CN101573830B - 双刀双掷射频开关及使用该开关的塔上安装放大器 - Google Patents

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Abstract

公开了一种DPDT射频开关。所述DPDT射频开关包括：第一到第四传输线，用于分别形成第一到第四端口，以及第一到第四槽线图案部分。所述第一槽线图案部分包括：第一槽线；以及第一开关器件，用于通过短路槽线的缝隙来阻挡信号传递。该第三槽线图案部分包括：第三槽线；以及第三开关器件，用于通过短路槽线的缝隙来阻挡信号传递。该第二槽线图案部分包括：第一环形槽线；第二槽线；以及第二开关器件，用于通过短路槽线的缝隙来阻挡信号传递。所述第四槽线图案部分包括：第二环形槽线；第四槽线；以及第四开关器件，用于通过短路槽线的缝隙来阻挡信号传递。

Description

双刀双掷射频开关及使用该开关的塔上安装放大器
技术领域
本发明涉及一种射频(RF)开关，尤其涉及一种双刀双掷(DPDT)射频开关，其可以应用到时分双工(TDD)系统中的信号传输/接收端子的传输/接收信号切换的开关，并且本发明还涉及使用该开关的塔上安装放大器(TowerMounted Amplifier，TMA)。
背景技术
包括TDD方案的时分传输方案在时间上对同一频率进行划分并且分开使用划分的频率来传输/接收。也就是说，时分传输方案划分一个帧来传输/接收，并且通过一个频率来执行双向通信。既然采用这种方案的TDD系统通过相同的频率根据预定的时间段分开执行传输和接收，用于传输/接收切换的高速射频开关是尤其必要的。
由于射频开关必须执行高速开关操作，使用诸如pin二极管和场效应晶体管(FET)之类的半导体器件的开关被利用，而不是机械开关。然而，这种采用半导体器件的开关难以用作大功率开关，因为半导体不能耐受大功率。
换言之，当大功率施加到该开关时，会产生大量的热。如果不能确保抵抗热量的足够保护，该开关最终会损坏。进一步，所研发的耐受大功率的射频开关必须具有单独的制冷器等，因此非常昂贵。另外，制造这样的射频开关也是困难的。因此，该射频开关主要用于军事目的。
为了解决这个问题，TDD系统采用的一种方法是通过使用循环器(circulator)而不是射频开关来固定的分离接收信号与传输信号。但是，在使用循环器的情况下，难以确保足够的隔离来在接收间隙阻挡传输信号。当天线在发射功率的传输期间由于天线中出现问题而进入开路状态(open state)时，传输信号进入接收器，因此系统可能出现不正常，或者接收信号的质量可能会严重劣化。进一步，发生传输无源互调失真(PIMD)，并且影响其他通信提供商的无线电波质量。
发明内容
技术问题
因此，本发明旨在解决上面提及的现有技术中的问题，本发明的目的是提供一种DPDT射频开关，其能够用于TDD系统的传输/接收切换，以便确保在传输和接收端子之间的足够隔离，并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的另一个目的是提供一种DPDT射频开关，其能够用于TDD系统的传输/接收切换，以便在天线开路(open)情况下，有效地阻止发射功率进入接收端子，即使在用于控制操作的DC电源中发生异常时也是如此，并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关，其能够在大功率下稳定工作，并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关，其可以容易地以微波集成电路(MIC)的形式制造，并且提供了一种使用该开关的TMA。
本发明的又一个目的是提供一种DPDT射频开关，其可以用在大于几十GHz的高频带以及用在移动通信频带，并且提供了一种使用该开关的TMA。
技术方案
