CN101445386B - 一种陶瓷覆铜基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，该方法包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊，其中，该方法还包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热后，在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆氧化亚铜。本发明还提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法。本发明通过引入氧化亚铜，从而在氮化铝陶瓷的结合界面和铜箔的结合界面上形成CuAlO2反应物，从而极大的增强了两个界面之间的结合强度，并且与现有陶瓷覆铜基板的制备方法相比，不需要还原铜箔的非结合界面的氧化层，简化了工艺步骤。
Description
技术领域
本发明是关于一种陶瓷覆铜基板的制备方法。
背景技术
在半导体模块的发展中，随着集成化程度的提高和体积的减小，使得单位散热面积上的功耗增加，因而散热成为模块制造中的一个关键问题。
目前，国内外电力电子行业常使用陶瓷覆铜基板作为模块用导电基板。例如，在氧化物特别是氧化铝陶瓷基板表面通过金属化而得到的基板，但是氧化铝的导热率较低，散热性能仍无法满足高度集成化的模块的要求。
氮化铝陶瓷覆铜基板除了具有铜箔的高导电特性外，还具有氮化铝陶瓷的高导热特性，因而适合用于电力、电子领域的大功率电子模块的制造。
目前，氮化铝陶瓷覆铜基板的制备方法通常为直接覆铜法。所述直接覆铜法是利用铜-氧共晶原理，直接将铜箔和氮化铝基板在弱氧化气氛下形成共晶液相，从而形成氮化铝陶瓷和铜的复合材料。氮化铝陶瓷和铜箔之间的结合是通过在它们结合的界面上引入Cu2O+Al2O3→2CuAlO2反应形成界面产物CuAlO2，从而使二者牢固结合；因此必须在氮化铝陶瓷表面形成一层Al2O3层，然后通过引入氧气使铜箔表面形成Cu2O，从而使Cu2O和Al2O3反应得到CuAlO2。但是，这种方法对氧气气氛的控制难度很大，并且很难得到足够的Cu2O，往往含有CuO的成分，从而使氮化铝陶瓷和铜箔之间结合强度降低；同时，由于需要在氧气气氛下在铜箔表面形成Cu2O，因而在铜箔的另一侧非结合界面也会形成不同程度的氧化层，影响铜箔的导电性能，这就需要进一步的还原处理，从而增加了工序的复杂性。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有的陶瓷覆铜基板制备方法中存在的工序复杂以及制备得到的陶瓷覆铜基板中氮化铝陶瓷和铜箔的结合强度差的缺点，提供一种工序简单并且能够使得到的陶瓷覆铜基板中氮化铝陶瓷和铜箔的结合强度高的陶瓷覆铜基板的制备方法。
本发明提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，该方法包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊，其中，该方法还包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热后，在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆氧化亚铜。
本发明还提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，其中，该方法包括在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆三氧化二铝和/或氧化亚铜，使氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面之间具有三氧化二铝层和氧化亚铜，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊。
本发明通过在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆氧化亚铜，从而引入Cu2O+Al2O3→2CuAlO2反应所需的反应物，并且通过共晶钎焊在氮化铝陶瓷的结合界面和铜箔的结合界面上形成CuAlO2反应物，从而极大的增强了两个界面之间的结合强度，并且与现有陶瓷覆铜基板的制备方法相比，不需要还原铜箔的非结合界面的氧化层，简化了工艺步骤。
具体实施方式
本发明提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，该方法包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊，其中，该方法还包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热后，在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆氧化亚铜。
