CN101441963B - 荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法 - Google Patents

Abstract

一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，在布置好电极线的玻璃基板(1)上显示区域涂覆介质浆料并采用低温烧成得到非透明的介质层(6)，在该介质层(6)上贴覆具有光敏特性的干膜，通过光刻工艺在干膜上制作掩模图形(7)；采用喷砂工艺利用介质材料和掩膜图形(7)的选择性刻蚀形成带有图形的介质层(6)，该介质图形只覆盖在面板上显示区域电极线的两侧及顶端。本发明的等离子显示面板上介质层的制作方法具有生产成本低，无需高温烧成、面板黄化现象减弱，耐压性能好，透光率高的优点。

Description

荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法

技术领域

本发明涉及一种等离子体显示板前基板介质层的制作，尤其是耐压性能好、透光率高的、减轻基板黄化的荫罩式等离子体显示板前基板介质层，具体地说是一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法。

背景技术

等离子显示器前基板上介质层需要具备以下两个特性：一、有较高的耐压性能，在显示器工作期间保护电极不被击穿，二、具有较高的可见光透过率，保证等离子显示器的发光效率和显示效果。介质层制作工艺中通常采用高温烧成，温度为560-600℃，得到透光率高的介质层。但是，高温烧成会带来以下不良后果：首先，高温烧成促进电极中的银离子扩散进入基板导致基板发生严重黄化；其次，等离子基板必须采用高温下变形较小的PD200玻璃使得基板制作成本提高，产品市场竞争力下降。

目前，等离子显示基板前基板上的介质层是采用整板制作方法，例如：浆料涂覆法、干膜压覆法覆盖在电极图形上的，因此电极线上、电极线之间、以及电极图形以外的基板上都被介质覆盖。介质的主要作用是保护电极线条不被击穿，电极线条以外的区域无需覆盖介质，因此等离子显示器前基板介质层整板制作方法带来了原料和制作工艺成本较高、同时高温烧成导致面板黄化现象严重等不良后果。

发明内容

本发明的目的是针对现有的荫罩式等离子显示器前基板介质层生产成本高、需要高温烧结、黄化现象严重的的问题，提出一种生产成本低，无需高温、减少黄化现象，耐压性能好，透光率高的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法。

本发明的技术方案是：

一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是它包括以下步骤：

(a).在布置好带有图形的电极的玻璃基板的显示区域涂覆介质浆料，然后放在平整的台面上流平使玻璃基板表面各处的介质浆料均匀，烘干介质浆料；

(b).对带有介质浆料的玻璃基板进行烧结，得到带有介质层的玻璃基板；

(c).在介质层上贴覆干膜，通过光刻工艺在干膜上形成与电极图形相匹配的掩模图形，掩模图形的各线条宽度是电极的各线条宽度加上一个d值，d的取值范围在0-50μm；

(d).对带有掩模图形的介质层进行喷砂，去除电极间的介质，形成与电极相匹配的带有图形的介质层；

(e).用喷淋溶液对带有图形介质层的玻璃基板进行喷淋，溶解除去掩模图形得到介质层仅覆盖电极周边的前基板介质层。

本发明喷淋去除掩膜图形的喷淋溶液为1％-5％的碳酸钠溶液。

本发明的的烧结温度是550℃，时间是10-60min。

本发明的涂覆的介质浆料层的湿膜厚度为40-100μm，烧结后的介质层厚度为25-40μm。

本发明的d值可为10μm。

本发明的烧结时间是30min。

本发明的有益效果：

1、本发明的介质层具有图形并且介质图形中的线条只覆盖电极线，而电极线之间和电极图形以外的基板上没有介质层覆盖，基板上非电极区域无介质覆盖保证了前基板具有较高的透光率。

2、本发明具有较高的耐压性能，能够保护电极不被击穿。

3、本发明介质层制作过程中无需高温烧结，减轻基板黄化现象。

4、本发明采用普通钠钙玻璃，无需采用价格昂贵的PD200玻璃做基板，降低等离子显示器的制作成本。

附图说明

图1是本发明的介质层制作过程示意图。

图1a是本发明的玻璃浆料和光敏银浆涂覆后的示意图。

图1b是本发明的电极示意图。

图1c是本发明的电极上整板制作介质层的示意图。

图1d是本发明的玻璃基板介质层上形成掩模图形的示意图。

图1e是本发明喷砂后带有图形的介质层示意图。

图1f是本发明的玻璃基板上电极及介质层的示意图。

图2是本发明中等离子显示器玻璃基板上电极及介质层的俯视结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示，本发明的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，它包括以下步骤：

(a).清洁玻璃基板1，将玻璃浆料2和光敏银浆3分别高速搅拌脱泡，冷却至室温待用，玻璃基板1为普通钠钙玻璃；

(b).在玻璃基板1上均匀涂覆厚度为8-15μm的玻璃浆料2，然后放在平整的台面上流平10-20min使玻璃基板1表面各处的玻璃浆料2厚度均匀，烘干玻璃浆料2使浆料中低熔点溶剂挥发；

(c).在带有玻璃浆料2的玻璃基板1上层表面涂覆厚度为15-24μm的光敏银浆

(3)，然后放在平整的台面上流平10-20min使玻璃基板1表面各处的光敏银浆

(3)厚度均匀，烘干光敏银浆3使银浆中溶剂完全挥发；

(d).将带电极图形的掩膜版放于光敏银浆3的表面，然后进行对位、抽真空，将紫外光垂直照射掩膜版以及其下面的光敏银浆层和玻璃浆料层，得到具有电极图形的固化浆料和未固化的浆料；

