CN101435990A - 掩模板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种掩模板，包括基板，基板上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片和可掩模出第二电路图案的第二偏振片，第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。本发明还涉及一种掩模板制造方法，包括：在基板上粘贴第一偏振片；在第一偏振片上形成第一电路图案；在基板上粘贴第二偏振片，第二偏振片的偏振方向垂直于第一偏振片的偏振方向；在第二偏振片上形成第二电路图案。本发明有效克服了现有掩模板只能掩模出一种电路图案的缺陷和现有掩模板可修复性差、有环境污染隐患的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种掩模板及其制造方法，特别涉及一种可以形成不同电路图案的掩模板及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，以下简称为LCD)技术在近十年飞速发展，从屏幕尺寸到显示质量都取得了很大进步。并且LCD各方面的性能已经接近传统阴极射线管(Cathode Ray Tubes，以下简称为CRT)显示装置的水平。随着LCD面板生产规模不断扩大，各个生产厂商之间针对产品质量和生产成本进行激烈地竞争。
掩膜板是LCD的阵列基板，彩色滤光片基板等制备过程中光刻工艺所需要的重要资材，掩膜板的质量和成本直接影响到LCD面板的质量和生产成本。
现有技术通过如下步骤制造掩膜板，具体为：在基板上沉积一层均匀的铬；在铬上面涂覆光刻胶；通过激光扫描工艺，曝光光刻胶；通过显影工艺，去掉被曝光的光刻胶；通过蚀刻工艺，蚀刻铬层；通过剥离工艺，剥离剩余光刻胶，形成掩模板。
现有的掩模板存在如下缺陷：在现有的掩模板遮掩下只能掩模出一种电路图案，从而导致在阵列基板制造过程中需要多次更换掩模板，降低了阵列基板制造过程中曝光机的稼动率。同时，现有的掩模板所使用的铬材料是有毒材料，特别地在刻蚀工艺中生成的六价铬离子为带有剧毒的物质，因此存在环境污染隐患。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩模板及其制造方法，通过偏振方向不同的偏振片制作掩模板的方案，克服了现有掩模板只能掩模出一种电路图案的缺陷和现有掩模板具有环境污染隐患的缺陷。
为实现上述目的，本发明提供了一种掩模板，包括基板，基板上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片和可掩模出第二电路图案的第二偏振片，第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。
其中，第一偏振片和第二偏振片之间设有聚酰亚胺薄膜，使第一偏振片和第二偏振片分别位于聚酰亚胺薄膜的两面。
其中，基板上设有保护层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种掩模板制造方法，包括：在基板上粘贴第一偏振片；在第一偏振片上形成第一电路图案；在基板上粘贴第二偏振片，第二偏振片的偏振方向垂直于第一偏振片的偏振方向；在第二偏振片上形成第二电路图案。
其中，在第一偏振片上形成第一电路图案具体为：在第一偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻第一偏振片，形成第一电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
其中，在第一偏振片上形成第一电路图案具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化第一偏振片，形成第一电路图案。
其中，在第二偏振片上形成第二电路图案具体为：在第二偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻第二偏振片，形成第二电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
其中，在第一偏振片上形成第二电路图案具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化第二偏振片，形成第二电路图案。
其中，在基板上粘贴第二偏振片具体为：在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜，在聚酰亚胺薄膜上粘贴第二偏振片。
其中，在第二偏振片上形成第二电路图案之后还包括：在基板上涂覆保护层。
为实现上述目的，本发明还提供了一种掩模板制造方法，包括：分别在基板和保护层上粘贴第一偏振片和第二偏振片，且第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直；在第一偏振片上形成第一电路图案，在第二偏振片上形成第二电路图案；通过聚酰亚胺薄膜粘贴基板和保护层。
本发明掩模板及其制造方法，通过在第一偏振片上形成第一电路图案，在第二偏振片上形成第二电路图案，克服了现有掩模板不能掩模出多个电路图案的缺限，达到了用一个掩模板形成不同电路图案的技术效果。同时，本发明掩模板及其制造方法所使用的偏振片的材质为树脂，因此克服了现有掩模板制造方法所使用的铬层引起污染的缺陷，从而使得掩模板可以被方便地回收并重复利用。另外，本发明掩模板及其制造方法所使用的偏振片的材质为树脂，因此通过揭开偏振片的方法简单地去除有误差的偏振片，克服了现有掩模板制造方法通过繁琐的工艺去除有误差的铬层的缺陷，从而提高了掩模板的可修复性。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明掩模板第一实施例的结构示意图；
