CN101589655B - 电路基板的制造方法及电路基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制造电路基板的方法，该方法使用下述薄片作为电路基板薄片来制造电路基板，所述薄片由未固化层构成，所述未固化层上设置有电路芯片的部位以外的部分在所述电路芯片设置前或设置后可选择性地固化，且该未固化层具有柔软性，当设置在其表面的电路芯片受到按压时，该柔软性可以使该电路芯片嵌入至电路基板薄片内部。根据本发明的电路基板的制造方法，可以将电路芯片以高精密度嵌入电路基板内部，从而实现电路基板的简单且高精密度的制造。

Description

电路基板的制造方法及电路基板
技术领域
本发明涉及一种电路基板的制造方法以及利用该电路基板的制造方法获得的电路基板，其中，所述电路基板的制造方法可以通过在其表面设置电路芯片后再将电路芯片按压至内部而实现简单且高精密度的嵌入。 
背景技术
在构成液晶显示器、有机EL显示器等显示器的电路基板中，不仅设置有用来控制显示器的各像素的微电子器件，同时还形成有传达各微电子器件的输入输出信号的电路。以往，微电子器件是通过在玻璃制电路基板上直接制备而成，并配置在该电路基板中。即，采用CVD(化学气相沉积)法等真空技术在玻璃基板上依次层压绝缘膜、半导体膜等，再利用与半导体集成电路的制备工序相同的工序在这些沉积膜上形成薄膜晶体管(TFT)等微电子器件。这些微电子器件形成在各像素附近，通过对各像素的接通、断开、浓淡等进行控制来实现显示器上的图像形成。 
近年来，对显示器的需求趋向于40英寸～100英寸的大画面化，并且已经达到市场化阶段，可是，上述需要使用玻璃基板和真空技术的多步工序已成为发展电路基板制造方法的难关，很难实现成本的削减。由于大画面显示器已被广泛使用，成本削减问题势在必行，因而，已开始了对可降低大画面显示器的制造成本的电路基板制造方法的探索。 
为了达到上述的削减大画面显示器成本的要求，最近，已提出了一种新技术(专利文献1)。该专利文献1中公开了下述技术：通过使用另外制备的电路芯片作为微电子器件，并采用廉价且轻量的塑料基板作为电路基板，在利用印刷技术将所述电路芯片设置在所述塑料基板上的同时进行电路的制造，可实现大画面显示器的廉价提供。 
专利文献1：日本特开2003-248436号公报 
发明内容
发明要解决的问题 
在上述专利文献1公开的技术中，为了将电路芯片设置在塑料基板上的指定位置，预先进行了开孔。另一方面，在电路芯片的表面层压了可感应磁力的镍膜。通过使指定数目的具有上述镍膜的电路芯片按指定图案进行磁力吸附，从而一次性地将这些电路芯片嵌入上述塑料基板上的孔中而形成布线图案。 
在上述的传统技术中，必须要预先在塑料基板上设置电路芯片、并预先开孔以备嵌入。当所述嵌入孔的尺寸相比于电路芯片的尺寸越大时，设置电路芯片时的操作越轻松，但在另一方面，也会导致设置在电路基板上的电路芯片的安装位置精密度降低。与此相反，所述嵌入孔的尺寸与电路芯片的尺寸越接近，则基板上的电路芯片的安装位置精密度越高，但另一方面也会使设置电路芯片时的操作、即向嵌入孔中嵌入电路芯片的操作变得困难。 
本发明正是基于上述情况作出的，其课题在于提供一种无须在基板上形成电路芯片的嵌入孔即可将电路芯片简单且准确地设置并嵌入的电路基板的制造方法、以及利用该电路基板的制造方法获得的电路基板。 
解决问题的方法 
为了解决上述问题，本发明人等反复进行了深入的研究，从而完成了本发明。即，本发明涉及的电路基板的制造方法是将电路芯片嵌入内部的电路基板的制造方法，其中，所述电路基板薄片由未固化层构成，所述未固化层上设置有所述电路芯片的部位以外的部分在所述电路芯片设置前或设置后可选择性地固化，且该未固化层具有柔软性，当设置在其表面的电路芯片受到按压时，该柔软性可以使该电路芯片嵌入至电路基板薄片内部。 
在本发明的电路基板的制造方法中，优选构成电路基板薄片的所述未固化层所形成的厚度大于所述电路芯片的厚度。 
作为形成所述未固化层的材料，只要是可选择性地形成未固化部位和固化部位的材料，则可以是任意材料，但为了使未固化部位和固化部位可容易且准确地进行选择形成，优选可通过活性能量射线固化的活性能量射线固化性树脂。 
另外，本发明的电路基板的制造方法的特征在于，其包括电路芯片的嵌入步骤和电路基板薄片的固化步骤。其中，所述电路芯片的嵌入步骤， 是在具有未固化层的电路基板薄片的所述未固化层表面设置电路芯片，所述未固化层能够通过照射活性能量射线而固化，并且按压该电路芯片，将所述电路芯片嵌入所述未固化层内的步骤；所述电路基板薄片的固化步骤是对嵌入了上述电路芯片的电路基板薄片照射活性能量射线，以使该电路基板薄片固化，从而获得嵌入有电路芯片而形成的电路基板的步骤。 
在上述电路基板的制造方法中，可以在将电路芯片设置在所述未固化层表面之前，通过在所述未固化层表面贴合选择性屏蔽活性能量射线的掩模、并从贴合有所述掩模的一侧向所述未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，再在所述未固化部位表面设置电路芯片。 
