CN101510017A - 源极驱动器的布线结构及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种源极驱动器的布线结构及其方法。该源极驱动器的布线结构包括多个焊垫及多个绕线。焊垫用以电性连接源极驱动器与外部电路。而绕线分别耦接于驱动通道与焊垫之间，以传送信号。另外，上述绕线分别包括多个电阻单元，且每一个电阻单元用以调整其对应绕线的电阻值，以最小化焊垫之间驱动能力的差异。

Description

源极驱动器的布线结构及其方法
技术领域
本发明涉及一种源极驱动器的布线结构及其方法，且特别是利用布线技术来最小化源极驱动器内焊垫之间驱动能力的差异。
背景技术
近几年来，液晶显示器(liquid crystal display，LCD)因具有低功率损耗、零辐射以及高空间利用等多项优点，而成为市场上的主流。源极驱动器为液晶显示器中重要的元件，其将数字数据信号转换成供显示画面的用的模拟信号，并输出模拟信号至显示面板上的每一个像素。
图1A为传统源极驱动器的布线结构方块图。请参照图1A，源极驱动器100的布线结构包括中央电路110、多个驱动通道C1～Cn以及多个焊垫P1～Pn。随着光电技术与半导体设备显著的进步，大荧幕的显示面板可提供人们更多视觉上享受。因此，源极驱动器100中驱动通道C1～Cn的数量会随的增加，且焊垫P1～Pn也必须要遵循布局规则布置于源极驱动器100周围，而布局规则如邻近焊垫之间的间距限制及焊垫P1～Pn的尺寸限制。焊垫P1～Pn分别耦接到驱动通道C1～Cn，以电性连接源极驱动器100与连向外部电路(未显示于图1A)的导线。中央电路110对数据驱动信号作信号处理，使源极驱动器100可以通过驱动通道C1～Cn与焊垫P1～Pn传送数据驱动信号至外部电路。
然而，驱动通道C1～Cn与焊垫P1～Pn之间的绕线长度(routing length)并不相同。举例来说，驱动通道C1与其焊垫P1之间的绕线长度较驱动通道Cj与其焊垫Pj之间的绕线长度来得长。绕线的电阻值随着绕线长度而改变，造成焊垫P1～Pn的输出驱动能力不一致。图1B为图1A中对应每一个驱动通道的绕线电阻值的曲线图。请参照图1A与图1B，在此假设有480个驱动通道。当驱动通道离源极驱动器110的距离越远，则绕线的电阻值变得越大。值得注意的是，在此例中，对应到驱动通道C240的绕线长度并非源极驱动器100中最短的绕线长度，所以对应到驱动通道C240所绕线的电阻值不会是最小值。如果焊垫P1～Pn的驱动能力不一致，便会使显示面板产生如带状不均匀(band mura)或串扰(cross talk)的情形，连带影响显示品质。因此，如何解决上述问题为此领域重要课题。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种源极驱动器的布线结构及其方法，其为利用布线技术来调整对应源极驱动器中各别动通道的绕线的电阻值，以最小化焊垫之间驱动能力的差异。于是，本发明能解决显示面板上所出现的带状不均匀及串扰问题，以获得优选的视觉品质。
本发明提供一种具有多个驱动通道的源极驱动器的布线结构，源极驱动器的布线结构包括多个焊垫与多个绕线，其中这些绕线分别包括多个电阻单元。焊垫用以电性连接源极驱动器与外部电路。绕线分别耦接于驱动通道与焊垫之间，以在驱动通道与焊垫之间传送信号。绕线所包括的电阻单元为用来调整绕线的电阻值，以最小化焊垫之间驱动能力的差异。
本发明提供一种具有多个驱动通道的源极驱动器的布线方法，在源极驱动器的布线方法中，源极驱动器的周围及其内部会形成多个焊垫，以电性连接源极驱动器与外部电路。而驱动通道与焊垫之间亦形成多个绕线，以分别耦接于驱动通道与焊垫之间，以及于二者之间传送信号。另外，于至少一绕线中形成的一导电层，以最小化焊垫之间驱动能力的差异。
