CN101500391A - 散热组件、包含该散热组件的芯片以及芯片散热方法 - Google Patents

Abstract

本发明披露一种散热组件、包含该散热组件的芯片以及芯片散热方法。根据本发明的散热组件包含第一散热构件。该第一散热构件进一步包含第一固定区域、第二固定区域以及自由区域。该第一固定区域位于该第一散热构件的一端并且选择性地固定于发热组件上，该第二固定区域位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域的另一端并且选择性地固定于该发热组件上。当该发热组件处于工作状态时，该散热组件产生翘曲形变致使该自由区域离开该发热组件。由此，可加强该发热组件的散热效率。

Description

散热组件、包含该散热组件的芯片以及芯片散热方法

技术领域

本发明涉及一种散热组件、包含该散热组件的芯片以及芯片散热方法，具体地，本发明涉及一种可翘曲形变以加强散热效率的散热组件、包含该散热组件的芯片以及芯片散热方法。

背景技术

近年来由于半导体科技快速发展，芯片的功能越来越多变化，并且其尺寸越来越小。对于单一芯片来说，越多变化的功能需要更多的信号传输引脚，另一方面，越小尺寸则代表芯片以及信号传输引脚的密集化。在如此大量化以及高密度的设计下，芯片所产生的热量比以前高出了许多，并且因为构造密集致使产生的热量更不容易扩散。因此，芯片散热技术成为半导体科技持续发展的重要研究课题。

在现有技术中，台湾专利第I264125号提出一种芯片散热组件，它在芯片上设置虚拟芯片，并在虚拟芯片上再设置散热单元。芯片工作时产生的热量，能通过虚拟芯片以及散热单元有效传递至外界，进而收到良好散热效果。另外，台湾专利第I255512号则提出另一种芯片散热方法，它以电镀方式在芯片主动面上形成整合型散热单元。可在芯片上大部分区域形成此整合型散热单元而不遮盖芯片上的接点，并且提供良好的散热功能。

然而，现有技术中的各种散热组件，多半单独通过传导或对流方式来加强芯片散热效果。对于加强芯片散热效果方面，单独利用传导或对流方式，所能增加的散热效率有限。

发明内容

因此，本发明的一个方面在于提供一种用于发热组件的散热组件，它同时通过传导和对流方式来加强发热组件的散热效率。

根据一个具体实施例，本发明的散热组件包含第一散热构件和第二散热构件。第一散热构件包含第一面以及相对于第一面的第二面，并且第一面部分固定在发热组件表面，第二散热构件则贴合第一散热构件的第一面或第二面。第一散热构件具有第一热膨胀系数，第二散热构件具有第二热膨胀系数，其中，第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数。在本具体实施例中，当发热组件处于工作状态时，发热组件所产生的热量将会传导至第一散热构件以及第二散热构件。由于第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数，因此第一散热构件受热膨胀的程度不同于第二散热构件，导致该散热组件产生翘曲形变。

此外，当散热组件产生翘曲形变时，发热组件产生的热量仍可通过第一面上固定于发热组件表面的部分继续传导至第一散热构件以及第二散热构件。因翘曲形变而使散热构造原本接触发热组件表面的其它部分掀起进而接触外界环境，这些额外形成与外界环境接触的面积可提供更多的热对流效果。

根据本发明的一种散热组件，设置于发热组件的表面上，该散热组件包含：第一散热构件，该第一散热构件包含第一固定区域，位于该第一散热构件的一端，并且该第一固定区域选择性地固定于该发热组件的该表面上；第二固定区域，位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域的另一端，并且该第二固定区域选择性地固定于该发热组件的该表面上；以及自由区域；其中，当该散热组件接受该发热组件的热量时，该散热组件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该发热组件。

根据本发明的散热组件，其中该第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且该散热组件进一步包含第二散热构件，贴合该第一散热构件，并且该第二散热构件具有与该第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；其中，当该散热组件接受该发热组件的热量时，该散热组件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