另外，在上述的电路基板的制造方法中，也可以在将电路芯片设置在所述未固化层表面之前，通过在所述未固化层上贴合选择性地设置有开口部位的开孔剥离片、并向所述未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，再在所述未固化部位表面设置电路芯片。 
此外，在本发明的电路基板的制造方法中，还可以在将电路芯片设置在所述未固化层表面之后，通过从该未固化层上设置有电路芯片的一侧向该未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，再向所述未固化层表面按压电路芯片，使所述电路芯片嵌入所述未固化层内。 
此外，本发明的电路基板是可通过上述本发明中任一种电路基板的制造方法获得的电路基板。 
发明的效果 
根据本发明，可以提供一种电路基板的制造方法和电路基板，所述电路基板的制造方法，是通过在其表面设置电路芯片后再将电路芯片按压至内部来实现容易且高精密度的嵌入。 
附图说明
图1是由活性能量射线固化性树脂构成的电路基板薄片的侧面剖面图。 
图2是在隔着掩模向电路基板薄片照射活性能量射线、从而选择性地形成未固化部位的状态下的侧面剖面图。 
图3是在露出未固化部位和固化部位的状态下电路基板薄片的侧面剖 面图。 
图4是示出将电路芯片设置在电路基板薄片上的状态的侧面剖面图。 
图5是示出利用平面压机将设置在电路基板薄片表面的电路芯片嵌入电路基板薄片内的状态的侧面剖面图。 
图6是示出向嵌入了电路芯片的电路基板薄片照射活性能量射线以使其固化的状态的侧面剖面图。 
图7是在嵌入电路芯片并使电路基板薄片固化结束后所获得的电路基板的侧面剖面图。 
图8是将开孔剥离片紧密贴合在由活性能量射线固化性树脂构成的电路基板薄片的露出表面的状态的侧面剖面图。 
图9是示出在含氧气体氛围中隔着开孔剥离片向电路基板薄片照射活性能量射线、从而选择性地形成未固化部位和固化部位的状态的侧面剖面图。 
图10是在露出未固化部位和固化部位的状态下电路基板薄片的侧面剖面图。 
图11是示出将电路芯片设置在电路基板薄片的未固化层上的状态的侧面剖面图。 
图12是示出以电路基板薄片的未固化层上的电路芯片为掩模照射活化能量线、从而选择性地形成未固化部位和固化部位的状态的侧面剖面图。 
符号说明 
1电路基板薄片 
2未固化层 
2a未固化部位 
2b固化部位 
3玻璃基板 
4重剥离型剥离片 
5掩模 
6电路芯片 
10平面压机 
11剥离片 
12玻璃基板 
13电路基板 
20开孔剥离片 
20a孔 
具体实施方式
(活性能量射线固化性树脂) 
对于本发明的电路基板制造中使用的电路基板薄片的材料，只要是在电路芯片设置前或设置后可使设置有电路芯片的部位以外的部位选择性地固化，且当设置在其表面的电路芯片受到按压时电路芯片可嵌入电路基板薄片内部的材料即可，没有特殊限制，但适宜采用易于选择性地设置未固化层、并可容易且准确地将电路芯片设置并嵌入的活性能量射线固化性树脂。该活性能量射线固化性树脂，是在照射紫外线、电子束等活性能量射线时进行聚合、固化的树脂。 
作为在本发明中使用的所述活性能量射线固化性树脂，可列举例如(1)含有丙烯酸类聚合物、和活性能量射线聚合性低聚物和/或聚合性单体、及视需要而使用的光聚合引发剂的树脂；(2)含有侧链上导入了具有聚合性不饱和基团的活性能量射线固化性官能团而形成的丙烯酸类聚合物、和视需要而使用的光聚合引发剂的树脂等。 
在上述(1)的树脂中，作为丙烯酸类聚合物，优选列举酯部分的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸酯与视需要而使用的具有带活泼氢的官能团的单体及其它的单体的共聚物，即(甲基)丙烯酸酯共聚物。 
其中，作为酯部分的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸酯的实例，可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等。上述(甲基)丙烯酸酯可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
另一方面，作为视需要而使用的具有带活泼氢的官能团的单体的实例，可列举(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；(甲基)丙烯酸单甲基氨基乙 酯、(甲基)丙烯酸单乙基氨基丙酯等(甲基)丙烯酸单烷基氨基烷基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等乙烯型不饱和羧酸等。上述单体可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
在(甲基)丙烯酸酯共聚物中，含有5～100重量％、优选50～95重量％的(甲基)丙烯酸酯，含有0～95重量％、优选5～50重量％的具有带活泼氢的官能团的单体。 
