CN101534099A - 差分放大器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种差分放大器。该差分放大器包括第一差分对，该第一差分对由第一导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第一差模电流；第一电流放大器部件，该第一电流放大器部件基于第一差模电流将第一输出源出电流和第一输出吸入电流分别输出至第一输出端和第二输出端；第二差分对，该第二差分对由第二导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第二差模电流；以及第二电流放大器部件，该第二电流放大器部件基于第二差模电流将第二输出源出电流和第二输出吸入电流分别输出至第一输出端和第二输出端。

Description

差分放大器

技术领域

本发明涉及一种差分放大器，并且具体地，涉及一种在输入部件中包括差分对的差分放大器。

背景技术

在近来的半导体器件中，例如，被用作电路组件的互补型金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOSFET)的实施尺寸已经变得小型化。随着此种小型化，可施加到MOSFET的电压减少。另一方面，在半导体器件被并入的便携式电子设备中，对于高性能和低功耗的需求正在增加。

满足较低功耗的需求的一种方法是设置较低的电源电压。然而，随着电源电压被设置越低，电路的操作和设计也变得越难。例如，在增强型FET中，即在LSI中经常使用的Nch MOSFET和Pch MOSFET中存在对有效的输入电压范围的限制。具体地，在增强型FET中，存在表示不能用作有效的输入电压的电压电平的阈值电压，以便于使输出电流处于截止状态(被称为“常闭”)，并且除非输入电压等于或者高于阈值电压否则Nch MOSFET不运行，并且除非输入电压等于或者低于阈值电压否则Pch MOSFET不运行。然而，如果电源电压被降低，则是用于元件的非激活区域的阈值电压范围对电源电压范围的比例增加。因此，电压范围的不能被用作有效的输入电压范围的比例增加。此外，电路中的信号的电压变成阈值电压或者更低，导致电路的部件变成非激活。

为了解决此种问题，已经提出了用于实现能够借助于电路技术处理电源电压的减少的方法。例如，在MOSFET技术中已经提出了扩大有效的输入电压范围而不考虑阈值电压的存在的方法。具体地，提出了包括具有Nch MOSFET作为输入部件的差分放大器电路以及具有Pch MOSFET作为输入部件的差分放大器电路的电路，该电路组合两种电路的输出信号并从而获得最终的输出信号。在日本专利申请特开6-237128中公开了其中由不同极性的晶体管形成输入部件处的差分对的差分放大器的一个示例。

图3示出了在日本专利申请特开6-237128中公开的差分放大器100的电路图。差分放大器100是使用双极性晶体管的放大器。差分放大器100包括由NPN晶体管Q1和Q2形成的第一差分输入级、由PNP晶体管Q3和Q4形成的第二差分输入级、由PNP晶体管QC1和NPN晶体管QC5形成的第一输出级、以及由PNP晶体管QC2和NPN晶体管QC6形成的第二输出级。在差分放大器100中，被输入至第一和第二差分输入级的信号被放大并且被通过第一和第二输出级输出。

差分放大器100使用共模电压反馈电路以让第一和第二输出级操作。由PNP晶体管QC3和QC4、NPN晶体管QC7、QC8、Q5和Q6、以及恒流源ICMP和ICMN形成差分放大器100的共模电压反馈电路。该共模电压反馈电路检测输出电压的共模电压差并且将与检测到的共模电压差相对应的共模电流供给第一和第二输出级。

因此，差分放大器100引入了由NPN晶体管形成的第一差分输入级和由PNP晶体管形成的第二差分输入级，从而扩大输入电压范围。此外，差分放大器100通过共模电压反馈电路的操作扩大输出电压范围。

发明内容

但是，本发明人已经发现以下问题。在差分放大器100中，为了使共模电压反馈电路运行，必须将是恒压的基准值提供给恒流源ICMP和ICMN之间的连接结点(图3中的结点N1)。这是因为共模电压反馈电路将要被控制的输出与结点N1的基准值进行比较，并且进行控制使得这些值具有需要的关系。因此，如果基准值变得不稳定，则电路运行出现故障。当流过晶体管x的集电极电流是IC(x)并且由恒流源ICMP和ICMN生成的电流分别是ICMP和ICMN时，通过下面的表达式(1)表示用于保持基准值恒定的条件。

