将用密封件15粘合密封基板30制造出的EL面板100，在常温、常压下在进行过氮气置换的干燥器中保存7天时间(7×24h)，之后实施该EL面板100的发光试验。

还有，作为该发光试验的对象，准备下述3个类型的EL面板100，比照各EL面板100的发光状态，确认其是否良好，上述3个类型的EL面板100为：具备实施5分钟时间氧等离子体处理并把表层去除35[nm]的堤坝13的EL面板100，具备实施7分钟时间氧等离子体处理并把表层去除50[nm]的堤坝13的EL面板100，具备实施10分钟时间氧等离子体处理并把表层去除70[nm]的堤坝13的EL面板100。

另外，作为比较试验，还准备下述EL面板100，进行共计4个类型的EL面板100发光试验，上述EL面板100取代氧等离子体处理，实施2分钟时间UV臭氧处理，在进行第一电极8a的表面洗净之后，采用溅射法使作为空穴注入层8b的氧化钼按30[nm]成膜。

还有，在该UV臭氧处理中，使用株式会社ORC制作所制造的UV洗净机，对形成了堤坝13的基板10，实施灯输出100[W]×7个灯(低压水银灯(VUV-100/A-5.3U)、有效照射区域400[mm])、照射距离20[mm]条件下的UV洗净。

说明这些发光试验对象EL面板100上堤坝13的表面形状。

图17表示出与实施2分钟时间UV臭氧处理的堤坝13的表面形状有关的数据。如图17所示可知，通过2分钟时间的UV臭氧处理，在其处理前后堤坝13的表面形状几乎没有变化，而堤坝13的表层未削减。

图18表示出与实施5分钟时间氧等离子体处理的堤坝13的表面形状有关的数据，图19表示出与实施10分钟时间氧等离子体处理的堤坝13的表面形状有关的数据。如图18、图19所示，可知通过5分钟时间的氧等离子体处理，堤坝13的表面被削减约35[nm]，并且可知通过10分钟时间的氧等离子体处理，堤坝13的表面被削减约70[nm]。

还有，虽然未图示，但是通过7分钟时间的氧等离子体处理，堤坝13的表面被削减约50[nm]。这还可以通过众所周知的氧等离子体处理的处理时间和堤坝13表层的削减量存在比例关系来辨别。

将这些EL面板100的发光试验结果表示于图20、图21中。

图20A所示的EL面板100是实施过堤坝13的表层未削减的UV臭氧处理的比较例，图20B所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除35nm的实施例。

另外，图21A所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除50nm的实施例，图21B所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除70nm的实施例。

在图20A所示的EL面板100发光图像上，在发光区域A的EL元件8(像素P)中，多处产生了EL元件8在任意的部位上部分不发光的区域，所谓的暗点。还有，因为暗点产生于发生部件为EL面板100之上的任意位置的像素P中，且在像素P内的任意区域上不规则、不特定地产生，所以和集中规则地产生于EL面板100周缘像素P的非发光区域即暗区不同。另外，暗点是圆形，并且圆的直径经过时间扩大。

在图20B所示的EL面板100发光图像中，虽然其比例较少，但是产生了EL元件8部分不发光的暗点。

与之相对，在图21A、图21B所示的EL面板100发光图像中可知，未产生暗点，而全部的EL元件8在其像素P整个区域的范围内均匀且良好地发光。

也就是说，已确认在将堤坝13的表层去除了50nm以上的EL面板100上，不产生暗点。

根据上面的结果，由于在下述EL面板100上不产生暗点，该EL面板100在使氧化钼层成膜来形成空穴注入层8b之前，通过氧等离子体处理将堤坝13的表层去除50nm以上，因而该EL面板100可以认为是发光特性优良的发光装置。

另外，具有下述工序的发光装置制造方法可以认为是能制造发光特性优良的EL面板100(EL面板1)的技术，上述工序在通过氧等离子体处理将包括聚酰亚胺类树脂材料的堤坝13表层去除50nm以上之后，使包括氧化钼的空穴注入层8b成膜。

有关这样通过氧等离子体处理将堤坝13的表层去除50nm以上的EL面板100示出优良的发光特性的原因，虽然未明确得知，但是可以推测并解释为，假设在堤坝13的表层上含有阻碍氧化钼的空穴注入性的成分，则通过将该堤坝13的表层去除50nm以上，致使其阻碍成分和阻碍原因被除去，使其发光特性得到提高。还有，在使用下述PEDOT/PSS水溶液形成了空穴注入层8b时，即使同样进行氧等离子体处理，也不象氧化钼那样暗点显著减少，上述PEDOT/PSS水溶液是使聚二氧乙基噻吩(PEDOT)和作为掺杂剂的聚苯乙烯磺酸(PSS)分散到水类溶剂中的分散液。

还有，在上面的各实施方式中，虽然在发光试验中使用不具备开关晶体管5和驱动晶体管6的EL面板100，对于该EL面板100的发光特性进行了确认，但由于这是与堤坝13的削减量有关的比较试验，因而那些晶体管的有无并不对本试验结果带来影响。也就是说，不言而喻，即便在同样调整了具备开关晶体管5和驱动晶体管6的EL面板1上堤坝13的削减量时，也能获得同样的试验结果。

