CN101532885A - 温度测量装置和温度测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种温度测量装置和温度测量方法，与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等。该温度测量装置具有：将来自光源(110)的光分解为测量光和参照光的第一分离器(120)；用于反射参照光的参照光反射单元(140)；用于使参照光的光路长度变化的光路长变化单元(150)；用于分解来自参照光反射单元(140)的反射参照光的第二分离器(121)；用于测量来自温度测定对象物(10)的反射测量光与反射参照光的干涉的第一光检测器(160)；用于仅测量反射参照光的强度的第二光检测器(161)；从第一光检测器(160)的输出减去第二光检测器(161)的输出后计算干涉位置，计算温度的控制器(170)。

Description

温度测量装置和温度测量方法
技术领域
本发明涉及能够准确对测量对象物例如半导体晶片、液晶基板等的表面、背面、内部层等的温度进行测量的温度测量装置和温度测量方法。
背景技术
例如，准确测量通过基板处理装置处理的被处理基板例如半导体晶片的温度，从根据成膜或蚀刻等各种处理的结果来准确控制形成在半导体晶片上的膜和孔等的形状和物性等的方面来看是极为重要的。因此，一直以来就进行例如通过利用例如电阻温度计、和测量基材背面的温度的荧光式温度计等的测量法等各种方法测量半导体晶片的温度。
近年来，已知利用能够直接测量以上述现有的温度测量方法困难的晶片的温度的低相干(coherence)干涉计的温度测量技术。在上述利用低相干干涉计的温度测量技术中，通过分离器(splitter)将来自光源的光分为温度测量用的测量光和参照光，对测量光的反射光和由具有使光路长变化的驱动机构的参照光反射单元反射的参照光的反射光之间的干涉进行测量，并测量温度(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2006—112826号公报
在上述现有的技术中，能够以简单的结构直接测量晶片的温度。但是，本发明人等进行了详细的调查后发现，在上述的现有技术中，来自具有使光路长变化的驱动机构的参照光反射单元的参照信号中含有某种噪音，由此干涉波形的重心位置的检测会存在误差，光学厚度的测量的精度恶化，导致温度测量精度的降低。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等的温度测量装置和温度测量方法。
第一方面的温度测量装置，其特征在于，包括：光源；用于将来自上述光源的光分解为测量光和参照光的第一分离器；用于反射上述参照光的参照光反射单元；用于使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；用于将上述反射参照光分解为第一反射参照光和第二反射参照光的第二分离器；用于测量上述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和上述第一反射参照光的干涉的第一光检测器；用于测量上述第二反射参照光的强度的第二光检测器；和根据从上述第一光检测器的输出信号减去上述第二光检测器的输出信号所得的结果计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
第二方面的温度测量装置，其特征在于，包括：光源；用于将来自上述光源的光分解为测量光和参照光的第一分离器；用于反射上述参照光的参照光反射单元；用于使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；用于将上述反射参照光分解为第一反射参照光和第二反射参照光的第二分离器；用于测量上述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和上述第一反射参照光的干涉的第一光检测器；用于测量上述第二反射参照光的强度的第二光检测器；从上述第一光检测器的输出信号减去上述第二光检测器的输出信号的减法机构；根据上述减法机构进行减法而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
第三方面的温度测量装置，其特征在于，包括：光源；用于将来自上述光源的光分解为测量光和参照光的分离器；用于反射上述参照光的参照光反射单元；用于使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；用于测量上述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和上述反射参照光的干涉的光检测器；能够选择是否使上述反射测量光向上述光检测器射入的光闸机构；温度计算单元，其存储关闭上述光闸机构、上述反射测量光不向上述光检测器射入时的上述反射参照光的强度变化作为参照信号，根据从打开上述光闸机构、使上述反射测量光向上述光检测器射入时的上述光检测器的输出信号减去上述参照信号而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度。