(1)ICMP+IC(QC3)+IC(QC4)＝ICMN+IC(QC7)+IC(QC8)

通常由被供给偏置电压的晶体管生成电流ICMP和电流ICMN。然而，很难将稳定的偏置电压施加到半导体器件中的所有多个元件。此外，晶体管的制造期间的波动是不可避免的。因此，非常难生成稳定的电流ICMP和ICMN。

此外，电流IC(QC3)、IC(QC4)、IC(QC7)以及IC(QC8)的值在很大程度上依赖于电路的运行状态。例如，如果在差分放大器100中输出被构造为推拉式，则通过输出端OUT2获得输出源出电流，并且同时通过输出端OUT1获得输出吸入电流。但是，很难在此种推拉操作下始终维持表达式(1)的关系。

因此，在差分放大器100中对于具有宽输入电压范围的轨对轨输入获得推拉式输出电流的情况下，很难允许电路正常地操作。

本发明的实施例的第一示例性方面是差分放大器，该差分放大器包括由第一导电类型的晶体管形成的第一差分对，以接收输入信号并且输出第一差模电流；第一电流放大器部件，该第一电流放大器部件基于第一差模电流将第一输出源出电流和第一输出吸入电流分别输出至第一输出端和第二输出端；由第二导电类型的晶体管形成的第二差分对，以接收输入信号并且输出第二差模电流；以及第二电流放大器部件，该第二电流放大器部件基于第二差模电流将第二输出源出电流和第二输出吸入电流分别输出至第一输出端和第二输出端。

本发明的实施例的第二示例性方面是差分放大器，该差分放大器包括第一差分对，该第一差分对由第一导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第一差模电流；第一基准电流源，该第一基准电流源输出第一基准源出电流和第一基准吸入电流；第一电流放大器部件，该第一电流放大器部件将基于第一基准源出电流和被包括在第一差模电流中的一个第一差模电流之间的差生成的第一输出源出电流输出至第一输出端，并且将基于第一基准吸入电流和被包括在第一差模电流中的另一第一差模电流之间的差生成的第一输出吸入电流输出至第二输出端；第二差分对，该第二差分对由第二导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第二差模电流；第二基准电流源，该第二基准电流源输出第二基准源出电流和第二基准吸入电流；以及第二电流放大器部件，该第二电流放大器部件将基于第二基准源出电流和被包括在第二差模电流中的一个第二差模电流之间的差生成的第二输出源出电流输出至第一输出端，并且将基于第二基准吸入电流和被包括在第二差模电流中的另一第二差模电流之间的差生成的第二输出吸入电流输出至第二输出端。

根据本发明的实施例的示例性方面的差分放大器包括第一差分对、与上限输入电压范围相对应的第一电流放大器部件、第二差分对、以及与下限输入电压范围相对应的第二电流放大器部件。第一电流放大器部件的输出与第二电流放大器部件的输出被连接在一起，从而组合并输出从两个电流放大器部件输出的输出电流。这实现了宽输入电压范围和宽输出电压范围而没有使用共模反馈电路。

根据本发明的实施例的示例性方面，能够实施能够处理轨对轨输入并获得推拉式输出电流的差分放大器。

附图说明

从结合附图的某些实施例的以下描述中，上述和其它示例性方面、优点和特征将会是显而易见的，其中：

图1是根据第一示例性实施例的差分放大器的电路图；

图2是根据第二示例性实施例的差分放大器的电路图；以及

图3是根据现有技术的差分放大器的电路图。

具体实施方式

[第一示例性实施例]