根据本发明的散热组件，其中该第一散热构件以及该第二散热构件用导热材料制成。

根据本发明的散热组件，其中当该发热组件的温度高于阈值温度时，该散热组件产生翘曲形变。

根据本发明的散热组件，其中该发热组件设置在支撑单元上，该支撑单元包含一个多层结构，并且该第一散热构件延伸自该多层结构中的一层。

本发明的另一个方面在于提供一种芯片散热组件，用于芯片上以加强芯片的散热效率。

根据一个具体实施例，本发明的芯片散热组件设置于芯片上，其包含第一散热构件以及第二散热构件。第一散热构件包含第一面以及相对于第一面的第二面，并且第一面部分固定于芯片表面，第二散热构件则贴合第一散热构件的第一面或第二面。第一散热构件具有第一热膨胀系数，第二散热构件则具有第二热膨胀系数，其中，第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数。在本具体实施例中，当芯片处于工作状态时，芯片产生的热量将会传导至第一散热构件以及第二散热构件。由于第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数，因此第一散热构件受热膨胀的程度不同于第二散热构件，导致该芯片散热组件产生翘曲形变。当芯片散热组件产生翘曲形变时，其加强散热效率的机制与上述具体实施例相同，在此不再赘述。

本发明的另一个方面在于提供一种芯片，具有一种可加强芯片散热效率的芯片散热组件。

根据一个具体实施例，本发明的芯片包含至少一个芯片散热组件。芯片散热组件设置于芯片表面，并包含第一散热构件以及第二散热构件。第一散热构件具有第一面以及相对于第一面的第二面，并且第一面部分固定于芯片表面，第二散热构件则贴合第一散热构件的第一面或第二面。第一散热构件具有第一热膨胀系数，第二散热构件则具有第二热膨胀系数，其中，第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数。在本具体实施例中，当芯片处于工作状态时，芯片产生的热量将会传导至第一散热构件以及第二散热构件。由于第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数，因此第一散热构件受热膨胀的程度不同于第二散热构件，导致芯片散热组件产生翘曲形变。当芯片散热组件产生翘曲形变时，它加强散热效率的机制与上述具体实施例相同，在此不再赘述。

根据本发明的一种芯片，包含芯片散热组件，设置在该芯片的表面上，该芯片散热组件包含：第一散热构件，具有第一固定区域、第二固定区域以及自由区域，该第一固定区域位于该第一散热构件的一端并且选择性地固定于该芯片的该表面上，该第二固定区域位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域的另一端并且选择性地固定于该芯片的该表面上；其中，当该芯片散热组件接受该芯片的热量时，该芯片散热组件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该芯片。

根据本发明的芯片，其中该第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且该芯片散热组件进一步包含：第二散热构件，贴合该第一散热构件，并且该第二散热构件具有与该第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；其中，当该芯片散热组件接受该芯片的热量时，该芯片散热组件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

根据本发明的芯片，其中该第一散热构件以及该第二散热构件用导热材料制成。

根据本发明的芯片，其中当该芯片的温度高于阈值温度时，该芯片散热组件产生翘曲形变。

根据本发明的芯片，其中该芯片设置于支撑单元上，该支撑单元包含多层结构，并且该第一散热构件延伸自该多层结构中的一层。

根据本发明的芯片，其中该芯片包含覆晶薄膜封装结构。本发明的另一个方面在于提供一种芯片散热方法，可加强芯片散热效率。

根据一个具体实施例，本发明的芯片散热方法包含下列步骤：首先，制备具有第一热膨胀系数的第一散热构件，第一散热构件具有第一面以及相对于第一面的第二面；接着，制备具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数的第二散热构件；之后，将第二散热构件贴合第一散热构件的第一面或第二面；最后，将第一散热构件的第一面部分固定在芯片表面上。

根据本发明的一种芯片散热方法，包含下列步骤：制备包含第一散热构件，该第一散热构件具有第一固定区域、第二固定区域以及自由区域，该第一固定区域位于该第一散热构件的一端，并且该第二固定区域位于该第一散热构件上相对于该第一固定区域的另一端；以及将该第一散热构件的该第一固定区域选择性地固定于芯片的表面上，并且将该第二固定区域选择性地固定于该芯片的该表面上；其中，当该第一散热构件接受该芯片的热量时，该第一散热构件选择性地产生翘曲形变，致使该自由区域离开该芯片。

