CN101519206A - 提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其利用三塔连续精馏提纯三氯氢硅和四氯化硅,将两塔设置改为三塔连续,通过调整工艺条件,使1#精馏塔塔顶气相采出为高纯三氯氢硅,液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液,该溶液进入2#精馏塔;2#塔塔顶将剩余的三氯氢硅和少量四氯化硅气相采出,冷凝后重回合成液中间罐,2#塔液相采出的四氯化硅和高沸硅烷进入3#精馏塔;3#塔对四氯化硅和高沸硅烷进行提纯,塔顶即为高纯的四氯化硅。本发明的工艺对产品收率、质量、应用及收益都有提高,且生产控制非常稳定,人员劳动强度大幅下降。
Description
技术领域
本发明涉及一种提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,尤其是一种利用三塔连续精馏提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺方法,属于硅化工领域。
背景技术
三氯氢硅、四氯化硅产品,主要用于作为有机硅、多晶硅的生产原料。其中三氯氢硅是生产有机硅以及多晶硅的一种基础原料,而四氯化硅主要用于生产有机硅偶联剂、白炭黑等产品。目前生产三氯氢硅都是采用硅粉与氯化氢在流化床反应,反应后的合成液再进入精馏塔内,通过两个精馏塔进行连续提纯的生产工艺。
中国专利CN2005102003344公开了一种三氯氢硅加压提纯方法及其装置,将待提纯的三氯氢硅、四氯化硅、氯硅烷混合液输入提纯塔的加料口,混合液经提纯塔下流至蒸馏釜,蒸馏釜压力为0.15MPa~1.5MPa、温度为70℃~200℃:从蒸馏釜出来的蒸汽进入提纯塔中进行热量与成分的交换与分离,提纯塔内的操作温度为40~150℃,沸点低的三氯氢硅组分在汽相中富集,沸点高的四氯化硅组分在液相中富集,经过多次汽化、冷凝,最终在汽相中得到三氯氢硅汽化组分,然后进入塔顶水冷凝器,经循环水冷却、冷凝成三氯氢硅液体。另外,中国专利CN1693192A提出了单塔分离三氯氢硅的提纯方法及其装置,但其产品中硼、磷等轻组分含量较高,虽然可满足太阳能电池级多晶硅的要求,但其质量尚属不足,而且分离效率较低、能耗较高;中国专利CN1010455362A提出了双塔分离三氯氢硅的工艺,但存在产品质量指标不稳定的问题,而且整个工艺需大量冷冻水并且能耗很大。
在三氯氢硅生产中,作为副反应,必然伴随产生一定量的四氯化硅,按照目前生产工艺,在生产中除四氯化硅外还有较多的其他副产物,因此产品的四氯化硅纯度仅能达到95.0%,一般该方法得到的三氯氢硅产品纯度尚可,但四氯化硅纯度较差,无法进行更深的应用。该品质的四氯化硅只能用于较低档次的产品应用,产品收益较差。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明所要解决的技术问题是,提供一种提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,以提高三氯氢硅和四氯化硅产品的纯度,提高产品收益。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是,一种提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其包括下列内容:
1、合成液储罐、1#精馏塔、2#精馏塔、3#精馏塔及其各自附属设备通过相应管线顺序连接在一起,储罐及各塔塔内的压力设定为依次降低;三氯氢硅原料液在压差作用下自合成液储罐中首先进入1#精馏塔,塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后,采出高纯三氯氢硅至储罐;
2、1#精馏塔塔底液相采出的溶液在压差作用下进入2#精馏塔,2#塔塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后得到混有少量四氯化硅的三氯氢硅液体,将该液体重回合成液储罐;
3、2#塔液相采出的溶液在压差作用下进入3#精馏塔,塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后,采出高纯四氯化硅至储罐;塔底液相采出至废液储罐或按规定排放。
上述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其包括下列内容:
1、首先三氯氢硅液体原料在压差作用下自合成液储罐中进入1#精馏塔中部,维持塔中设定的压力和温度;1#精馏塔塔顶气相采出经冷凝后部分回流,部分高纯三氯氢硅进入三氯氢硅储罐;塔底与再沸器连通,通过对精馏塔内的部分液相的加热维持调节塔内的温度稳定;1#精馏塔液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液;
2、1#精馏塔液相采出的溶液在压差作用下通过管线进入2#精馏塔的中部,维持塔中设定的压力和温度;2#塔塔顶气相采出溶液中剩余的三氯氢硅,并混有少量四氯化硅,经冷凝后部分回流,其余打入合成液储罐,重新进入1#塔进行提纯;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;2#塔液相采出为含四氯化硅和高沸硅烷的溶液;