在下文中参考附图描述本发明的示例性实施例。图1示出根据第一示例性实施例的差分放大器1的电路图。参考图1，差分放大器1包括第一差分对10、第一电流放大器部件11、第一基准电流源12、第二差分对20、第二电流放大器部件21、以及第二基准电流源22。此外，差分放大器1包括晶体管M10至M18以及M1A至M1M、电压源V11至V16、第一输入端IP、第二输入端IM、第一输出端OP、以及第二输出端ON。尽管在本示例性实施例中使用MOSFET构造差分放大器1，但是也使用双极性晶体管来构造差分放大器1。

第一差分对10由第一导电类型的晶体管形成，并且它通过第一输入端IP和第二输入端IM接收输入信号并且输出第一差模电流(电流I11和I12)。第二差分对20由第二导电类型的晶体管形成，并且它通过第一输入端IP和第二输入端IM接收输入信号并且输出第二差模电流(电流I1C和I1D)。第一电流放大器部件11基于第一差模电流I11和I12将第一输出源出电流I18和第一输出吸入电流I16分别输出至第一输出端OP和第二输出端ON。第二电流放大器部件21基于第二差模电流I1C和I1D将第二输出源出电流I1K和第二输出吸入电流I1I分别输出至第一输出端OP和第二输出端ON。

第一基准电流源12输出第一基准源出电流I1B和第一基准吸入电流I1A。第一基准源出电流I1B和第一基准吸入电流I1A被供给第一电流放大器部件11。第二基准电流源22输出第二基准源出电流I1F和第二基准吸入电流I1G。第二基准源出电流I1F和第二基准吸入电流I1G被供给第二电流放大器部件21。

在下文中详细地描述了差分放大器1的电路。第一差分对10包括第一导电类型(例如，N沟道类型)的晶体管M11和M12。晶体管M11和M12形成差分对。晶体管M11和M12的源极被共同地连接在一起，并且晶体管M10的漏极被连接至公共连接点。晶体管M10的源极被连接至接地端GND，并且晶体管M10的栅极被连接至电压源V11。晶体管M10根据电压源V11的电压值生成电流I10并且将电流I10作为操作电流供给第一差分对10。晶体管M11的栅极被连接至第一输入端IP。晶体管M11根据通过第一输入端IP的输入信号输出一个第一差模电流I11。晶体管M12的栅极被连接至第二输入端IM。晶体管M12根据通过第二输入端IM的输入信号输出另一第一差模电流I12。

第一基准电流源12包括第二导电类型(例如，P沟道类型)的晶体管M1A和M1B。晶体管M1A和M1B的栅极被连接在一起。电压源V12的电压被供给晶体管M1A和M1B的栅极。晶体管M1A根据电压源V12的电压生成第一基准吸入电流I1A。晶体管M1B根据电压源V12的电压生成第一基准源出电流I1B。晶体管M1A的源极被连接至电源端VDD，并且晶体管M1A的漏极被连接至与晶体管M11的漏极相连的连接点(例如，结点N12)。晶体管M1B的源极被连接至电源端VDD，并且晶体管M1B的漏极被连接至与晶体管M12的漏极相连的连接点(例如，结点N13)。

第一电流放大器部件11包括第二导电类型(例如，P沟道类型)的晶体管M17和M18以及N沟道类型的晶体管M13至M16。晶体管M17和M18的栅极被连接在一起。电压源V13的电压被供给晶体管M17和M18的栅极。晶体管M17的源极被连接至结点N12，该结点N12是与晶体管M11的漏极相连的连接点。晶体管M18的源极被连接至结点N13，该结点N13是与晶体管M12的漏极相连的连接点。晶体管M17和M18根据源极侧上的电压源V13的电压生成电压。因为电压源V13是恒压源，所以根据由电压源V13生成的恒压的值稳定晶体管M17和M18的源极侧电压。从而稳定晶体管M1A和M1B的源极和漏极之间的电压，从而稳定第一基准吸入电流I1A和第一基准源出电流I1B的值。

