CN101467222A

CN101467222A - 磁通引导的、大电流感应器

Info

Publication number: CN101467222A
Application number: CN200680054707.4A
Authority: CN
Inventors: T·T·汉森; J·J·霍夫曼
Original assignee: Vishay Dale Electronics LLC
Current assignee: Vishay Dale Electronics LLC
Priority date: 2006-04-26
Filing date: 2006-08-18
Publication date: 2009-06-24
Anticipated expiration: 2026-08-18
Also published as: WO2007123564A1; CN101467222B; JP2009535804A; CN102646498A; JP2012069969A; HK1132368A1; US7864015B2; US20070252669A1; EP2011130A1

Abstract

一种磁通引导的大电流感应器(30)，包括：具有第一端和相对的第二端的感应器主体(12、14)；以及延伸穿过所述感应器主体的导体(32、34)。所述导体包括穿过所述感应器主体的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流(36、40)感应的磁通量(50、52、54、56)导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。感应器主体可以由第一铁磁板(12)和第二铁磁板(14)形成。感应器可以由单元件磁心形成并具有一个或多个狭缝(16)用于规定电感。感应器可以由磁粉形成。提供了一种用于制造磁通引导的大电流感应器的方法。

Description

磁通引导的、大电流感应器

背景技术

薄断面感应器通常规定为断面小于约10mm的感应器，其今天以铁氧体的形式存在，该铁氧体具有独特的几何结构和围绕缠绕的线圈的压制的铁粉。基于铁氧体的薄断面感应器在相对小的电流水平具有固有的磁饱和限制。当发生磁饱和时，电感值显著降低。

压制的铁感应器比铁氧体感应器容许大得多的输入电流，但是具有在高频(诸如高于100kHz的频率)产生高的磁心损耗的限制。所需的是在高频提供电感的、容许大输入电流的有效构件。

发明内容

因此，本发明的主要目的、特征、或优点是改进该技术的状况。

本发明的另一目的、特征、或优点是提供感应器，其在薄的封装中在大纹波电流(>5A)和高频率(>100kHz)时具有较低的磁心损耗，并且还具有铁粉的高饱和电流性能。

本发明的另一目的、特征、或优点是使用粘接剂膜厚度来调整电感特性。

本发明的另一目的、特征、或优点是使用分摊导体几何结构，其将磁通量细分，从而降低了磁性材料的薄的截面中的磁通密度。

本发明的另一目的、特征、或优点是使用高饱和磁性材料的层来从低饱和磁性材料的层引导DC感应的磁通，增加了电感和饱和电流能力，并且还由此通过使用低饱和铁氧体材料来提供较低的高频损耗。

本发明的另一目的、特征、或优点是使用薄粘接剂膜来设定部件的电感水平并将铁磁板与仪器结合到一起。

本发明的另一目的、特征、或优点是容许使用多个导体环来限定电感和/或增大饱和电流。

本发明的另一目的、特征、或优点是提高感应器在保持电感的同时有效地处理更大的DC的能力。

本发明的这些和/或其它目的、特征、或优点中的一个或多个将从本发明的下述描述变得明显。

根据本发明的一方面，提供了一种磁通引导的大电流感应器。所述感应器包括：具有第一端和相对的第二端的感应器主体；以及延伸穿过所述感应器主体的导体。所述导体包括穿过所述感应器主体的横截面区域的多个分开的通道，由此分摊由流过所述导体的电流感应的磁通量并降低了磁通密度。所述导体的第一和第二部分围绕所述第一端的部分卷绕以设置第一和第二接触垫，且所述导体的第三部分围绕所述第二端的部分卷绕以设置第三接触垫。

所述感应器主体可以由第一铁磁板和第二铁磁板形成。替代地，所述感应器主体可以由单元件磁心制造，该单元件磁心或者在通道之间具有狭缝，或者在感应器的每个侧面和对应的通道之间具有狭缝。替代地，所述感应器可以由压制的磁粉形成。

