CN101416109A - 形成纳米图案的方法和具有使用该方法形成的图案的基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及纳米图案的形成方法，并且，更具体而言，涉及在大面积上连续形成纳米图案的方法和在辊形基板上形成纳米图案的方法以及具有使用该方法形成的图案的基板。使用相对移动大面积样品和干涉光光源的方法以及通过干涉光光源和辊形基板的相对轴向运动同时旋转辊形基板来进行曝光的方法来避免在相关领域中发生的问题，例如在形成纳米图案过程中装置所需的大空间、激光的有限输出和图案中有限的自由度。

Description

形成纳米图案的方法和具有使用该方法形成的图案的基板
技术领域
本发明涉及形成纳米图案的方法，并且，更具体而言，涉及在大面积上连续形成纳米图案的方法和在辊形基板上形成纳米图案的方法以及具有使用该方法形成的图案的基板。
本申请要求2006年3月28日和2006年4月11日在韩国知识产权局提交的第10-2006-27946号和第10-2006-32655号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容在此引入作为参考。
背景技术
通常，为了在例如半导体电路元件和LCD的显示器件上形成精细图案或者产生压印模以在元件或者器件上形成精细图案，通常采用使用光敏树脂(光致抗蚀剂)的光学光刻法。在该光学光刻法中，置于基板上的光敏膜可以被选择性地曝光并显影以在其上面形成精细图案。选择性曝光光敏膜的方法实例包括使用掩模的方法或者使用光干涉的方法。
近来，随着集成电路的快速发展，精细图案的形成已经成为需要，并且已经开展了将图案尺寸减小至纳米级的研究。以下，在说明书中，当以纳米间隔，即，1000nm或更小，连续形成具有预定形状的图案时，将它们称为纳米图案。同时，随着显示器件的尺寸越来越大，需要增加精细图案的面积。
通常，为了通过使用光干涉光刻法形成高精度图案，应当使用具有更短波长的紫外线或者激光光束。但是，因为在已知短波激光的印出方面有限制，因而也限制了能够通过已知激光形成的精细图案的尺寸。在相关领域中，为了使短波激光束辐射到大面积样品上，使用了将大面积样品和光源以几米的间隔设置的方法。例如，图2解释了通过光干涉形成图案的方法。但是，上述方法的问题在于，需要大空间并且当使用短波光源来形成精密图案时大量激光束在空气中被吸收。因此，当使用具有预定值或更小的短波长光时，可以在真空中进行该方法。
同时，使用掩模的光学光刻法的问题在于精细图案的掩模的生产成本高并且难以生产纳米图案的掩模。在光干涉光刻法中，其中通过使用与样品分隔开的干涉光光源在样品上形成图案，问题在于形成图案的自由度受到限制并且图案的精密度随着样品和光源之间的距离的增加而降低。
近年来，已经研究了采用纳米压印方法在大面积上形成精细图案的技术(第2005-37773和2005-75580号韩国未审查的专利申请公开)。但是，由于上述原因，难以生产足够大的压印模(stamper)用于在纳米压印方法中使用的图案的转印。因此，在采用纳米压印方法的技术中，为了在大面积上形成精细图案，不可避免地要同时使用多个压印模或者重复使用单个压印模多次。当通过采用已知纳米压印方法在大面积上形成精细图案时，精细图案不是在大面积上连续形成并且产生长度为几十微米或更长的图案接缝，这使得其难以用于显示器件。
总而言之，在相关领域中还没有在大面积上连续形成纳米图案的技术。对此，术语“大面积”指的是具有预定形状的面积，其中最长宽度，例如，圆形的直径或者矩形的对角线，大于12英寸，优选20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。在目前半导体芯片制造商中，用于光学光刻法的晶片的最大尺寸为直径12英寸。在本领域中，需要开发在大面积上连续形成精细图案的方法。
发明内容
技术问题
本发明人已经发现，相对移动大面积样品和干涉光光源的方法以及在基板旋转的同时通过干涉光光源和辊形基板的相对轴向运动使辊形基板曝光的方法，有利于避免在相关领域中发生的问题，例如在形成纳米图案过程中装置所需的大空间、激光的有限输出和图案中有限的自由度。因此，本发明的目的是提供在大面积上连续形成纳米图案的方法、在辊形基板上形成纳米图案的方法和具有使用该方法形成的图案的基板。
技术方案
为了实现上述目的，本发明提供了一种形成图案的方法，其包括A)在基板上形成光敏树脂层，B)通过相对移动在其上面形成光敏树脂层的基板和干涉光光源而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层，和C)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