第四方面的温度测量装置，其特征在于，包括：光源；用于将来自上述光源的光分解为测量光和参照光的分离器；用于反射上述参照光的参照光反射单元；用于使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；用于测量上述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和上述反射参照光的干涉的光检测器；通过对上述光检测器的输出信号进行频率过滤的过滤器；根据由上述过滤器过滤的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
第五方面的温度测量装置是第四方面记载的温度测量装置，其特征在于：上述过滤器为模拟过滤器或数字过滤器。
第六方面的温度测量装置是第五方面记载的温度测量装置，其特征在于：上述过滤器切除由上述光路长变化单元的动作产生的噪音的频率以下的频率成分。
第七方面的温度测量装置是第五方面记载的温度测量装置，其特征在于：上述过滤器使上述反射测量光和上述反射参照光的干涉波的频率以上的频率成分通过。
第八方面的温度测量装置是第五方面记载的温度测量装置，其特征在于：上述过滤器仅使上述反射测量光和上述反射参照光的干涉波的频率的频带成分通过。
第九方面的温度测量方法，其特征在于，包括：照射步骤，使测量光向温度测量对象物照射，并且使参照光照射在参照光反射单元上；干涉测量步骤，使上述参照光反射单元向一个方向移动，使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化，并且测量从上述参照光反射单元反射的反射参照光和从上述温度测量对象物反射的反射测量光的干涉；和计算步骤，从上述干涉测量步骤所得的信号减去在使上述反射参照光的光路长变化的同时仅检测上述反射参照光时的信号，根据该减法结果计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度。
第十方面的温度测量方法，其特征在于，包括：照射步骤，使测量光向温度测量对象物照射，并且使参照光照射在参照光反射单元上；干涉测量步骤，使上述参照光反射单元向一个方向移动，使从上述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化，并且测量从上述参照光反射单元反射的反射参照光和从上述温度测量对象物反射的反射测量光的干涉；计算步骤，根据通过对上述干涉测量步骤所得的信号进行频率过滤而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算上述温度测量对象物的温度。
根据本发明，能够提供一种与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等的温度测量装置和温度测量方法。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的温度测量装置的概略结构的方块图。
图2是表示反射测量光和反射参照光的干涉波形的照片。
图3是放大表示反射测量光和反射参照光的干涉波形以及反射参照光的波形的照片。
图4是表示本发明的第二实施方式的温度测量装置的概略结构的方块图。
图5是表示本发明的第三实施方式的温度测量装置的概略结构的方块图。
图6是表示本发明的第四实施方式的温度测量装置的概略结构的方块图。
图7是表示本发明的第五实施方式的温度测量装置的概略结构的方块图。
符号说明
10、100 温度测量装置
110 光源
120 第一分离器
121 第二分离器
140 参照光反射单元
150 光路长变化单元
151 线性平台(linear stage)
152 电机
153 He-Ne激光编码器
154 电机驱动器
155 电机控制器
160 第一光检测器
161 第二光检测器
170 控制器
171、173 放大器
172 A/D转换器
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的实施方式。另外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的结构要素标注相同的符号，并省略重复说明。