根据本发明的一方面，提供了一种磁通引导的大电流感应器。所述感应器包括：第一铁磁板和第二铁磁板。在所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间具有导体，所述导体具有穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此分摊由流过所述导体的电流感应的磁通量并降低了磁通密度。在所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间可以有粘接剂膜，所述粘接剂膜的厚度用于限定所述感应器的电感特性。

本发明的另一实施例增加了高饱和铁磁片的使用。第一片部分置于所述第一铁磁板上，且第二片部分置于所述第二铁磁板上。优选地，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一和第二铁磁板的磁导率要高的磁导率，使得DC感应的磁通量被从所述铁磁板分流并流过所述片。

本发明的另一方面提供了一种制造磁通引导的大电流感应器的方法。所述方法包括：设置具有第一端和相对的第二端的感应器主体；以及安置导体，所述导体延伸穿过所述感应器，并形成穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此分摊由流过所述导体的电流感应的磁通量并降低了磁通密度。所述方法还可以包括围绕所述第一端的部分来卷绕从所述感应器主体的所述第一端延伸的所述导体的第一和第二部分，以形成第一接触垫和第二接触垫。所述方法还可以包括围绕所述第二端的部分卷绕所述导体的第三部分，以形成第三接触垫，所述第三部分从所述感应器主体的第二端延伸。所述感应器主体可以包括第一铁磁板和第二铁磁板。所述感应器主体可以包括单元件磁心。在所述感应器主体是单元件磁心的地方，所述方法还可以包括在所述感应器主体的中间部分、在分开的通道的两个之间切割单个狭缝，或在第一通道和所述感应器主体的第一侧面之间切割第一狭缝以及在第二通道和所述感应器主体的第二侧面之间切割第二狭缝。所述感应器主体可以还可以是压制的磁粉感应器。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造磁通引导的大电流感应器的方法。所述方法包括：设置第一铁磁板和第二铁磁板；以及将导体置于所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间，由此形成穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此分摊由流过所述导体的电流感应的磁通量并降低了磁通密度。所述方法还可以包括在所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间使用粘接剂膜来连接所述第一铁磁板和所述第二铁磁板，所述粘接剂膜的厚度用于限定所述感应器的电感特性。所述铁磁板中的至少一个可以具有沟槽，所述导体安置于所述沟槽内。所述方法还可以包括在所述第一铁磁板上施加第一片部分和在所述第二铁磁板上施加第二片部分，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率要高的磁导率，使得在所述感应器的操作中，DC感应的磁通量被通过所述片从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板分流走。

