CN101458355A - 一种cf显示面板以及加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种CF显示面板以及加工方法，它属于彩色滤光片加工技术领域，其特征在于它包括钠钙玻璃基板，在所述的钠钙玻璃基板上设置有二氧化硅SiO2膜层，在所述的二氧化硅SiO2层上再设置一层AlNd膜层；所述的钠钙玻璃基板设置二氧化硅SiO2层后的钠钙玻璃基板透过率为90.5～91.5％，二氧化硅SiO2膜厚为210～255，设置AlNd层后的钠钙玻璃基板的反射率89～92％、方阻0.6～0.8Ω/□、所述的AlNd膜层厚度为1000～1650。本发明克服了现有工艺技术中容易产生针孔超标、打弧、膜层均匀性差的缺陷，解决了彩色滤光片显示颜色异常、短路、开路等问题；本发明的CF显示面板方阻低、反射率高，表面质量良好，提高了合格率，降低了产品的生产成本。
Description
技术领域：
本发明涉及一种CF显示面板以及加工方法，它属于彩色滤光片加工技术领域。
背景技术：
现有技术中的CF显示面板是指彩色滤光片，及Color Filter，简称“CF面板”，它被广泛应用于手机、数码相机、数码摄像机、PDA、MP4、车载显示屏、工业控制面板等。随着此类消费电子产品的市场需求不断增长，CF面板拥有广阔的市场前景，彩色滤光片的发展创造了良好的市场空间。彩色滤光片生产技术，包括盖光刻技术、清洗技术、膜厚控制技术、段差控制技术、线宽控制技术、总间距控制技术、图形对位精度控制、表面质量控制技术等，而CF基板镀SiO2+AlNd是彩色滤光片生产的关键技术，目前比较成熟的工艺方法其设备昂贵，加工难度比较高，因此导致了成品价格高居不下。而现有的一些比较简单的工艺方法均不成熟，容易产生针孔超标、打弧、膜层均匀性差的缺陷，导致彩色滤光片显示颜色异常、短路、开路等等不良，合格率偏低，严重影响彩色滤光片产品的质量。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种加工工艺简单，加工成本低，膜层的方阻低、反射率高，表面质量良好的CF显示面板以及加工方法。
本发明的目的是这样实现的：
一种CF显示面板，其特征在于它包括钠钙玻璃基板，在所述的钠钙玻璃基板上设置有二氧化硅SiO2膜层，在所述的二氧化硅SiO2层上再设置一层AlNd膜层。
所述的钠钙玻璃基板设置二氧化硅SiO2层后的钠钙玻璃基板透过率为90.5～91.5％，二氧化硅SiO2膜厚为210
～255，设置AlNd层后的钠钙玻璃基板的反射率89～92％、方阻0.6～0.8Ω/□、所述的AlNd膜层厚度为1000～1650。
所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，所述的装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片的加热温度为55～70℃，镀膜室传动速度频率为11～17Hz，加热时间为10～20分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO2，二氧化硅SiO2溅射功率4500～4500W、氧气O2流量为20～30Sccm、铬Ar流量160～220Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间，加热15～30分钟后镀AlNd膜层膜：总气压为0.30～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～220Sccm、镀膜室真空度为3.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间。
本发明的优选的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为17Hz，加热时间10分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4500W、氧气O2流量为30Sccm、铬Ar流量200～220Sccm、镀膜室真空度为4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间，加热15分钟后镀AlNd膜：总气压为0.40～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为200～220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2的膜厚为210、SiO2透过率为90.5％、AlNd膜厚1550、AlNd膜的反射率为89％、方阻为0.6Ω/□。
本发明的进一步的优选工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为65℃，镀膜室传动速度频率为14Hz，加热时间15分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO2，二氧化硅SiO2溅射功率为4200W、氧气O2流量为25Sccm、铬Ar流量180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，加热20分钟后镀AlNd膜膜：总气压为0.35～0.40Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室Ar流量为180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为235、二氧化硅SiO2透过率为91.5％、AlNd膜厚为1590、AlNd膜的反射率为90.5％、方阻为0.7Ω/□。
本发明的另一个优选的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗、再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为55℃，镀膜室传动速度频率为11Hz，加热时间20分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4000W、氧气O2流量为20Sccm、铬Ar流量160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间，加热30分钟后镀AL膜：总气压为0.3～0.35Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为255、二氧化硅SiO2透过率为91％、AlNd膜厚为1650、AlNd膜的反射率为92％、方阻为0.8Ω/□
本发明克服了现有工艺技术中容易产生针孔超标、打弧、膜层均匀性差的缺陷，解决了彩色滤光片显示颜色异常、短路、开路等问题，所生产出的CF显示面板的膜层方阻低、反射率高，表面质量良好，提高了合格率，降低了产品的生产成本。
具体实施方式：
实施例1：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为17Hz，加热时间10分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4500W、氧气O2流量为30Sccm、铬Ar流量200～220Sccm、镀膜室真空度为4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间，加热15分钟后镀AlNd膜：总气压为0.40～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为200～220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2的膜厚为210、SiO2透过率为90.5％、AlNd膜厚1550、AlNd膜的反射率为89％、方阻为0.6Ω/□。