晶体管M15和M16的栅极被连接在一起。电压源V14的电压被施加到晶体管M15和M16的栅极。晶体管M15的源极被连接至晶体管M13的漏极。晶体管M16的源极被连接至晶体管M14的漏极。晶体管M15和M16根据源极侧上的电压源V14的电压生成电压。因为电压源V14是恒压源，所以根据由电压源V14生成的恒压的值稳定晶体管M15和M16的源极侧电压。从而稳定晶体管M13和M14的源极和漏极之间的电压。因此，稳定由晶体管M13和M14形成的电流镜电路的电流镜比率。晶体管M13和M14的栅极被共同地连接在一起，并且公共连接点被连接至晶体管M15的漏极。该连接点在下文中被称为结点N11。晶体管M13的源极被连接至接地端GND。晶体管M13的漏极被连接至晶体管M15的源极。晶体管M14的源极被连接至接地端GND。晶体管M14的漏极被连接至晶体管M16的源极。

第一电流放大器部件11生成是第一基准吸入电流I1A和一个第一差模电流I11之间的差的电流I17。由晶体管M13和M14形成的电流镜电路使电流I17返回，从而生成第一输出吸入电流I16。此外，第一电流放大器部件11基于第一基准源出电流I1B和另一第一差模电流I12之间的差生成第一输出源出电流I18。

第二差分对20包括P沟道类型的晶体管M1C和M1D。晶体管M1C和M1D形成差分对。晶体管M1C和M1D的源极被共同地连接在一起，并且晶体管M1E的漏极被连接至公共连接点。晶体管M1E的源极被连接至电源端VDD，并且晶体管M1E的栅极被连接至电压源V15。晶体管M1E根据电压源V15的电压值生成电流I1E并且将电流I1E作为操作电流供给第二差分对20。晶体管M1C的栅极被连接至第一输入端IP。晶体管M1C根据通过第一输入端IP的输入信号输出一个第二差模电流I1C。晶体管M1D的栅极被连接至第二输入端IM。晶体管M1D根据通过第二输入端IM的输入信号输出另一第二差模电流I1D。

第二基准电流源22包括N沟道类型的晶体管M1F和M1G。晶体管M1F和M1G的栅极被共同地连接在一起。电压源V16的电压被供给晶体管M1F和M1G的栅极。晶体管M1F根据电压源V16的电压生成第二基准源出电压I1F。晶体管M1G根据电压源V16的电压生成第二基准吸入电流I1G。晶体管M1F的源极被连接至接地端GND，并且晶体管M1F的漏极被连接至与晶体管M1C的漏极相连的连接点(例如，结点N14)。晶体管M1G的源极被连接至接地端GND，并且晶体管M1G的漏极被连接至与晶体管M1D的漏极相连的连接点(例如，结点N15)。

第二电流放大器部件21包括N沟道类型的晶体管M1H和M1I以及P沟道类型的晶体管M1J至M1M。晶体管M1H和M1I的栅极被连接在一起，并且电压源V14的电压被施加给晶体管M1H和M1I的栅极。晶体管M1H的源极被连接至结点N14，该结点N14是与晶体管M1C的漏极相连接的连接点。晶体管M1I的源极被连接至结点N15，该结点N15是与晶体管M1D的漏极相连接的连接点。晶体管M1H和M1I根据源极侧上的电压源V14的电压生成电压。因为电压源V14是恒压源，所以根据由电压源V14生成的恒压的值稳定晶体管M1H和M1I的源极侧电压。从而稳定晶体管M1F和M1G的源极和漏极之间的电压，从而稳定第二基准吸入电流I1G和第二基准源出电流I1F的值。

晶体管M1J和M1K的栅极被连接在一起，并且电压源V13的电压被施加到M1J和M1K的栅极。晶体管M1J的源极被连接至晶体管M1L的漏极。晶体管M1K的源极被连接至晶体管M1M的漏极。晶体管M1J和M1K根据源极侧上的电压源V13的电压生成电压。由于电压源V13是恒压源，所以根据由电压源V13生成的恒压的值稳定晶体管M1J和M1K的源极侧电压。从而稳定晶体管M1L和M1M的源极和漏极之间的电压。因此，稳定了由晶体管M1L和M1M形成的电流镜电路的电流镜比率。晶体管M1L和M1M的栅极被共同地连接在一起，并且公共连接点被连接至晶体管M1J的漏极。该连接点在下文中被称为结点N16。晶体管M1L的源极被连接至电源端VDD。晶体管M1L的漏极被连接至晶体管M1J的源极。晶体管M1M的源极被连接至电源端VDD。晶体管M1M的漏极被连接至晶体管M1K的源极。

