CN103871342A

CN103871342A - 用于栅极驱动的双边驱动装置、tft阵列基板及平板显示器

Info

Publication number: CN103871342A
Application number: CN201210539441.XA
Authority: CN
Inventors: 赖青俊; 黎蔚
Original assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Current assignee: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date: 2012-12-13
Filing date: 2012-12-13
Publication date: 2014-06-18
Anticipated expiration: 2032-12-13
Also published as: CN103871342B

Abstract

本发明公开了一种用于栅极驱动的双边驱动装置、TFT阵列基板及平板显示器，所述用于栅极驱动的双边驱动装置包括：左栅极驱动器，用于产生左栅极驱动信号；右栅极驱动器，用于产生右栅极驱动信号；至少一条栅极线，所述各栅极线两端分别与所述左栅极驱动器及所述右栅极驱动器相连，且每条栅极线上串接至少一个电阻。本发明能够抑制由于左栅极驱动信号和右栅极驱动信号不同步所产生的干扰，同时防止静电释放现象的出现，提升平板显示装置的显示品质。

Description

用于栅极驱动的双边驱动装置、TFT阵列基板及平板显示器

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种用于栅极驱动的双边驱动装置、TFT阵列基板及平板显示器。

背景技术

平板显示装置由于具有轻、薄、低功耗、低辐射等优点被广泛应用于诸如移动电话，笔记本电脑，电视等设备中。如图1所示的传统的用于栅极驱动的双边驱动装置，由于左右驱动器输出的栅极驱动信号存在不同步的现象，会导致面板显示出现异常。在4.5英寸高清液晶显示屏的视觉测试中，左右两边栅极驱动信号之间的延迟大约为50ns，在栅极线101中心流过的电流最大约为580μA，该电流导致液晶显示屏视觉测试闪烁。在大尺寸平板显示装置中，如图2所示，采用将栅极线201中间切断的方式，可消除左右两边栅极驱动信号不同步所带来的干扰，但是，栅极线中间悬空容易产生静电释放（ESD）。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提出一种用于栅极驱动的双边驱动装置、TFT阵列基板及平板显示器，以解决左右栅极驱动信号不同步所带来的干扰问题，同时防止静电释放（ESD）现象的出现，提升平板显示装置的显示品质。

为实现上述目的，本发明提出一种用于栅极驱动的双边驱动装置，包括：

左栅极驱动器，用于产生左栅极驱动信号；

右栅极驱动器，用于产生右栅极驱动信号；

至少一条栅极线，所述各栅极线两端分别与所述左栅极驱动器及所述右栅极驱动器相连，且每条栅极线上串接至少一个电阻。

进一步的，所述电阻为多晶硅（poly）电阻。

进一步的，所述电阻阻值大于等于50k Ω。

进一步的，所述电阻串接于所述栅极线长度的1/2处。

本发明还提出一种TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）阵列基板，包括所述双边驱动装置，还包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接至所述驱动装置的栅极线。

进一步的，所述TFT阵列基板还包括：源极驱动器，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线，所述数据线与所述源极驱动器相连，用于传输所述源极驱动信号。

本发明进一步提出一种平板显示器，包括用于栅极驱动的双边驱动装置和包含至少一个像素单元的像素阵列，所述双边驱动装置包括：

左栅极驱动器，用于产生左栅极驱动信号；

右栅极驱动器，用于产生右栅极驱动信号；

至少一条栅极线，所述双边驱动装置通过所述栅极线向所述像素阵列提供所述左或右栅极驱动信号，每行像素单元对应一条所述栅极线；

所述各栅极线两端分别与所述左栅极驱动器及所述右栅极驱动器相连，且每条栅极线上串接至少一个电阻。

进一步的，所述像素阵列还包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接至所述驱动装置的栅极线。

进一步的，所述平板显示器还包括：源极驱动器，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线，所述数据线与所述源极驱动器相连，用于传输所述源极驱动信号。

进一步的，所述电阻为多晶硅（poly）电阻。

进一步的，所述电阻阻值大于等于50kΩ。

进一步的，所述电阻串联于所述栅极线长度的1/2处。

本发明通过在栅极线上串联电阻，在抑制左右栅极驱动信号不同步所带来的干扰,同时还可以防止静电释放（ESD）现象的出现，保护驱动装置正常运作，提升平板显示装置的显示品质。

