CN101523975B - 加热元件 - Google Patents

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Abstract

一种PTC SIP复合物，包括：实质上由硅氧烷聚合物组成的电绝缘基体、以及具有不同的表面能和电导率性能的第一和第二导电颗粒。一种多层ZPZ箔，包括存在于两个金属箔之间的根据本发明的PTC SIP复合物，由此形成导电复合体。一种多层装置，包括由根据本发明的PTC SIP复合物制成的实质上平坦的复合体、粘附至所述复合体表面的两个电极层，所述电极层为制备用于连接至电极的金属箔。

Description

加热元件
技术领域
正温度系数PTC的叠加阻抗聚合物SIP复合物，零-正-零温度系数ZPZ的多层箔，以及包含具有PTC SIP复合物的多层ZPZ箔的多层装置。 
背景技术
由例如德国专利2,543,314和相应的美国专利4,177,376、4,330,703、4,543,474和4,654,511已知几种类型的自限温电热元件(self limitingelectrical heating element)。 
此外，US 5,057,674描述了这样的元件，其包括：声称具有零温度系数(“ZTC”)的两个外半导体层，所述外半导体层彼此被连续的正温度系数(“PTC”)层所分隔并且通过两个平行电极来供能，第一平行电极与一个ZTC层的一端接触，第二平行电极与另一个ZTC层在其距离所述第一电极最远的末端接触。 
根据US 5,057,674，层状结构的组件使得在室温下ZTC层之间的PTC层中的电阻远远小于组合ZTC层中的电阻，其进而远远小于电极之间PTC层中的电阻。此外，在控制温度下，平行ZTC层之间的PTC层中的电阻应该等于平行ZTC层中的电阻，其几何形状使得在控制温度下，当两个组件的电阻相同时，单位时间和单位面积所产生的热(功率密度)也基本相同。 
PTC层在室温下起到在平行ZTC层之间短路的作用。当首先施加电压时，PTC层中电极之间的电阻很高，因此ZTC层单独产生热，这是几何形状的结果。然而，当温度上升时，PTC层中的电阻率增加直至其等于组合ZTC层的电阻率。稍高于该温度时，两个ZTC层起到电极的作用，在整个系统中均匀地产生热，并且在ZTC层的区域中任意位置处温度的任何进一步升高均有效地减小或者切断电流。这样，PTC组件几乎仅仅起控制的作用，而ZTC组件用作有效加热元件。 
还根据该专利，聚合物基体实质上是结晶的，给出的例子为PE和 EVA。 
基于穿过导体的导线的该加热元件和早期这种元件二者均具有的问题是：元件中小的物理损坏，例如孔，会切断电流和由此使元件功能停止。 
另外的问题是最熟知的PTC材料包括结晶聚合物基体中的导电颗粒如炭黑。当材料受热时，材料膨胀并且电阻率随着导电颗粒之间以及颗粒团簇之间的间隙增加而增加。大约在聚合物熔点下，导致电阻率激增，当聚合物软化和熔融时，该材料“断路(trip)”。该结果不仅是由于颗粒之间距离增加所致，而且是由于熔体中颗粒和颗粒团簇的移动以及通过团簇内部颗粒的能量和移动增加导致的颗粒团簇破裂所致。因为材料内部的这些显著变化，所以其表现出强滞后效应，并且因此材料在冷却之后不能恢复其原有的性质。此外，由于断路现象与聚合物熔点有关，所以难以调节断路温度水平。 
发明目的 
本发明的一个目的是获得一种适用于加热元件的正温度系数PTC材料。 
另一个目的是获得一种具有适于在加热元件中产生期望恒温的组成的PTC材料。 
又一个目的是获得一种具有可产生25～170℃恒温的组成的PTC材料。 
再一个目的是获得一种加热元件，其对物理损坏不敏感并且可保持恒温，该恒温可设定为满足预期应用。 
再一个目的是获得一种可切割以满足不同应用的极薄加热元件。 
本发明的又一个目的是获得一种加热元件，其适用于约3～240V、例如约3～230V的AC或DC电压，尤其是适用于约5、6、24、48、110或220V、优选4.8、7.2、12、24、48、60、120或240V的AC或DC电压。 
另一个目的是获得一种加热元件，其可经历几个加热循环而实质上不改变性能。 
发明内容