另外，作为视需要而使用的其它单体的实例，可列举乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类；乙烯、丙烯、异丁烯等烯烃类；氯乙烯、偏二氯乙烯等卤代烯烃类；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；丁二烯、异戊二烯、氯丁二烯等二烯类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等腈类单体；丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺等丙烯酰胺类等。上述单体可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。在(甲基)丙烯酸酯共聚物中，可以含有0～30重量％的上述单体。 
在该树脂中，对于被用作丙烯酸类聚合物的(甲基)丙烯酸酯类共聚物的共聚形态没有特殊限制，可以是无规、嵌段、接枝共聚物中的任一种。另外，优选其分子量以重均分子量计在30万以上。 
这里，所述的重均分子量，是利用凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算的值。 
在本发明中，该(甲基)丙烯酸酯类共聚物可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
另外，作为活性能量射线聚合性低聚物，可列举例如聚酯丙烯酸酯类、环氧丙烯酸酯类、聚氨酯丙烯酸酯类、聚醚丙烯酸酯类、聚丁二烯丙烯酸酯类、聚硅氧烷丙烯酸酯类等。 
上述聚合性低聚物的重均分子量是以GPC法测定的标准聚苯乙烯换算的值计，优选在500～100000、更优选在1000～70000，进一步优选在3000～40000范围内选择。 
该聚合性低聚物可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
另一方面，作为活性能量射线聚合性单体，可列举例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸吗啉酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等单官能团性丙烯酸酯类；1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸己二酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸羟基三甲基乙酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸双环戊烯酯、二(甲基)丙烯酸己内酯改性双环戊烯酯、二(甲基)丙烯酸氧化乙烯改性磷酸酯、二(甲基)丙烯酸烯丙基化环己酯、二(甲基)丙烯酸三聚异氰酸酯、三(甲基)丙烯酸三羟甲基丙酯、三(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸氧化丙烯改性三羟甲基丙酯、三聚异氰酸三(丙烯酰氧乙基)酯、五(甲基)丙烯酸丙酸改性二季戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸己内酯改性二季戊四醇酯等。上述聚合性单体可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
通常，相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物的固体成分100重量份，上述聚合性低聚物及聚合性单体的用量通常可混合3～500重量份。 
此外，通常采用紫外线或电子束作为活性能量射线进行照射，在进行紫外线照射时，可以使用光聚合引发剂。作为该光聚合引发剂，可列举例如苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻异丁醚、苯乙酮、二甲基氨基乙酰苯、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯、2，2-二乙氧基-2-苯基乙酰苯、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-(羟基-2-丙基)酮、二苯甲酮、对苯基二苯甲酮、4，4’-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮(ベンジルジメチルケタ-ル)、二甲氧基缩苯乙酮、对二甲基氨基苯甲酸酯、低聚(2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮等。上述聚合引发剂可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
相对于上述活性能量射线固化性树脂的固体成分100重量份，所述光聚合引发剂的混合量通常为0.1～10重量份。 