图1是表示第一实施方式的温度测量装置100的概略结构的附图。如图1所示，温度测量装置100具有光源110、用于将来自该光源110的光分解为温度测量用的测量光和参照光的第一分离器120、用于反射来自上述第一分离器120的参照光的参照光反射单元140、用于使从参照光反射单元140反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元150、用于将来自参照光反射单元140的反射参照光分解为二的第二分离器121。
光路长变化单元150由用于使例如由参照镜等构成的参照光反射单元140在与参照光的射入方向平行的一个方向上移动的线性平台151、电机152、He-Ne激光编码器153等构成。这样，通过向一个方向驱动参照镜，从而能够使从参照镜反射的反射参照光的光路长变化。电机152通过电机控制器155、电机驱动器154由控制器170控制。另外，来自He-Ne激光编码器153的信号用A/D转换器172转换为数字信号，输入控制器170。
另外，温度测量装置100具有用于测量当将上述测量光向例如半导体晶片等温度测量对象物10照射时从温度测量对象物10反射的反射测量光、与上述参照光照射在参照光反射单元140上时从参照光反射单元140反射并由第二分离器121分解为二中的一方的反射参照光之间的干涉的第一光检测器160。另外，温度测量装置100具有用于测量由第二分离器121分解为二中的另一方的反射参照光的强度的第二光检测器161。
作为光源110，只要是能够测量测量光和参照光之间的干涉，就可以使用任意的光。在作为温度测量对象物10进行例如半导体晶片的温度测量的情况下，优选至少来自半导体晶片的表面和背面之间的距离(通常800～1500μm程度)的反射光不产生干涉的程度的光。具体地例如优选使用低相干光。所谓低相干光指的是相干长度短的光。低相干光的中心波长例如优选0.3～20μm，更优选0.5～5μm。另外作为相干长度例如优选0.1～100μm，更优选3μm以下。这样的低相干光作为光源110使用，从而能够避免由多余的干涉所引起的障碍，能够容易测定基于半导体晶片的表面或来自内部层的反射光与参照光的干涉。
作为使用上述低相干光的光源，例如能够使用SLD(SuperLuminescent Diode：超发光二极管)、LED、高亮度灯(钨灯、氙灯等)、超宽频带波长光源等。在这些低相干光源中，优选使用亮度高的SLD(波长例如1300nm)作为光源110。
作为第一分离器120使用例如2×2光纤耦合器(fiber coupler)。但是并不限定于此，只要能够分解为参照光和测量光即可。另外，关于第二分离器121也使用例如2×1光纤耦合器。但是并不限定于此，只要能够将反射参照光分解为二即可。作为第一分离器120、第二分离器121例如可以使用导光波路型分波器、半透镜等。
参照光反射单元140例如由参照镜构成。作为参照镜例如能够适用角形棱镜、平面镜等。其中，从反射光的与射入光的平行性的观点出发，优选使用角形棱镜。但只要是能够反射参照光即可，不限于上述棱镜，例如也可以由延迟线等构成。
作为第一光检测器160、第二光检测器161，如果考虑到低价格性、紧凑性，则例如优选使用光电二极管构成。具体地例如通过使用Si光电二极管、InGaAs光电二极管、Ge光电二极管等的PD(Photo Detector：光电检测器)构成。但是并不限定于此，例如也可以使用雪崩二极管、光电子倍增管等构成第一光检测器160、第二光检测器161。第一光检测器160的检测信号经由放大器171输入到A/D转换器172，转换为数字信号，由控制器170处理。第二光检测器161的检测信号经由放大器173输入到A/D转换器172，转换为数字信号，由控制器170处理。
来自第一分离器120的测量光经由测量光传送机构例如准直光纤(collimate fibre)180被传送至向温度测量对象物10照射的测量光照射位置。来自第一分离器120的测量光通过第二分离器121经由参照光传送机构例如准直光纤190被传送至向参照光反射单元140照射的参照光照射位置。另外，作为测量光传送机构和参照光传送机构不限于上述的准直光纤，例如也可以是在光纤的前端安装有准直器的带准直器的光纤。
在上述的温度测量装置100中，来自光源110的光射入第一分离器120，由第一分离器120分为测量光和参照光。这其中，测量光照射在半导体晶片等的温度测量对象物10等上，由各层的表面、边界面或背面反射。
另一方面，参照光由参照光反射单元140反射，该反射参照光射入第二分离器121而被分解为两个反射参照光。并且，其中的一方的反射参照光向第一分离器120射入，与反射测量光一起由第一光检测器160检测。另一方的反射参照光由第二光检测器161检测。