本发明提供一种源极驱动器的布线结构及其方法，其采用布线技术来调整绕线的电阻值。绕线的工艺变异与绕线的长度会影响绕线的电阻值，使得焊垫之间驱动能力有所差异。因为显示面板的尺寸变大，源极驱动器的焊垫的驱动能力需维持相似，以避免显示面板上出现带状不均匀与串扰的问题。在布线结构与方法上，将电阻单元，亦即导电层，形成(或称整合)于绕线的中，以调整绕线的电阻值，及最小化焊垫之间驱动能力的差异。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本发明的优选实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。
附图说明
图1A为传统源极驱动器的布线结构方块图。
图1B为图1A中对应每一个驱动通道的绕线电阻值的曲线图。
图2为本发明的一实施例的源极驱动器的布线结构。
图3A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。
图3B及3C为本发明实施例图3A中电阻单元的布线图。
图4A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。
图4B为本发明实施例图4A中电阻单元的布线图。
图5A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。
图5B为本发明实施例图5A中电阻单元的布线图。
图6为本发明的一实施例对应图2驱动通道的绕线电阻值的曲线图。
图7为本发明的另一实施例对应图2驱动通道的绕线电阻值的曲线图。
图8为本发明的一实施例源极驱动器的布线方法的流程图。
附图标记说明
P1～Pn、PA1～PAn：焊垫
C1～Cn、Ch1～Chn：驱动通道
R1～Rn：电阻单元
100、200：源极驱动器
110、210：中央电路
230、330、430、530：绕线
310、410、510：焊垫
331、531：第二金属层
340、440、540：电阻单元
341、431、541：第一金属层
342、542：金属导孔
441：多晶硅
442：接触点
S801～S803：本发明实施例中源极驱动器的布线方法的步骤
具体实施方式
图2为本发明的一实施例的源极驱动器的布线结构。请参照图2，源极驱动器200具有多个驱动通道CH1～CHn，其中n为驱动通道的数量。经由源极驱动器200的驱动通道CH1～CHn，可以将数据驱动信号传送到数据线上的像素单元。源极驱动器200的布线结构包括中央电路210、多个焊垫PA1～PAn以及多个绕线230，其中绕线230分别包括多个电阻单元R1～Rn。中央电路210将数据驱动信号进行信号处理，以控制数据的传输。焊垫PA1～PAn用以电性连接源极驱动器200至外部电路，例如是像素单元(未显示于图2)。绕线230分别耦接于驱动通道CH1～CHn与焊垫PA1～PAn之间。绕线230所包括的电阻单元R1～Rn为用来调整绕线230的电阻值，以最小化源极驱动器的焊垫PA1～PAn之间驱动能力的差异。接下来将详细说明电阻单元R1～Rn。
如众所知，绕线230的电阻值会随着绕线的长度而改变，也就是说，绕线长度越长，则绕线230的电阻值也会越大，因此造成焊垫PA1～PAn的输出驱动能力不一致。请参照图2，对应驱动通道CHj的绕线230较对应驱动通道CH1的绕线230来得短。在本发明实施例中，对应驱动通道CHj的绕线230所包括的电阻单元Rj为应用来增加绕线的电阻值，且/或对应到驱动通道CH1的绕线230所包括的电阻单元Rj为应用来降低绕线的电阻值。