第二电流放大器部件21生成是第二基准源出电流I1F和一个第二差模电流I1C之间的差的电流I1H。通过由晶体管M1L和M1M形成的电流镜电路使电流I1H返回，从而生成第二输出源出电流I1K。此外，第二电流放大器部件21基于第二基准吸入电流I1G和另一第二差模电流I1D之间的差生成第二输出吸入电流I1I。

在差分放大器1中，第一电流放大器部件11和第二电流放大器部件21的输出都被连接至输出端。具体地，在第一电流放大器部件11中输出第一输出源出电流I18的第一输出源出端和在第二电流放大器部件21中输出第二输出源出电流I1K的第二输出源出端被连接至第一输出端OP。此外，在第一电流放大器部件11中输出第一输出吸入电流I16的第一输出吸入端和在第二电流放大器部件21中输出第二输出吸入电流I1I的第二输出吸入端被连接至第二输出端ON。在此种构造中，差分放大器1通过第一输出端OP输出是第一输出源出电流I18和第二输出源出电流I1K的组合的输出源出电流IOP。此外，差分放大器1通过第二输出端ON输出是第一输出吸入电流I16和第二输出吸入电流I1I的组合的输出吸入电流IOM。

在下文中描述了根据示例性实施例的差分放大器1的操作。由于差分放大器1的操作根据输入信号的信号电平而不同，所以对于输入信号的每个信号电平描述操作。在下面的描述中，通过输入端IP输入的信号的信号电平是VIP，通过输入端IM输入的信号的信号电平是VIM，N沟道晶体管的阈值电压是Vthn，并且P沟道晶体管的阈值电压是Vthp。

首先，在下文中描述在VIP和VIM等于或者高于0V以及等于或者低于Vthn(0≤VIP≤Vthn，0≤VIM≤Vthn)的第一操作条件下的操作。在第一操作条件下，第一差分对10没有正常地操作。因此，第一差模电流I11和I12极小。另一方面，第二差分对20正常地操作。

在第一操作条件下，如果差模输入电压(VIP-VIM)被朝着正(加号)方向移动，则流过晶体管M1C的电流I1C减少。因此，电流I1H增加。随着电流I1H中的增加，第二输出源出电流I1K增加。因此，输出源出电流IOP增加。另一方面，流过晶体管M1D的电流I1D增加。因此，第二输出吸入电流I1I减少。因此，输出吸入电流IOM减少。

相反地，如果在第一操作条件下差模输入电压(VIP-VIM)被朝着负(减号)方向移动，则流过晶体管M1C的电流I1C增加。因此，电流I1H减少。随着电流I1H中的减少，第二输出源出电流I1K减少。因此，输出源出电流IOP减少。另一方面，流过晶体管M1D的电流I1D减少。因此，第二输出吸入电流I1I增加。因此，输出吸入电流IOM增加。

接下来，在下文中描述在VIP和VIM等于或者高于VDD(在这里，VDD是从电源端VDD供给的电压)-Vthp以及等于或者低于VDD((VDD-Vthp)≤VIP≤VDD，(VDD-Vthp)≤VIM≤VDD)的第二操作条件下的操作。在第二操作条件下，第一差分对10正常地操作。另一方面，第二差分对20没有正常地操作。因此，第二差模电流I1C和I1D极小。

在第二操作条件下，如果差模输入电压(VIP-VIM)被朝着正(加号)方向移动，则流过晶体管M12的电流I12减少。因此，第一输出源出电流I18增加。因此，输出源出电流IOP增加。另一方面，流过晶体管M11的电流I11增加。因此，电流I17减少。随着电流I17中的减少，第一输出吸入电流I16减少。因此，输出吸入电流IOM减少。

