CN101465162B - 存储器的自动循序烧录判别装置与方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是关于一种存储器的自动循序烧录判别装置与方法,所述的装置包括一电流感测器以及一烧录控制器,该电流感测器耦接至一烧录电源与存储单元,其检测该烧录电源至该存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号,该烧录控制器耦接至该电流感测器,接收该控制信号并产生一烧录状态信号。本发明提供的存储器的自动循序烧录判别装置可节省下许多芯片面积与成本,并可增加存储器的运作效率。
Description
技术领域
本发明是有关于存储器,特别是有关于存储器的自动循序烧录判别装置与方法。
背景技术
融丝存储单元电路为典型的一次性烧录式存储器(OTP memory)之一,一般而言,传统的融丝存储单元电路的烧录需要多个烧录焊垫,这些焊垫占据了大量芯片面积,也因此使得芯片成本提高,为了减少烧录焊垫所占据的面积,便需将烧录焊垫的数量降至最低,因此以单一烧录焊垫来进行循序的存储器烧录变成为电路设计者的目标之一。
再者,如果能使得存储器可以自动地循序进行烧录的动作,则在存储器的烧录过程当中,存储器内部份闲置的资源便可以被用来进行其它用途,如此便可提升存储器的操作效率。
发明内容
依据本发明的一实施例的一种存储器的自动循序烧录判别装置包括一电流感测器以及一烧录控制器,该电流感测器耦接至一烧录电源与存储单元(memory cell),其检测该烧录电源至该存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号,该烧录控制器耦接至该电流感测器,接收该控制信号并产生一烧录状态信号。
依据本发明的一实施例的一种存储器的自动循序烧录判别装置包括一电压感测器以及一烧录控制器,该电压感测器透过存储单元耦接至一烧录电源,其检测该存储单元的输出电压,且当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号,该烧录控制器耦接至该电流感测器,接收该控制信号并产生一烧录状态信号。
依据本发明的一实施例的一种存储器的自动循序烧录判别装置,所述的装置包括:
一电压感测器,透过存储单元耦接至一烧录电源,其检测所述的存储单元的输出电压,且当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号;
一烧录控制器,耦接至所述的电压感测器,接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号;
所述的装置更包括一数据控制器,耦接至所述的烧录控制器,并接收所述的烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作;
所述的装置更包括一暂存器,耦接于所述的数据控制器与所述的存储单元之间。
依据本发明的一实施例的一自动循序烧录判别方法包括检测一烧录电源至存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号以及依据该控制信号产生一烧录状态信号。
依据本发明的一实施例的一自动循序烧录判别方法包括检测存储单元的输出电压,当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号以及依据该控制信号产生一烧录状态信号。
本发明提供一存储器的自动循序烧录判别装置,其利用一电流或电压感测器检测一存储单元的烧录状态,并据此决定是否进行下一存储单元的烧录动作,此循序烧录方式仅需要一个烧录焊垫,因此相较于一般需要多个烧录焊垫的存储器,可节省下许多芯片面积与成本,此外,于存储器的自动循序烧录过程中,其部份资源(闲置的数据传输线…等)可用于其它处理工作,如此可增加存储器的运作效率。
附图说明
图1A为依据本发明一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图。
图1B为图1A的自动循序烧录判别装置的电流感测器的示意图。
图2A为依据本发明另一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图。
图2B为图2A的自动循序烧录判别装置的电压感测器的示意图。
图3为依据本发明一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图。
图4为依据本发明另一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图。
附图标号:
VPP~烧录焊垫;
110、210~暂存器;
120、220~数据控制器;
130~电流感测器;
230~电压感测器;
140、240~烧录控制器;
150、250~存储单元;
133~分压器;
135~比较器;
VREF~参考电压
231~第一反相器;
233~第二反相器;
TP~P型金属氧化物半导体晶体管;
TN~N型金属氧化物半导体晶体管;
310~检测一烧录电源至一存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号;
320~依据该控制信号产生一烧录状态信号;
330~依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作;
410~检测一存储单元的输出电压,并据此产生一控制信号;
420~依据该控制信号产生一烧录状态信号;
430~依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
图1A为依据本发明一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图,其包括一暂存器110、一数据控制器120、一电流感测器130以及一烧录控制器140,该电流感测器130耦接至一烧录电源与存储单元150,其检测该烧录电源至该存储单元150之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号,较佳而言,该存储单元150为融丝(Fuse)存储单元且该烧录电源为一烧录焊垫VPP所提供的电源,该烧录控制器140耦接至该电流感测器130,接收该控制信号并产生一烧录状态信号,该数据控制器120耦接至该烧录控制器140,并接收该烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作,该暂存器110耦接于该数据控制器120与所述的这些存储单元150之间,较佳而言,该暂存器110为一移位暂存器(shift register),其可平行或序列地接收数据。于存储器的自动循序烧录过程中,其部份资源(闲置的数据传输线…等)可用于其它处理工作,如此便可增加存储器的运作效率。