此外，在上述(2)的树脂中，作为侧链上导入具有聚合性不饱和基团的活性能量射线固化性官能团而形成的丙烯酸类聚合物，可列举：例如，在上述的(甲基)丙烯酸酯类聚合物的侧链上导入-COOH、-NCO、环氧基、-OH、-NH2等活性点，并使该活性点与具有聚合性不饱和基团的化合物反应而在该丙烯酸类聚合物的侧链上引入具有聚合性不饱和基团的能量射线固化性 官能团而形成的聚合物。 
为了将上述活性点导入到丙烯酸类聚合物上，可以在制造该丙烯酸类聚合物时，使具有-COOH、-NCO、环氧基、-OH、-NH2等官能团和聚合性不饱和基团的单体或低聚物在反应体系中共存。具体而言，当制造在上述(1)的树脂中提及的丙烯酸类聚合物时，欲导入-COOH基团时可使用(甲基)丙烯酸等，欲导入-NCO基团时可使用2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等，欲导入环氧基时可使用(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等，欲导入-OH基团时可使用(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、单(甲基)丙烯酸1，6-己二醇酯等，欲导入-NH2基团时可使用N-甲基(甲基)丙烯酰胺等。 
作为具有用于与上述活性点反应的聚合性不饱和基团的化合物，可以根据活性点的种类，从例如2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、单(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、单(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、单(甲基)丙烯酸三羟甲基丙酯等中适当选择使用。 
这样一来，可以通过上述活性点获得在丙烯酸类聚合物的侧链上导入了具有聚合性不饱和基团的活性能量射线固化性官能团而形成的丙烯酸类聚合物，即(甲基)丙烯酸酯共聚物。 
该导入了活性能量射线固化性官能团的(甲基)丙烯酸酯共聚物的重均分子量优选在100000以上、特别优选在300000以上。需要说明的是，所述重均分子量是利用GPC法测定的聚苯乙烯的换算值。 
另外，作为视需要而使用的光聚合引发剂，可以使用在对上述(1)的树脂的说明中所例举的光聚合引发剂。 
在不破坏本发明的效果的范围内，可以视需要而向上述的(1)和(2)的活性能量射线固化性树脂中添加交联剂、增粘剂、抗氧剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、软化剂、填充剂等。 
作为所述交联剂，可列举例如多异氰酸酯化合物、环氧树脂、蜜胺树脂、尿素树脂、二醛类、羟甲基聚合物、氮丙啶类化合物、金属螯合物、金属醇盐、金属盐等，但优选使用多异氰酸酯化合物。相对于上述(甲基)丙烯酸酯共聚物的固体成分100重量份，可混合该交联剂0～30重量份。 
其中，作为多异氰酸酯化合物的实例，可列举甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯，六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族多异氰酸酯，异佛尔酮二异氰酸酯、氢化二苯基甲烷二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯等，及它们的缩二脲化物、三聚异氰酸酯化物，以及它们与乙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等含有活泼氢的低分子化合物的反应物的加合物等。上述交联剂可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
需要指出的是，所述(1)和(2)的活性能量射线固化性树脂，可以向(1)的能量线固化性树脂中添加(2)的侧链上具有聚合性不饱和基团的活性能量射线固化性基团的(甲基)丙烯酸酯共聚物。同样，也可以向(2)的活性能量射线固化性树脂中添加(1)的丙烯酸类聚合物、或活性能量射线聚合性低聚物或活性能量射线聚合性单体。另外，还可以根据需要而添加溶剂。作为所使用的溶剂，可以从对上述的(1)和(2)的活性能量射线固化性树脂具有良好溶解性、并对上述(1)、(2)的树脂不显示活性的公知溶剂中适当选择使用。作为这类溶剂，可列举例如甲苯、二甲苯、甲醇、乙醇、异丁醇、正丁醇、丙酮、甲基乙基酮、四氢呋喃、乙酸乙酯等。上述溶剂可单独使用1种，也可以2种以上组合使用。 
这里，从通用性、经济性方面考虑，在活性能量射线中优选使用紫外线。作为产生紫外线的灯，包括高压水银灯、金属卤化物灯、氙灯、无电极紫外线灯等。作为紫外线的照射量，可适当选择，例如，可以是光量1～1500mJ/cm2、照度10～500mW/cm2左右。 
本发明中使用的电路基板薄片可采用上述的活性能量射线固化性树脂、按照下述方法形成。 
(电路基板薄片的形成) 
