CN101593588B - 片式薄膜电阻器的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种片式薄膜电阻器的制造方法，属于片式电阻制造方法；旨在提供一种生产率高、成本低的片式薄膜电阻器的制造方法。它包括表、背电极和电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其方法是：基片打磨，基片清洗，印刷表电极，印刷背电极，电极烧结，印刷阻挡层，真空溅射，清除阻挡层，热处理，激光调阻，印刷保护层，保护层固化，一次裂片、端涂电极，端电极烧结，二次裂片、镀镍、镀锡铅合金。本发明具有生产率高、成本低等优点，是一种大规模生产片式薄膜电阻器的理想方法。

Description

片式薄膜电阻器的制造方法

技术领域：

本发明涉及一种电阻器的制造方法，尤其涉及一种片式薄膜电阻器的制造方法。

背景技术：

片式电阻器是片式电阻网络产品的基础元件，被称作电子设备的“细胞”，电子设备的精度、可靠性在很大程度上取决于片式电阻器的质量。片式薄膜电阻器传统的制作方法是利用溅射工艺先在陶瓷基板上溅射电阻膜层和电极层，然后进行光刻，再利用化学腐蚀或等离子溅射的方法形成电阻膜层和电极层，经热处理、激光调阻后按照厚膜工艺进行生产。该方法由于采用了两次溅射成膜，而且光刻工艺费用昂贵、光刻工作间的净化程度要求很高，因此存在生产率低、生产成本高等缺陷。

发明内容：

针对现有技术中存在的上述缺陷，本发明旨在提供一种生产率高、成本低的片式薄膜电阻器的制造方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、包封、激光调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；具体方法如下：

1)对陶瓷基片进行打磨，表面粗糙度控制在0.08～0.1μ；

2)用去离子水对打磨过的陶瓷基片进行清洗，干燥；

3)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表电极，保证印刷厚度干燥后达到13～22μ；印刷所用的电极浆料是按常规方法配制的银浆料；

4)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到8～17μ，印刷所用的电极浆料同步骤3)；

5)将印刷有表电极膜和背电极膜的陶瓷基片850±2℃烧结8～12min；

6)在烧结后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃，保证表电极露出长度为0.1～0.5mm，干燥；

7)以镍铬合金或铬硅合金为靶材，用真空溅射的方法对印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片表面进行溅射形成电阻体，保证薄膜沉积厚度为0.1～1μ；

8)用浓度为95％的酒精清除附着在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使电阻体图形露出；

9)对清除后的陶瓷基片300～600℃热处理，时间为0.5～8h；

10)用功率为0.5～2W、Q开关频率为2～20KHz、调阻速度为20～100mm/s的激光对电阻体进行L形切割，将其阻值调到所需的目标阻值和精度；

11)在电阻体的表面印刷低温环氧树脂，干燥；

12)将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200～230℃固化烧结25～35min；

13)将固化烧结后的陶瓷基片按照常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极；

14)将涂刷有端电极膜的裂片条600±2℃烧结5～9min；

15)按常规方法二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为2～7μ，锡铅合金层厚度为3～18μ。

与现有技术比较，本发明由于采用了上述技术方案，将原来两次溅射成膜改为了一次溅射成膜，并且省略了光刻工艺，同时充分结合了比较成熟的厚膜电阻制造工艺，因此能够极大地提高薄膜电阻器的生产率、降低生产成本。

具体实施方式：

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明：

1)对氧化铝含量为96％的陶瓷基片进行打磨，控制表面粗糙度为0.08～0.1μ；

2)将上述陶瓷基片放入频率为10～20KHz、功率为25～50W的超声波清洗槽中，用电阻率为2MΩ以上的去离子水对其清洗2～10min，然后150±5℃干燥25min；

3)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表电极，125℃干燥10min；保证印刷厚度干燥后达到13～22μ，印刷所用的电极浆料是按常规方法配制的银浆料；

4)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背电极，125℃干燥10min；保证印刷厚度干燥后达到8～17μ，印刷所用的电极浆料同步骤3)；

5)将印刷有表电极膜和背电极膜的陶瓷基片850±2℃烧结8～12min；

6)在烧结后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃为溅射阻挡层，125℃干燥10min；保证表电极露出长度为0.1～0.5mm，其余未印刷上二次玻璃的部位作为需要溅射形成电阻体的位置；

7)以镍铬合金或铬硅合金为靶材，用真空溅射的方法对印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片表面进行溅射，保证薄膜沉积厚度为0.1～1μ；

8)用浓度为95％的酒精清除附着在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使电阻体图形露出；

9)对清除后的陶瓷基片进行300～600℃热处理，时间为0.5～8h；其目的是达到所需的电阻温度系数；

10)用功率为0.5～2W、Q开关频率为2～20KHz、调阻速度为20～100mm/s的激光对电阻体膜进行L形切割，将其阻值调到所需的目标阻值和精度；

11)在电阻体的表面印刷低温环氧树脂，保证使电阻体被完全覆盖，125℃干燥10min；

12)将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片200～230℃固化烧结25～35min；

13)将固化烧结后的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极；

14)将涂刷有端电极膜的裂片条600±2℃烧结5～9min；

15)按常规方法二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为2～7μ，锡铅合金层厚度为3～18μ。

Claims (1)

1.一种片式薄膜电阻器的制造方法，包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、包封、激光调阻、裂片、烧成、端涂、电镀；其特征在于具体方法如下：

1)对陶瓷基片进行打磨，表面粗糙度控制在0.08～0.1μ；

2)用去离子水对打磨过的陶瓷基片进行清洗，干燥；

3)在清洗后的陶瓷基片表面印刷表电极，保证印刷厚度干燥后达到13～22μ；印刷所用的电极浆料是按常规方法配制的银浆料；

4)在清洗后的陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷厚度干燥后达到8～17μ，印刷所用的电极浆料同步骤3)；

5)将印刷有表电极膜和背电极膜的陶瓷基片在850±2℃烧结8～12min；

6)在烧结后的陶瓷基片表面印刷二次玻璃，保证表电极露出长度为0.1～0.5mm，干燥；

7)以镍铬合金或铬硅合金为靶材，用真空溅射的方法对印刷有二次玻璃膜的陶瓷基片表面进行溅射形成电阻体，保证薄膜沉积厚度为0.1～1μ；

8)用浓度为95％的酒精清除附着在上述陶瓷基片上的二次玻璃，使电阻体图形露出；

9)对清除后的陶瓷基片在300～600℃热处理，时间为0.5～8h；

10)用功率为0.5～2W、Q开关频率为2～20KHz、调阻速度为20～100mm/s的激光对电阻体进行L形切割，将其阻值调到所需的目标阻值和精度；

11)在电阻体的表面印刷低温环氧树脂，干燥；

12)将印刷有低温环氧树脂的陶瓷基片在200～230℃固化烧结25～35min；

13)将固化烧结后的陶瓷基片按照常规方法一次裂片，并在裂片条的端面涂刷端电极；

14)将涂刷有端电极膜的裂片条在600±2℃烧结5～9min；

15)按常规方法二次裂片，然后镀镍、镀锡铅合金；保证镍层厚度为2～7μ，锡铅合金层厚度为3～18μ。