于图1A中,数据以序列或平行的方式输入暂存器110并储存于其中,当暂存器110将第一笔数据写入存储单元150时,烧录电源(或烧录焊垫VPP所提供的电源)会提供大量电流,以进行存储单元的烧录,而当该电流感测器130检测到电流变化,便产生一控制信号给烧录控制器140,烧录控制器140再产生一烧录状态信号给数据控制器120,以进行下一个存储单元150的烧录动作,如此反复进行直到存储器烧录完毕。
图1B为图1A的自动循序烧录判别装置的电流感测器的示意图,该电流感测器130包括一电阻R1、一比较器135以及一耦接于该电阻R1与该比较器135之间的分压器133,其中,该电阻R1位于该烧录电流的路径上,当进行存储单元150的烧录时,烧录电源(或烧录焊垫VPP所提供的电源)提供大量电流I1,当电流I1流经该电阻R1会产生压降,而产生一电压V1,电压V1经过电阻R2与R3所构成的分压器135分压后,再与一参考电压VREF一同输入一比较器135,比较器135将分压的电压与参考电压VREF作比较后,并依据比较的结果产生一控制信号给烧录控制器。
图2A为依据本发明另一实施例的自动循序烧录判别装置的示意图,其包括一暂存器210、一数据控制器220、一电压感测器230以及一烧录控制器240,该电压感测器230透过存储单元250耦接至一烧录电源,其检测该存储单元250的输出电压,并据此产生一控制信号,较佳而言,该存储单元250为融丝(Fuse)存储单元且该烧录电源为一烧录焊垫VPP所提供的电源,该烧录控制器240耦接至该电压感测器230,接收该控制信号并产生一烧录状态信号,该数据控制器220耦接至该烧录控制器240,并接收该烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作,该暂存器250耦接于该数据控制器220与所述的这些存储单元250之间,较佳而言,该暂存器250为一移位暂存器(shift register),其可平行或序列地接收数据。于存储器的自动循序烧录过程中,其部份资源(闲置的数据传输线…等)可用于其它处理工作,如此便可增加存储器的运作效率。
于图2A中,数据以序列或平行的方式输入暂存器210并储存于其中,当暂存器210将第一笔数据写入存储单元250时,烧录电源(或烧录焊垫VPP所提供的电源)会提供大量电流,以进行存储单元的烧录,烧录成功时,该存储单元250会产生输出电压信号给该电压感测器230,电压感测器230便依据检测到的电压变化产生一控制信号给烧录控制器240,烧录控制器240再产生一烧录状态信号给数据控制器220,以进行下一个存储单元250的烧录动作,如此反复进行直到存储器烧录完毕。
图2B为图2A的自动循序烧录判别装置的电压感测器的示意图,该电压感测器230包括第一反相器231、一第二反相器233、一P型金属氧化物半导体晶体管TP以及一N型金属氧化物半导体晶体管TN,其中第一反相器231与第二反相器233为交互耦接,该第一反相器231接收该存储单元250的该输出电压Vout,且其输出端耦接至该烧录控制器,该第二反相器233分别透过该P型金属氧化物半导体晶体管TP与该N型金属氧化物半导体晶体管TN耦接至第一与第二固定电位,较佳而言,该第一固定电位为一电源供应电源,而该第二固定电位为一接地端,且该P型金属氧化物半导体晶体管TP与该N型金属氧化物半导体晶体管TN受一感测致能信号EN所控制。
图3为依据本发明一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图,该自动循序烧录判别方法包括检测一烧录电源至一存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号(步骤310)以及依据该控制信号产生一烧录状态信号(步骤320),较佳而言,该自动循序烧录判别方法更包括依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作(步骤330)。
图4为依据本发明另一实施例的自动循序烧录判别方法的示意图,该自动循序烧录判别方法包括检测一存储单元的输出电压,并据此产生一控制信号(步骤410)以及依据该控制信号产生一烧录状态信号(步骤420),较佳而言,该自动循序烧录判别方法更包括依据该烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作(步骤430)。
本发明提供一存储器的自动循序烧录判别装置,其利用一电流或电压感测器检测一存储单元的烧录状态,并据此决定是否进行下一存储单元的烧录动作,此循序烧录方式仅需要一个烧录焊垫,因此相较于一般需要多个烧录焊垫的存储器,可节省下许多芯片面积与成本,此外,于存储器的自动循序烧录过程中,其部份资源(闲置的数据传输线…等)可用于其它处理工作,如此可增加存储器的运作效率。
Claims (6)
1.一种存储器的自动循序烧录判别装置,其特征在于,所述的装置包括:
一电流感测器,耦接至一烧录电源与存储单元,其检测所述的烧录电源至所述的存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号,其中所述的烧录电源是通过单一烧录焊垫而被提供;
一烧录控制器,耦接至所述的电流感测器,接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号;以及
一数据控制器,耦接至所述的烧录控制器,并接收所述的烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。
2.如权利要求1所述的存储器的自动循序烧录判别装置,其特征在于,所述的装置更包括一暂存器,耦接于所述的数据控制器与所述的存储单元之间。
3.一种存储器的自动循序烧录判别装置,其特征在于,所述的装置包括:
一电压感测器,透过存储单元耦接至一烧录电源,其检测所述的存储单元的输出电压,且当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号,其中所述的烧录电源是通过单一烧录焊垫而被提供;
一烧录控制器,耦接至所述的电压感测器,接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号;以及
一数据控制器,耦接至所述的烧录控制器,并接收所述的烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。
4.一种存储器的自动循序烧录判别装置,其特征在于,所述的装置包括:
一电压感测器,透过存储单元耦接至一烧录电源,其检测所述的存储单元的输出电压,且当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号,其中所述的烧录电源是通过单一烧录焊垫而被提供;
一烧录控制器,耦接至所述的电压感测器,接收所述的控制信号并产生一烧录状态信号;