为了实现上述目的，根据本发明的实施例，提供了一种双刀双掷(DPDT)射频(RF)开关，所述DPDT射频开关包括：第一到第四传输线，用于分别形成第一到第四端口，以及第一到第四槽线图案部分，在第一到第四槽线图案部分中分别与该第一到第四传输线实施信号过渡(transition)，其中所述第一到第四槽线是互连的，其中所述第一槽线图案部分包括：第一槽线，用以将信号传递到该第一传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；以及第一开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡(block)信号传递，所述第一开关器件安装在该第一槽线的预设位置，其中该第三槽线图案部分包括：第三槽线，用以将信号传递到该第三传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；以及第三开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第三开关器件安装在该第三槽线的预设位置，其中该第二槽线图案部分包括：第一环形槽线，其中与该第二传输线的信号过渡在该第二传输线的第一侧实施；第二槽线，用于传递信号到所述槽线图案部分和所述第一环形槽线的第二侧的连接点；以及第二开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第二开关器件安装在所述第一环形槽线和所述第二槽线的连接部分的至少一侧，其中所述第四槽线图案部分包括：第二环形槽线，其中与该第四传输线的信号过渡在该第四传输线的第一侧实施；第四槽线，用于传递信号到所述槽线图案部分和所述第二环形槽线的第二侧的连接点；以及第四开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第四开关器件安装在所述第四槽线和所述第二环形槽线的连接部分的至少一侧，其中所述第二槽线连接到所述第一槽线，所述第四槽线连接到所述第三槽线，以及所述第三槽线连接到所述第一槽线，使得所述第一到第四槽线最终是互连的。
有益效果
如上面所描述的，当根据本发明的DPDT射频开关用作TDD系统的传输/接收开关时，可以进一步改善传输和接收端子的隔离特性。具体地，当天线开路并且控制操作的直流电源中出现异常时，能够有效阻止发射功率进入接收端子。另外，所述DPDT射频开关可以在大功率下稳定工作，制造容易，并且可以用在大于几十GHz的高频带中。
附图说明
图1是示出采用根据本发明的一个实施例的DPDT射频开关的TMA模块的构造的框图；
图2和图3是示出根据本发明的第一实施例的在印刷电路板(PCB)上的DPDT射频开关的电路图案的上表面和下表面的图；以及
图4是示出根据本发明的第二实施例的在PCB上的DPDT射频开关的电路图案的一个表面。
具体实施方式
以下，将参考附图描述根据本发明的优选实施例。在下面的描述中，示出了很多特定项目，例如详细的元件，但是提供这些来帮助全面理解本发明，并且本领域技术人员将理解在不背离本发明的精神和范围的情况下可以修改这些特定项目。
图1是示出采用根据本发明的一个实施例的DPDT射频开关的TMA模块的构造的框图。参见图1，移动通信基站系统的TMA不安装在收发基站(BTS)内，而是安装在铁塔上，接收器天线位于该铁塔上，该TMA被称为塔顶放大器(TTA)或者是塔顶低噪声放大器(TTLNA)。设计这样的TMA以改善电缆噪声和在通路中发生的噪声的问题，通过所述通路在天线中接收的信号被传递到BTS信号处理器。所述TMA被构造为一个包括用于接收信号的带通滤波器(BPF)22和低噪声放大器(LNA)24的块，所述带通滤波器和低噪声放大器与接收器天线相邻，所述TMA安装在铁塔上。
如图1所示，这样的TMA包括在其第一侧提供的天线侧端子31，以及在其第二侧提供的BTS侧端子32，其中天线侧端子31通过电缆连接到天线，BTS侧端子32通过电缆连接到BTS设备。此处，提供具有适当构造的开关，以便根据传输模式和接收模式适当地切换从BTS设备发射的信号和在该天线中接收的信号。该开关在本发明中被称为DPDT开关10。
根据本发明的DPDT开关10根据由控制器(未图示)基于传输和接收操作提供的开关控制信号执行切换操作，从而将传输信号传递到天线(切换操作如图1的点线所示)。进一步，DPDT开关10给BPF22和LNA24提供从所述天线接收的接收信号，从而将已经通过BPF22和LNA24的信号传递到BTS设备(切换操作如图1实线所示)。
图2是示出根据本发明的第一实施例的在PCB上的DPDT射频开关的电路图案的一个表面(为了便于描述，称为上表面)的图，并且图3是示出根据本发明的第一实施例的DPDT射频开关的电路图案的另一表面(为了便于描述，称为下表面)的图。为了便于描述，每一部分的尺寸和形状都放大了。参见图2和3，根据本发明第一实施例的射频开关包括安装在微带线和槽线之间以及对应的槽线图案之间的适当位置处的多个开关器件，在一个介电衬底上形成所述微带线和槽线以具有适当的图案，并且所述开关器件根据外部开关控制信号短路对应槽线的缝隙，从而阻挡信号传递。