制备上述活性能量射线固化性树脂的涂布液，并将该涂布液涂布在剥离片(重剥离型剥离片)的剥离处理面上，当含有溶剂时，进行加热干燥，即可获得形成了由活性能量射线固化性树脂构成的未固化层的薄片，其中，所述的剥离片是在剥离基材的一面上设置剥离剂层而形成的剥离片。作为所述涂布的方法，可采用刮刀涂布、辊式涂布、刮棒涂布、刮板涂布、凹版涂布等方法进行涂布，并在室温～150℃、优选60～130℃，1～10分钟的条件下使其干燥。另外，剥离片可使用公知的材料，可列举通过在聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜等剥离基材上涂布有机硅树脂、醇酸树脂、长链烷基树脂等剥离剂而在其上设置了剥 离剂层的材料等。该剥离片的厚度通常在20～150μm左右。 
除此之外，同样地，也可以在剥离片(轻剥离型剥离片)的剥离处理面上涂布上述涂布液，再视需要进行加热干燥，来制造具有由活性能量射线固化性树脂构成的未固化层的薄片，其中，所述剥离片也是在剥离基材的一面上设置剥离剂层而形成的剥离片。这里，所使用的剥离片的剥离能力被设定为小于上述重剥离型剥离片的剥离能力。 
在上述重剥离型剥离片上的未固化层上层压上述轻剥离型剥离片上的未固化层，并剥离轻剥离型剥离片。重复进行该层压工序，最终获得下述电路基板薄片：具有由重剥离型剥离片和轻剥离型剥离片之间所夹持的活性能量射线固化性树脂构成的具有指定厚度的未固化层的电路基板薄片。所述未固化层的厚度为30～1000μm，优选为50～500μm。 
由上述活性能量射线固化性树脂构成的未固化层在受到活性能量射线照射以前一直处于未固化状态，未固化状态的树脂具有可嵌入电路芯片的柔软性。因此，只要在以任意方式在该未固化层上设置所需个数的电路芯片后，再采用平面压机等将这些电路芯片垂直按压至未固化层的表面，即可将电路芯片嵌入未固化层内。在嵌入电路芯片后，如果对整个上述未固化层照射活性能量射线，则可以使未固化层固化并牢固地固定上述电路芯片，同时又可实现作为电路基板的充分的物理强度。 
选择性地形成上述未固化部位和固化部位的时期可以在将电路芯片设置在未固化层上之前，也可以是之后。 
在将电路芯片设置在上述未固化层上之前，对于保持设置有电路芯片的部位及其周边深度方向的区域为未固化状态、而使其它区域固化的方法，主要有下述两种方法。其一是在未固化层的表面贴合可选择性屏蔽活性能量射线的掩模，再从贴合有所述掩模的一侧照射活性能量射线，从而使受到照射的部分固化，并使被掩模屏蔽的未照射部分作为未固化部位残留的方法。作为所述屏蔽活性能量射线的掩模，可列举在石英玻璃等基板上形成铬等金属薄膜、并以此作为屏蔽部位的掩模。另一方法是利用当使通过自由基聚合进行固化的活性能量射线固化性树脂与空气等含氧气体氛围接触时，其固化受到阻碍的现象的方法。即，如果在未固化层上设置开孔剥离片，该开孔剥离片通过对可透过活性能量射线的剥离片进行选择性开孔而获得，再进行活性能量射线照射，则整个未固化层会毫无遗漏地受到活 性能量射线的照射；但是，被薄片覆盖而未与氧气相接触的其余部分则进行固化，而因孔的存在与含氧气体氛围相接触的部分却因氧气存在使其固化受到阻碍、保持原有的未固化状态，该方法正是利用这种现象来选择性地形成未固化部位的方法。这里，优选在未固化层上未贴合开孔剥离片的一侧贴合玻璃基板等以避免其与含氧气体氛围接触。作为所述的开孔剥离片，可以使用上述剥离片，作为开孔方法，可以利用热针及激光等公知的方法进行开孔。开孔剥离片的厚度通常为20～150μm左右。 
此外，为了在将电路芯片设置在所述未固化层上之后，保持设置有电路芯片的部位及其周边深度方向的区域为未固化状态、而使其它区域进行固化，可列举使用电路芯片作为掩模进行活性能量射线照射的方法。即，在将电路芯片设置在所述未固化层表面之后，从该未固化层上设置有电路芯片的一侧的上方对该未固化层照射活性能量射线。利用该照射，可以以所述电路芯片为掩模选择性地形成未固化部位和固化部位。随后，按压电路芯片，将所述电路芯片嵌入所述未固化层内。 
以下，参照附图对利用了上述各嵌入方法的电路基板的制造方法进行说明。 
(电路基板的制造方法(1)) 
如图1所示，从未固化层2上将按照上述方法制作的电路基板薄片1的轻剥离型剥离片(无图示)剥去，再贴合到钠钙玻璃、石英玻璃等玻璃基板3上。此时，可透过活性能量射线的重剥离型剥离片4未被剥离，仍然保留。 
如图2所示，在上述重剥离型剥离片4上贴合掩模5，所述掩模5在其上形成有所需个数(图中为1处)、且具有所需图案的屏蔽活性能量射线的部位，再从贴合有掩模的一侧照射活性能量射线。作为掩模，可使用在石英玻璃上欲屏蔽活性能量射线的部位上形成了铬薄膜而得到的掩模等。 
经过上述活性能量射线照射的结果为：被掩模5屏蔽了活性能量射线照射的部位保持为未固化部位2a，而接受活性能量射线照射的其它部分成为固化部位2b。随后，如图3所示，剥去另一个重剥离型剥离片4，以使未固化部位2a和固化部位2b露出。 
然后，如图4所示，以任意方式将所需个数(图中为1个)的电路芯片6设置在电路基板薄片的未固化部位2a表面。 