所述的装置更包括一数据控制器,耦接至所述的烧录控制器,并接收所述的烧录状态信号,以控制是否进行下一个存储单元的烧录动作;
所述的装置更包括一暂存器,耦接于所述的数据控制器与所述的存储单元之间。
5.一种存储器的自动循序烧录判别方法,所述的方法包括:
检测一烧录电源至一存储单元之间是否有烧录电流的变化,并据此产生一控制信号,其中所述的烧录电源是通过单一烧录焊垫而被提供;
依据所述的控制信号产生一烧录状态信号;以及
依据所述的烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。
6.一种存储器的自动循序烧录判别方法,所述的方法包括:
检测一烧录电源至一存储单元的输出电压,其中所述的烧录电源是通过单一烧录焊垫而被提供;
当所述的输出电压产生变化时,产生一控制信号;
依据所述的控制信号产生一烧录状态信号;以及
依据所述的烧录状态信号控制是否进行下一个存储单元的烧录动作。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108255498A (zh) * | 2016-12-29 | 2018-07-06 | 乐视汽车(北京)有限公司 | 触发进入烧写模式的方法和装置 |
CN113377084A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-10 | 中国第一汽车股份有限公司 | 一种汽车电子控制单元的烧录装置和方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1194716A (zh) * | 1995-08-31 | 1998-09-30 | 摩托罗拉有限公司 | 电可编程存储器、编程方法以及读方法 |
CN1202703A (zh) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | 合泰半导体股份有限公司 | 电可擦除可编程存储器的感测电路 |
CN1487526A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-04-07 | ������������ʽ���� | 非易失性存储器和半导体集成电路器件 |
US6901012B2 (en) * | 2000-09-21 | 2005-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a power-on reset circuit |
CN1825486A (zh) * | 2005-01-28 | 2006-08-30 | 三星电子株式会社 | 闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法 |
US7272035B1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-09-18 | Grandis, Inc. | Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells |
WO2007120159A2 (en) * | 2005-06-24 | 2007-10-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetic tunnel junction antifuse circuit comprising parallel connected reference magnetic tunnel junctions to provide an optimum reference resistance |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW378321B (en) * | 1996-02-29 | 2000-01-01 | Sanyo Electric Co | Semiconductor memory device |
US6208567B1 (en) * | 1997-01-31 | 2001-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device capable of cutting off a leakage current in a defective array section |
-
2007
- 2007-12-20 CN CN 200710160004 patent/CN101465162B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1194716A (zh) * | 1995-08-31 | 1998-09-30 | 摩托罗拉有限公司 | 电可编程存储器、编程方法以及读方法 |
CN1202703A (zh) * | 1997-06-17 | 1998-12-23 | 合泰半导体股份有限公司 | 电可擦除可编程存储器的感测电路 |
US6901012B2 (en) * | 2000-09-21 | 2005-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device having a power-on reset circuit |
CN1487526A (zh) * | 2002-09-30 | 2004-04-07 | ������������ʽ���� | 非易失性存储器和半导体集成电路器件 |
CN1825486A (zh) * | 2005-01-28 | 2006-08-30 | 三星电子株式会社 | 闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法 |
WO2007120159A2 (en) * | 2005-06-24 | 2007-10-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetic tunnel junction antifuse circuit comprising parallel connected reference magnetic tunnel junctions to provide an optimum reference resistance |
US7272035B1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-09-18 | Grandis, Inc. | Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells |
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