也就是说，在根据本发明的DPDT射频开关中，形成该DPDT射频开关的第一到第四端口的具有适当图案的所述第一到第四微带线131至134形成在改介电衬底(dielectric substrate)的上表面上。所述第一至第四槽线图案部分11至14形成在该介电衬底的上表面上，以便由于第一到第四微带线131至134以及微带线与槽线之间的耦合而允许在适当的位置实施相互的信号过渡。这样的槽线图案具有其中两个T结槽线互连并且以“□”的形状互连的结构。这里，第一和第二槽线图案部分11和12以“□”形连接结构分别位于左上和左下部分(图2中的部分A)。第三和第四槽线图案部分13和14分别位于右上和右下部分(图2中的部分B)。
所述第一槽线图案部分11具有开路终端电路111-a，并且具有第一槽线111以将从第一微带线131转移的信号传递到与槽线图案部分12到14的连接点，与所述第一微带线131的信号过渡通过所述开路终端电路111-a实施。所述第一槽线图案部分11包括开关器件(例如，第一二极管D1)，其用于通过根据外部开关控制信号，短路对应的槽线的缝隙来阻挡信号传输，该开关器件安装在第一槽线111的适当位置。第一微带线131的端接形成开路的或短路的终端电路。例如，当第一微带线131的端接形成短路终端电路时，穿过衬底的圆孔形成在其终端上，圆孔的内侧使用导电金属镀敷，使得该圆孔可以连接到其中已经在上表面上形成槽线图案的接地板(ground plate)。
所述第二槽线图案部分12具有第一环形槽线122，与所述第二微带线132的信号过渡通过第一环形槽线122实施，并且具有第二槽线112以将从第二微带线132转移(shift)的信号传递到与所述槽线图案部分11、13和14的连接点，更准确地，传递到与第二槽线112的连接点。这里，第一辅助开路终端电路112-a可以形成在所述第二槽线112上。在通过其所述第一辅助开路终端电路112-a连接到所述第二槽线112的一个部分中，第一辅助微带线142形成在与介电衬底对应的下表面中，由于所述第二槽线112和微带线与槽线的耦合第一辅助微带线142的两侧都允许实施相互的信号过渡。在电源关闭时所述第一辅助开路终端电路112-a和所述第一辅助微带线142改善了所述第二槽线中的隔离特性。
所述第二槽线图案部分12包括开关器件，其用于通过根据外部开关控制信号，短路对应槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述开关器件安装在对应的槽线图案之间的合适位置。所述开关器件可以包括第二二极管D2，用于短路在对应位置的第一环形槽线122的缝隙，所述第二二极管D2安装在第一环形槽线122和所述第二槽线112的连接部的一侧。安装第一电容器C1，以在对应于第一环形槽线122中的所述第二二极管D2的安装位置的位置处连接第一环形槽线122的缝隙。在所述第二槽线图案部分12中，所述第二微带线132从第一环形槽线122的交叉处具有长度为λ/8的开口部分，并且用于信号过渡的磁场在该交叉处最大化。当所述第二二极管D2处于关断状态时，可以从所述第二槽线112进入第一环形槽线122的信号从与所述第二槽线112的连接点沿着相应的半圆槽线以180□的相位差分布和传递。然后，由于180□的相互的相位差，所述信号在分布信号集中的点偏移(offset)，所述点即与第二微带线132的过渡点。
在所述第三和第四槽线图案部分13和14中，分别实施与第三和第四微带线133和134的信号过渡。所述第三和第四槽线图案部分13和14可以分别具有与第一和第二槽线图案部分11和12相同的结构。这里，所述第一槽线图案部分11的第一槽线111整体连接到所述第三槽线图案部分13的所述第三槽线113。如图2和3所示，根据本发明的所述DPDT开关10可以具有左右对称的结构。
进一步，提供给开关器件的开关控制信号可以借助于通过接地衬底(groundsubstrate)施加+5V/-5V的偏压来接通/切断(turn on/off)所述开关器件的操作，所述底部衬底单独地或者适当地与每个开关器件电隔离。