(e).用0.1‰-0.5‰的碳酸钠喷淋溶液喷淋在紫外光照射过的玻璃基板1上，溶解除去未固化的浆料，得到固化浆料形成带有图形的电极4；

(f).对带有图形的电极4采用550℃，保温30min的烧成条件进行烧结使其牢固附着在玻璃基板1上；

(g).清洁布置好带有图形的电极4的玻璃基板1，高速搅拌介质浆料并脱泡，冷却至室温待用；

(h).在布置好带有图形的电极4的玻璃基板1的显示区域涂覆介质浆料，介质浆料层的湿膜厚度为40-100μm，然后放在平整的台面上流平10-20min使玻璃基板1表面各处的介质浆料均匀，烘干介质浆料使浆料中溶剂完全挥发；

(i).对带有介质浆料的玻璃基板1采用550℃，时间是10-60min，以30min为例，进行烧结，得到带有介质层6的玻璃基板1，介质层6的厚度为25-40μm；

(g).在介质层6上贴覆干膜，通过光刻工艺在干膜上形成与电极4图形相匹配的掩模图形7，掩模图形7的各线条宽度是电极4的各线条宽度加上一个d值，d的取值范围在0-50μm，d值最优可为10μm；

(k).对带有掩模图形7的介质层6进行喷砂，去除电极4间的介质，形成与电极相匹配的带有图形的介质层6；

(l).用1％-5％的碳酸钠喷淋溶液对带有图形介质层6的玻璃基板1进行喷淋，溶解除去掩模图形7；

(m).清洁玻璃基板1，得到带有图形的电极4以及覆盖在其上的带有图形的介质层6。

具体实施时：

首先，清洁普通钠钙玻璃基板1。

浆料准备：将黑色玻璃浆料2和白色光敏银浆3分别高速搅拌脱泡，冷却至室温待用。

采用丝网印刷方法，在玻璃基板1上均匀涂覆一层玻璃浆料2，该玻璃浆料2膜层厚度为8-15μm，将玻璃基板1放在平整的台面上流平10-20min，目的使玻璃基板1表面各处玻璃浆料2的厚度更加均匀。流平结束，烘干玻璃浆料2，使浆料中低熔点溶剂完全挥发。

采用丝网印刷方法，在玻璃浆料2层表面涂覆一层厚度为15-24μm光敏银浆3，印刷完毕，将玻璃基板1放置在平整台面上流平10-20min，流平完毕烘干使光敏银浆3中溶剂完全挥发。

曝光：采用接触式曝光方法，带电极图形的掩膜版放于光敏银浆3表面，进行对位，抽真空，紫外光垂直照射掩膜版以及其下面的光敏银浆层和玻璃浆料层，得到具有电极图形的固化浆料和未固化的浆料。

显影：用0.1‰-0.5‰的碳酸钠溶液喷淋在以上加工的玻璃基板上，溶解除去未固化的浆料，保留固化浆料形成带有图形的电极4，如图1b所示。

烧结：采用550℃，保温30min的烧成条件对带有图形的电极4进行固化使其牢固附着在玻璃基板1上。

清洁布置好带有图形的电极4的玻璃基板1，将介质浆料装入干净的搅拌盒高速搅拌脱泡，冷却至室温待用。

在布置带有图形的电极4的玻璃基板1的显示区域涂覆介质浆料，介质浆料的湿膜厚为40-60μm。流平并烘干介质浆料，使浆料中溶剂完全挥发。

烧结：采用550℃，保温30min的烧成条件对介质浆料进行烧成，得到厚度为25-40μm的白色介质层6，如图1c所示。

通过热压工艺，在介质层6上贴覆具有光敏特性并且耐喷砂作用的干膜，通过光刻工艺在干膜上形成掩模图形7，掩模图形7中的线条数量和形状与电极4中线条数量和形状完全一致，掩模图形7中线条的宽度是电极图形中线条宽度加上一个d值，d的取值范围在0-50μm，以10μm为例；通过对位标记，保证掩模图形7中每根线条和电极4中每根电极线一一对应。

通过喷砂工艺和掩模图形7的选择性刻蚀，在介质层6上形成带有图形的介质层6，如图1e所示，带有图形的介质层6由一系列介质线条组成。带有图形的介质层6中介质线条和电极4中电极线一一对应并覆盖在面板显示区域电极线上，而面板显示区域电极4中相邻电极线之间介质层经过喷砂工艺除去。

用1％-5％的碳酸钠溶液喷淋在以上加工的基板上，溶解除去掩模图形7，清洁玻璃基板1，得到电极4以及覆盖在其上的带有图形的介质层6如图1f和图2所示。

本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

Claims (5)

1.一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是它包括以下步骤：

(a).在布置好带有图形的电极(4)的玻璃基板(1)的显示区域涂覆介质浆料，然后放在平整的台面上流平使玻璃基板(1)表面各处的介质浆料均匀，烘干介质浆料；

(b).对带有介质浆料的玻璃基板(1)进行烧结，得到带有介质层(6)的玻璃基板(1)；

(c).在介质层(6)上贴覆干膜，通过光刻工艺在干膜上形成与电极(4)图形相匹配的掩模图形(7)，掩模图形(7)的各线条宽度是电极(4)的各线条宽度加上一个d值，d的取值范围在0-50μm；

(d).对带有掩模图形(7)的介质层(6)进行喷砂，去除电极(4)间的介质，形成与电极相匹配的带有图形的介质层(6)；

(e).用喷淋溶液对带有图形介质层(6)的玻璃基板(1)进行喷淋，溶解除去掩模图形(7)得到介质层仅覆盖电极(4)周边的前基板介质层。

2.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的烧结温度是550℃，时间是10-60min。

3.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的涂覆的介质浆料层的湿膜厚度为40-100μm，烧结后的介质层厚度为25-40μm。

4.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的d值为10μm。

5.根据权利要求3所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的烧结时间是30min。

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