图2为本发明掩模板第一实施例的平面示意图；
图3为本发明掩模板第二实施例的结构示意图；
图4为本发明掩模板第三实施例的结构示意图；
图5为本发明掩模板第四实施例的结构示意图；
图6为本发明掩模板制造方法第一实施例的流程图；
图7为本发明掩模板制造方法第二实施例的流程图；
图8为本发明掩模板制造方法第三实施例的流程图；
图9为本发明掩模板制造方法第四实施例的流程图；
图10为本发明掩模板制造方法第五实施例的流程图；
图11a为本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上粘贴第一偏振片的基板截面示意图；
图11b为本发明掩模板制造方法的第五实施例在第一偏振片上涂覆光刻胶的基板截面示意图；
图11c为本发明掩模板制造方法的第五实施例曝光第一偏振片上光刻胶的基板截面示意图；
图11d为本发明掩模板制造方法的第五实施例去掉第一偏振片上被曝光光刻胶的基板截面示意图；
图11e为本发明掩模板制造方法的第五实施例蚀刻第一偏振片的基板截面示意图；
图11f为本发明掩模板制造方法的第五实施例剥离第一偏振片上剩余光刻胶的基板截面示意图；
图11g为本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜的基板截面示意图；
图11h为本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上粘贴第二偏振片的基板截面示意图；
图11i为本发明掩模板制造方法的第五实施例在第二偏振片上涂覆光刻胶的基板截面示意图；
图11j为本发明掩模板制造方法的第五实施例曝光第二偏振片上光刻胶的基板截面示意图；
图11k为本发明掩模板制造方法的第五实施例去掉第二偏振片上被曝光光刻胶的基板截面示意图；
图11l为本发明掩模板制造方法的第五实施例蚀刻第二偏振片的基板截面示意图；
图11m为本发明掩模板制造方法的第五实施例剥离第二偏振片上剩余光刻胶的基板截面示意图；
图11n为本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上涂覆保护层的基板截面示意图；
图12为本发明掩模板制造方法第六实施例的流程图。
附图标记说明
1—第一偏振片； 2—第二偏振片； 3—基板；
4—聚酰亚胺薄膜； 5—保护层； 6—光刻胶。
具体实施方式
图1为本发明掩模板第一实施例的结构示意图，图2为本发明掩模板第一实施例的平面示意图，如图1和图2所示，掩模板包括：基板3，在基板3上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片1和可掩模出第二电路图案的第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的偏振方向相互垂直。
本实施例掩模板，通过可掩模出第一电路图案的第一偏振片和可掩模出第二电路图案的第二偏振片，克服了用现有掩模板不能对应多个电路图案的缺点，达到了用一个掩模板形成不同电路图案的技术效果。同时，本实施例掩模板的偏振片的材质为树脂，因此克服了现有掩模板的铬层引起污染的缺陷，从而使得掩模板可以被方便地回收重复利用。另外，本实施例掩模板的偏振片的材质为树脂，因此通过揭开偏振片的方法简单地去除有误差的偏振片，克服了现有掩模板通过繁琐的工艺去除有误差的铬层的缺陷，从而提高了掩模板的可修复性。
使用本实施例掩模板时给曝光机加上偏振滤光原件，使曝光机发出可调整偏振方向的偏振光。具体为：使偏振滤光原件的偏振方向与第二偏振片偏振方向一致，这样可以使得曝光机发出与第二偏振片偏振方向相同的偏振光，由于第一偏振片偏振方向与第二偏振片偏振方向垂直，所以第一偏振片不能使与第二偏振片偏振方向相同的偏振光透过，这时第一偏振片为非透射区域，第二偏振片为透射区域，即通过曝光工艺和后续的显影工艺在目标基板的光刻胶上可以形成与第一偏振片对应的电路图案。使偏振滤光原件的偏振方向与第一偏振片偏振方向一致，这样可以使得曝光机发出与第一偏振片偏振方向相同的偏振光，由于第二偏振片偏振方向与第一偏振片偏振方向垂直，所以第二偏振片不能使与第一偏振片偏振方向相同的偏振光透过，这时第二偏振片为非透射区域，第一偏振片为透射区域，即通过曝光工艺和后续的显影工艺在目标基板的光刻胶上可以形成与第二偏振片对应的电路图案。所以使用本实施例掩模板形成两个不同电路图案时，通过改变偏振滤光原件的偏振方向，实现了在目标基板的光刻胶上形成两个不同图案的技术方案，因此有效克服了使用现有掩模板时只能通过更换掩模板的方式在目标基板的光刻胶上形成两个不同图案的缺陷，有效节省了更换掩模板的时间，提高了曝光机的稼动率。其中，稼动率＝(作业时间-流失时间)/作业时间或稼动率＝稼动时间/总工时。
在本实施例掩模板中，基板的材质可以为石英或者为苏打。
图3为本发明掩模板第二实施例的结构示意图，本发明掩模板第二实施例在本发明掩模板第一实施例的基础上进行了改进，如图3所示，掩模板包括：基板3，在基板3上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片1，在第一偏振片1上设置有聚酰亚胺薄膜4，在聚酰亚胺薄膜上4设置有可掩模出第二电路图案的第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的偏振方向相互垂直。