本发明克服了现有技术中存在的问题。根据第一特征，本发明涉及一种作为PTC SIP复合物的PTC材料，所述复合物包括实质上由非晶态聚合物组成的电绝缘基体，并且包含具有不同性能的第一和第二导电颗粒，所述PTC SIP复合物由此形成导电网络。SIP这一名称表示涉及两种导电颗粒，代表PTC组分的一种颗粒叠置在代表具有恒定温度系数(“CTC”)组分的另一种颗粒上。 
根据第二特征，本发明涉及一种多层ZPZ箔，所述箔包括位于两个金属箔层之间的本发明的PTC SIP复合物层。ZPZ这一名称表示涉及具有实质上为零温度系数的两个层包封具有实质上为正温度系数的第三层。 
根据第三特征，本发明涉及一种具有在两个金属箔之间的PTC SIP复合物中间层的多层装置，如加热元件。与之前已知的类似装置相反，电流将在垂直于层状结构的z-方向上通过PTC SIP复合物。由此，所述层中的小的损伤不会影响功能。电流可仍在多层ZPZ箔结构的未受损部分中从一个金属箔通至另一个金属箔。 
此外，通过适当选择材料，本发明的多层装置可非常薄。 
附图说明
图1a和1b表示从上方和沿截面观察根据本发明的加热元件的一个实施方案的示意图。 
图2a和2b表示本发明加热元件的两个其它实施方案的示意透视图。 
图3示出表示根据本发明的不同的PTC SIP复合物的体积电阻率和温度之间关系的图。 
具体实施方式
根据第一特征，本发明涉及一种PTC SIP复合物，包括：实质上由弹性体(弹性体聚合物)组成的电绝缘基体、以及在表面能和电导率方面具有不同性能的第一和第二导电颗粒，所述材料由此形成导电网络。分散在所述基体中的第一和第二导电颗粒可由具有不同的表面能和结构形态的炭黑组成。 
在本发明的PTC SIP复合物中的弹性体是完全非晶态的，并因此不存在结晶聚合物PTC材料中所存在的问题。此外，断路温度状况中电阻率的增加主要是由于导电颗粒的性能所致，而不是由于弹性体的体积膨胀系数的任何增加也不是由于任何相变所致。 
弹性体可以是在期望的断路温度以下没有结晶倾向并且具有足够低的玻璃化转变温度的任何适合的非晶态聚合物。其可选自：氯化聚乙烯、氯磺化聚乙烯、氯丁橡胶、丁腈橡胶和乙丙橡胶。所述聚合物优选基于硅氧烷弹性体(经常称为硅酮弹性体)，其中聚合物骨架可具有诸如卤素的取代基，例如聚氟硅氧烷。尤其优选聚二甲基硅氧烷弹性体。 
弹性体聚合物基体包含至少两种类型的导电颗粒。所述导电颗粒可包括两种类型的炭黑，其中一种是CTC型，即导致实质上为恒定温度系数，另一种是PTC型。此外，气相法二氧化硅颗粒可用作聚合物基体中的填料。 
优选第一导电颗粒包括具有低表面积和低结构的热裂法炭黑，例如中粒子热裂法炭黑，第二导电颗粒包括具有较高结构和较高比表面积的炉法炭黑，如快压出炉黑。 
热裂法炭黑的平均粒度为至少200nm，优选200-580nm，通常为约240nm。其合适的通过氮气吸附所确定的比表面积为约10m2/g。 
炉法炭黑的粒度分布为20-100nm，优选为40-60nm，通常为约40-48nm。其合适的通过氮气吸附确定的比表面积为30-90m2/g，优选为约40m2/g。 
PTC SIP复合物可包含：3.6-11重量％的炉法炭黑、35-55重量％(优选35-50重量％)的热裂法炭黑、至少2重量％(优选至少5重量％)和至多13重量％(优选至多10重量％)的气相法二氧化硅填料、以及35-48重量％的硅氧烷弹性体聚合物。其还可包含0.36-5.76重量％的一种或多种偶联剂，以所述炉法炭黑的重量计。 
PTC SIP复合物根据组成在室温下可具有10kΩcm～超过10MΩcm的体积电阻率。根据本发明，用于作为多层装置的加热元件中的PTC SIP复合物应该优选具有至少0.1MΩcm的体积电阻率。 
本发明的PTC SIP复合物的断路温度可通过调节PTC SIP复合物的组成而设定为25～170℃范围内的值。 
根据第二特征，本发明涉及一种多层ZPZ箔，所述箔包括位于第一实 质上平坦的金属箔和第二实质上平坦的金属箔之间的PTC SIP复合物，其中PTC SIP复合物包括实质上由弹性体非晶态聚合物组成的电绝缘基体、以及分散在所述基体中的第一和第二导电颗粒，该复合体由此形成从第一金属箔延伸至第二金属箔的导电网络，其中第一和第二导电颗粒具有不同的表面能和电导率。 