根据本发明的芯片散热方法，其中该第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且该芯片散热方法进一步包含下列步骤：制备第二散热构件，该第二散热构件具有与该第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；以及将该第二散热构件贴合至该第一散热构件以形成芯片散热组件；其中，当该芯片散热组件接受该芯片的热量时，该芯片散热组件能根据该第一热膨胀系数以及该第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

根据本发明的芯片散热方法，其中该第一散热构件以及该第二散热构件用导热材料制成。

根据本发明的芯片散热方法，其中当该芯片的温度高于阈值温度时，该芯片散热组件产生该翘曲形变。

根据本发明的芯片散热方法，其中该芯片设置于支撑单元上，该支撑单元包含多层结构，并且该第一散热构件延伸自该多层结构中的一层。

根据本发明的芯片散热方法，进一步包含下列步骤：制备包含该多层结构的该支撑单元，并且将该芯片设置在该支撑单元上；以及部分移除该多层结构中的至少一层，致使该多层结构中的该层外露以作为该第一散热构件。

根据本发明的芯片散热方法，其中该芯片包含覆晶薄膜封装结构。

关于本发明的优点和精神可以通过以下的详细说明以及所附图式得到进一步的了解。

附图说明

图1示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件的侧视图。

图2A示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件固定至发热组件的侧视图。

图2B示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件固定至发热组件的侧视图。

图2C示出了根据本发明的另一个具体实施例的散热组件固定至发热组件的侧视图。

图2D示出了根据本发明的另一个具体实施例的散热组件固定至发热组件的侧视图。

图2E示出了根据本发明的一个具体实施例的发热组件的侧视图。

图2F示出了将图2E中的散热组件固定在发热组件上的侧视图。

图2G示出了根据本发明的另一个具体实施例将散热组件固定在发热组件上的侧视图。

图3A示出了根据本发明的一个具体实施例的芯片散热方法的步骤流程图。

图3B示出了根据本发明的另一个具体实施例的芯片散热方法的步骤流程图。

图4示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件固定在发热组件上的侧视图。

具体实施方式

参见图1，图1示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件1的侧视图。如图1所示，散热组件1包含第一散热构件10以及第二散热构件12。其中，第一散热构件10具有第一面100以及第二面102。在本具体实施例中，第二散热构件12贴合第一散热构件10，并且第二散热构件12的热膨胀系数不同于第一散热构件10的热膨胀系数。

参见图2A，图2A示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件1固定至发热组件2的侧视图。如图2A所示，第一散热构件10包含第一面100以及相对于第一面100的第二面102，第一面100进一步包含第一固定部分1000，并且第一固定部分1000位于第一面100的一侧。请注意，在实际应用中，第一固定部分1000不一定位于第一面100的一侧，根据使用者或设计者的需求而定(举例而言，第一固定部分1000也可位于第一面100的中间区域或其它适当的区域)。第二散热构件12贴合于第一散热构件10的第二面102，并且第一固定部分1000固定在发热组件2的表面，连同第一面100的其它部分接触发热组件2的表面。当发热组件2因工作或进行其它操作而产生热量时，其热量将会通过第一面100传导至第一散热构件10，再通过第二面102传导至第二散热构件12。在本具体实施例中，第一散热构件10的热膨胀系数大于第二散热构件12的热膨胀系数，因此，当发热组件2的温度高于阈值温度时，第一散热构件10受热膨胀的程度大于第二散热构件12受热膨胀的程度而导致散热组件1产生如图2A所示的翘曲形变，并由于第一固定部分1000固定于发热组件2表面，使得第一面100的其它部分暴露于外界环境而不接触发热组件2表面。

在本具体实施例中，当散热组件1发生翘曲形变时，由于第一面100部分暴露于外界环境中，加大了散热组件1与外界环境的接触面积，这些额外形成与外界环境接触的面积可提供更多的热对流效果。此外，发热组件2仍通过第一固定部分1000将热量传导至散热组件1。由此，散热构件1可加强发热组件2的散热效率。