附图说明

图1是现有技术中用于栅极驱动的双边驱动装置的结构示意图。

图2是现有技术中另一种用于栅极驱动的双边驱动装置的结构示意图。

图3是本发明的第一实施例所提供的用于栅极驱动的双边驱动装置的结构示意图。

图4是本发明的第三实施例所提供的用于栅极驱动的双边驱动装置的结构示意图。

图5是本发明的第四实施例所提供的TFT阵列基板的示意图。

图6是本发明的第五实施例所提供的平板显示器的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图3示出了本发明的第一实施例。

根据本发明第一实施例所述的用于栅极驱动的双边驱动装置，如图3所示，本实施例所述的用于栅极驱动的双边驱动装置包括：左栅极驱动器301，右栅极驱动器302，至少一条栅极线303，其中，所述左栅极驱动器301用于产生左栅极驱动信号；所述右栅极驱动器302用于产生右栅极驱动信号；所述各栅极线303两端分别与所述左栅极驱动器及所述右栅极驱动器相连，且每条栅极线303上串接至少一个电阻304。

通过在栅极线上串联电阻，使得栅极线中间流过的干扰电流非常微小，有效的抑制了由于左右栅极驱动信号不同步所引起的干扰，同时也解决了将栅极线中间切断造成悬空而产生的静电释放（ESD）问题，提升了平板显示装置的显示品质。

下面介绍本发明的第二实施例。本实施例所述的用于栅极驱动的双边驱动装置与第一实施例中的结构基本相同，区别在于，本实施例中进一步优选的，所述电阻为多晶硅（poly）电阻，由表1的实验结果可以看出，所采用电阻的阻值越大，对干扰的抑制效果越好。表1中，所述串联阻值指串联在栅极线303上的电阻304的阻值，所述最大对流指在栅极线中心流过的最大干扰电流。当不串联电阻时，即表1中所示串联电阻的阻值为0Ω时，栅极线上的最大对流为584μA；当串联电阻的阻值为1kΩ时，栅极线上的最大对流为509μA；当串联电阻的阻值进一步增加至50kΩ时，栅极线上的最大对流减小至71μA；当串联电阻的阻值继续增大至1MΩ时，栅极线上的最大对流进一步减小至4μA；当串联电阻的阻值增大至10MΩ时，栅极线上的最大对流降至0.5μA，综合考虑实现成本及抑制效果，所述电阻阻值优选为大于等于50kΩ。

表1

串联阻值(Ω)	最大对流(μA)
		0	584
1k	509
		10k	240
50k	71

100k	38
		1M	4
10M	0.5

更进一步优选的，所述电阻串联于所述栅极线长度的1/2处。电阻串联于栅极线长度的1/2处对于左右栅极驱动信号不同步带来的干扰以及静电释放（ESD）过程中产生的电荷积累能够达到更加均衡的抑制效果。

在图4示出了本发明的第三实施例。

图4为根据本发明的第三实施例所述的TFT阵列基板，包括用于栅极驱动的双边驱动装置，还包括至少一个薄膜晶体管405，所述双边驱动装置包括：左栅极驱动器401，右栅极驱动器402，至少一条栅极线403，其中，所述左栅极驱动器401用于产生左栅极驱动信号；所述右栅极驱动器402用于产生右栅极驱动信号；所述各栅极线403两端分别与所述左栅极驱动器401及所述右栅极驱动器相连402，且每条栅极线403上串接至少一个电阻404；所述薄膜晶体管405的栅极连接至所述驱动装置的栅极线403。

进一步的，所述TFT阵列基板还包括：源极驱动器406，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线407，所述数据线407与所述源极驱动器406相连，并电连接至所述薄膜晶体管405的源极，所述数据线407用于传输所述源极驱动信号。需要说明的是，由于TFT区分为N型和P型，因而所述数据线也可以是电连接到另一型TFT的漏极。下文亦同，不再赘述。

通过在所述TFT阵列基板中所包含的所述双边驱动装置的栅极线上串联电阻，能够有效的抑制由于左右栅极驱动信号不同步所引起的流过栅极线的干扰电流，同时也解决了单纯将栅极线中间切断以抑制所述干扰电流造成的悬空而产生的静电释放（ESD）问题，使平板显示装置的显示品质得到提升。

在图5示出了本发明的第四实施例。

图5为根据本发明第四实施例所述的平板显示器。如图5所示，本实施例所述的平板显示器包括用于栅极驱动的双边驱动装置和包含至少一个像素单元503的像素阵列。所述双边驱动装置包括：左栅极驱动器501，用于产生左栅极驱动信号；右栅极驱动器502，用于产生右栅极驱动信号；至少一条栅极线504，所述双边驱动装置通过所述栅极线504向所述像素阵列提供所述左或右栅极驱动信号，每行像素单元对应一条所述栅极线；所述各栅极线两端分别与所述左栅极驱动器501及所述右栅极驱动器502相连，且每条栅极线504上串接至少一个电阻505。