本实施例掩模板，通过在第一偏振片和第二偏振片之间增加聚酰亚胺薄膜，可以防止薄膜之间产生气泡，从而有效提高了掩模板的质量。
图4为本发明掩模板第三实施例的结构示意图，本发明掩模板第三实施例在本发明掩模板第一实施例的基础上进行了改进，如图4所示，掩模板包括：基板3，在基板3上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片1和可掩模出第二电路图案的第二偏振片2，保护层5位于基板3的最外层，并覆盖着第一偏振片1和第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的偏振方向相互垂直。
本发明实施例掩模板，通过在第一偏振片和第二偏振片上增加保护层，可以防止第一偏振片或第二偏振片被刮伤，同时还可以防止第一偏振片或第二偏振片上附着尘粒(partical)，从而有效提高了掩模板的质量。
图5为本发明掩模板第四实施例的结构示意图，本发明掩模板第四实施例在本发明掩模板第一实施例的基础上进行了改进，如图5所示，掩模板包括：基板3，在基板3上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片1，在第一偏振片1上设置有聚酰亚胺薄膜4，在聚酰亚胺薄膜上4设置有可掩模出第二电路图案的第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的偏振方向相互垂直，保护层5位于基板3的最外层，并覆盖着第一偏振片1和第二偏振片2。
本实施例掩模板，可以达到本发明掩模板第一实施例至本发明掩模板第三实施例的综合效果，是本发明掩模板的较佳实施例。
图6为本发明掩模板制造方法第一实施例的流程图，如图6所示，该方法具体包括如下步骤：
步骤101、在基板上粘贴第一偏振片；
步骤102、在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
步骤103、在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向；
步骤104、在所述第二偏振片上形成第二电路图案。
本实施例掩模板制造方法，通过在第一偏振片上形成第一电路图案，在第二偏振片上形成第二电路图案，克服了现有掩模板不能掩模出多个电路图案的缺限，达到了用一个掩模板形成不同电路图案的技术效果。同时，本实施例掩模板制造方法所使用的偏振片的材质为树脂，因此克服了现有掩模板制造方法所使用的铬层引起污染的缺陷，从而使得掩模板可以被方便地回收并重复利用。另外，本实施例掩模板制造方法所使用的偏振片的材质为树脂，因此通过揭开偏振片的方法简单地去除有误差的偏振片，克服了现有掩模板制造方法通过繁琐的工艺去除有误差的铬层的缺陷，从而提高了掩模板的可修复性。
在本实施例掩模板制造方法中，基板的材质为石英或者为苏打。
在本实施例掩模板制造方法中，在第一偏振片上形成第一电路图案具体为：在第一偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻第一偏振片，形成第一电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
在本实施例掩模板制造方法中，在第一偏振片上形成第一电路图案的另一种方法具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化第一偏振片，形成第一电路图案。
在本实施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二电路图案具体为：在第二偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻第二偏振片，形成第二电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
在本实施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二电路图案的另一种方法具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化第二偏振片，形成第二电路图案。
在本实施例掩模板制造方法中，在基板上粘贴第二偏振片可以为：在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜，在聚酰亚胺薄膜上粘贴第二偏振片。
在本实施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二电路图案之后还可以包括：在基板上涂覆保护层。
在本实施例掩模板制造方法中，任意步骤之前按照实际生产需要增加清洗工序；同时在本实施例掩模板制造方法中，任意步骤之后按照实际生产需要增加检测工序。
图7为本发明掩模板制造方法第二实施例的流程图，本发明掩模板制造方法第二实施例在本发明掩模板制造方法第一实施例的基础上进行了改进，如图7所示，该方法具体包括如下步骤：
步骤201、在基板上粘贴第一偏振片；
步骤202、在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
步骤203、在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜；
步骤204、在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向；