如图5所示，将上述将所需个数(图中为1个)的电路芯片6设置在了所 需部位而得到的电路基板薄片1连同玻璃基板3一起置于平面压机10中。然后，在电路基板薄片1上依次放置剥离片11和玻璃基板12，并缓慢从上下加压。这里，剥离片11和玻璃基板12可使用之前列举的材料。这样一来，由于设置有电路芯片6的未固化部位2a是未固化且软质的，因而可使设置于表面的电路芯片6嵌入电路基板薄片1内，且其表面与电路基板薄片1的表面形成连续平面。此时，由于在下方的玻璃基板3、和上方的玻璃基板12及剥离片11的作用下，电路基板薄片1被均匀加压，因而，即使嵌入了电路芯片6，电路基板薄片1的表面平坦性也不会遭到破坏。另外，由于嵌入电路芯片的深度方向受限于固化部位2b所围区域，因而在电路芯片6嵌入时不会沿薄片表面水平方向发生位置偏移。 
嵌入电路芯片6之后，将薄片连同上方的剥离片11及玻璃基板12、和下方的玻璃基板3保持嵌入状态一起从平面压机10取出。然后，如图6所示，从下方的玻璃基板3一侧对整个电路基板薄片1照射活性能量射线，以使电路基板薄片1的未固化部位2a固化。固化后，拆去上方的玻璃基板12和剥离片11，再在嵌入了所需电路芯片6之后使整个电路基板薄片1固化，从而获得电路基板13，如图7所示。 
随后，利用真空蒸镀、溅射、光刻蚀技术等公知的电极及配线形成方法在上述电路基板13上形成用于控制像素的配线，从而完成显示器用电路基板的制造。 
在上述参照图1～7制造电路基板的方法中，使用掩模5形成了未固化部位2a和固化部位2b，但除此之外，在本发明中，也可以通过在进行活性能量射线照射时使所需的局部部位与氧气相接触来阻碍固化的进行，从而选择性地形成未固化粘结部位。以下，结合图8～10对该方法进行说明。 
(电路基板的制造方法(2)) 
如图8所示，从未固化层2上将按照上述说明那样的方法制造的电路基板薄片1的轻剥离型剥离片(无图示)剥去，再贴合到玻璃基板3上。然后，剥去另一侧的重剥离型剥离片(无图示)，再相应地贴合开孔剥离片20。在该开孔剥离片20上，按所需图案形成有所需个数(图中为1个)的孔20a。 
然后，如图9所示，从贴合有开孔剥离片20的一侧向未固化层2照射活性能量射线。如上所述，由于在开孔剥离片20上开有孔20a，因此具有该孔20a部分的未固化层2处于与空气相接触的状态。在该状态下，在空气 等含有氧气的气体氛围中向未固化层2照射活性能量射线时，可使整个未固化层2毫无遗漏地受到活性能量射线照射，从而使未固化层2的全部区域进行光固化，而因孔20a的存在与空气相接触的部分则因空气中的氧气而导致固化受到阻碍，保持原有的未固化状态，从而选择性地形成未固化部位2a，其余的部位成为固化部位2b。需要指出的是，在图9中，从贴合有开孔剥离片20的一侧照射活性能量射线，但也可以从玻璃基板3一侧进行照射。 
如上所述，使用开孔剥离片20、在空气等含氧气体氛围中进行照射的结果如下：如图10所示，在选择性地形成未固化部位2a和固化部位2b之后，剥去开孔剥离片20，以使未固化部位2a和固化部位2b露出。随后，按照上述图4～图7所示的步骤获得电路基板13。 
在上述的电路基板制造方法(1)(2)中，在将电路芯片6设置在未固化层2上之前已形成了未固化部位2a和固化部位2b，但是除此之外，在本发明中，也可以在将电路芯片6设置在未固化层2上之后再选择性地形成未固化部位2a和固化部位2b。以下，结合图11～12对该方法进行说明。 
(电路基板的制造方法(3)) 
如图11所示，从未固化层2上将按照上述说明那样的方法制造的电路基板薄片1的轻剥离型剥离片(无图示)剥去，再贴合到玻璃基板3上。然后，剥去重剥离型剥离片(无图示)，再在露出的未固化层2上以所需图案形成所需个数(图中为1个)的电路芯片6。 
随后，如图12所示，从设置有电路芯片的一侧向未固化层2照射活性能量射线。其结果，电路芯片6起到掩模的作用，使电路芯片6的下部成为未固化部位2a，其余部分成为固化部位2b。然后，按照上述图4～图7所示的步骤获得电路基板13。 
实施例 
以下，示出本发明的电路基板的制造方法的实施例。需要指出的是，下述实施例只是为了便于对本发明进行说明而给出的示例，不对本发明产生任何限制。 
如下所示的实施例1、2是基于上述参照图1～7进行了说明的电路基板的制造方法(1)进行的实施例。同样，实施例3是基于参照图8～10进行了说 明的电路基板的制造方法(2)进行的实施例，实施例4是基于参照图11、12进行了说明的电路基板的制造方法(3)进行的实施例。 
(实施例1) 
(电路基板薄片的形成) 
使丙烯酸丁酯(关东化学公司制造)80重量份与丙烯酸(关东化学公司制造)20重量份在乙酸乙酯/甲基乙基酮混合溶剂(重量比50∶50)中进行反应获得的丙烯酸酯共聚物(固体成分浓度为35重量％)，向该丙烯酸酯共聚物中添加2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(国产化学公司制造)，其中，相对于共聚物中的丙烯酸100当量，添加的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯为30当量，再在氮气气体氛围中、40℃下使反应进行48小时，从而获得了侧链上导入了具有活性能量射线固化性基团且重均分子量为85万的活性能量射线固化性官能团的丙烯酸类共聚物。 