附图说明

图1是没有磁通引导的现有技术感应器的横截面；

图2是本发明的磁通引导的感应器的一个实施例的横截面；

图3是本发明的具有分开的铁磁板的、磁通引导的感应器的一个实施例的透视图；

图4是双环导体感应器的一个实施例的透视图；

图5是用于单环导体感应器中的铁磁板的一个实施例的透视图；

图6是本发明的薄断面、大电流感应器的一个实施例的透视图；

图7是薄断面、大电流感应器的一个实施例的透视图；

图8是磁通引导的DC分流感应器的一个实施例的横截面；

图9是磁通引导的DC分流感应器的完成的组件；

图10是示例制造根据本发明的感应器的一种方法的流程图；

图11是示出本发明的不存在导体的、侧面有缺口的感应器的一个实施例的透视图；

图12是示出本发明的存在导体的、侧面有缺口的感应器的一个实施例的透视图；

图13是本发明的侧面有缺口的感应器的一个实施例的正视图；

图14是本发明的不存在导体的、中心有缺口的感应器的一个实施例的透视图；

图15是本发明的存在导体的、中心有缺口的感应器的一个实施例的透视图；

图16是本发明的中心有缺口的感应器的一个实施例的正视图；

图17是本发明的不存在导体的、压制的磁粉实施例的一个实施例的透视图；

图18是本发明的存在导体的、压制的磁粉实施例的一个实施例的透视图；

图19是示例本发明的方法学的一个实施例的图示。

具体实施方式

本发明包括高效、薄断面、大电流感应器。在本发明的一个实施例中，两个铁磁板由薄的粘接剂膜分开。粘接剂膜优选地由一层固体B阶环氧树脂组成，该层的制造厚度是严格受控的。薄的粘接剂膜的替代形式具有诸如玻璃纤维或KAPTON(聚酰亚胺)胶带的固体强化物。使用粘接剂膜在元件的效果中起双重作用。选择粘接剂的厚度，以提高或降低部件的电感。小的粘接剂膜厚度产生具有大电感水平的感应器。厚的粘接剂膜减小部件的电感并提高对大输入电流的磁饱和阻抗。从而，能够选择粘接剂膜的厚度，以调整的部件的电感来用于特定应用。粘接剂的第二作用是将部件永久地结合到一起，由此使得组件对机械负载是鲁棒的。

铁磁板能够由任何软磁材料制造，软磁材料诸如是铁氧体、钼坡莫合金(MPP)、铁硅铝合金、铁镍或铁粉。优选的材料是铁氧体，因为其在高频具有低的磁心损耗并且是前述材料中最便宜的。

现有技术告诉我们，能够将单个铜带放置在两个铁氧体部件之间以制作感应器。虽然这在制作低值、高频感应器中是有效的，但是它限制了感应器能够没有饱和地处理的输入电流的量。饱和的主要原因来自由铜感应的所有磁通量流过窄的横截面区域的事实。图1示例单铜带感应器中的磁通图。

图1中，感应器10具有第一铁磁板12和第二铁磁板14。在第一铁磁板12和第二铁磁板14之间具有间隔16。由通过单铜带导体18的电流感应的磁通量在每个板12、14之间分摊。使用标号示出了输入电流20，以表示电流是流入页面里面。箭头22、24、26、28表示由通过导体18的电流20感应的磁通量的方向。需要注意，由铜导体18中的电流感应的所有磁通量流过窄的横截面22、26区域，由此成为饱和的主要原因。

本发明使用技术来引导由施加的电流产生的磁通量通过两个或更多个横截面区域并因此降低任何一个横截面区域中的磁场密度。图2示例磁通量流过本发明的感应器30的一个实施例的铁磁心材料的方式。如图2中所示，导体29是类似U的形状，并且在第一铁磁板12和第二铁磁板14之间。U形导体29具有第一通道32和第二通道34。输入电流36示为指向页面里面并且输出电流40示为从页面出来。箭头50、52、54、以及56用于示出感应的磁通。以此方式引导磁通量显著地增加了能够施加于感应器的电流的量。由通过导体的电流感应的磁通量被迫在感应器30的每一半中分摊。归因于此引导，磁性水平从而是单个铜带的一半。能够将数个导体环放入感应器中，以进一步降低通过任何一个横截面区域的磁通量密度。不管是使用单个还是多个环，导体和板的几何结构是经选择的，以便合适地引导磁通。

图3示例本发明的另一实施例。这里两个铁磁板56、58以由薄粘接剂膜(未示出)的厚度设定的距离组合到一起。在一个板58中具体化的是通道53，导体51放置于通道53中。图3中示出了单环导体感应器50，然而，本发明还可使用多个导体环感应器。例如，电流输入左导体52，流过元件，并从右导体54输出。使用拇指指向电流方向的右手定则产生磁通量。右手定则显示环的内部具有向下流入下铁磁板56并输出环外进入上铁磁板58的磁通量。如能够看见的，总磁通量在上58和下56板中以二的因子降低。归因于导体51的延伸的长度和几何结构，增大了部件50的电感。

如图4中所示，感应器60能够包括导体64，导体64具有置于铁磁板60上的多环几何结构。利用多环几何结构，提高了电感和磁饱和处理能力，因为存在多个磁通量路径。

图5、6和7描绘用于在电路板上实施的感应器70和90的一个实施例。第一铁磁板70示出为具有顶部部分78和底部部分84。沟槽74和76切入铁磁板70中。如图5中最佳地所示的，沟槽74和76从铁磁板70的第一侧面80延伸至板70的相对的第二侧面82。还示出了铁磁板70的相对的第三和第四侧面78、72。