根据本发明，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，氧化亚铜的涂覆量没有特别的限制，但优选情况下，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上的氧化亚铜的涂覆总量为1.5-2克/平方厘米，在上述范围内时，既能够使氮化铝陶瓷和铜箔之间具有较高的结合强度，又能够保持优良的导热性能。
本发明中，对氧化亚铜的涂覆方式没有特别的要求，只要能够涂覆均匀即可，优选情况下，可以将氧化亚铜溶于易挥发的有机溶剂中制成浆料，然后将浆料均匀的涂覆在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，本发明对所述有机溶剂没有特别的限制，只要能够在共晶钎焊时充分挥发掉，不残留在氮化铝陶瓷和铜箔的结合界面上即可，优选情况下，所述有机溶剂可以选自乙醇、二甲苯和丙酮中的一种或几种。
根据本发明，为了进一步提高氮化铝陶瓷和铜箔之间的结合强度，优选情况下，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面为粗糙面，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面的粗糙度Ra值为0.2-0.7微米，从而使反应物CuAlO2能够啮合进粗糙的界面内，达到增强结合强度的作用，结合界面具有上述粗糙度的氮化铝陶瓷和铜箔可以通过商购得到，也可以通过对氮化铝陶瓷和铜箔的结合界面进行粗糙处理得到。所述粗糙处理的方法没有特别的限制，例如，可以通过将氮化铝陶瓷放置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入到超声波清洗机中，放置时间为30-60分钟，从而得到表面粗糙的氮化铝陶瓷和铜箔。
根据本发明，在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热是为了在氮化铝陶瓷的结合界面形成三氧化二铝层，从而引入Cu2O+Al2O3→2CuAlO2反应所需的反应物，本发明对所述加热的条件没有特别的限制，只要能够形成均匀的三氧化二铝层即可，优选情况下，所述加热的条件包括温度为1150-1300℃，时间为30-60分钟。
根据本发明，所述共晶钎焊的条件为本领域技术人员所公知，例如，所述共晶钎焊的条件包括压力为15-45牛顿，温度为1060-1080℃，时间为45-60分钟；所述共晶钎焊的设备可以为各种常规的加热设备，例如，上海祖发实业有限公司生产的SXJ系列管式气氛烧结炉。
为了使氮化铝陶瓷和铜箔在共晶钎焊时不被氧化，所述共晶钎焊在惰性气体气氛下进行，所述惰性气体为零族元素气体和氮气中的一种或几种，优选情况下，所述惰性气体的流量为20-40毫升/分钟。
本发明还提供了一种陶瓷覆铜基板的制备方法，其中，该方法包括在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆三氧化二铝和/或氧化亚铜，使氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面之间具有三氧化二铝层和氧化亚铜，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊。
根据本发明，通过涂覆的方式涂覆三氧化二铝和氧化亚铜能够更好的控制Cu2O+Al2O3→2CuAlO2反应中反应物的量，从而使进一步增加氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面的结合强度。
本发明中，对三氧化二铝和氧化亚铜的涂覆方式没有特别的限制，只要存在于氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面之间即可。例如，可以在氮化铝陶瓷的结合界面涂覆三氧化二铝，在铜箔的结合界面涂覆氧化亚铜；也可以在氮化铝陶瓷的结合界面涂覆氧化亚铜，在铜箔的结合界面涂覆三氧化二铝；还可以在氮化铝陶瓷的结合界面或铜箔的结合界面上涂覆三氧化二铝和氧化亚铜；本发明中，对三氧化二铝和氧化亚铜的涂覆顺序没有特别的限制，可以在氮化铝陶瓷的结合界面或铜箔的结合界面上先涂覆三氧化二铝，之后再涂覆氧化亚铜，也可以在氮化铝陶瓷的结合界面或铜箔的结合界面上先涂覆氧化亚铜，之后再涂覆三氧化二铝。
根据本发明，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，氧化亚铜和三氧化二铝的涂覆量没有特别的限制，优选情况下，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上的氧化亚铜的涂覆总量为1.5-2.0克/平方厘米，三氧化二铝的涂覆总量为1.5-1.8克/平方厘米；在上述范围内时，既能够使氮化铝陶瓷和铜箔之间具有较高的结合强度，又能够保持优良的导热性能。
本发明中，对氧化亚铜和三氧化二铝的涂覆方式没有特别的要求，只要能够涂覆均匀即可；例如，可以将氧化亚铜和三氧化二铝分别溶于易挥发的有机溶剂中制成浆料，然后将浆料分别均匀的涂覆在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上；也可以将将氧化亚铜和三氧化二铝共同溶于易挥发的有机溶剂中制成浆料，然后将含有氧化亚铜和三氧化二铝的浆料均匀的涂覆在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，本发明对所述有机溶剂没有特别的限制，只要能够在共晶钎焊时充分挥发，不残留在氮化铝陶瓷和铜箔的结合界面上即可，优选情况下，所述有机溶剂可以选自乙醇、二甲苯和丙酮中的一种或几种。