步骤205、在所述第二偏振片上形成第二电路图案。
本实施例掩模板制造方法中，通过第一偏振片上涂覆聚酰亚胺薄膜，使得在后续工艺中蚀刻第二偏振片时所使用的蚀刻剂与第一偏振片发生反应，同时所涂覆的聚酰亚胺薄膜可以防止薄膜之间产生气泡，从而提高了掩模板的质量。
图8为本发明掩模板制造方法第三实施例的流程图，本发明掩模板制造方法第三实施例在本发明掩模板制造方法第一实施例的基础上进行了改进，如图8所示，该方法具体包括如下步骤：
步骤301、在基板上粘贴第一偏振片；
步骤302、在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
步骤303、在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向；
步骤304、在所述第二偏振片上形成第二电路图案；
步骤305、在基板上涂覆保护层，使得保护层覆盖第一偏振片和第二偏振片。
本发明实施例掩模板方法，通过在第一偏振片和第二偏振片上增加保护层，可以防止第一偏振片或第二偏振片被刮伤，同时还可以防止第一偏振片或第二偏振片上附着尘粒(partical)，从而有效提高了掩模板的质量。
图9为本发明掩模板制造方法第四实施例的流程图，本发明掩模板制造方法第四实施例在本发明掩模板制造方法第一实施例的基础上进行了改进，如图9所示，该方法具体包括如下步骤：
步骤401、在基板上粘贴第一偏振片；
步骤402、在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
步骤403、在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜；
步骤404、在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向；
步骤405、在所述第二偏振片上形成第二电路图案；
步骤406、在基板上涂覆保护层，使得保护层覆盖第一偏振片和第二偏振片。
本实施例掩模板制造方法，可以达到本发明掩模板制造方法第一实施例至本发明掩模板制造方法第三实施例的综合效果，是本发明掩模板制造方法的较佳实施例。
图10为本发明掩模板制造方法第五实施例的流程图，本发明掩模板制造方法第五实施例在本发明掩模板制造方法第一实施例的基础上进行了改进，如图10所示，该方法具体包括如下步骤：
步骤501、在基板3上粘贴第一偏振片1，参见图11a所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上粘贴第一偏振片的基板截面示意图。
步骤502、通过涂覆工艺在第一偏振片1上均匀地涂覆光刻胶6，参见图11b所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在第一偏振片上涂覆光刻胶的基板截面示意图。
步骤503、通过激光扫描工艺曝光均匀涂覆在第一偏振片1上的光刻胶6，参见图11c所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例曝光第一偏振片上光刻胶的基板截面示意图。
步骤504、通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶6，使得一部分第一偏振片1未被光刻胶6所覆盖，另一部分第一偏振片1被光刻胶6所覆盖，参见图11d所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例去掉第一偏振片上被曝光光刻胶的基板截面示意图。
步骤505、通过蚀刻工艺蚀刻未被光刻胶6覆盖的第一偏振片1，形成第一电路图案，参见图11e所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例蚀刻第一偏振片的基板截面示意图。
步骤506、通过剥离工艺剥离剩余光刻胶6，参见图11f所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例剥离第一偏振片上剩余光刻胶的基板截面示意图。
步骤507、在基板3上均匀地涂覆聚酰亚胺薄膜4；使聚酰亚胺薄膜4覆盖第一偏振片1，参见图11g所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上涂覆聚酰亚胺薄膜的基板截面示意图。
步骤508、在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向，参见图11h所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上粘贴第二偏振片的基板截面示意图。
步骤509、通过涂覆工艺在第二偏振片2上均匀地涂覆光刻胶6，参见图11i所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在第二偏振片上涂覆光刻胶的基板截面示意图。
步骤510、通过激光扫描工艺曝光均匀涂覆在第二偏振片2上的光刻胶6，参见图11j所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例曝光第二偏振片上光刻胶的基板截面示意图。
步骤511、通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶6，使得一部分第二偏振片2未被光刻胶6所覆盖，另一部分第二偏振片2被光刻胶6所覆盖，参见图11k所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例去掉第二偏振片上被曝光光刻胶的基板截面示意图。