3、2#塔液相采出的溶液在压差作用下通过管线进入3#精馏塔中部,维持塔中设定的压力和温度;3#精馏塔塔顶气相采出溶液中的四氯化硅,经冷凝后部分回流,部分高纯四氯化硅采出至四氯化硅储罐;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;塔底液相采出高沸硅烷等高沸物溶液,将该溶液存至废液储罐或按规定排放。
上述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其控制合成液储罐压力为0.50~0.60MPa,控制1#、2#、3#三座精馏塔压力分别为0.30~0.40MPa、0.15~0.25MPa、0.03~0.10MPa。
上述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其1#、2#、3#三座精馏塔的塔顶温度分别为60~90℃、50~80℃、60~90℃。
上述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其1#、2#、3#三座精馏塔所用冷凝器的冷媒均为普通循环水。
在三氯氢硅合成液提纯工艺中,本发明通过增加一个精馏塔将两塔设置改为三塔连续,使生产变成三塔连续精馏。通过调整工艺条件,使1#精馏塔塔顶气相采出为高纯三氯氢硅,液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液,该溶液进入2#精馏塔;2#塔塔顶将剩余的三氯氢硅采出,并采出少量四氯化硅,液体经冷凝后进入合成液中间罐,重新进入1#塔进行提纯,2#塔液相采出为四氯化硅和高沸硅烷进入3#精馏塔;3#塔对四氯化硅和高沸硅烷进行提纯,塔顶即为高纯的四氯化硅。
本发明的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,通过将两塔连续精馏改为三塔连续精馏,采用本方法进行生产,所得三氯氢硅、四氯化硅产品纯度、收率都达到很高水平,三氯氢硅纯度可由通常的99.0%提高到99.8%,四氯化硅纯度可由通常的95.0%提高到99.0%以上,对产品收率、质量、应用及收益都有一个很大的提高,且生产控制非常稳定,人员劳动强度大幅下降。
附图说明
下面结合附图及具体实施例对本发明进一步详细说明。
图1是本发明的生产工艺流程示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,三氯氢硅液体原料在压差作用下自压力为0.50MPa合成液储罐中进入压力为0.35MPa的1#精馏塔中部,塔顶温度60~65℃,塔底温度100~110℃,维持塔中设定的压力和温度;冷凝器的冷媒为普通循环水,1#精馏塔塔顶气相采出经冷凝器冷凝后部分回流,其余部分高纯三氯氢硅存入三氯氢硅储罐;塔底与再沸器连通,通过对精馏塔内的部分液相的加热维持调节塔内的温度稳定;1#精馏塔液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.20MPa的2#精馏塔的中部,塔顶温度55~60℃,塔底温度90~100℃,维持塔中设定的压力和温度;2#塔塔顶气相采出溶液中剩余的三氯氢硅,并混有少量四氯化硅,经冷凝器冷凝后部分回流,其余打入合成液储罐,重新进入1#塔进行提纯;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;2#塔液相采出为含四氯化硅和高沸硅烷的溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.05MPa的3#精馏塔中部,塔顶温度60~65℃,塔底温度100~110℃,维持塔中设定的压力和温度;3#精馏塔塔顶气相采出溶液中的四氯化硅,经冷凝后部分回流,部分高纯四氯化硅采出至四氯化硅储罐;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;塔底液相采出高沸硅烷等高沸物溶液,将该溶液存至废液储罐或按规定排放。得到的三氯氢硅纯度为99.9%,四氯化硅纯度为99.0%,而且生产控制非常稳定,人员劳动强度大幅下降。
实施例2
三氯氢硅液体原料在压差作用下自压力为0.55MPa合成液储罐中进入压力为0.40MPa的1#精馏塔中部,塔顶温度80~85℃,塔底温度120~130℃,维持塔中设定的压力和温度;冷凝器的冷媒为普通循环水,1#精馏塔塔顶气相采出经冷凝器冷凝后部分回流,其余部分高纯三氯氢硅存入三氯氢硅储罐;塔底与再沸器连通,通过对精馏塔内的部分液相的加热维持调节塔内的温度稳定;1#精馏塔液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.25MPa的2#精馏塔的中部,塔顶温度58~65℃,塔底温度100~110℃,维持塔中设定的压力和温度;2#塔塔顶气相采出溶液中剩余的三氯氢硅,并混有少量四氯化硅,经冷凝器冷凝后部分回流,其余打入合成液储罐,重新进入1#塔进行提纯;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;2#塔液相采出为含四氯化硅和高沸硅烷的溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.10MPa的3#精馏塔中部,塔顶温度65~67℃,塔底温度100~110℃,维持塔中设定的压力和温度;3#精馏塔塔顶气相采出溶液中的四氯化硅,经冷凝后部分回流,部分高纯四氯化硅采出至四氯化硅储罐;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;塔底液相采出高沸硅烷等高沸物溶液,将该溶液存至废液储罐或按规定排放。得到的三氯氢硅纯度为99.8%,四氯化硅纯度为99.1%。