根据本发明，为了进一步提高氮化铝陶瓷和铜箔之间的结合强度，优选情况下，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面为粗糙面，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面的粗糙度Ra值为0.2-0.7微米，从而使反应物CuAlO2能够齿合进粗糙的界面内达到增强结合强度的作用，结合界面具有上述粗糙度的氮化铝陶瓷和铜箔可以通过商购得到，也可以通过对氮化铝陶瓷和铜箔的结合界面进行粗糙处理得到。所述粗糙处理的方法没有特别的限制，例如，可以通过将氮化铝陶瓷放置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入到超声波清洗机中，放置时间为30-60分钟，从而得到表面粗糙的氮化铝陶瓷和铜箔。
根据本发明，所述共晶钎焊的条件为本领域技术人员所公知，例如，所述共晶钎焊的条件包括压力为15-45牛顿，温度为1060-1080℃，时间为45-60分钟；所述共晶钎焊的设备可以为各种常规的加热设备，例如，上海祖发实业有限公司生产的SXJ系列管式气氛烧结炉。
为了使氮化铝陶瓷和铜箔在共晶钎焊时不被氧化，所述共晶钎焊在惰性气体气氛下进行，所述惰性气体为零族元素气体和氮气中的一种或几种，优选情况下，所述惰性气体的流量为20-40毫升/分钟。
下面将通过具体实施例对本发明做进一步的具体描述。
实施例1
本实施例用于说明本发明提供的陶瓷覆铜基板的制备方法。
(1)将尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片(福建华清电子材料科技有限公司)置于高温炉中(宜兴市前锦炉业设备有限公司，SX2-10-13)加热，加热的温度为1300℃，加热时间为30分钟，得到表面具有三氧化二铝层的氮化铝陶瓷基片。
(2)将2.7克氧化亚铜粉末(粒度为10μm)和15毫升的乙醇混合后，均匀的涂覆在步骤(1)得到的表面具有三氧化二铝层的氮化铝陶瓷基片的结合界面上，氮化铝陶瓷基片上氧化亚铜的量为1.6克/平方厘米，之后将涂覆有氧化亚铜的氮化铝陶瓷基片的结合界面和尺寸为13×13mm的铜箔(上海昂科工业技术有限公司，ANK)的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为2千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1065℃，时间为45分钟，氮气的流量为40毫升/分钟，得到陶瓷覆铜基板A1。
对比例1
(1)将尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片置于高温炉中(宜兴市前锦炉业设备有限公司，SX2-10-13)加热，加热的温度为1300℃，加热时间为30分钟，得到表面具有三氧化二铝层的氮化铝陶瓷基片。
(2)将尺寸为13×13mm的铜箔置于管式炉中(上海祖发实业有限公司，SXJ)加热，加热的温度为1000℃，加热时间为30分钟，加热在含有0.3体积％氧气的氮气气氛下进行，气体流量为50毫升/分钟，得到表面具有氧化亚铜层的铜箔。
(3)将步骤(1)得到的表面具有三氧化二铝层的氮化铝陶瓷基片的结合界面和步骤(2)得到的铜箔的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为2千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1065℃，时间为45分钟，氮气的流量为40毫升/分钟，之后将共晶钎焊得到的产物浸泡在100毫升的硝酸溶液(浓度为60重量％的硝酸与蒸馏水以1∶5的比例混合)中5分钟，以除去铜箔非结合面的氧化层，得到参比陶瓷覆铜基板CA1。
对比例2
(1)将尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片(福建华清电子材料科技有限公司)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的氮化铝陶瓷基片，使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该氮化铝陶瓷基片的粗糙度，该基片表面的粗糙度Ra值为0.65微米。
(2)将步骤(1)得到的表面粗糙的氮化铝陶瓷基片置于高温炉中(宜兴市前锦炉业设备有限公司，SX2-10-13)加热，加热的温度为1300℃，加热时间为30分钟。
(3)将尺寸为13×13mm的铜箔(上海昂科工业技术有限公司，ANK)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的铜箔，使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该铜箔的粗糙度，该铜箔表面的粗糙度Ra值为0.4微米。