相反地，如果在第二操作条件下差模输入电压(VIP-VIM)被朝着负(减号)方向移动，则流过晶体管M12的电流I12增加。因此，第一输出源出电流I18减少。因此，输出源出电流IOP减少。另一方面，流过晶体管M11的电流I11减少。因此，电流I17增加。随着电流I17中的增加，第一输出吸入电流I16增加。因此，输出吸入电流IOM增加。

在下文中描述在VIP和VIM等于或者高于Vthn以及等于或者低于VDD-Vthp(Vthn≤VIP≤(VDD-Vthp)，Vthn≤VIM≤(VDD-Vthp))的第三操作条件下的操作。在第三操作条件下，第一差分对10和第二差分对20都正常地操作。

在第三操作条件下，操作是与第一操作条件下第二差分对20有关的操作和与第二操作条件下第一差分对10有关的操作的组合。具体地，根据差模输入电压中的变化输出第一输出源出电流I18和第一输出吸入电流I16以及第二输出源出电流I1K和第二输出吸入电流I1I。在第一输出端OP中，组合第一输出源出电流I18和第二输出源出电流I1K，并且输出输出源出电流IOP。在第二输出端ON中，组合第一输出吸入电流I16和第二输出吸入电流I1I，并且输出输出吸入电流IOM。

如上所述，在根据示例性实施例的差分放大器1中，响应于高电势侧上的共模输入电压，第一差分对10主要操作以生成输出电流IOP和IOM，并且响应于低电势侧上的共模输入电压，第二差分对20主要操作以生成输出电流IOP和IOM。然后，与第一差分对10相对应的第一电流放大器部件11的输出和与第二差分对20相对应的第二电流放大器部件21的输出被连接至同一输出端，从而组合在两个电流放大器部件中生成的输出电流。

因此，即使输入信号的信号电平从接地电压电平到电源电压电平很大地变化，根据示例性实施例的差分放大器1也能够适当地处理输入信号而不管输入信号的共模电压。此外，在差分放大器1中，第一电流放大器部件11中的晶体管M13至M16形成与第一差分对10相对应的共模电流反馈电路，并且第二电流放大器部件21中的晶体管M1J至M1M形成与第二差分对20相对应的共模电流反馈电路。因为共模电流反馈电路将输入信号的共模电压与规定的基准值进行比较，所以在差分放大器1中不会发生由于在晶体管制造期间的波动等导致的电路的故障。

[第二示例性实施例]

图2示出根据第二示例性实施例的差分放大器2的电路图。参考图2，通过将输出缓冲器30添加至根据第一示例性实施例的差分放大器1来构造差分放大器2。输出缓冲器30包括恒流源31和32以及输出晶体管PD和ND。恒流源31被连接在下述结点(结点N18)与电源端VDD之间，其中通过所述结点从差分放大器1输出输出吸入电流IOM。恒流源32被连接下述结点(结点N17)与接地电压之间，其中通过所述结点从差分放大器1输出输出源出电流IOP。例如，输出晶体管PD是P沟道晶体管。输出晶体管PD通过源极被连接至电源端VDD，通过栅极被连接至结点N18，并且通过漏极被连接至第一输出端OP2。例如，输出晶体管ND是N沟道晶体管。输出晶体管ND通过源极被连接至接地电压GND，通过栅极被连接至结点N17，并且通过漏极被连接至第二输出端ON2。

在输出缓冲器30中，基于从恒流源31输出的电流Is1和输出吸入电流IOM之间的差在结点N18处生成第一控制电压，并且输出晶体管PD基于第一控制电压进行操作，从而输出输出源出电流，该输出源出电流是输出吸入电流IOM的放大的电流。此外，基于从恒流源32输出的电流Is2和输出源出电流IOP之间的差在结点N17处生成第二控制电压，并且输出晶体管ND基于第二控制电压进行操作，从而输出输出吸入电流，该输出吸入电流是输出源出电流IOP的放大的电流。