实施例3
三氯氢硅液体原料在压差作用下自压力为0.60MPa合成液储罐中进入压力为0.30MPa的1#精馏塔中部,塔顶温度60~62℃,塔底温度90~105℃,维持塔中设定的压力和温度;冷凝器的冷媒为普通循环水,1#精馏塔塔顶气相采出经冷凝器冷凝后部分回流,其余部分高纯三氯氢硅存入三氯氢硅储罐;塔底与再沸器连通,通过对精馏塔内的部分液相的加热维持调节塔内的温度稳定;1#精馏塔液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.15MPa的2#精馏塔的中部,塔顶温度50~55℃,塔底温度85~95℃,维持塔中设定的压力和温度;2#塔塔顶气相采出溶液中剩余的三氯氢硅,并混有少量四氯化硅,经冷凝器冷凝后部分回流,其余打入合成液储罐,重新进入1#塔进行提纯;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;2#塔液相采出为含四氯化硅和高沸硅烷的溶液,该溶液在压差作用下通过管线进入压力为0.03MPa的3#精馏塔中部,塔顶温度60~62℃,塔底温度95~105℃,维持塔中设定的压力和温度;3#精馏塔塔顶气相采出溶液中的四氯化硅,经冷凝后部分回流,部分高纯四氯化硅采出至四氯化硅储罐;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;塔底液相采出高沸硅烷等高沸物溶液,将该溶液存至废液储罐或按规定排放。得到的三氯氢硅纯度为99.8%,四氯化硅纯度为99.1%。
Claims (5)
1、一种提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其包括下列内容:
a、合成液储罐、1#精馏塔、2#精馏塔、3#精馏塔及其各自附属设备通过相应管线顺序连接在一起,储罐及各塔塔内的压力设定为依次降低;三氯氢硅原料液在压差作用下自合成液储罐中首先进入1#精馏塔,塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后,采出高纯三氯氢硅至储罐;
b、1#精馏塔塔底液相采出的溶液在压差作用下进入2#精馏塔,2#塔塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后得到混有少量四氯化硅的三氯氢硅液体,将该液体重回合成液储罐;
c、2#塔液相采出的溶液在压差作用下进入3#精馏塔,塔顶气相采出物经蒸馏、冷凝、回流后,采出高纯四氯化硅至储罐;塔底液相采出至废液储罐或按规定排放。
2、根据权利要求1所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其包括下列内容:
a、首先三氯氢硅液体原料在压差作用下自合成液储罐中进入1#精馏塔中部,维持塔中设定的压力和温度;1#精馏塔塔顶气相采出经冷凝后部分回流,部分高纯三氯氢硅进入三氯氢硅储罐;塔底与再沸器连通,通过对精馏塔内的部分液相的加热维持调节塔内的温度稳定;1#精馏塔液相采出为含少量三氯氢硅的四氯化硅溶液;
b、1#精馏塔液相采出的溶液在压差作用下通过管线进入2#精馏塔的中部,维持塔中设定的压力和温度;2#塔塔顶气相采出溶液中剩余的三氯氢硅,并混有少量四氯化硅,经冷凝后部分回流,其余打入合成液储罐,重新进入1#塔进行提纯;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;2#塔液相采出为含四氯化硅和高沸硅烷的溶液;
c、2#塔液相采出的溶液在压差作用下通过管线进入3#精馏塔中部,维持塔中设定的压力和温度;3#精馏塔塔顶气相采出溶液中的四氯化硅,经冷凝后部分回流,部分高纯四氯化硅采出至四氯化硅储罐;塔底与再沸器连通,维持调节塔内的温度;塔底液相采出高沸硅烷等高沸物溶液,将该溶液存至废液储罐或按规定排放。
3、根据权利要求2所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其特征在于:其合成液储罐压力控制为0.50~0.60MPa,所述1#、2#、3#三座精馏塔内部压力分别为0.30~0.40MPa、0.15~0.25MPa、0.03~0.10MPa。
4、根据权利要求3所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其特征在于:其1#、2#、3#精馏塔的塔顶温度分别为60~90℃、50~80℃、60~90℃。
5、根据权利要求4所述的提纯三氯氢硅和四氯化硅的工艺,其特征在于:其1#、2#、3#三座精馏塔所用冷凝器的冷媒均为普通循环水。
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