并且，通过由光路长变化单元150扫描参照光反射单元140，从而在第一光检测器160中，得到纵轴为输出(V)(光的强度)、横轴为参照光反射单元140的测量距离(μm)的图2(a)所示的干涉波形。在此，作为光源110，使用上述那样的低相干光源。根据低相干光源，具有这样的特征：由于来自光源110的光的相干长度短，所以通常测量光的光路长和参照光的光路长一致的情况下引起较强干涉，在除此之外的情况下，干涉被实质性降低。因此，通过使参照光反射单元140移动，使参照光的光路长变化，从而除了温度测量对象物10的表面和背面外，在内部若也形成层，则关于各层，由这些折射率差异而引起反射的测量光和参照光干涉。
在图2(a)的例子中，如果扫描参照光反射单元140，则首先来自温度测量对象物10的一方的面(表面或背面)的反射光和参照光的反射光之间的干涉波出现，接着来自中间层的界面的反射光和参照光的反射光之间的干涉波出现，最后来自另一方的面(背面或表面)的反射光和参照光的反射光之间的干涉波出现。
在此，如图2(a)所示，在由第一光检测器160检测出的检测信号波形上，除了表示频率高且大的峰值的干涉波以外，还包含比该干涉波频率低的成分，形成底线与干涉波无关地大幅度起伏的波形。图3还放大表示检测信号波形，在图3所示的两个波形之中，上部所述的波形为由第一光检测器160检测出的检测信号波形。如该图3所示，频率比上述干涉波低的成分不仅为一个，而且也包含与图2(a)可视的频率相比高的其它成分。如果检测信号波形中含有上述那样的干涉波以外的成分，则从干涉波的重心求算干涉位置时产生误差。
在图3所示的两个波形中下部所示的波形仅为由第二光检测器161检测出的反射参照光的检测信号波形。观察该检测信号波形可知，由上述第一光检测器160检测出的检测信号波形所包含的干涉波以外的成分来源于反射参照光。这认为是起因于参照光反射单元140由光路长变化单元150的线性平台151等扫描时的微小的机械变形或余隙(clearance)等。
因此，在本实施方式中，在控制器170中，除了来自第一光检测器160的检测信号外，还经由放大器173、A/D转换器172仅输入由第二光检测器161检测出的由第二分离器121分解的其中一个反射参照光的检测信号。并且，控制器170从第一光检测器160的检测信号减去第二光检测器161的检测信号。该减法后的检测信号波形示于图2(b)。如图2(b)所示，从第一光检测器160的检测信号减去第二光检测器161的检测信号后的检测信号波形除去了在由光路长变化单元150扫描参照光反射单元140时产生的噪音成分。因此，基于该检测信号波形，根据干涉波的重心等能够求得误差少的准确干涉位置，根据该干涉位置能够进行准确的温度测量。
接着，说明根据测量光和参照光的干涉波测量温度的方法。作为基于干涉波的温度测量方法例如有使用基于温度变化的光路长变化的温度换算方法。在此，说明利用上述干涉波形的位置偏差的温度换算方法。
如果半导体晶片等的温度测量对象物10被加热器等加温，则温度测量对象物10膨胀而使得折射率变化，所以在温度变化前和温度变化后，干涉波形的位置偏离，干涉波形的峰值间隔变化。通过测量这样的干涉波形的峰值间隔而能够检测出温度变化。例如若为图1所示的温度测量装置100，则干涉波形的峰值间隔与参照光反射单元140的移动距离对应，所以通过测量干涉波形的峰值间隔的参照镜的移动距离，而能够检测出温度变化。
在以温度测量对象物10的厚度为d，折射率为n的情况下，关于干涉波形的峰值位置的偏离中，关于厚度d依赖于各层固有的线膨胀系数α，另外关于折射率n的变化主要依赖于各层固有的折射率变化的温度系数β。另外，已知关于折射率变化的温度系数β也依赖于波长。
因此，某测量点的温度变化后的晶片的厚度d′由数学式表示，则如下述数学式(1)所示。另外，在数学式(1)中，△T表示测量点的温度变化，α表示线膨胀率，β表示折射率变化的温度系数。另外，d、n分别表示温度变化前的测量点的厚度、折射率。
d′＝d·(1+α△T)、n′＝n·(1+β△T)......(1)
如上述数学式(1)所示，因温度变化而使通过测量点的测量光的光路长变化。光路长一般由厚度d和折射率n的乘积表示。因此，温度变化前的通过测量点的测量光的光路长为L，测量点的温度分别变化△T后的光路长为L′，则L、L′分别如下面的树脂(2)所示。
L＝d·n、L′＝d′·n′......(2)
因此，测量点的测量光的光路长的温度变化前后的差值(L′—L)，通过上述数学式(1)、(2)计算整理，则如下面数学式(3)。另外，在下面数学式(3)中，考虑α·β<<α，α·β<<β，省略微小项。
L′—L＝d′·n′—d·n＝d·n·(α+β)·△T
＝L·(α+β)·△T1......(3)
在此，测量点的测量光的光路长相对于与参照光干涉的干涉波形的峰值间隔。因此，若预先调查线膨胀率α、折射率变化的温度系数β，则通过测量测量点的与参照光的干涉波形的峰值间隔，从而能够使用上述数学式(3)换算为测量点的温度。