合适的是，非晶态聚合物包括硅氧烷聚合物。 
优选复合体包括根据本发明的第一特征的PTC SIP复合物。 
多层ZPZ箔可以是实质上无端网的形式。多层ZPZ箔也可具有适用于根据本发明第三特征的装置的尺寸和形式。 
此外，本发明涉及多层ZPZ箔，其中复合体的厚度可小于400μm，优选为100-300μm。 
多层ZPZ箔具有可使接触电阻最小化的中间层。 
中间层可包括电化学预处理，其中所述预处理通过电化学手段进行。 
根据第三特征，本发明涉及一种多层装置，包括实质上两维的复合体，该复合体具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，并且包括由聚合物组成的电绝缘基体并且包含导电颗粒，其中所述基体实质上上由包含分散在基体中的第一和第二导电颗粒的弹性体非晶态聚合物组成，所述复合体由此形成从复合体的第一表面延伸至相反的第二表面的导电网络，并且第一和第二导电颗粒具有不同的表面能和电导率，其中电极层粘合至复合体的每个表面，每个电极层均由金属箔组成，制备成连接至电极的金属箔在实质上垂直于电极层的方向上传送电流通过复合体。 
非晶态聚合物可以是与用于所述复合物和所述箔相同的硅氧烷聚合物。 
二维复合体优选包括存在于本发明的多层ZPZ箔中的PTC SIP复合物。 
多层装置还可包括连接至电极层的电极以利于连接电源。 
加热元件中的复合体的体积电阻率优选为超过0.1MΩcm的量级。 
本发明还涉及多层装置，其中复合体的厚度可小于400μm，优选为100-300μm。 
多层装置可包括金属箔外的其它层，如用于使金属箔电绝缘和保护金属箔的聚合物层。 
此外，多层装置可包括在复合体和两个金属箔中每一个之间的界面处形成的中间层，该中间层包括电化学预处理。该中间层应该优选使复合体和金属箔之间的接触电阻最小化。预处理可通过电化学手段进行。 
待用于复合体中的多层ZPZ箔可为非常长且实质上无端网的形式，其在使用之前可切割为任意尺寸和形状。 
多层装置可用作例如加热器中的加热元件，用于：摩托车防护衣(vest)、货运集装箱、风轮机转子叶片、对流式散热器、飞行器机翼前缘除冰、管道伴热(pipe tracing)、不可重设的熔丝温度保持、浴室镜、马桶座圈、食品箱保暖、宠物筐、浴室毛巾架、汽车和卡车外视镜玻璃、舒适和援救毯、室外LCD面板、天线杆、手术台、呼吸机过滤器、人用人工植入体、作业鞋、链锯把手和点火器、室外移动电话基础结构放大器和精馏室、水管除冰、运输车辆铅酸电池或者舒适加热的地板模块。这种情况下，PTC SIP复合物的断路温度可调节为25～170℃，优选为40～140℃。 
本发明还涉及多层装置，其为具有断路温度为40～70℃的架空索道座椅加热器、具有断路温度为40～70℃的交通镜加热器、具有断路温度为40～70℃的滑雪靴加热器、具有断路温度为70～140℃的液体填充散热器加热元件或者具有断路温度为40～70℃的燃料容器液位传感器。 
本发明还涉及多层装置，其中施加的电压为约3-240V、优选为约4.8、7.2、12、24、48、60、120或240V的DC或AC电压。 
在以下实施例和附图中更详细地描述本发明。 
图1a和1b显示根据本发明的可用作座椅加热器的绝缘多层ZPZ箔。该元件包括：粘合至0.136mm厚的导电PTC聚合物层3的两个0.012mm厚的铜箔1、2，所述层3夹在铜箔1、2之间。在每个铜箔外部，设置有0.075mm厚的绝缘聚酯层10、11。在铜箔1、2上分别布置有用于形成终端引线的两个电极条4、5，。 
图2a和2b显示根据本发明用于加热元件的多层ZPZ箔的不同实施方案。两个多层ZPZ箔的尺寸和形状实质上相同。图2a上的虚线显示与图2a中的多层ZPZ箔不同的图2b中的多层ZPZ箔的外部周边。另一方面，图2b中的虚线显示与图2b中的多层ZPZ箔不同的图2a中的多层ZPZ箔的外部周边。 
两个多层ZPZ箔均包括顶部金属层1、底部金属层2和中间PTC SIP 复合物层3。图2a中的多层ZPZ箔具有顶部金属终端引线4和底部金属终端引线5。 
与引线4和5不同，图2b中的多层ZPZ箔包括分别粘附于顶部金属层和底部金属层的延伸部6、7的顶部金属终端引线8和底部金属终端引线9。 