参见图2B，图2B示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件1固定至发热组件2的侧视图。如图2B所示，本具体实施例与上述具体实施例的不同之处在于，第一散热构件10的面积大于第二散热构件12，并且第二散热构件12贴合于该第一散热构件10的第一面100。此外，第二散热构件12的热膨胀系数大于第一散热构件10的热膨胀系数，因此，当发热组件2温度高于阀值温度并传导热量至散热组件1时，散热组件1产生如图2B所示的翘曲形变导致第二散热构件12原本与发热组件2表面接触的部分暴露于外界环境中。

在实际应用中，上述具体实施例的第一散热构件10以及第二散热构件12用导热材料制成，并且，上述的阀值温度根据第一散热构件10以及第二散热构件12的热膨胀系数而定。举例而言，第一散热构件以热膨胀系数大于22ppm/℃或小于16ppm/℃的聚酰亚胺所制成，第二散热构件则以热膨胀系数为17ppm/℃的铜所制成，此时阀值温度约为70℃。换言之，当发热组件温度超过70℃时，以此两种材质所构成的散热组件将会产生翘曲形变。

参见图2C，图2C示出了根据本发明的另一个具体实施例的散热组件3固定至发热组件4的侧视图。如图2C所示，散热组件3包含第一散热构件30以及第二散热构件32。第一散热构件30包含第一面300以及相对于第一面300的第二面302，第一面300进一步包含第二固定部分3000以及第三固定部分3002，并且，第二固定部分3000与第三固定部分3002分别位于第一面300的两侧。第二散热构件32则贴合于第一散热构件30的第二面302，并且第二固定部分3000以及第三固定部分3002固定在发热组件4的表面，连同第一面300的其它部分接触发热组件4表面。由此，当发热组件4因工作或进行其它操作产生热量时，其热量将会通过第一面300传导至第一散热构件30，再通过第二面302传导至第二散热构件32。

在本具体实施例中，第二散热构件32的热膨胀系数大于第一散热构件30的热膨胀系数，因此，当发热组件4的温度高于阀值温度时，第二散热构件32受热膨胀的程度大于第一散热构件30受热膨胀的程度而导致散热组件3产生如图2C所示的翘曲形变，并由于第二固定部分3000以及第三固定部分3002固定于发热组件4表面，使第一面300的其它部分暴露于外界环境而不接触发热组件4表面。

当散热组件3发生翘曲形变时，由于第一面3000部分暴露于外界环境中，加大了散热组件3与外界环境的接触面积并形成微流道，这些额外形成的与外界环境接触的面积以及微流道可提供更多的热对流效果。此外，发热组件3仍通过第二固定部分3000以及第三固定部分3002将热量传导至散热组件3。由此，散热构件3可加强发热组件4的散热效率。

参见图2D，图2D示出了根据本发明的另一个具体实施例的散热组件3固定至发热组件4的侧视图。如图2D所示，本具体实施例与上述具体实施例的不同之处在于，第一散热构件30的面积大于第二散热构件32，并且第二散热构件32贴合于该第一散热构件30的第一面300。此外，第一散热构件30的热膨胀系数大于第二散热构件32的热膨胀系数，因此，当发热组件4温度高于阀值温度并传导热量至散热组件3时，散热组件3形成如图2D所示的翘曲形变导致第二散热构件32原本与发热组件4接触的表面暴露于外界环境中并且形成微流道。

同样地，在实际应用中，上述具体实施例的第一散热构件30以及第二散热构件32用导热材料制成，并且，上述的阀值温度根据第一散热构件30以及第二散热构件32的热膨胀系数而定。

参见图2E，图2E示出了根据本发明的一个具体实施例的发热组件5的侧视图。如图2E所示，本发明的发热组件5设置于支撑单元6之上。支撑单元6包含多层结构，其中一层向外延伸并包含第一散热构件60。第一散热构件60包含第一面600以及第二面602，其中，第一面600进一步包含第二固定部分6000以及第三固定部分6002，并且第二固定部分6000以及第三固定部分6002位于第一面600的相对两侧。第二散热构件62设置在第一面600之上，并且第二散热构件62的热膨胀系数小于第一散热构件60的热膨胀系数。请注意，在实际应用中，第二散热构件62也可以设置于第二面602之上，然而此时第二散热构件62的热膨胀系数必须大于第一散热构件60的热膨胀系数。第一散热构件60以及第二散热构件62形成散热组件64。此外，延伸出的该多层结构的层可反折，致使散热组件64贴合发热组件5(如图2F所示)，以帮助发热组件5散热。