在获得的导入了活性能量射线固化性官能团的丙烯酸类共聚物溶液(固体成分100重量份)中溶解光聚合引发剂2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮(Ciba·Specialty·Chemicals公司制造，商品名为“IRGACURE 651”)3.0重量份、含有活性能量射线聚合型多官能性单体及低聚物的组合物(大日精化工业公司制造，商品名为“14-29B(NPI)”)100重量份(固体成分80重量份)、含有多异氰酸酯化合物的交联剂(东洋油墨制造公司制造，商品名为“ORIBAIN BHS-8515”)1.2重量份(固体成分0.45份)，最后，再加入甲基乙基酮将固体成分浓度调节至40重量％，并进行搅拌直到得到均匀溶液，由此，获得了涂布液。 
利用刮刀涂布器将制备的上述涂布液涂布于下述重剥离型剥离片(Lintec公司制造，商品名为“SP-PET3811”)的剥离处理面上，并在90℃下进行90秒钟加热干燥，从而形成了厚度为50μm、由活性能量射线固化性树脂构成的未固化层，其中，所述的重剥离型剥离片是在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面上设置有机硅类剥离剂层而形成的剥离片。 
同样，将所述涂布液涂布于下述轻剥离型剥离片(Lintec公司制造，商品名为“SP-PET3801”)的剥离处理面上，并在90℃下进行90秒钟加热干燥，从而形成了厚度为50μm、由活性能量射线固化性树脂构成的未固化层，其中，所述的轻剥离型剥离片是在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二 醇酯膜的一面上设置有机硅类剥离剂层而形成的剥离片。 
在上述重剥离型剥离片上的未固化层上层压上述轻剥离型剥离片上的未固化层后，剥去轻剥离型剥离片。重复该层压工序，最终获得了下述电路基板薄片：具有由重剥离型剥离片和轻剥离型剥离片之间所夹持的活性能量射线固化性树脂构成的、厚度为400μm的未固化层的电路基板薄片。 
(未固化部位和固化部位的选择性形成) 
从具有上述未固化层的上述电路基板薄片上剥去轻剥离型剥离片后，贴合到5cm×5cm的钠钙玻璃基板上。在该状态下，在另一侧的重剥离型剥离片上贴合掩模，并隔着该掩模向电路基板薄片照射紫外线，其中，该照射是在照度400mW/cm2、光量315mJ/cm2的条件下、以无电极灯(FUSION公司制造，H灯管)为光源照射紫外线。为了屏蔽紫外线，所使用的掩模是在石英玻璃上形成了铬薄膜的材料(屏蔽部位的尺寸：纵520μm×横520μm，间隔为1740μm)。通过从掩模上方照射上述紫外线，在未固化层上形成了4处尺寸为纵520μm×横520μm的未固化部位，而其余的部分则成为了固化部位。 
(向电路基板薄片中嵌入电路芯片) 
从上述电路基板薄片上剥去重剥离型剥离片后，在上述4处未固化部位的表面设置了4个电路芯片(纵500μm×横500μm×厚200μm)。 
(电路芯片的嵌入及电路基板薄片的固化) 
在玻璃基板上设置有电路芯片的电路基板薄片上方，夹着剥离片(Lintec公司制造，商品名为“SP-PET3801”)设置了另外准备的5cm×5cm的、作为玻璃基板的钠钙玻璃板，并采用平面压机以0.3MPa的压力进行5分钟压制。回复至常压后，将剥离片、上方的钠钙玻璃板、和下方的玻璃基板嵌在一起的状态下的电路基板薄片从平面压机中取出，并在照度400mW/cm2、光量315mJ/cm2的条件下以无电极灯(FUSION公司制造，H灯管)为光源对电路基板薄片下方的没有电路芯片一面的玻璃基板侧照射紫外线，从而使未固化部位进行固化。随后，拆去电路基板上方的钠钙玻璃板和剥离片，从而获得了在下方的钠钙玻璃基板上的指定位置上嵌入了4个电路芯片的电路基板。 
(实施例2) 
除了使用将实施例1中在电路基板薄片上用于屏蔽紫外线的掩模变更 为形成的屏蔽部位的尺寸为纵800μm×横800μm(间隔为1740μm)的掩模以外，采用与实施例1相同的方法进行了电路芯片向电路基板薄片内的嵌入、及电路基板薄片的固化，从而获得了电路基板。 
(实施例3) 
除了将实施例1中在电路基板薄片上选择性形成未固化部位和固化部位的步骤进行了下述变更以外，采用与实施例1相同的方法获得了电路基板。 
(未固化部位和固化部位的选择性形成) 
从具有上述未固化层的上述电路基板薄片上剥去轻剥离型剥离片后，贴合到5cm×5cm的钠钙玻璃基板上。 
然后，准备下述剥离片：在厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一面上设置有机硅类剥离剂层而形成的剥离片(Lintec公司制造，商品名为“SP-PET3801”)，并向该剥离片照射二氧化碳激光，从而在设置电路芯片的4个部位所对应的区域设置了纵520μm×横520μm(间隔为1740μm)的正方形孔(开孔剥离片)。 