可利用本发明的多层ZPZ箔容易地切割出这种不同的形状、几何结构和尺寸的加热元件。此外，如图2a和2b所示，金属引线可无差别地连接至顶部和底部金属箔的任何地方。 
图3显示含有不同比例的炭黑颗粒和填料的硅氧烷聚合物的温度和体积电阻率之间关系的示意图。(A)是仅包含以下实施例中所述的CTC粉末的硅氧烷聚合物。(B)和(D)对应于以下实施例2和实施例1中分别描述的PTC SIP复合物。(C)、(E)和(F)对应于本发明的PTC SIP复合物的其它实施方案。 
实施例
在两个实施例中均使用以下材料： 
PDMS-聚二甲基硅氧烷， 
CB MT-中等尺寸炭黑，来自加拿大Cancarb Ltd的Thermax StainlessPowder N-908； 
CB FEF-快压出炉黑，来自德国Degussa AG的Corax 
Figure G52129056150138000D000071
N555； 
二氧化硅-Aerosil 
Figure G52129056150138000D000072
200，亲水的气相法二氧化硅，和 
偶联剂，其为来自Gelest，Inc的分子量为500-2500的乙烯基甲氧基硅氧烷均聚低聚物。 
Thermax Stainless Powder N-908具有低表面积和低结构。其表面化学不活泼并且相对没有有机官能团，并因此显示非常高的化学稳定性和耐热性。其由非造粒的均匀软颗粒组成。平均粒径为240nm。其在聚合物基体中容易分散。 
另一方面，Corax 
Figure G52129056150138000D000073
N555是具有高结构的半活性炭黑。其粒度分布为40～48nm，算术平均粒径为46.5nm。该颗粒形成肉眼可见的大聚集体。该粉末具有高的固有比电导率。其赋予聚合物基体高粘度。 
实施例1 
制备以下聚合物复合材料，百分比基于最终组合物的重量： 
1.PDMS 46.5％ 
2.CB MT(CTC粉末)41.2％ 
3.CB FEF(PTC粉末)5.2％ 
4.二氧化硅7.2％ 
还有0.36重量％的偶联剂，以PTC粉末的重量计。 
二氧化硅是必需的填料，以使基体流变学稳定和增大碳颗粒之间的距离。 
筛分粉末级分，加入液体偶联剂并且超声处理该混合物。所有组分混合为层叠在铜箔之间的硬材料。在利用穿过金属箔进入复合材料的电子束通过照射来实施固化之前，在约130℃下对该层叠物热处理24小时。获得的硅酮基体几乎完全地交联形成一个单独的分子。 
所获得的材料的断路温度为约45℃。 
将0.012mm厚的两个铜箔包围0.136mm厚的导电聚合物层的多层ZPZ箔结构连接至电源，该电源通过铜箔上的两个电极条(见附图1)供给48V的AC或DC电压。在打开电源之前，将该层状结构冷却至-22℃的温度。温度在17秒内升高至+45℃。最高平衡温度为+65℃。 
循环导通和切断电源给出相同的断路和平衡温度。 
实施例2 
制备以下聚合物复合物材料，百分比基于最终组合物的重量： 
1.PDMS 43.2％ 
2.CB MT(CTC粉末)50.0％ 
3.CB FEF(PTC粉末)4.5％ 
4.二氧化硅2.4％ 
还有0.36重量％的偶联剂，以PTC粉末的重量计。 
以和实施例1中相同的方式制备PTC SIP复合物。 
所获得的复合体具有约40℃的断路温度。 
将包括在0.012mm厚的两个铜箔之间存在0.074mm厚的PTC SIP复 合物层的多层ZPZ箔结构连接至电源，该电源通过铜箔上的两个电极条施加12V的AC或DC电压。在打开电源之前，将该层状结构冷却至-15℃的温度。温度在30秒内升高至5℃。最高平衡温度为35℃。 
通过改变1)PTC粉末和CTC粉末的比例、2)二氧化硅的比例、3)偶联剂的比例、4)照射剂量和5)照射温度，可调节断路温度和最高平衡温度。 
本发明的PTC SIP复合物是全新的PTC SIP复合物。早期的聚合物PTC材料基于结晶聚合物或者含有PTC型导电颗粒的弹性体聚合物和结晶聚合物的混合物。由于在熔点处的相变后的聚合物基体的热膨胀，导致电阻急剧上升。在此，由于熔体中颗粒的移动以及由于颗粒聚集体的破裂从而破坏了通过聚合物的导电路径。当聚合物冷却至低于熔点时，不是所有的导电路径都得到恢复。 