(4)将步骤(3)得到的表面粗糙的铜箔置于管式炉中(上海祖发实业有限公司，SXJ)加热，加热的温度为1000℃，加热时间为30分钟，加热在含有0.3体积％氧气的氮气气氛下进行，流量为50毫升/分钟，使铜箔表面具有氧化亚铜层。
(5)将氮化铝陶瓷基片的结合界面和铜箔的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为2千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1065℃，时间为45分钟，氮气的流量为40毫升/分钟，之后将共晶钎焊得到的产物浸泡在100毫升的硝酸溶液(浓度为60重量％的硝酸与蒸馏水以1∶5的比例混合)中5分钟，以除去铜箔非结合面的氧化层，得到参比陶瓷覆铜基板CA2。
实施例2
本实施例用于说明本发明提供的陶瓷覆铜基板的制备方法。
(1)将尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片(福建华清电子材料科技有限公司)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的氮化铝陶瓷基片，使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该氮化铝陶瓷基片的粗糙度，该氮化铝陶瓷基片表面的粗糙度Ra值为0.25微米。
(2)将步骤(1)得到的表面粗糙的氮化铝陶瓷基片置于高温炉中(宜兴市前锦炉业设备有限公司，SX2-10-13)加热，加热的温度为1150℃，加热时间为60分钟。
(3)将2.5克氧化亚铜粉末(粒度为10μm)和15毫升的乙醇混合后，均匀的涂覆在尺寸为13×13mm的铜箔的结合界面上，铜箔上氧化亚铜的量为1.8克/平方厘米；之后将涂覆有氧化亚铜的铜箔的结合界面和步骤(2)得到的氮化铝陶瓷基片的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为4千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1075℃，时间为55分钟，氮气的流量为30毫升/分钟，得到陶瓷覆铜基板A2。
实施例3
本实施例用于说明本发明提供的陶瓷覆铜基板的制备方法。
(1)将尺寸为13×13mm的铜箔(上海昂科工业技术有限公司，ANK)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的铜箔，使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该铜箔的粗糙度，该铜箔表面的粗糙度Ra值为0.65微米。
(2)将2.9克氧化亚铜粉末(粒度为10μm)和16毫升的乙醇混合后，均匀的涂覆在步骤(2)得到的铜箔的结合界面上，铜箔上氧化亚铜的量为1.7克/平方厘米；将3.5克三氧化二铝粉末(粒度为10μm)和15毫升的乙醇混合后，均匀的涂覆在尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片的结合界面上，氮化铝陶瓷基片上三氧化二铝的量为1.58克/平方厘米；之后将涂覆有氧化亚铜的铜箔的结合界面和涂覆有三氧化二铝的氮化铝陶瓷基片的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为3千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1070℃，时间为50分钟，氮气的流量为20毫升/分钟，得到陶瓷覆铜基板A3。
实施例4
本实施例用于说明本发明提供的陶瓷覆铜基板的制备方法。
(1)将尺寸为15×15mm的氮化铝陶瓷基片(福建华清电子材料科技有限公司)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的氮化铝陶瓷基片，使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该氮化铝陶瓷基片的粗糙度，该氮化铝陶瓷基片表面的粗糙度Ra值为0.65微米。
(2)将尺寸为13×13mm的铜箔(上海昂科工业技术有限公司，ANK)置于装有金刚砂和水的烧杯中，然后将烧杯放入超声波清洗机中(昆山市超声仪器有限公司，KQ2200E)，放置时间为30分钟，从而得到表面粗糙的铜箔；使用表面粗糙度仪(北京时代之峰科技有限公司，TR101)检测该铜箔的粗糙度，该铜箔表面的粗糙度Ra值为0.25微米。
(3)将3克氧化亚铜粉末(粒度为10μm)、3.8克三氧化二铝粉末(粒度为10μm)和18毫升的乙醇混合后，均匀的涂覆在氮化铝陶瓷基片的结合界面上，氮化铝陶瓷基片上氧化亚铜的量为1.8克/平方厘米，三氧化二铝的量为1.7克/平方厘米；之后将涂覆有氧化亚铜的氮化铝陶瓷基片的结合界面和铜箔的结合界面结合在一起，并在氮化铝陶瓷基片和铜箔上压放重量为5千克的铁块；之后在纯氮气氛下放入烧结炉中进行共晶钎焊，共晶钎焊的条件包括温度为1070℃，时间为50分钟，氮气的流量为40毫升/分钟，得到陶瓷覆铜基板A4。
实施例5-8