这里，由于不具备晶体管的EL面板100可以比较廉价且易于快速制造，因而从作为发光特性的确认试验要反复进行各种条件下试验的方面的优点出发，进行了使用EL面板100的发光试验。

下面，说明本发明的其他效果。

图10是表示发光试验所使用的EL面板100的俯视图，图11是相当于该EL面板100一个像素P的剖面图。

发光试验用的EL面板100如图10、图11所示，具备以下部件等：第一电极8a，形成于基板10的上表面；堤坝13，在第一电极8a的上表面设置为格子状；空穴注入层8b，在第一电极8a和堤坝13之上成膜；功能层8c，在空穴注入层8b上成膜；发光层8d，在功能层8c上成膜；第二电极8e，在发光层8d上成膜；密封基板30；密封件15，填充于基板10和密封基板30之间及第二电极8e和密封基板30之间。

该EL面板100具有由堤坝13隔开的588个像素P。还有，在EL面板100上，排列成方格状的多个像素P存在的范围为发光区域(显示区域)A。

基板10及密封基板30是具有光透过性的玻璃基板。

第一电极8a是包括ITO的透明电极。

堤坝13包括正型的感光性聚酰亚胺类树脂材料，这里，使用了东丽(Toray)株式会社制造的“光敏聚酰亚胺涂覆剂(Photoneece)DL-100”。

空穴注入层8b是作为过渡性金属氧化物层使氧化钼成膜的层。

功能层8c是通过喷墨或者喷嘴印刷使下述溶液成膜的层，该溶液是将中间层材料溶于二甲苯中的溶液。

发光层8d是通过喷墨或者喷嘴印刷使下述溶液成膜的层，该溶液是将聚芴类绿色的发光材料溶于二甲苯中的溶液。

密封件15包括热固化性树脂材料，在基板10和密封基板30之间密封了构成EL元件8的各层(8a～8e)。

还有，在EL面板100上，连接着对电压供应线4和第二电极8e之间施加规定电压的电源(未图示)。

该基板10上表面侧的第一电极8a上所设置的堤坝13形成为，起初具有1.5μm左右的厚度。然后，在将形成了堤坝13的基板10用纯水洗净之后，在未进行UV臭氧处理的状况下，兼带第一电极8a的表面洗净来实施氧等离子体处理，将堤坝13的表层去除规定量。

在该氧等离子体处理中，通过使用东京应化工业(TOKYO OHKAKOGYO)株式会社制造的灰化器“OPM-SQ1000E”，实施真空度0.6[Torr]、RF输出300[W]、O₂流量800[sccm]、基板温度45[℃]条件下的灰化处理，并适当调整其处理时间，从而把堤坝13的表层去除规定量(50nm、70nm、90nm、110nm)的厚度。

然后，在氧等离子体处理后，采用蒸镀法使作为空穴注入层8b的氧化钼按30[nm]成膜。

再者，使功能层8c、发光层8d及第二电极8e依次成膜，将用密封件15粘合密封基板20制造出的EL面板100，在常温、常压下在进行过氮气置换的干燥器中保存7天时间(7×24h)，之后实施该EL面板100的发光试验。

还有，作为该发光试验的对象，准备下述4个类型的EL面板100，比照各EL面板100的发光状态，确认其是否良好，上述4个类型的EL面板100为：具备其表层被去除50[nm]的堤坝13的EL面板100，具备表层被去除70[nm]的堤坝13的EL面板100，具备表层被去除90[nm]的堤坝13的EL面板100，具备表层被去除110[nm]的堤坝13的EL面板100。

将这些EL面板100的发光试验结果表示于图22、图23及图24中。

该图22A、图22B、图23A、图23B所示的EL面板100的区域是图10的EL面板100的周缘区域X部分。

图22A所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除50nm的例子，图22B所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除70nm的例子。

另外，图23A所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除90nm的实施例，图23B所示的EL面板100是将堤坝13的表层去除110nm的实施例。

图24A表示出将堤坝13的表层去除50nm的例子的EL面板100整个区域，图24B表示出将堤坝13的表层去除110nm的实施例的EL面板100整个区域。

如同从图24A所知，该非发光区域集中在EL面板100的周缘，是从周缘侧的像素P朝向内侧的像素P，非发光区域经过时间成长的暗区。该暗区和任意位置的像素P的任意部分不发光的点状暗点不同。

在图22A所示的EL面板100的发光图像中，在发光区域A端部侧的EL元件8(像素P)中，产生了EL元件8部分不发光的暗区。

在图22B所示的EL面板100的发光图像中，虽然其比例比将堤坝13的表层去除50nm的EL面板100少，但是仍产生EL元件8部分不发光的暗区。

与之相对，可知在图23A、图23B所示的EL面板100发光图像中，未产生暗区，而全部的EL元件8在其像素P整个区域的范围内均匀且良好地发光。

也就是说，已确认在将堤坝13的表层去除90nm以上的EL面板100上，不产生暗区。

根据上面的结果，由于在下述EL面板100上不产生暗区，该EL面板100在使氧化钼层成膜来形成空穴注入层8b之前，通过氧等离子体处理将堤坝13的表层去除90nm以上，因而该EL面板100可以认为是发光特性优良的发光装置。