导体86具有第一段92和第二段88，并且如图7中所示，导体86围绕第二铁磁板94弯曲，以形成三个焊接表面93、95、97。两个导体端子93、95用于施加电力给感应器90。较宽的端子97用于焊接元件90至电路板上的不导电的地方，以提供支撑。

本发明设想使用多种方法学来构造感应器。为了构造磁通引导的、大电流感应器，感应器的一个侧面由TAK Ferrite制造的锰-锌制成并放置在夹具(fixture)中。附加的铁氧体元件放在夹具中，以由此产生用于制造新元件及至150个或更多部件的大阵列的能力。铜导体的带设置在放置的铁氧体元件的顶部，成形的导体部分装配到元件的沟槽中。诸如Dupont的PYRALUX Bondply的膜粘接剂放置在导体和铁氧体元件之上。第二感应器元件用于组件中。其是由TAK Ferrite制造的锰-锌铁氧体。多个铁氧体元件放置在第二夹具中。对每个铁氧体元件进行精确定位，使得其与另一夹具的第一铁氧体元件相匹配。包含两个铁氧体元件、导体和膜粘接剂的两个夹具匹配到一起。将负载施加到夹具组件，以在每个部件上产生50-200psi的匹配压力。将组件加热至大约160-200摄氏度直至1小时，以活化粘接剂中的固化剂并将元件粘接到一起。激光、剪截机或刀从阵列切除多余的粘接剂并且将部件号印到每个感应器部件上。去除导体/感应器部件组件的带并将其馈入机器以形成围绕部件的导体。然后对部件进行性能测试并进行封装，以备发货。当然，本发明设想了此过程中的变形，其可以适合用于特定的感应器或可以适合特定的制造环境。

DC分流感应器

根据本发明的另一实施例，提供了磁通引导的感应器的DC分流感应器变形。磁通引导的、大电流感应器提高了感应器有效地处理更大DC的能力，同时维持了电感。

非常高效、薄断面、大电流的感应器包括经由薄膜粘接剂间隔开的两个诸如铁氧体的低饱和(基体)材料的板，如图8和图9中所示。穿过磁性板放置厚的导体带，优选地厚铜带，由此产生低DC阻抗。将诸如硅铁的高饱和片放置在低饱和磁性板顶上和下面。传统智慧认为增加这些板会显著降低性能，因为高饱和材料一般非常导电并且仅能够在10kHz以下以非常薄的形式操作。此设计实际上使用此特定性质来增强性能。

在图8中，示出了感应器200，其具有第一铁氧体片208和第二铁氧体片210。铁氧体片能够由具有高饱和性质的任何软磁材料制造，诸如铁钴、纯铁、碳钢、硅铁或镍铁合金。优选的材料是硅铁，因为其是导电的(<500微欧姆厘米)，具有高的导磁率(>4000)、高的磁饱和(>16000高斯)，并且一般比替代物便宜。

现有技术显示能够将单个铜带放置在两个铁氧体部件之间来制作感应器的。虽然这在制作低值、高频感应器中是有效的，但是它限制了感应器能够没有饱和地处理的输入电流的量。饱和的主要原因来自由施加的电流感应的所有磁通量流过铁氧体板的窄的横截面区域的事实。

使用的铁氧体片208、210具有高磁饱和特性和铁磁板基体材料202、206的相对磁导率的至少两倍的相对磁导率。高磁导率吸引由导体252中的DC引起的磁通量流过片而不是基体材料。有效地，DC感应的磁通量被从低饱和基体材料分流走了。片材料的性质防止时间变量(谐波，>1kHz)感应的磁通量通过它。原因是表面感应了强的涡流并且有效地防止了磁通量渗透到材料里。谐波磁通量于是主要限于低饱和基体材料，而DC产生的磁通量流过铁氧体片。许多应用在如DC的感应器中具有峰值电流的70％或更多，且剩下的30％归因于谐波波动。具有比基体材料的磁通量承载容量大高达10倍的磁通量载容量的片材料显著地降低了基体中的DC感应的磁通量。此性质容许磁通引导的感应器比现有技术感应器承载大的多的DC。此设计的另一重要特征是感应器的DC阻抗极低，并且可以比类似大小的现有技术设计小高达10倍。