进而，本发明提供了一种形成图案的方法，其包括a)在辊形基板上形成光敏树脂层，b)通过在基板的轴向上相对移动干涉光光源和辊形基板，同时旋转在其上面形成光敏树脂层的辊形基板，从而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层，和c)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
有益效果
根据本发明，与已知技术相比，可以连续在大面积上形成纳米图案，可以改善纳米图案的自由度和精密度，并且可以减少在大面积上形成图案所需装置的空间。
附图说明
图1为通过采用光干涉形成图案的机理的图示；
图2为解释采用光干涉形成图案的方法的配置图；
图3为压印模生产的图示；
图4～6解释根据本发明的实施方式通过基板和光源的相对运动形成图案的示意图；
图7～9解释根据本发明的实施方式通过辊形基板和光源的相对运动同时旋转辊形基板形成图案的示意图；
图10～12解释了不同类型的干涉光头。
具体实施方式
本发明提供了一种形成图案的方法，其包括A)在基板上形成光敏树脂层，B)通过相对移动在其上面形成光敏树脂层的基板和干涉光光源而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层，和C)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
该方法可进一步包括D)通过采用已形成图案的光敏树脂层选择性蚀刻基板，和E)移除光敏树脂层。
该方法可进一步包括D′)通过镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有感光树脂层的基板分离制造模具，和E′)使用该模具转印纳米图案。
本发明还提供了一种基板，在其至少一个侧面上通过使用包括步骤A、B和C的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
本发明又提供了一种基板，在其上面通过使用包括步骤A、B、C、D和E或者包括步骤A、B、C、D′和E′的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
本发明另外提供了一种模具，在其上面通过使用包括步骤A、B、C和D′的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
此外，本发明提供了包括采用上述方法形成的纳米图案的电子元件、电子装置或者压印模。所述电子元件可以是分束偏光器(beamsplitting polarizer)，而电子装置可以是显示装置。
进而，本发明提供了一种形成图案的方法，其包括a)在辊形基板上形成光敏树脂层，b)通过在基板的轴向上相对移动干涉光光源和辊形基板，同时旋转在其上面形成光敏树脂层的辊形基板，从而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层，和c)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
该方法可进一步包括d)通过采用已形成图案的光敏树脂层选择性蚀刻辊形基板，和e)移除光敏树脂层。
该方法可进一步包括d′)通过镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有光敏树脂层的基板分离制造模具，和e′)使用该模具转印纳米图案。
本发明还提供了一种辊形基板，在其至少一个侧面上通过使用包括步骤a、b和c的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
本发明又提供了一种辊形基板，在其上面通过使用包括步骤a、b、c、d和e或者包括步骤a、b、c、d′和e′的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
本发明另外提供了一种模具，在其上面通过使用包括步骤a、b、c、和d′的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。形成图案的面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。