相反，本发明的PTC SIP复合物包括小比例的1)形成大的团簇和聚集体并具有高电导率的小导电颗粒(PTC粉末)，和大比例的2)不形成团簇并且具有相对低的导电率的大导电颗粒(CTC粉末)。CTC粉末以及二氧化硅填料对于调节PTC SIP复合物的流变性能是重要的。 
当材料受热时，其不经历任何相变。获得小的膨胀。然而，加热时，由于导电颗粒迁移率增加而获得导电性的重要改变。由于CTC粉末的固有的低比电导率，因此该粉末虽然在聚合物中大量存在，但却提供具有低电导率的电阻基体(base)。该电导率如图3的示意图中的直线(A)所示缓慢减小。 
另一方面，PTC粉末利用颗粒的高固有比电导率来提供电导率，所述颗粒通过大的团簇形成通过聚合物的导电通路。团簇在移动之前需要相当大的能量。然而，当最终移动时，它们迅速破坏导电通路，并且残留电导率是由CTC粉末形成的缓慢减小的基础电导率。最后，导电性在较高的温度(平衡温度)下消失。 
由于聚合物基体不经历任何相变，所以回到较低温度就迅速恢复原有的电导率。 
通过改变PTC粉末和CTC粉末之间的比例，可调节PTC SIP复合物的断路和最高温度，较高的PTC粉末比例通常产生较高的断路温度。此外，PTC聚集体的表面处理可影响断路温度。利用较高量的偶联剂得到的PTC 粉末与弹性体基体的强键合也可提高断路温度。然而，过多的PTC粉末和偶联剂可导致PTC特性的损失。 
当本发明的多层装置如座椅加热器在使用中由于金属层短路而受损时，通孔将烧穿加热器。然而，通孔处的金属箔边缘会熔融，使得金属边缘从所述孔处收缩，因此金属层不再彼此接触。当电流在金属层之间沿z-方向通过时，加热器除了受损部分以外将恢复其功能。在现有技术的座椅加热器中，电流经导电聚合物顶部上的印刷层或通过金属丝传送，这种损伤会永久性破坏电流并使得加热器无法使用。 
以上已经参考具体实施例描述了本发明。这些实施例并非意图限制本发明的范围。本发明的范围仅由以下权利要求所限定。 

Claims (27)

1.一种正温度系数PTC的叠加阻抗聚合物复合物，包括：实质上由非晶态聚合物组成的电绝缘基体、以及分散在所述基体中具有不同的表面能和电导率的第一和第二导电颗粒，由此所述PTC叠加阻抗聚合物复合物成为导电复合体，
其中所述非晶态聚合物是硅氧烷聚合物。
2.根据权利要求1所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，所述复合物的断路温度为25～170℃。
3.根据权利要求1所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，所述复合物的断路温度为40～140℃。
4.根据权利要求1所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述导电颗粒的含量为超过所述复合物的35重量％。
5.根据权利要求1所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述导电颗粒的含量为所述复合物的45～55重量％。
6.根据权利要求1所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述第一和第二导电颗粒包括具有不同的表面能和结构形态的炭黑。
7.根据权利要求6所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述第一导电颗粒包括具有低比表面积和低结构的热裂法炭黑，所述第二导电颗粒包括具有高结构和高比表面积的炉法炭黑。
8.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述热裂法炭黑的平均粒度为至少200nm。
9.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述热裂法炭黑的平均粒度为200-580nm。
10.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述热裂法炭黑的平均粒度为约240nm。