在优选实施例中，该设计所使用的片材料的相对磁导率比基体磁导率的约5至数百倍要大。片材料磁导率越高，越多DC感应的磁通量被从低饱和基体材料带走。如果片材料不导电，则能够有效地使用它。不导电片材料的性能几乎同样好，但是电感值不如导电片那么恒定。导电片防止了谐波磁通量耦合到高磁导率材料中，并且从而稳定了DC输入范围上的电感值。

磁通量，在铁磁材料中导体里面的区域内流动，并且耦合到一起以增大电感，并且然后经由返回路径分摊，增加了部件的磁饱和。有效地，磁通耦合到一起并且被去耦，这尚未在迄今为止的任何已知的感应器中实现。

执行有限元建模，以比较DC分流感应器相对于相同大小的标准感应器的性能。以下表格概括了该结果。

类型	尺寸(mm)	电感(nH)	饱和(A)(施加的DC导致无电流值的80％的电感)
类型	尺寸(mm)	电感(nH)	饱和(A)(施加的DC导致无电流值的80％的电感)	仅传统铁氧体	4×10×10.5	539	11
铁氧体-DC分流	1×10×10.5	532	23	仅传统铁氧体	4×10×10.5	539	11

根据本发明的另一方面，提供了用于制造具有DC分路的磁通引导的、大电流感应器的方法，该感应器诸如是图8和图9中所示的感应器200。

为了制造具有DC分路的磁通引导的、大电流感应器，将具有薄层粘接剂的诸如硅铁的高磁导率、高饱和材料的薄片放入夹具中，如图10的步骤300中所示。接下来，在步骤302中，将由TAK Ferrite制造的锰-锌铁氧体放置在高饱和材料的顶部上。在步骤303中，将导体252放置在铁氧体板上。在步骤304中，将诸如Dupont的PYRALUX Bondply的粘接剂膜205放置在导体和铁氧体元件之上。在步骤306中，将具有非常薄层的粘接剂的诸如硅铁的高磁导率、高饱和材料的薄片放入第二夹具中。可能的片材料的其它范例包括铁、钴、钢等。片材料是导电的，优选地小于500微欧姆/米的阻抗。第二铁氧体元件用于组件中，如步骤308中所示。优选地，其是由TAK Ferrite制造的锰-锌铁氧体。多个铁氧体元件放置在第二夹具中高饱和材料的顶部上。在步骤310中，将含有两个高饱和和铁氧体元件、导体和膜粘接剂的两个夹具匹配到一起。将在每个部件上产生50-200psi匹配压力的负载施加于夹具组件。在步骤312中，将组件加热至约160-200摄氏度高达1小时，以活化粘接剂中的固化剂并将元件粘接在一起。在步骤314中，去除多余的粘接剂和导体。激光、剪截机或刀从阵列切除多余的粘接剂并且将部件号印到每个感应器部件上。通过将导体部件组件的带馈入去除多余铜并围绕部件弯曲导体的机器中，去除导体部件组件的带。对部件进行性能测试并进行封装，以备发货。

图11至图15中公开了本发明的另外的实施例。图11是示出本法明的侧面有缺口的感应器的一个实施例的透视图。图11的感应器400由单元件磁心制造。以与两片磁通引导的感应器相同的方式引导磁通量。两个狭缝408、410切入感应器的侧边以引入间隙，间隙规定部件的电感。图11示出了用于导体的开口，导体具有第一部分404和第二部分406，它们穿过该部件放置。导体于是优选地围绕部件弯曲，以形成电接触垫。这在图12中示出了，其中存在接触垫414、416和418。