在具有根据本发明的构造的所述DPDT射频开关中，所述第一到第四微带线131至134的所述第一至第四端口分别连接到BTS侧，LNA24的接收信号输出端子Rx Out，到BPF22的接收信号输入端子Rx In和所述天线，使得所述DPDT射频开关可以用作所述TDD系统的传输/接收切换的开关设备。
下面，将描述具有如图2和3所示的构造、作为TDD系统的传输/接收开关的所述DPDT射频开关的操作。首先，在传输模式中，所述DPDT射频开关使所有开关器件操作在断开状态。如果射频传输信号被施加到所述BTS侧的第一端口，所述传输信号通过第一微带线131、所述第一和第三槽线111和113以及所述第三微带线133传输到该天线的第三端口。这里，可以进入所述第二和第四槽线图案部分12和14的信号被第一和第二辅助开路终端电路112-a和113-a、所述第一和第二辅助微带线142和143、以及第一和第二环形槽线122和124的结构阻挡。
接下来，在接收模式中，所述DPDT射频开关使所有的开关器件操作在接通状态。经由所述第三微带线133和所述第三槽线113通过所述天线的所述第三端口提供接收信号。所述接收信号不会传输到所述第一槽线图案部分11，因为处于接通状态的所述第一和第三二极管D1和D3阻挡信号传递到第一和第三槽线111和113。但是，所述接收信号通过所述第四槽线图案部分14中的所述第四槽线114和所述第二辅助微带线143进入到第二环形槽线124中。由于第四二极管D4处于接通状态，进入到所述第二环形槽线124中的所述信号被转移到所述第四微带线134，然后提供给朝着所述BPF22的接收信号输入端子Rx In的第四端口。
这里，输入到所述LNA24的接收信号输出端子RxOut的第三端口的接收信号通过所述第四槽线图案部分14中的相反过程被传递到所述第一环形槽线122和所述第二槽线112。然后，所述信号通过所述第一槽线111被转移到所述第一微带线131，然后提供给BST侧的第一端口。
在此期间，即使用来控制开关器件的直流电源发生异常并且因此所有的二极管都进入关断状态，根据本发明的所述DPDT射频开关结构可以确保接收信号输入端子Rx In和接收信号输出端子Rx Out的隔离。也就是说，当所述直流电源发生异常时，可以进入第二或第四槽线图案部分12或14的信号被所述第一和第二辅助开路终端电路112-a和113-a、所述第一和第二辅助微带线142和143、以及第一和第二环形槽线122和124的结构阻挡，类似于所述传输模式。
图4是示出根据本发明的第二实施例的、在PCB上的DPDT射频开关的电路图案的一个表面。参见附图4，根据本发明的第二实施例的DPDT射频开关10’具有几乎类似于本发明的第一实施例的如图2和3所示的DPDT射频开关10的结构。也就是，为了改善隔离特性，第三辅助开路终端电路115-a形成在第一和第三槽线111和113之间。在通过其所述第三辅助开路终端电路115-a连接到所述第一和第三槽线111和113的部分中，第三辅助微带线144形成在对应于介电衬底的下表面中，由于所述第一和第三槽线111和113以及微带线与槽线的耦合，第三辅助微带线144的两侧都允许实施相互的信号过渡。进一步，开关器件(即第五和第六二极管D5和D6)被提供在第二和第四槽线112和114中，并且接地衬底适当地电隔离，使得用来控制开关操作的开关控制信号可以被提供给开关器件。
根据本发明第二实施例的如图4所示的作为TDD系统的传输/接收开关的所述DPDT射频开关具有类似于图2和3所示的DPDT射频开关的操作和特性。也就是说，在传输模式中，所述第五和第六二极管D5和D6操作在接通状态(其他二极管操作在关断状态)。在接收模式，所述第五和第六二极管D5和D6操作在关断状态(其他晶体管操作在接通状态)。相应地，在传输模式中，由于所述第五和第六二极管D5和D6处于接通状态，阻止传输信号进入到所述第二和第四槽线112和114中。
尽管为了说明性的目的描述了本发明的优选实施例，本领域技术人员应当认识到各种修改、添加和替换是可能的，而不背离如所附权利要求书公开的本发明的范围和精神，所述范围包括其等同物的全部范围。例如，前面描述的微带线可以替换为带状线、同轴线、共面光导(CPW)等。进一步，可以使用共面带线(CPS)而不是槽线。在本发明上面的实施例中，二极管用作开关器件，但是另一种具有开关功能的半导体器件(例如FET)也能被使用。

Claims (8)

1.一种双刀双掷(DPDT)射频(RF)开关，所述DPDT射频开关包括：