这样，在根据干涉波换算温度的情况下，如上所述在干涉波形的峰值间表示的光路长根据线膨胀率α和折射率变化的温度系数β而变化，所以需要预先调查线膨胀率α和折射率变化的温度系数β。含有半导体晶片的物质的线膨胀率α和折射率变化的温度系数β一般根据温度带也存在依赖于温度的情况。例如关于线膨胀率α一般在物质的温度为0～100℃程度的温度范围中几乎不变化，所以可以看成是恒定，但是在100℃以上的温度范围中，根据物质的不同，也存在温度越高，变化率越大的情况，所以在这样的情况下，不能无视温度依赖性。关于折射率变化的温度系数β同样地根据温度范围而存在不能无视温度依赖性的情况。
例如已知在构成半导体晶片的硅(Si)的情况下，在0～500℃的温度范围中线膨胀率α和折射率变化的温度系数β例如能够以二次曲线近似。这样，线膨胀率α和折射率变化的温度系数β由于依赖于温度，所以能够预先调查例如与温度对应的线膨胀率α和折射率变化的温度系数β，若考虑该值进行温度换算，则能够换算为更准确的温度。
另外，作为基于测量光和参照光的干涉波的温度测量方法不限于上述那样的方法，例如也可以是使用基于温度变化的吸收强度变化的方法，也可以是组合基于上述温度变化的光路长变化和基于温度变化的吸入强度变化的方法。
图4是表示本发明的第二实施方式的温度测量装置100a的结构的附图。在该温度测量装置100a中，将第一光检测器160的输出和第二光检测器161的输出输入差动电路174而求差(减法)，差动电路174的输出经由A/D转换器172而输入控制器170。如该温度测量装置100a所示，即使使用差动电路174求得模拟信号的差，也能够得到与前述的第一实施方式相同的效果。
图5是表示本发明的第三实施方式的温度测量装置100b的结构的附图。在该温度测量装置100b中，代替设置上述的各实施方式的第二分离器121、第二光检测器161，而在例如准直光纤的端部和温度测量对象物10之间等设置能够选择有无反射测量光向第一光检测器160射入的光闸(shutter)机构181。并且，通过关闭该光闸机构181而在第一光检测器160中仅能够检测出来自参照光反射单元140的反射参照光。在该温度测量装置100b中，在预先关闭光闸机构181的状态下，扫描参照光反射单元140而检测出反射参照光，以该数据(图3的下部所示的那样的波形数据)为参照信号数据，事先存储于控制器170。并且，当打开光闸机构181而从第一光检测器160的输出信号检测出反射测量光和反射参照光的干涉时，控制器170从第一光检测器160的输出信号减去存储的参照信号数据量。在这样结构的温度测量装置100b中，如图1所示的温度测量装置100那样，不设置第二分离器121、第二光检测器161等，而能够以比较简易的结构廉价地构成装置，并且能够除去光路长变化单元150的动作产生的噪音成分，由此能够精度良好地测量温度。
图6为表示本发明的第四实施方式的温度测量装置100c的结构。在该温度测量装置100c中，将第一光检测器160的输出信号经由过滤器175输入放大器171，经由A/D转换器172输入控制器170。该过滤器175为用于除去频率比干涉波低的前述的噪音成分的模拟过滤器，能够进行如下任一种设定，即、设定为切除光路长变化单元150的动作产生的噪音的频率以下的频率成分，或设定为使反射测量光和反射参照光的干涉波的频率以上的频率成分通过，或仅使反射测量光和反射参照光的干涉波的频率以上的频率成分通过。在这样的结构的温度测量装置100c中，如图1所示的温度测量装置100所示，不设置第二分离器121、第二光检测器161等，而能够以比较简易的结构廉价地构成装置，并且能够除去光路长变化单元150的动作产生的噪音成分，能够精度良好地测量温度。
图7是表示本发明的第五实施方式的温度测量装置100d的结构的附图。在该温度测量装置100d中，代替图6所示的设置由模拟过滤器构成的过滤器175，而使控制器170具有数字过滤器的功能。像这样使用数字过滤器，也能够得到与使用模拟过滤器的第四实施方式的温度测量装置100c同样的效果。
以上，参照附图说明了本发明的合适的实施方式，但是本发明不限于上述的例子。本领域技术人员自然能够在权利要求书的保护范围内想到各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围。

Claims (10)

1.一种温度测量装置，其特征在于，包括：
光源；
用于将来自所述光源的光分解为测量光和参照光的第一分离器；
用于反射所述参照光的参照光反射单元；
用于使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；
用于将所述反射参照光分解为第一反射参照光和第二反射参照光的第二分离器；