参见图2F，图2F示出了图2E中散热组件64固定于发热组件5上的侧视图。如图2F所示，自支撑单元6延伸而形成的散热组件64，其第二固定部分6000以及第三固定部分6002固定于发热组件5的表面。发热组件5工作或进行其它操作时而产生的热量将会传导至散热组件64。在本具体实施例中，当发热组件温度高于阀值温度时，由于第二散热构件62的热膨胀系数小于第一散热构件60的热膨胀系数而导致散热组件64产生如图2F所示的翘曲形变，进而使第二散热构件62原本与发热组件5接触的表面暴露于外界环境中并且形成微流道。

参见图2G，图2G示出了根据本发明的另一个具体实施例的散热组件64固定于发热组件5上的侧视图。如图2G所示，本具体实施例与上一个具体实施例的不同之处，在发热组件5上设置多个散热组件64。在本具体实施例中，延伸出的该多层结构层的长度可大于发热组件5本身的长度。当该层反折贴合发热组件5时，该层超出发热组件5的部分可以再次反折而叠于该层贴合于发热组件5的部分上，致使散热组件64也相互迭合形成多层排列。当发热组件的温度高于阀值温度时，各散热组件64将会产生如图2G所示的翘曲形变并且形成多个微流道。

同样地，在实际应用中，上述具体实施例的第一散热构件60以及第二散热构件62用导热材料制成，并且阀值温度根据第一散热构件60以及第二散热构件62的热膨胀系数而定。

在上述各具体实施例中，发热组件包含各种在操作时会产生热量的组件，例如芯片，而散热组件则根据发热组件的种类、尺寸及/或其它参数设置于发热组件上，例如设置在芯片上的芯片散热组件。此外，在实际应用中，由于芯片散热组件以覆盖方式覆盖于芯片表面，因此该芯片散热组件可应用于如包含覆晶薄膜(Chip onFilm，COF)封装结构的芯片，或其它适当的芯片。

参见图3A，图3A示出了根据本发明的一个具体实施例的芯片散热方法的步骤流程图。如图3A所示，本具体实施例的芯片散热方法包含下列步骤：首先，在步骤S10中，制备具有第一面以及相对于第一面的第二面的第一散热构件，并且第一散热构件具有第一热膨胀系数；接着，在步骤S12中，制备具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数的第二散热构件；之后，在步骤S14中，将第二散热构件贴合至第一散热构件的第一面或第二面以形成芯片散热组件；最后，在步骤S16中，将第一散热构件的第一面部分固定于芯片的表面上。

当芯片工作或进行其它操作而产生热量，并且其温度高于阀值温度时，本具体实施例的芯片散热方法所产生的芯片散热组件将会形成翘曲形变，致使芯片散热组件中原本与芯片表面接触的其它部分，即除了第一面固定于芯片表面的部分以外的其它部分，暴露于外界环境中而加强芯片散热效果。

此外，当第一面只有单一部分固定于芯片表面并且第二散热构件贴合第一面时，第二散热构件的热膨胀系数大于第一散热构件的热膨胀系数，此时芯片散热组件受热产生翘曲形变后的外观如图2B所示；相对地，当第一面只有单一部分固定于芯片表面并且第二散热构件贴合第二面，第二散热构件的热膨胀系数小于第一散热构件的热膨胀系数，此时芯片散热组件受热产生翘曲形变后的外观如图2A所示。简言之，当第一面只有单一部分固定于芯片表面时，散热组件中原本接触芯片表面的散热构件的热膨胀系数大于另一散热构件的热膨胀系数。

另一方面，当第一面上的两侧固定于芯片表面并且第二散热构件贴合第一面，第二散热构件的热膨胀系数小于第一散热构件的热膨胀系数，此时芯片散热组件受热产生翘曲形变后的外观如图2D所示；相对地，当第一面上的两侧固定于芯片表面并且第二散热构件贴合第二面，第二散热构件的热膨胀系数大于第一散热构件的热膨胀系数，此时芯片散热组件受热产生翘曲形变后的外观如图2C所示。简言之，当第一面的两侧固定于芯片表面时，散热组件中原本接触芯片表面的散热构件的热膨胀系数小于另一散热构件的热膨胀系数。