11.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述热裂法炭黑的通过氮气吸附确定的比表面积为约10m2/g。
12.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述炉法炭黑的粒度分布为20-100nm。
13.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述炉法炭黑的粒度分布为40-60nm。
14.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述炉法炭黑的粒度分布为40-48nm。
15.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述炉法炭黑的通过氮气吸附确定的比表面积为30-90m2/g。
16.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述炉法炭黑的通过氮气吸附确定的比表面积为约40m2/g。
17.根据权利要求7所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，包括：3.6-11重量％的所述炉法炭黑、35-55重量％的所述热裂法炭黑、2-13重量％的气相法二氧化硅填料以及35-48重量％的硅氧烷弹性体聚合物。
18.根据权利要求17所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，包括0.36-5.76重量％的偶联剂，以所述炉法炭黑的重量计。
19.根据权利要求18所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物，其中所述偶联剂是平均分子量为500-2500的线型硅氧烷低聚物。
20.一种多层的零-正-零温度系数箔，包括存在于第一和第二实质上平坦的金属箔之间的复合体，其中所述复合体是PTC叠加阻抗聚合物复合物，所述PTC叠加阻抗聚合物复合物包括实质上由非晶态聚合物组成的电绝缘基体、以及分散在所述基体中的第一和第二导电颗粒，所述复合体由此形成从所述第一金属箔延伸至所述第二金属箔的导电网络，所述第一和第二导电颗粒具有不同的表面能和电导率，其中所述复合体是根据权利要求1-19中任一项所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物。
21.根据权利要求20所述的多层的零-正-零温度系数箔，其中所述复合体的体积电阻率为超过0.1MΩcm的量级。
22.根据权利要求20或21所述的多层的零-正-零温度系数箔，包括在位于所述复合体和所述两个金属箔中每一个之间的界面处形成的中间层。
23.一种多层加热装置，包括实质上两维的复合体，所述复合体具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且包括由聚合物组成的电绝缘基体，所述基体包含分散其中的导电颗粒，
其中所述基体实质上由包含第一和第二导电颗粒的弹性体非晶态聚合物组成，所述复合体由此形成从所述复合体的所述第一表面延伸至所述相反的第二表面的导电网络，
所述第一和第二导电颗粒具有不同的表面能和电导率，
电极层粘附至所述复合体的每个所述表面，每个所述电极层由金属箔组成，所述金属箔制备用于连接至电极以在实质上垂直于所述电极层的方向上传输电流通过所述复合体，
其中所述非晶态聚合物是硅氧烷聚合物。
24.根据权利要求23所述的多层加热装置，其中所述复合体包括根据权利要求1-19中任一项所述的PTC叠加阻抗聚合物复合物。
25.根据权利要求23-24中任一项所述的多层加热装置，包括根据权利要求20-22中任一项所述的多层的零-正-零温度系数箔。
26.根据权利要求23-24中任一项所述的多层加热装置，包括连接至所述两个金属箔中每一个的一个电极和可连接至所述电极的电源。
27.根据权利要求23-24中任一项所述的多层加热装置，所述多层装置是断路温度为25-170℃的加热元件。
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