根据以下方法检测实施例1-4得到的陶瓷覆铜基板A1-A4的剪切强度和结合强度，结果如表1所示：
剪切强度
分别在实施例1-4得到的陶瓷覆铜基板A1-A4上平行反向焊接可伐合金带，然后在拉力试验机(上海申联试验机厂，LDS-50)上沿着基板平面方向拉伸，拉伸变形速度为0.5mm/min，计算铜片脱落时的最大拉力与结合面积的比值，再除以9.8N/Kg，即得到剪切强度值。
结合强度
分别在实施例1-4得到的陶瓷覆铜基板A1-A4上焊接可伐合金柱，然后在拉力试验机(上海申联试验机厂，LDS-50)上垂直拉伸，拉伸变形速度为1mm/min，计算拉伸断裂时最大拉力与受力面积的比值，即得到结合强度值。
对比例3-4
根据实施例5-8所示的方法分别检测对比例1-2得到的参比陶瓷覆铜基板CA1-CA2的剪切强度和结合强度，结果如表1所示。
表1
| 实施例编号 | 实施例5 | 实施例6 | 实施例7 | 实施例8 | 对比例3 | 对比例4 |
| 剪切强度(kg.mm-2) | 3.1 | 3.5 | 3.6 | 3.7 | 2.1 | 2.4 |
| 结合强度(MPa) | 41.1 | 42.5 | 43.5 | 44.5 | 22.7 | 25.8 |
从上表1可以看出，本发明实施例1-4得到的陶瓷覆铜基板A1-A4的剪切强度和结合强度均显著高于对比例1-2得到的参比陶瓷覆铜基板CA1-CA2的剪切强度和结合强度；同时还可以看出实施例2-4得到的陶瓷覆铜基板A2-A4的剪切强度和结合强度均高于实施例1得到的陶瓷覆铜基板A1，说明使用结合面粗糙的氮化铝陶瓷和/或铜箔能够进一步提高得到的陶瓷覆铜基板的剪切强度和结合强度。
综上所述，本发明提供的方法能够显著的提高得到的陶瓷覆铜基板中氮化铝陶瓷和铜箔的结合强度，并且不需要还原铜箔的非结合界面的氧化层，简化了工艺步骤。
Claims (11)
1.一种陶瓷覆铜基板的制备方法，该方法包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热，之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊，其特征在于，该方法还包括在氧化气氛下将氮化铝陶瓷进行加热后，在氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上涂覆氧化亚铜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，氧化亚铜的涂覆总量为1.5-2克/平方厘米。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面为粗糙面，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面的粗糙度Ra值为0.2-0.7微米。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热的条件包括温度为1150-1300℃，时间为30-60分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述共晶钎焊的条件包括压力为15-45牛顿，温度为1060-1080℃，时间为45-60分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述惰性气体为零族元素气体和氮气中的一种或几种。
7.一种陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于，该方法包括在氮化铝陶瓷的结合界面与铜箔的结合界面上涂覆三氧化二铝和氧化亚铜，或在氮化铝陶瓷的结合界面涂覆三氧化二铝，在铜箔的结合界面涂覆氧化亚铜；或在氮化铝陶瓷的结合界面涂覆氧化亚铜，在铜箔的结合界面涂覆三氧化二铝；或在氮化铝陶瓷的结合界面或铜箔的结合界面上涂覆三氧化二铝和氧化亚铜；以使氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面之间具有三氧化二铝层和氧化亚铜；之后在惰性气体气氛下将氮化铝陶瓷结合界面与铜箔的结合界面结合并进行共晶钎焊。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，氧化亚铜的涂覆总量为1.5-2克/平方厘米；氮化铝陶瓷的结合界面和/或铜箔的结合界面上，三氧化二铝的涂覆总量为1.5-1.7克/平方厘米。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面为粗糙面，所述氮化铝陶瓷和/或铜箔的结合界面的粗糙度Ra值为0.2-0.7微米。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述共晶钎焊的条件包括压力为15-45牛顿，温度为1060-1080℃，时间为45-60分钟。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述惰性气体为零族元素气体和氮气中的一种或几种。
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