参见图3B，图3B示出了根据本发明的另一个具体实施例的芯片散热方法的步骤流程图。如图3B所示，本具体实施例的芯片散热方法进一步包含下列步骤：在步骤S100中，制备包含多层结构的支撑单元，用于支撑芯片；在步骤S102中，移除多层结构中至少一层的一部分，使多层结构中的一层外露以作为第一散热构件；以及，在步骤S160中，将芯片设置于支撑单元上。请注意，在实际应用中，将芯片设置在支撑单元的步骤不限于本具体实施例所给定的步骤顺序，而根据不同芯片及其封装过程决定。因此，依据上述芯片散热方法所制备的支撑单元，其多层结构中的一层延伸以形成第一散热构件(如前述的图2E所示)。此外，本具体实施例的芯片散热方法的其它步骤与前一个具体实施例相对应的步骤相同，在此不再赘述。另外，根据另一个具体实施例，上述的步骤S102也可与后续的步骤S12以及步骤S14结合，即多层结构进一步包含与形成第一散热构件的该层相邻的另一层，此另一层的一部分形成第二散热构件，接着移除多层结构中至少一层的一部分，使第一散热构件以及第二散热构件外露形成如图2E所示的外观。因此，第二散热构件可直接在多层结构内形成，而不须再经过贴合第二散热构件至第一散热构件的步骤。

同样地，在实际应用中，上述具体实施例的第一散热构件以及第二散热构件用导热材料制成，并且，上述的阀值温度根据第一散热构件以及第二散热构件的热膨胀系数而定。此外，在实际应用中，由支撑单元的多层结构延伸以形成散热组件的芯片散热方法，适用于覆晶薄膜(Chip on Film，COF)封装结构。

此外，本发明的散热组件并不限于双层散热构件。参见图4，图4示出了根据本发明的一个具体实施例的散热组件7固定至发热组件8的侧视图。如图4所示，散热组件7包含第一固定区域70以及第二固定区域72，此两固定区域固定于发热组件8之上，连带自由区域74接触发热组件8。发热组件8因工作或进行其它操作而产生的热量将传导至散热组件7，并且当发热组件8的温度超过阈值温度时，散热组件7产生将如图4所示的翘曲变形。由此，散热组件7的自由区域74离开发热组件8并与外界环境接触，此外，散热组件7的翘曲形变更进一步形成微流道以帮助散热。

在实际应用上，散热组件7可以是单层、三层或是多层散热结构，而不限于双层散热结构。然而，非双层散热结构可能会造成散热过程非预期的效果。举例而言，单层散热结构的散热组件在受热时所产生的翘曲变形，可能使自由区域抵触发热组件而对发热组件施加压力，进一步对散热组件或发热组件造成损伤。

另外，根据本发明的另一个具体实施例，散热组件可以由形状记忆合金制成，形状记忆合金能在一定温度条件下恢复成原来形状。形状记忆合金分成单程记忆效应、双程记忆效应以及全程记忆效应三种，其中，双程记忆效应以及全程记忆效应的形状记忆合金可控制它在相对高温以及相对低温时的形状，因此散热组件可以由两种形状记忆合金制成。上述形状记忆合金制成的散热组件，可被设计成受热产生翘曲变形时其自由区域离开发热组件表面，以避免散热组件抵触发热组件而对发热组件施加压力甚至造成损伤。综上所述，利用形状记忆合金制成的散热组件能根据温度条件控制翘曲变形，达到增大暴露于外界环境的面积甚至形成微流道结构而加强散热组件的散热效果。

与现有技术相比，本发明的散热组件在发热组件的温度高于阀值温度时，散热组件将会产生翘曲形变，导致散热组件与外界环境接触面积变大甚至形成微流道，进而加强发热组件的散热效率。

通过以上优选具体实施例的详细描述，希望能更加清楚地描述本发明的特征与精神，而不是用上述所披露的优选具体实施例来对本发明的范围加以限制。相反地，其目的是希望在本发明所申请的专利保护范围内包括各种改变及等效性的安排。因此，本发明所申请的专利保护范围应该根据上述的说明作最宽广的解释，以使其涵盖所有可能的改变以及等效性的安排。