另外，具有下述工序的发光装置制造方法可以认为是能制造发光特性优良的EL面板100(EL面板1)的技术，该工序在通过氧等离子体处理将包括聚酰亚胺类树脂材料的堤坝13表层去除90nm以上之后，使包括氧化钼的空穴注入层8b成膜。

有关这样通过氧等离子体处理将堤坝13的表层去除90nm以上的EL面板100示出优良的发光特性的原因，虽然未明确得知，但是可以推测并解释为，假设在堤坝13的表层，特别是发光区域A的端部侧的表层上含有阻碍氧化钼空穴注入性的成分，则通过将该堤坝13的表层去除90nm以上，致使其阻碍成分和阻碍原因被去除，使其发光特性得到提高。还有，在使用下述PEDOT/PSS水溶液形成了空穴注入层8b时，即使同样进行氧等离子体处理，也不象氧化钼那样暗点显著减少，上述PEDOT/PSS水溶液是使聚二氧乙基噻吩(PEDOT)和作为掺杂剂的聚苯乙烯磺酸(PSS)分散到水类溶剂中的分散液。

还有，在上面的实施方式中，在发光试验中使用不具备开关晶体管5和驱动晶体管6的EL面板100，对于该EL面板100的发光特性进行了确认，但由于这是与堤坝13的削减量有关的比较试验，因而那些晶体管的有无并不对本试验结果带来影响。也就是说，不言而喻，即便在同样调整了具备开关晶体管5和驱动晶体管6的EL面板1上堤坝13的削减量时，也能获得同样的试验结果。

这里，由于不具备晶体管的EL面板100可以比较廉价且易于快速制造，因而从作为发光特性的确认试验要反复进行各种条件下试验的方面的优点出发，进行了使用EL面板100的发光试验。

另外，在上面的各实施方式中，虽然未在EL面板1上配设密封基板30，但是本发明并不限定于此，也可以在EL面板1的第二电极8e的上表面侧隔着密封件15安装密封基板30，在该密封基板30和基板10中插入EL元件8等。

另外，在上面的各实施方式中，虽然利用氧等离子体进行了蚀刻处理，但是通过CF₄等离子体处理进行相同程度的蚀刻，也可以获得同样的效果。

另外，在上面的各实施方式中，虽然以将发光装置使用于作为显示装置的EL面板中的情形为例，进行了说明，但是本发明并不限定于此，例如也可以在曝光装置、光寻址装置、照明装置等中使用本发明。

另外，不言而喻，对于具体的详细结构等也可以适当变更。

Claims (19)

1、一种发光装置的制造方法，该发光装置在第一电极和第二电极之间夹有至少1层以上的载体输送层，其特征为，

将隔壁的表层去除厚度50nm以上，该隔壁围着上述第一电极的至少一边的周围；

与上述隔壁相接并且在上述第一电极上，形成包含过渡性金属氧化物的上述载体输送层。

2、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述隔壁包含聚酰亚胺类树脂材料。

3、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述过渡性金属氧化物包含氧化钼。

4、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述隔壁的表层被去除50nm以上且1μm以下的厚度。

5、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述隔壁的表层被去除90nm以上且1μm以下的厚度。

6、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述隔壁的表层通过等离子体处理去除。

7、如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征为，

上述隔壁的表层通过氧等离子体处理去除。

8、一种发光装置，其特征为，

通过权利要求1所述的发光装置的制造方法来制造。

9、一种发光装置，在第一电极和第二电极之间夹有至少1层以上的载体输送层，其特征为，

隔壁的表层的厚度与成膜时相比被去除50nm以上，该隔壁围着上述第一电极的至少一边的周围；

上述载体输送层包含过渡性金属氧化物，与上述隔壁相接并且在上述第一电极上形成。

10、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

上述隔壁具有至少0.5μm的厚度。

11、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

上述隔壁包含聚酰亚胺类树脂材料。

12、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

上述过渡性金属氧化物包含氧化钼。

13、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

上述隔壁的表层被去除了50nm以上且1μm以下的厚度。

14、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

上述隔壁的表层被去除了90nm以上且1μm以下的厚度。

15、如权利要求9所述的发光装置，其特征为，

在上述隔壁之下，形成有基底绝缘膜。

16、如权利要求15所述的发光装置，其特征为，

上述隔壁的开口部的一边设置于比上述基底绝缘膜的开口部的一边更靠上述第一电极的内侧。

17、如权利要求15所述的发光装置，其特征为，

上述基底绝缘膜的开口部的一边设置于比上述隔壁的开口部的一边更靠上述第一电极的内侧。

18、如权利要求15所述的发光装置，其特征为，

在上述基底绝缘膜之下，形成有晶体管。

19、如权利要求18所述的发光装置，其特征为，

设有电容器，该电容器将上述晶体管的栅极绝缘膜作为电介质。

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