将上述步骤中获得的开孔剥离片贴合在上述电路基板薄片经剥去重剥离型剥离片后露出的未固化层表面。将该状态下的电路基板薄片置于空气氛围(含氧气体氛围)中，从开孔剥离片一侧向电路基板薄片的未固化层照射紫外线，其中，该照射是在照度400mW/cm2、光量100mJ/cm2的条件下、以FUSION公司制造的无电极灯(H灯管)为光源照射紫外线。其结果，在未固化层上形成了4处尺寸为纵520μm×横520μm的未固化部位，而其余的部分则成为了固化部位。随后，采用与实施例1相同的方法进行了电路芯片向电路基板薄片内的嵌入、及电路基板薄片的固化，从而获得了电路基板。 
(实施例4) 
除了将实施例1中嵌入电路芯片之前的步骤进行下述变更以外，采用与实施例1相同的方法获得了电路基板。 
(未固化部位和固化部位的选择性形成) 
从具有上述未固化层的上述电路基板薄片上剥去轻剥离型剥离片后，将露出的未固化层贴合在5cm×5cm的钠钙玻璃基板上，并剥去另一侧表面的重剥离型剥离片，以使未固化层露出。 
然后，在上述的未固化层上以指定的图案设置了4个电路芯片。在该状态下，从电路基板薄片上设置有电路芯片一侧的正上方对电路基板薄片的未固化层照射紫外线，其中，该照射是在照度400mW/cm2、光量600mJ/cm2的条件下、以FUSION公司制造的无电极灯(H灯管)为光源照射紫外线。其结果，在电路芯片下部的未固化层上形成了与电路芯片尺寸(尺寸为：纵500μm×横500μm)具有基本相同尺度的未固化部位，而其余部分则成为了固化部位。随后，采用与实施例1相同的方法进行了电路芯片向电路基板薄片内的嵌入、及电路基板薄片的固化，从而获得了电路基板。 
(参考例1) 
除了在设置电路芯片以前未对电路基板薄片进行紫外线照射，以使其整个保持为未固化粘结区域以外，采用与实施例1相同的方法获得了电路基板。 
(参考例2) 
除了使所使用的掩模的屏蔽部位尺寸为纵1300μm×横1300μm(间隔为1740μm)以外，采用与实施例1相同的方法获得了电路基板。 
(评价) 
对上述各实施例中未固化部位的表面尺寸、及电路芯片的最初嵌入位置与最终嵌入位置在水平方向上的偏移宽度(μm)进行了测定。实施10次评价试验(n＝10)并求出了平均值。其结果如表1所示。 
[表1] 
    未固化部位的表面尺寸  (纵μm×横μm)   嵌入前后电路芯片位置的偏移宽度  (μm)
  实施例1   520×520   9
  实施例2   800×800   18
  实施例3   520×520   9
  实施例4   500×500   0
  参考例1   整个未固化层   814
  参考例2   1300×1300   52
由表1可知，采用本发明的电路基板的制造方法，可以将电路芯片简单且准确地(仅发生了微小的位置偏移)嵌入并固定在电路基板薄片中。另外，采用本发明的电路基板的制造方法，可以简易地制造出正确嵌入有电路芯片的电路基板。 
工业实用性 
如上所述，根据本发明，可提供一种电路基板的制造方法及电路基板，其中，所述的电路基板的制造方法通过在其表面设置电路芯片后再将电路芯片按压至内部而实现简单且高精密度地嵌入。 

Claims (5)

1.一种制造电路基板的方法，该方法包括：在具有未固化层的电路基板薄片的所述未固化层上的所需部位设置电路芯片，所述未固化层能够通过活性能量射线照射而固化，然后将所述电路芯片嵌入所述未固化层内，并对嵌入有上述电路芯片的电路基板薄片照射活性能量射线，以使所述未固化层的未固化部位固化，从而获得嵌入有电路芯片的电路基板，其中，
在将所述电路芯片嵌入所述未固化层内之前，使上述所需部位以外的未固化层选择性地固化而成为固化部位，同时，上述所需部位成为未固化部位。
2.根据权利要求1所述的制造电路基板的方法，其中，在将电路芯片设置在所述未固化层表面之前，通过在所述未固化层表面贴合选择性地屏蔽活性能量射线的掩模、并从贴合有所述掩模的一侧向所述未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，在所述未固化部位表面设置电路芯片，然后，按压电路芯片，将该电路芯片嵌入所述未固化层内。
3.根据权利要求1所述的制造电路基板的方法，其中，在将电路芯片设置在所述未固化层表面之前，通过在所述未固化层上贴合选择性地设置有开口部位的开孔剥离片、并向所述未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，在所述未固化部位表面设置电路芯片，然后，按压电路芯片，将该电路芯片嵌入所述未固化层内。
4.根据权利要求1所述的制造电路基板的方法，其中，在将电路芯片设置在所述未固化层表面之后，通过从该未固化层上设置有电路芯片的一侧向该未固化层照射活性能量射线，来选择性地形成未固化部位和固化部位，然后，按压电路芯片，将所述电路芯片嵌入所述未固化层内。
5.一种用于制造电路基板的电路基板薄片，其具有能够通过活性能量射线照射而固化的未固化层，在该未固化层上的所需部位选择性地设置电路芯片，并使所设置的上述电路芯片嵌入所述未固化层内，然后通过进行活性能量射线的照射而形成嵌入有电路芯片的电路基板，其中，
使上述所需部位以外的未固化层选择性地固化而形成固化部位，且上述所需部位成为未固化部位。
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