主要组件符号说明

1、3、64、7：散热组件

10、30、60：第一散热构件

100、300、600：第一面

102、302、602：第二面

12、32、62：第二散热构件

1000：第一固定部分

3000、6000：第二固定部分

3002、6002：第三固定部分

2、4、5、8：发热组件

6：支撑单元

S10～S16：流程步骤

S100、S102、S160：流程步骤

70：第一固定区域

72：第二固定区域

74：自由区域

Claims (10)

1.一种散热组件，设置于发热组件的表面上，所述散热组件包含：

第一散热构件，包含

第一固定区域，位于所述第一散热构件的一端，并且所述第一固定区域选择性地固定于所述发热组件的所述表面上；

第二固定区域，位于所述第一散热构件上相对于所述第一固定区域的另一端，并且所述第二固定区域选择性地固定于所述发热组件的所述表面上；以及

自由区域；

其中，当所述散热组件接受所述发热组件的热量时，所述散热组件选择性地产生翘曲形变，致使所述自由区域离开所述发热组件。

2.根据权利要求1所述的散热组件，其中所述第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且所述散热组件进一步包含

第二散热构件，贴合所述第一散热构件，并且所述第二散热构件具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；

其中，当所述散热组件接受所述发热组件的热量时，所述散热组件能根据所述第一热膨胀系数以及所述第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

3.根据权利要求1所述的散热组件，其中当所述发热组件的温度高于阀值温度时，所述散热组件产生翘曲形变。

4.根据权利要求1所述的散热组件，其中所述发热组件设置在支撑单元上，所述支撑单元包含一个多层结构，并且所述第一散热构件延伸自所述多层结构中的一层。

5.一种芯片，包含

芯片散热组件，设置在所述芯片的表面上，所述芯片散热组件包含：

第一散热构件，具有第一固定区域、第二固定区域以及自由区域，所述第一固定区域位于所述第一散热构件的一端并且选择性地固定于所述芯片的所述表面上，所述第二固定区域位于所述第一散热构件上相对于所述第一固定区域的另一端并且选择性地固定于所述芯片的所述表面上；

其中，当所述芯片散热组件接受所述芯片的热量时，所述芯片散热组件选择性地产生翘曲形变，致使所述自由区域离开所述芯片。

6.根据权利要求5所述的芯片，其中所述第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且所述芯片散热组件进一步包含：

第二散热构件，贴合所述第一散热构件，并且所述第二散热构件具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；

其中，当所述芯片散热组件接受所述芯片的热量时，所述芯片散热组件能根据所述第一热膨胀系数以及所述第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

7.根据权利要求5所述的芯片，其中当所述芯片的温度高于阀值温度时，所述芯片散热组件产生翘曲形变。

8.根据权利要求5所述的芯片，其中所述芯片设置于支撑单元上，所述支撑单元包含多层结构，并且所述第一散热构件延伸自所述多层结构中的一层。

9.一种芯片散热方法，包含下列步骤：

制备包含第一散热构件，所述第一散热构件具有第一固定区域、第二固定区域以及自由区域，所述第一固定区域位于所述第一散热构件的一端，并且所述第二固定区域位于所述第一散热构件上相对于所述第一固定区域的另一端；以及

将所述第一散热构件的所述第一固定区域选择性地固定于芯片的表面上，并且将所述第二固定区域选择性地固定于所述芯片的所述表面上；

其中，当所述第一散热构件接受所述芯片的热量时，所述第一散热构件选择性地产生翘曲形变，致使所述自由区域离开所述芯片。

10.根据权利要求9所述的芯片散热方法，其中所述第一散热构件具有第一热膨胀系数，并且所述芯片散热方法进一步包含下列步骤：

制备第二散热构件，所述第二散热构件具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；以及

将所述第二散热构件贴合至所述第一散热构件以形成芯片散热组件；

其中，当所述芯片散热组件接受所述芯片的热量时，所述芯片散热组件能根据所述第一热膨胀系数以及所述第二热膨胀系数的差异选择性地产生翘曲形变。

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