图3A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。请参照图3A，电阻单元340，例如为图2中的电阻单元Rj，包括一虚设线(dummy line)，且此虚设线电性串联绕线330，以增加绕线长度，其中绕线330耦接于焊垫310与驱动通道CHj之间。在本实施例中，虚设线为具有多个转折点的导线。为了方便说明，符号A、B标示出电阻单元340的两个端点，其分别经由绕线330耦接至驱动通道CHj与焊垫310。图3B为本发明实施例图3A中电阻单元的布线图。请参照图3A与图3B，电阻单元340所包括的虚设线为第一金属层341所组成的，而此虚设线电性串联至绕线330，其中绕线330亦为第一金属层341所组成的。图3C为本发明实施例图3A中电阻单元的另一布线图。请参照图3A与图3C，电阻单元340所包括的虚设线为第一金属层341所组成的，且此虚设线透过金属导孔(via)342而电性串联至由第二金属层331所组成的绕线330，其中第一金属层341与第二金属层331不相同。在本发明实施例中，绕线330的电阻值会随着虚设线的长度增长而变大。
图4A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。请参照图4A，电阻单元440，例如为图2中电阻单元Rj，包括了多晶硅(poly-silicon)，且此多晶硅电性串联于绕线430，其中绕线430耦接于驱动通道CHj与焊垫410之间。为了方便说明，符号A、B标示出电阻单元440的两个端点，且这两个端点分别经由绕线430而耦接至驱动通道CHj与焊垫410。图4B为本发明实施例图4A中电阻单元的布线图。请参照图4A与图4B，电阻单元440所包括的多晶硅441为一种具有导电性的材料，且多晶硅441透过接触点(contacts)442而电性串联至由第一金属层431所组成的绕线430。在本实施例中，绕线430的电阻值可依据多晶硅的长度来作调整。多晶硅的导电性较金属层弱，亦即使用多晶硅可以增加绕线430的电阻值。在本发明的另一实施例中，可以采用有源区(或称为扩散区)来取代多晶硅441，且有源区(未绘示于图4B)经由接触点442而电性串联至由第一金属层所组成的绕线430。
在上述实施例中叙述能增加绕线电阻值的布线结构及方法。图5A为本发明的一实施例的电阻单元的示意图。请参照图5A，电阻单元540，例如为图2中电阻单元R1或是Rn，包括一导线，且此导线电性并联于绕线530，其中绕线530耦接于驱动通道与焊垫510之间。为便于说明，符号A、B标示出电阻单元540的两个端点，且这两个端点分别经由并联的绕线530而分别耦接至驱动通道与焊垫510。图5B为本发明实施例图5A中电阻单元的布线图。请参照图5A与图5B，由第一金属层541所组成的导线透过金属导孔542而电性并联于第二金属层531所组成的绕线530。其中第一金属层541不同于第二金属层531。在本实施例中，两个不同的金属层并联可以减少绕线530的电阻值。
将上述实施例具体实行，则可适当地调整图2源极驱动器200中对应到驱动通道CH1～CHn的绕线电阻值。举例来说，利用本发明所述的实施例，将至少一绕线的电阻值调整为所有绕线的一平均电阻值。图6为本发明的一实施例对应图2驱动通道的绕线电阻值的曲线图。请参照图2与图6，假设源极驱动器200具有480条驱动通道，则图6显示出将对应驱动通道CH1～CH480的绕线电阻值调整为一定值。由于焊垫P1～Pn驱动能力不一致导致带状不均匀或串扰的问题，本实施例将焊垫PA1～PAn之间驱动能力的差异最小化，并降低了带状不均匀或串扰的出现的机率。
接下来将另举一实施例，以使本领域普通技术人员能易于实施本发明。请参照图2，如果良好地设计电阻单元R1～Rn来个别地调整绕线230的电阻值，则制造出产品(亦即源极驱动器200)的时间排程会很长，且电路设计(或是布线设计)也会变得复杂。在本实施例中，源极驱动器200的驱动通道CH1～CHn被分为多个组，且耦接其一组中所包含的驱动通道的电阻单元为相同。举例来说，假设源极驱动器200具有480条驱动通道CH1～CH480，且每32个驱动通道被区分为一组，则将电阻单元R1～R32设计为具有相同的布线结构、将电阻单元R33～R64设计为具有相同的布线结构，以此类推。
图7为本发明的另一实施例对应图2驱动通道的绕线电阻值的曲线图。请参照图2与图7，在区分源极驱动器200的驱动通道为多个组，且设计耦接至其一组中驱动通道的电阻单元为相同布线结构的前提下，绕线230的电阻值虽然不一致，但彼此之间只有微小的差异。因此，亦能最小化焊垫PA1～PAn之间驱动能力的差异。
