CN101603201A - 一种在炉管中沉积多晶硅的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括：步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内；步骤二，在一预定压力和第二温度下沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。采用本发明的技术方案可以避免温度和压力同时变化造成的炉管内壁上的薄膜剥落的问题，进而提高产品的合格率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片制造方法，特别是涉及一种在炉管中沉积多晶硅的方法。
背景技术
参见附图1，传统的在炉管中沉积多晶硅的方法为：首先，在常压和第一温度下用晶舟将晶片送到炉管内，然后，在一预定压力和第二温度下沉积多晶硅薄膜，最后，在常压和第三温度下将晶片从炉管内拿出来。根据制程的需要，第一温度和第三温度可以相同，也可以不同。这种方法产生的问题是：当炉管在高温、低压的情况下沉积多晶硅薄膜的时候，由于温度和压力的同时变化容易造成沉积在炉管内壁上的薄膜剥落而产生微粒(如图2所示)，造成晶片的污染，进而影响产品的合格率。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提出一种在炉管中沉积多晶硅的方法，该方法能够较好地避免温度和压力同时变化造成炉管内壁上的薄膜变脆而剥落的问题。
为了达到本发明的上述和其他目的，根据本发明的在炉管中沉积多晶硅的方法采用包括如下步骤的技术方案：步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内；步骤二，在一预定压力和上述第一预定温度下沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。
作为优选，上述第一预定温度高于第二预定温度。
作为优选，上述第一预定温度为540-600℃，第二预定温度为350-450℃。
作为优选，上述预定压力的值为18-30帕。
采用本发明的技术方案，并未改变多晶硅薄膜沉积时的温度、压力和薄膜沉积后到晶片拿出炉管前炉管内的温度，因此可以保证多晶硅沉积时的热量预算和薄膜的质量不受影响；通过改变晶片在进入炉管时的温度使其与多晶硅薄膜沉积时的温度相同，可以避免温度和压力同时变化造成的炉管内壁上的薄膜剥落的问题，进而提高产品的合格率。
附图说明
图1为传统的在炉管中沉积多晶硅的方法示意图；
图2为使用传统的在炉管中沉积多晶硅的方法产生微粒的效果示意图；
图3为根据本发明的一种在炉管中沉积多晶硅的方法示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作更详细的描述。
参见图3，一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括：步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送到炉管内；步骤二，在一预定压力和上述第一预定温度下沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中拿出。
上述步骤一与步骤二中的第一预定温度为多晶硅薄膜的沉积温度，该温度高于步骤三中的第二预定温度，作为优选，第一预定温度为540-600℃，第二预定温度为350-450℃，最好是400℃；步骤二中的预定压力是指多晶硅薄膜沉积时的压力，该压力的数值范围为18-30帕。
实施例1 一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一，在常压和540℃温度下，用晶舟将晶片送入炉管内；步骤二，在18帕的气压条件和540℃温度下，沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和350℃温度下将晶片从炉管中取出。
实施例2 一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一，在常压和600℃温度下，用晶舟将晶片送入炉管内；步骤二，在30帕的气压条件和600℃温度下，沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和450℃温度下将晶片从炉管中取出。
实施例3 一种在炉管中沉积多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一，在常压和570℃温度下，用晶舟将晶片送入炉管内；步骤二，在24帕的气压条件和570℃温度下，沉积多晶硅薄膜；步骤三，在常压和400℃温度下将晶片从炉管中取出。
采用本发明的方法所产生的有益效果是：在将晶片送到炉管内时，由于使该温度与多晶硅薄膜沉积时的温度一致，因此炉管内壁的温度和压力不会在多晶硅薄膜沉积时发生变化，避免了炉管内壁薄膜剥落的问题。
以上描述了本发明的较佳实施例及其效果，当然，本发明还可有其他实施例，在不背离本发明之精神及实质的情况下，所属技术领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。
Claims (4)
1、一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，包括：
步骤一，在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内；
步骤二，在一预定压力和上述第一预定温度下沉积多晶硅薄膜；
步骤三，在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。
2、根据权利要求1所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述第一预定温度高于上述第二预定温度。
3、根据权利要求2所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述第一预定温度为540-600℃，第二预定温度为350-450℃。
4、根据权利要求1至3中任一项所述的一种在炉管中沉积多晶硅的方法，其特征是，上述预定压力的值为18-30帕。
Priority Applications (1)
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| CNA2008101106597A CN101603201A (zh) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 一种在炉管中沉积多晶硅的方法 |
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Publications (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106894080A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 有研半导体材料有限公司 | 一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法 |
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2008
- 2008-06-12 CN CNA2008101106597A patent/CN101603201A/zh active Pending
Cited By (2)
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| CN106894080A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 有研半导体材料有限公司 | 一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法 |
| CN106894080B (zh) * | 2015-12-18 | 2019-03-29 | 有研半导体材料有限公司 | 一种大直径硅基多晶硅膜的制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20091216 |