用于测量所述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光，和所述第一反射参照光的干涉的第一光检测器；
用于测量所述第二反射参照光的强度的第二光检测器；和
根据从所述第一光检测器的输出信号减去所述第二光检测器的输出信号所得的结果计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
2.一种温度测量装置，其特征在于，包括：
光源；
用于将来自所述光源的光分解为测量光和参照光的第一分离器；
用于反射所述参照光的参照光反射单元；
用于使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；
用于将所述反射参照光分解为第一反射参照光和第二反射参照光的第二分离器；
用于测量所述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光，和所述第一反射参照光的干涉的第一光检测器；
用于测量所述第二反射参照光的强度的第二光检测器；
从所述第一光检测器的输出信号减去所述第二光检测器的输出信号的减法机构；
基于由所述减法机构进行减法而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
3.一种温度测量装置，其特征在于，包括：
光源；
用于将来自所述光源的光分解为测量光和参照光的分离器；
用于反射所述参照光的参照光反射单元；
用于使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；
用于测量所述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和所述反射参照光的干涉的光检测器；
能够选择是否使所述反射测量光向所述光检测器射入的光闸机构；
温度计算单元，其存储关闭所述光闸机构、所述反射测量光不向所述光检测器射入时的所述反射参照光的强度变化作为参照信号，根据从打开所述光闸机构、使所述反射测量光向所述光检测器射入时的所述光检测器的输出信号减去所述参照信号而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度。
4.一种温度测量装置，其特征在于，包括：
光源；
用于将来自所述光源的光分解为测量光和参照光的分离器；
用于反射所述参照光的参照光反射单元；
用于使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化的光路长变化单元；
用于测量所述测量光由温度测量对象物反射的反射测量光和所述反射参照光的干涉的光检测器；
通过对所述光检测器的输出信号进行频率过滤的过滤器；
根据由所述过滤器过滤的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度的温度计算单元。
5.如权利要求4所述的温度测量装置，其特征在于：
所述过滤器为模拟过滤器或数字过滤器。
6.如权利要求5所述的温度测量装置，其特征在于：
所述过滤器切除由所述光路长变化单元的动作产生的噪音的频率以下的频率成分。
7.如权利要求5所述的温度测量装置，其特征在于：
所述过滤器使所述反射测量光和所述反射参照光的干涉波的频率以上的频率成分通过。
8.如权利要求5所述的温度测量装置，其特征在于：
所述过滤器仅使所述反射测量光和所述反射参照光的干涉波的频率的频带成分通过。
9.一种温度测量方法，其特征在于，包括：
照射步骤，使测量光向温度测量对象物照射，并且使参照光照射在参照光反射单元上；
干涉测量步骤，使所述参照光反射单元向一个方向移动，使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化，并且测量从所述参照光反射单元反射的反射参照光和从所述温度测量对象物反射的反射测量光的干涉；和
计算步骤，从所述干涉测量步骤所得的信号减去在使所述反射参照光的光路长变化的同时仅检测所述反射参照光时的信号，根据该减法结果计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度。
10.一种温度测量方法，其特征在于，包括：
照射步骤，使测量光向温度测量对象物照射，并且使参照光照射在参照光反射单元上；
干涉测量步骤，使所述参照光反射单元向一个方向移动，使从所述参照光反射单元反射的反射参照光的光路长变化，并且测量从所述参照光反射单元反射的反射参照光和从所述温度测量对象物反射的反射测量光的干涉；和
计算步骤，根据通过对所述干涉测量步骤所得的信号进行频率过滤而得的信号计算干涉位置，根据该干涉位置计算所述温度测量对象物的温度。
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