依据上述实施例中，在此可归纳为下列的方法流程。图8为本发明的一实施例源极驱动器的布线方法的流程图。请参照图2与图8，在步骤S801中，将多个焊垫PA1～PAn形成于源极驱动器200周围及其内部，以电性连接源极驱动器200至外部电路。接着在步骤S802中，形成多个绕线230，其分别耦接于驱动通道CH1～CH480-与焊垫PA1～PAn之间，以传送信号。在步骤S803中，形成一导电层，并整合此导电层于至上述的绕线，以最小化焊垫PA1～PAn之间驱动能力的差异，其中导电层例如为金属层、多晶硅或者有源区三者的任一或是其组合。
综上所述，上述实施例将导电层(例如为金属层或是多晶硅)电性串联于绕线，以增加绕线的电阻值，以及将导电层(例如为金属层)电性并联于绕线，以降低绕线的电阻值。因此，透过调整绕线电阻值为一致或是使其彼此间只有微小的差异，则可最小化焊垫之间驱动能力的差异，以解决带状不均匀或串扰的问题。
虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (14)

1.一种源极驱动器的布线结构，其中该源极驱动器具有多个驱动通道，包括：
多个焊垫，用以电性连接该源极驱动器与一外部电路；
多个绕线，分别耦接于该些驱动通道与该些焊垫之间，以传送一信号于其中一驱动通道与其中一焊垫之间，且该些绕线分别包括：
多个电阻单元，用以调整该些绕线的电阻值，以最小化该些焊垫之间驱动能力的差异。
2.如权利要求1所述的布线结构，其中至少一电阻单元为一虚设线，用以电性串联至对应的该绕线，以增加对应的该绕线的长度。
3.如权利要求1所述的布线结构，其中至少一电阻单元为一导线，用以电性并联至对应的该绕线。
4.如权利要求1所述的布线结构，其中至少一电阻单元为一多晶硅，用以电性串联至对应的该绕线。
5.如权利要求1所述的布线结构，其中至少一电阻单元包括一有源区域，且该有源区域电性串联至对应的该绕线。
6.如权利要求1所述的布线结构，其中该些绕线的电阻值接近该些绕线的一平均电阻值。
7.如权利要求1所述的布线结构，其中该些驱动通道被区分为多个组，且耦接至其中一组中该些驱动通道的该些电阻单元为相同。
8.一种源极驱动器的布线方法，其中该源极驱动器具有多个驱动通道，包括：
形成多个焊垫于该源极驱动器的周围及内部，以电性连接该源极驱动器与一外部电路；
形成多个绕线，且该些绕线分别耦接于该些驱动通道与该些焊垫之间；以及
形成一导电层，其整合于至少一绕线，以最小化该些焊垫之间驱动能力的差异。
9.如权利要求8所述的布线方法，其中形成整合于该至少一绕线的该导电层的步骤包括：
形成由一第一金属层所组成的一虚设线，并经由多个金属导孔电性连接一第二金属层所组成的该至少一绕线，以增加该至少一绕线的长度，其中该第一金属层不同于该第二金属层。
10.如权利要求8所述的布线方法，其中形成整合于该至少一绕线的该导电层的步骤包括：
形成一虚设线电性连接至该至少一绕线，以增加该至少一绕线的长度，其中该虚设线及该至少一绕线为由一第一金属层所组成的。
11.如权利要求8所述的布线方法，其中形成整合于该至少一绕线的该导电层的步骤包括：
形成一第一金属层，并经由多个金属导孔电性并联至一第二金属层所组成的该至少一绕线，其中该第一金属层不同于该第二金属层。
12.如权利要求8所述的布线方法，其中形成整合于该至少一绕线的该导电层的步骤包括：
形成一多晶硅，并经由多个接触点电性连接该一第一金属层所组成的该至少一绕线。
13.如权利要求8所述的布线方法，其中形成整合于该至少一绕线的该导电层的步骤包括：
形成一有源区，并经由多个接触点电性连接一第一金属层所组成的该至少一绕线。
14.如权利要求8所述的布线方法，其中该至少一绕线的电阻值为该些绕线的一平均电阻值。
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