使用如差分放大器2中放置的输出缓冲器30，能够处理需要大电流用于次级中的电流的驱动的情况。在示例性实施例1和2中，第一和第二输出端可以连接在一起以形成一个输出端。

本领域的技术人员能够根据需要组合第一和第二示例性实施例。可以使用双极性晶体管构造根据本发明的示例性实施例的差分放大器。在这样的情况下，用NPN晶体管代替N沟道晶体管，并且用PNP晶体管代替P沟道晶体管。双极性晶体管的发射极对应于MOSFET的源极，双极性晶体管的集电极对应于MOSFET的漏极，并且双极性晶体管的基极对应于MOSFET的栅极。

虽然已经根据若干示例性实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员将会理解本发明能够用权利要求的精神和范围内的各种修改来实践并且本发明不限于上述的示例。

此外，权利要求的范围不限于上述的示例性实施例。

此外，应当注意的是，申请人意在涵盖权利要求中所有要素的等同形式，即使在后期的审查过程中对权利要求进行了修改。

Claims (5)

1.一种差分放大器，包括：

第一差分对，所述第一差分对由第一导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第一差模电流；

第一电流放大器部件，所述第一电流放大器部件基于所述第一差模电流将第一输出源出电流和第一输出吸入电流分别输出至第一输出端和第二输出端；

第二差分对，所述第二差分对由第二导电类型的晶体管形成，以接收所述输入信号并且输出第二差模电流；以及

第二电流放大器部件，所述第二电流放大器部件基于所述第二差模电流将第二输出源出电流和第二输出吸入电流分别输出至所述第一输出端和所述第二输出端。

2.根据权利要求1所述的差分放大器，进一步包括：

第一基准电流源，所述第一基准电流源输出第一基准源出电流和第一基准吸入电流，和

第二基准电流源，所述第二基准电流源输出第二基准源出电流和第二基准吸入电流，

其中，基于所述第一基准源出电流和被包括在所述第一差模电流中的一个第一差模电流之间的差生成所述第一输出源出电流，

基于所述第一基准吸入电流和被包括在所述第一差模电流中的另一第一差模电流之间的差生成所述第一输出吸入电流，

基于所述第二基准源出电流和被包括在所述第二差模电流中的一个第二差模电流之间的差生成所述第二输出源出电流，以及

基于所述第二基准吸入电流和被包括在所述第二差模电流中的另一第二差模电流之间的差生成所述第二输出吸入电流。

3.根据权利要求1所述的差分放大器，进一步包括：

输出缓冲器，所述输出缓冲器放大从所述第一输出端输出的输出源出电流和从所述第二输出端输出的输出吸入电流。

4.一种差分放大器，包括：

第一差分对，所述第一差分对由第一导电类型的晶体管形成，以接收输入信号并且输出第一差模电流；

第一基准电流源，所述第一基准电流源输出第一基准源出电流和第一基准吸入电流；

第一电流放大器部件，所述第一电流放大器部件将基于所述第一基准源出电流和被包括在所述第一差模电流中的一个第一差模电流之间的差生成的第一输出源出电流输出至第一输出端，并且将基于所述第一基准吸入电流和被包括在所述第一差模电流中的另一第一差模电流之间的差生成的第一输出吸入电流输出至第二输出端；

第二差分对，所述第二差分对由第二导电类型的晶体管形成，以接收所述输入信号并且输出第二差模电流；

第二基准电流源，所述第二基准电流源输出第二基准源出电流和第二基准吸入电流；以及

第二电流放大器部件，所述第二电流放大器部件将基于所述第二基准源出电流和被包括在所述第二差模电流中的一个第二差模电流之间的差生成的第二输出源出电流输出至所述第一输出端，并且将基于所述第二基准吸入电流和被包括在所述第二差模电流中的另一第二差模电流之间的差生成的第二输出吸入电流输出至所述第二输出端。

5.根据权利要求4所述的差分放大器，进一步包括：

输出缓冲器，所述输出缓冲器放大从所述第一输出端输出的所述输出源出电流和从所述第二输出端输出的所述输出吸入电流。

Images