通过在所述平板显示器中所包含的双边驱动装置的栅极线上串联电阻，能够有效的抑制由于左右栅极驱动信号不同步所引起的流过栅极线的干扰电流，同时也解决了为避免所述干扰电流将栅极线中间切断造成悬空而产生的静电释放（ESD）问题，使平板显示器的显示品质得到提升。

本实施例可以应用于所有依靠所述双边驱动装置提供的驱动信号来工作的平板显示器，包括但不限于液晶显示器。

图6示出了本发明的第五实施例。

本实施例所述的平板显示器与第四实施例的结构基本相同，区别在于，根据本实施例所述的平板显示器，其中，所述像素阵列还包括至少一个薄膜晶体管606，所述薄膜晶体管606的栅极连接至所述驱动装置的栅极线604，通过所述栅极线604向所述像素单元603提供左/右栅极驱动信号，以驱动所述像素阵列，使平板显示器工作。

进一步的，所述平板显示器还包括：源极驱动器607，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线608，所述数据线608与所述源极驱动器607相连，并与所述薄膜晶体管606的源极相连，用于传输所述源极驱动信号。

优选的，所述电阻605为多晶硅（poly）电阻，所采用电阻的阻值越大，其对干扰电流的抑制效果越好。综合考虑实现成本及效果，进一步优选的，所述电阻605阻值为大于等于50kΩ，更进一步优选的，所述电阻605串联于所述栅极线604长度的1/2处，从而对左右栅极驱动信号不同步带来的电流干扰以及工作过程中产生的电荷积累达到更加均衡的抑制效果。

需要说明的是，本发明上述所有实施例中所述的左栅极驱动器和右栅极驱动器只是为了更清楚地说明本发明的技术方案而作的指代和引述，左栅极驱动器是相对于右栅极驱动器而言的，同样右栅极驱动器也是相对于左栅极驱动器而言的，其名称和位置都不应被机械地理解为固定不变的，也不应以此来限制本发明；同理，所述左栅极驱动信号和右栅极驱动信号也是互为相对而言。另外，为了能更清晰地说明，上述所有实施例均以多条栅极线为典型进行论述，本领域技术人员可知，本发明所有实施例皆包含至少一条栅极线即可；相似地，以上实施例仅以每条栅极线上串接了一个电阻为例进行说明，但每条栅极线上串接多个电阻的情况也应当包含在本发明技术方案内。优选的，在每条栅极线上串接多个电阻的情况下，所有串接电阻的总阻值为50kΩ。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种用于栅极驱动的双边驱动装置，包括：

左栅极驱动器，用于产生左栅极驱动信号；

右栅极驱动器，用于产生右栅极驱动信号；

至少一条栅极线，

其特征在于，所述各栅极线两端分别与所述左栅极驱动器及所述右栅极驱动器相连，且每条栅极线上串接至少一个电阻。

2.一种TFT阵列基板，包括如权利要求1所述的双边驱动装置，还包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接至所述驱动装置的栅极线。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括：源极驱动器，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线，所述数据线与所述源极驱动器相连，用于传输所述源极驱动信号。

4.根据权利要求1所述的双边驱动装置，其特征在于，所述电阻为多晶硅电阻。

5.根据权利要求4所述的双边驱动装置，其特征在于，所述电阻阻值大于等于50kΩ。

6.根据权利要求4所述的双边驱动装置，其特征在于，所述电阻串接于所述栅极线长度的1/2处。

7.一种平板显示器，其特征在于，包括用于栅极驱动的双边驱动装置和包含至少一个像素单元的像素阵列，所述双边驱动装置包括：

左栅极驱动器，用于产生左栅极驱动信号；

右栅极驱动器，用于产生右栅极驱动信号；

8.根据权利要求7所述的平板显示器，其特征在于，所述像素阵列还包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极连接至所述驱动装置的栅极线。

9.根据权利要求8所述的平板显示器，其特征在于，还包括：源极驱动器，用于产生源极驱动信号；至少一条数据线，所述数据线与所述源极驱动器相连，用于传输所述源极驱动信号。

10.根据权利要求7所述的平板显示器，其特征在于，所述电阻为多晶硅电阻。

11.根据权利要求10所述的平板显示器，其特征在于，所述电阻阻值大于等于50kΩ。

12.根据权利要求10所述的平板显示器，其特征在于，所述电阻串联于所述栅极线长度的1/2处。