具有下表面和相对的上表面的介电衬底，
第一到第四传输线，用于分别形成第一到第四端口，其中第一到第四传输线是形成在介电衬底的下表面上的微带线，以及
第一到第四槽线图案部分，在该第一到第四槽线图案部分中分别与该第一到第四传输线实施信号过渡，其中第一到第四槽线图案部分形成在介电衬底的上表面上，并且其中所述第一到第四槽线图案部分是互连的，
其中，所述第一槽线图案部分包括：
第一槽线，用以将信号传递到该第一传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；以及
第一开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第一开关器件安装在该第一槽线的预设位置，
其中，该第三槽线图案部分包括：
第三槽线，用以将信号传递到该第三传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；以及
第三开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第三开关器件安装在该第三槽线的预设位置，
其中，该第二槽线图案部分包括：
第一环形槽线，其中与该第二传输线的信号过渡在第一环形槽线的第一侧实施；
第二槽线，用于将信号传递到和其它槽线图案部分的连接点以及传递到和所述第一环形槽线的第二侧的连接点；以及
第二开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第二开关器件安装在所述第一环形槽线和所述第二槽线的连接部的第一环形槽线的至少一侧，
其中，所述第四槽线图案部分包括：
第二环形槽线，其中与该第四传输线的信号过渡在第二环形槽线的第一侧实施；
第四槽线，用于将信号传递到和其它槽线图案部分的连接点以及传递到和所述第二环形槽线的第二侧的连接点；以及
第四开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第四开关器件安装在所述第四槽线和所述第二环形槽线的连接部的第二环形槽线的至少一侧，
其中所述第二槽线连接到所述第一槽线，所述第四槽线连接到所述第三槽线，以及所述第三槽线连接到所述第一槽线，使得所述第一到第四槽线最终是互连的。
2.如权利要求1所述的DPDT射频开关，其中，第一辅助开路终端电路形成在所述第二槽线图案部分中的所述第二槽线上，第二辅助开路终端电路形成在所述第四槽线图案部分中的所述第四槽线上，在所述第一辅助开路终端电路和所述第二槽线的两个连接部中，第一辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，并且由于微带线与槽线的耦合以及所述第二槽线，第一辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡，以及在所述第二辅助开路终端电路和所述第四槽线的两个连接部中，第二辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，并且由于微带线与槽线的耦合以及所述第四槽线，第二辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡。
3.如权利要求1所述的DPDT射频开关，其中，第三辅助开路终端电路形成在所述第一和第三槽线的连接部，以及在所述第三辅助开路终端电路连接到所述第一和第三槽线所通过的部分中，第三辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，由于所述第一和第三槽线以及微带线与槽线的耦合，所述第三辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡。
4.如权利要求1所述的DPDT射频开关，其中，所述第二槽线包括第五开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，并且所述第四槽线包括第六开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递。
5.一种使用双刀双掷(DPDT)射频(RF)开关的塔上安装放大器(TMA)，所述TMA包括：
用于接收信号的带通滤波器(BPF)；