图13示例侧边有缺口的感应器400的正视图。导体的第一部分404与导体的第二部分406间隔开。第一狭缝408贯穿感应器400的侧面，直至导体的第一部分404。第二狭缝410贯穿感应器402的侧面，直至导体的第一部分406。

图14至图16中示出了本发明的另一实施例。示出了设备500，其具有单元件磁心502。穿过该部件放置具有部分504和506的导体并将其围绕该部件弯曲以在磁心502的上表面510的任一侧面上形成电接触垫514、516、518。以与两片磁通引导的感应器相同的方式引导磁通量。单个狭缝508切入感应器的中间以引入间隙，间隙规定部件的电感。在图16中，示出了正视图。需要注意，间隙存在于每个导体部分504、506之间。

图17和图18示出了本发明的另一实施例。通过在具有腿604和606的U形导体之上浇灌颗粒磁粉来制造部件600。压缩力将粉末压紧成磁性固体。围绕部件弯曲导体614以形成电接触垫610、612、以及614。以与两片磁通引导的感应器相同的方式引导磁通量。压制的磁粉包含粒子之间的分布的间隙，其有效地起规定部件电感的间隙的作用。

图19示例本发明的方法学的一个实施例。在步骤700中，设置感应器主体。可以使用第一和第二铁磁板来形成感应器主体。感应器可以是单元件磁心。感应器主体可以由压制的磁粉形成。在步骤702中，安置导体，使得其穿过感应器主体延伸。在步骤704中，围绕感应器主体的相对的端卷绕导体的部分，以形成接触垫。应当理解，在感应器为单元件磁心的地方，一个或更多狭缝切入穿过感应器主体，如先前所述。

从而，明显地，本发明提供改善的感应器和制造该感应器的方法。本发明设想了在使用的材料类型、应用的制造技术中的许多变形以及其它变形，这些变形在本发明的精神和范围内。

Claims

1、一种磁通引导的大电流感应器，包括：具有第一端和相对的第二端的感应器主体；延伸穿过所述感应器主体的导体，所述导体包括穿过所述感应器主体的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。

2、如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述导体的第一和第二部分围绕所述第一端的部分卷绕以设置第一和第二接触垫，且所述导体的第三部分围绕所述第二端的部分卷绕以设置第三接触垫。

3、如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由第一铁磁板和第二铁磁位置、所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的所述导体形成。

4、如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器主体由单元件磁心制造。

5、如权利要求4所述的磁通引导的大电流感应器，还包括所述感应器主体中的狭缝。

6、如权利要求5所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述狭缝是所述多个通道的两个之间的位置。

7、如权利要求4所述的磁通引导的大电流感应器，还包括所述感应器主体中的第一狭缝和第二狭缝，其中，所述第一狭缝在所述多个通道的第一个和所述感应器主体的第一侧面之间，且所述第二狭缝在所述多个通道的第二个和所述感应器主体的相对的第二侧面之间。

8、如权利要求1所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述感应器包括压制的磁粉。

9、一种磁通引导的大电流感应器，包括：第一铁磁板；第二铁磁板；所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的导体，所述导体包括穿过所述铁磁板的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。

10、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，还包括所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的粘接剂膜，所述粘接剂膜的厚度用于限定所述感应器的电感特性。

11、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，还包括置于所述第一铁磁板上的第一片部分和置于所述第二铁磁板上的第二片部分，并且其中，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率更高的磁导率，使得DC感应的磁通量被从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板引走。

12、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一和所述第二铁磁板中的每一个由铁氧体构成。

13、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述磁通引导的大电流感应器的断面小于约10毫米。

14、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板中的至少一个还包括沟槽，所述导体安置于所述沟槽内。

15、如权利要求9所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述导体是可焊接的。

16、一种磁通引导的大电流感应器，包括：第一铁磁板；第二铁磁板；所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的导体，所述导体包括穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度；以及所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的粘接剂膜，所述粘接剂膜的厚度用于限定所述感应器的电感特性。