实施例2：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为65℃，镀膜室传动速度频率为14Hz，加热时间15分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO2，二氧化硅SiO2溅射功率为4200W、氧气O2流量为25Sccm、铬Ar流量180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，加热20分钟后镀AlNd膜膜：总气压为0.35～0.40Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室Ar流量为180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为235、二氧化硅SiO2透过率为91.5％、AlNd膜厚为1590、AlNd膜的反射率为90.5％、方阻为0.7Ω/□。
实施例3：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗、再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为55℃，镀膜室传动速度频率为11Hz，加热时间20分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4000W、氧气O2流量为20Sccm、铬Ar流量160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间，加热30分钟后镀AL膜：总气压为0.3～0.35Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为255、二氧化硅SiO2透过率为91％、AlNd膜厚为1650、AlNd膜的反射率为92％、方阻为0.8Ω/□.
Claims (6)
1、一种CF显示面板，其特征在于它包括钠钙玻璃基板，在所述的钠钙玻璃基板上设置有二氧化硅SiO2膜层，在所述的二氧化硅SiO2层上再设置一层AlNd膜层。
2、如权利要求1中所述的CF显示面板，其特征在于所述的钠钙玻璃基板设置二氧化硅SiO2层后的钠钙玻璃基板透过率为90.5～91.5％，二氧化硅SiO2膜厚为210
～255，设置AlNd层后的钠钙玻璃基板的反射率89～92％、方阻0.6～0.8Ω/□、所述的AlNd膜层厚度为1000～1650。
3、如权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，所述的装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片的加热温度为55～70℃，镀膜室传动速度频率为11～17Hz，加热时间为10～20分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO2，二氧化硅SiO2溅射功率4500～4500W、氧气O2流量为20～30Sccm、铬Ar流量160～220Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间，加热15～30分钟后镀AlNd膜层膜：总气压为0.30～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～220Sccm、镀膜室真空度为3.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间。
4、如权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下优选的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为17Hz，加热时间10分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4500W、氧气O2流量为30Sccm、铬Ar流量200～220Sccm、镀膜室真空度为4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间，加热15分钟后镀AlNd膜：总气压为0.40～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为200～220Sccm、镀膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2的膜厚为210、SiO2透过率为90.5％、AlNd膜厚1550、AlNd膜的反射率为89％、方阻为0.6Ω/□。
5、如权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下进一步的优选工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为65℃，镀膜室传动速度频率为14Hz，加热时间15分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO2，二氧化硅SiO2溅射功率为4200W、氧气O2流量为25Sccm、铬Ar流量180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，加热20分钟后镀AlNd膜膜：总气压为0.35～0.40Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室Ar流量为180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间，所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为235、二氧化硅SiO2透过率为91.5％、AlNd膜厚为1590、AlNd膜的反射率为90.5％、方阻为0.7Ω/□。
6、如权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下另一个优选的工艺步骤：
A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗、再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；
B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O2为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为55℃，镀膜室传动速度频率为11Hz，加热时间20分钟后，在4号室镀SiO2，SiO2溅射功率4000W、氧气O2流量为20Sccm、铬Ar流量160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间，加热30分钟后镀AL膜：总气压为0.3～0.35Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10-1Pa～3.5*10-1Pa之间所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为255、二氧化硅SiO2透过率为91％、AlNd膜厚为1650、AlNd膜的反射率为92％、方阻为0.8Ω/□。
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Owner name: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: SHENZHEN LEAGUER FILM TECHNOLOGY CO., LTD. |
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