用于放大从所述BPF输出的信号的低噪声放大器(LNA)；以及
用于传输/接收切换的射频开关，
其中所述射频开关包括：
具有下表面和相对的上表面的介电衬底，
第一到第四传输线，用以分别形成第一到第四端口，其中第一到第四传输线是形成在介电衬底的下表面上的微带线；以及
第一到第四槽线图案部分，在该第一到第四槽线图案部分中分别实施与所述第一到第四传输线的信号过渡，其中第一到第四槽线图案部分形成在介电衬底的上表面上，并且其中所述第一到第四槽线图案部分是互连的，
其中，所述第一槽线图案部分包括：
第一槽线，用以传递信号到所述第一传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；以及
第一开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第一开关器件安装在所述第一槽线的预设位置，
其中，所述第三槽线图案部分包括：
第三槽线，用以传递信号到所述第三传输线的信号过渡点，以及和其它槽线图案部分的连接点；
以及
第三开关器件，用于通过根据外部开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第三开关器件安装在所述第三槽线的预设位置，
其中，所述第二槽线图案部分包括：
第一环形槽线，其中与该第二传输线的信号过渡在第一环形槽线的第一侧实施；
第二槽线，用于将信号传递到和其它槽线图案部分的连接点以及传递到和所述第一环形槽线的第二侧的连接点；以及
第二开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第二开关器件安装在所述第二槽线和所述第一环形槽线的连接部的第一环形槽线的至少一侧，
其中，所述第四槽线图案部分包括：
第二环形槽线，其中与所述第四传输线的信号过渡在第二环形槽线的第一侧实施；
第四槽线，用于将信号传递到和其它槽线图案部分的连接点以及传递到和所述第二环形槽线的第二侧的连接点；以及
第四开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，所述第四开关器件安装在所述第四槽线和所述第二环形槽线的连接部的第二环形槽线的至少一侧，
其中所述第二槽线连接到所述第一槽线，所述第四槽线连接到所述第三槽线，以及所述第三槽线连接到所述第一槽线，使得所述第一到第四槽线最终互连，
其中所述射频开关的第一到第四端口分别连接到收发基站(BTS)侧，所述LNA的接收信号输出端子、到所述BPF的接收信号输入端子以及天线。
6.如权利要求5所述的TMA，其中，第一辅助开路终端电路形成在所述第二槽线图案部分中的所述第二槽线上，第二辅助开路终端电路形成在所述第四槽线图案部分中的所述第四槽线上，在所述第一辅助开路终端电路和所述第二槽线的两个连接部中，第一辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，并且由于微带线与槽线的耦合以及所述第二槽线，第一辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡，以及在所述第二辅助开路终端电路和所述第四槽线的两个连接部中，第二辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，并且由于微带线与槽线的耦合以及所述第四槽线，第二辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡。
7.如权利要求5所述的TMA，其中，第三辅助开路终端电路形成在所述第一和第三槽线的连接部，以及在所述第三辅助开路终端电路连接到所述第一和第三槽线所通过的部分中，第三辅助微带线形成在与介电衬底对应的下表面中，由于所述第一和第三槽线以及微带线与槽线的耦合，所述第三辅助微带线的两侧都允许实施相互的信号过渡。
8.如权利要求5所述的TMA，其中，所述第二槽线包括第五开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递，以及所述第四槽线包括第六开关器件，用于通过根据所述开关控制信号，短路位于安装位置的槽线的缝隙来阻挡信号传递。
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