17、如权利要求16所述的磁通引导的大电流感应器，还包括置于所述第一铁磁板上的第一片部分和置于所述第二铁磁板上的第二片部分，并且其中，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率更高的磁导率，使得DC感应的磁通量被从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板分流走。

18、如权利要求16所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一和所述第二铁磁板中的每一个由铁氧体构成。

19、如权利要求16所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述磁通引导的大电流感应器的断面小于约6毫米。

20、如权利要求16所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板中的至少一个还包括沟槽，所述导体位置在所述沟槽内。

21、如权利要求16所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述导体是可焊接的。

22、一种磁通引导的大电流感应器，包括：第一铁磁板；第二铁磁板；所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间的导体，所述导体包括穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度；以及置于所述第一铁磁板上的第一片部分和置于所述第二铁磁板上的第二片部分，并且其中，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率更高的磁导率，使得DC感应的磁通量被从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板分流走。

23、如权利要求22所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一和所述第二铁磁板中的每一个由铁氧体构成。

24、如权利要求22所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述磁通引导的大电流感应器的断面小于约6毫米。

25、如权利要求22所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板中的至少一个还包括沟槽，所述导体位置在所述沟槽内。

26、如权利要求22所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述导体是可焊接的。

27、如权利要求22所述的磁通引导的大电流感应器，其中，所述片部分具有小于500微欧姆每米的阻抗。

28、一种制造磁通引导的大电流感应器的方法，包括：设置具有第一端和相对的第二端的感应器主体；安置导体，所述导体延伸穿过所述感应器主体并形成穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。

29、如权利要求28所述的方法，还包括围绕所述感应器主体的所述第一端的部分来卷绕从所述第一端延伸的所述导体的第一和第二部分，以形成第一接触垫和第二接触垫。

30、如权利要求29所述的方法，还包括围绕所述感应器主体的所述第二端的部分卷绕所述导体的第三部分，以形成第三接触垫，所述第三部分从所述第二端延伸。

31、如权利要求28所述的方法，其中，设置感应器主体的步骤包括设置第一铁磁板和第二铁磁板。

32、如权利要求28所述的方法，其中，设置感应器主体的步骤包括设置单元件磁心。

33、如权利要求32所述的方法，还包括在所述感应器主体的中间部分、在所述分开的通道的两个之间切割出单个狭缝。

34、如权利要求32所述的方法面，还包括：在第一通道和所述感应器主体的第一侧面之间切割出第一狭缝，以及在第二通道和所述感应器主体的第二侧面之间切割出第二狭缝。

35、如权利要求29所述的方法，其中，设置感应器主体的步骤包括设置压制的磁粉感应器主体。

36、一种制造磁通引导的大电流感应器的方法，包括：设置第一铁磁板和第二铁磁板；将导体置于所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间，由此形成穿过所述感应器的横截面区域的多个分开的通道，由此将由流过所述导体的电流感应的磁通量导引到两个或更多个横截面区域中并降低了给定的单个区域的磁通密度。

37、如权利要求36所述的方法，还包括在所述第一铁磁板和所述第二铁磁板之间使用粘接剂膜来连接所述第一铁磁板和所述第二铁磁板，所述粘接剂膜的厚度用于通过设定所述板之间的距离来限定所述感应器的电感特性。

38、如权利要求36所述的方法，其中，所述第一铁磁板和所述第二铁磁板中的至少一个包括沟槽，所述导体安置于所述沟槽内。

39、如权利要求36所述的方法，还包括在所述第一铁磁板上施加第一片部分和在所述第二铁磁板上施加第二片部分，所述第一片部分和所述第二片部分各具有比所述第一铁磁板和所述第二铁磁板的磁导率更高的磁导率，使得在所述感应器的操作中，DC感应的磁通量被从所述第一铁磁板和所述第二铁磁板分流走。

40、如权利要求36所述的方法，其中，所述导体是可焊接的。