步骤512、通过蚀刻工艺蚀刻未被光刻胶6覆盖的第二偏振片2，形成第二电路图案，参见图11l所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例蚀刻第二偏振片的基板截面示意图。
步骤513、通过剥离工艺剥离剩余光刻胶6，参见图11m所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例剥离第二偏振片上剩余光刻胶的基板截面示意图。
步骤514、在基板上均匀地涂覆保护层5，使得保护层覆盖第二偏振片2，参见图11n所示的本发明掩模板制造方法的第五实施例在基板上涂覆保护层的基板截面示意图，完成掩模板制作。
图12为本发明掩模板制造方法第六实施例的流程图，该方法具体包括如下步骤：
步骤601、在基板粘贴第一偏振片；
步骤602、在保护层上粘贴第二偏振片，且所述第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直；
步骤603、在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
步骤604、在所述第二偏振片上形成第二电路图案；
步骤605、通过聚酰亚胺薄膜粘贴所述基板和保护层，使所述第一偏振片和第二偏振片相对隔离。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1、一种掩模板，包括基板，其特征在于：所述基板上设置有可掩模出第一电路图案的第一偏振片和可掩模出第二电路图案的第二偏振片，所述第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。
2、根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：所述第一偏振片和第二偏振片之间设有聚酰亚胺薄膜，使所述第一偏振片和第二偏振片分别位于所述聚酰亚胺薄膜的两面。
3、根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于：所述基板上设有保护层。
4、一种掩模板制造方法，其特征在于包括：
在基板上粘贴第一偏振片；
在所述第一偏振片上形成第一电路图案；
在所述基板上粘贴第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述第一偏振片的偏振方向；
在所述第二偏振片上形成第二电路图案。
5、根据权利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于：在所述第一偏振片上形成第一电路图案具体为：在所述第一偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光所述光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻所述第一偏振片，形成第一电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
6、根据权利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于：在所述第一偏振片上形成第一电路图案具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化所述第一偏振片，形成第一电路图案。
7、根据权利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于：在所述第二偏振片上形成第二电路图案具体为：在所述第二偏振片上涂覆光刻胶，通过激光扫描工艺曝光所述光刻胶，通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶，通过蚀刻工艺蚀刻所述第二偏振片，形成第二电路图案，通过剥离工艺剥离剩余光刻胶。
8、根据权利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于：在所述第一偏振片上形成第二电路图案具体为：通过强脉冲激光扫描工艺灰化所述第二偏振片，形成第二电路图案。
9、根据权利要求4～8所述的任一掩模板制造方法，其特征在于：在所述基板上粘贴第二偏振片具体为：在所述基板上涂覆聚酰亚胺薄膜，在所述聚酰亚胺薄膜上粘贴第二偏振片。
10、根据权利要求4～8所述的任一掩模板制造方法，其特征在于：在所述第二偏振片上形成第二电路图案之后还包括：在所述基板上涂覆保护层。
11、一种掩模板制造方法，其特征在于包括：
分别在基板和保护层上粘贴第一偏振片和第二偏振片，且所述第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直；
在所述第一偏振片上形成第一电路图案，在所述第二偏振片上形成第二电路图案；
通过聚酰亚胺薄膜粘贴所述基板和保护层。
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2007
- 2007-11-15 CN CN 200710177426 patent/CN101435990B/zh not_active Expired - Fee Related
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