此外，本发明提供了包括采用上述方法形成的纳米图案的电子元件、电子装置或者压印模。所述电子元件可以是分束偏光器，而电子装置可以是显示装置。
此外，本发明提供了生产压印模的方法和使用该方法生产的压印模，该方法进一步包括d＂)在步骤c后在光敏树脂图案上沉积如Cr或Cr合金的金属。
在下文中将给出本发明的详细描述。
根据本发明形成图案的方法之一为通过采用光学光刻法形成图案，其中，使用干涉光以使光敏树脂层形成图案，并且在光敏树脂层曝光过程中相对移动干涉光光源和在其上面形成光敏树脂层的基板。
在根据本发明的形成图案的另一方法中，使用干涉光以使光敏树脂层形成图案，并且在光敏树脂层曝光过程中，以基板的轴向相对移动干涉光光源和在其上面形成光敏树脂层的辊形基板，同时旋转辊形基板。
在本发明中，可以使用干涉光形成纳米图案。进而，在曝光过程中，光源和在其上面形成光敏树脂层的基板可以相对移动以连续在大面积上形成图案，同时光源和基板位于与已知技术相比彼此更接近的位置。当使用辊形基板时，只要增加辊的长度，就可以容易地确保实现大面积，并且，在曝光过程中，以基板的轴向相对移动干涉光光源和辊形基板，同时旋转辊形基板以便于与已知技术相比位于彼此更接近的位置并围绕大面积辊连续提供螺旋图案。
换句话说，在相关领域中，为了将光源辐射到大面积基板上将大面积样品和光源以几米的间隔进行配置。但是，在本发明中，为了在大面积上连续形成图案，相对移动光源和板式基板(或者辊形基板)同时将光源和基板位于彼此接近的位置。
因此，与已知技术相比可以减少在大面积上形成图案的设备所需的空间。另外，因为光源与基板之间的距离短，可以改善在大面积上形成图案的精密度。一旦在图案加工过程中确保了所期望的精密度，则通过采用波长类似于短波长的光可以精确控制图案。
另外，因为光源与基板之间的距离短，可以容易地进行多重干涉，并且可以确保光束头的旋转或往复运动。因此，因为可以形成各种类型的图案，所以可以克服已知方法中使图案成形的限制。例如，在本发明方法中，从多重干涉可以获得各种类型的图案，例如其中使用双光束干涉的图4和7的实例和其中使用四光束干涉的图5和8的实例。
本发明可以应用于将要在大面积上连续形成高精度图案的任何领域中。根据本发明方法在其上面形成精细图案的辊形基板可以在没有改变情况下使用，或者根据使用目的通过使用已知方法将基板加工成平板形状后使用。例如，本发明可以应用于AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜、偏光膜、自净装置、太阳能电池、高容量全息存储器、光子晶体、场致发射显示(FED)电极、转印高精密图案的压印模等。
根据本发明通过使用光干涉形成图案的机理在图1中进行解释。在图1中，λ为光的波长，θ为光源的入射角，而p为由来自两个光源的光束干涉形成的图案之间的间距。图案间的间距使用下面的公式1进行计算。
【公式1】
p＝λ/(2sinθ)
因此，在本发明中，可以控制光源的数量和类型、光的入射类型以及将要干涉的光源之间的角度来确定图案的形状和尺寸。在本发明中，可以使用紫外线区(193～351nm)的光作为光源。在本发明中，可以根据光敏树脂的类型确定光源的类型，而且可以根据光源的类型确定光敏树脂的类型。
当要形成的图案具有一维形状时，如图4所示，通过样品和光源的相对移动可以在大面积上连续形成图案。在使用辊形基板的情况下，如果要形成的图案具有一维形状，如图7所示，可以在基板的轴向上相对移动光源和辊形基板同时旋转辊形基板以环绕辊连续提供螺旋图案。
当要形成的图案具有二维或三维形状时，如图5所示，通过同步沿形状的纵向循环可以减少横向干涉的程度并得到水平干涉的脉冲来形成图案。在使用辊形基板的情况下，如图8所示，通过同步沿基板的形状的圆周循环可以减少有关基板旋转的轴向干涉的程度并得到脉冲来形成图案。
对于更复杂的图案，如图6和9所示，可以使用一般在半导体处理过程中使用的压印法，即，重复处理和转印以在不产生接缝的情况下进行蚀刻的方法。特别地，在转印过程中应当使用遮光器或者断路器隔断光源。
在本发明中，相对移动干涉光光源和在其上面形成光敏树脂层的基板的方法是没有限制的。如图4所示，根据本发明实施方式的方法可以包括B1)通过相对于光源相对移动在其上面形成光敏树脂层的基板使干涉光辐射到光敏树脂层上，和B2)通过相对于基板相对移动光源以使光源辐射到没有在步骤B1中曝光的光敏树脂层上。重复进行步骤B1和B2。在步骤B1中，基板以纵向移动，并且，在步骤B2中，基板以横向移动。
如图7所示，根据本发明另一实施方式的方法可以包括b1)通过相对于光源相对移动在其上面形成光敏树脂层的辊形基板使干涉光辐射到光敏树脂层上，和b2)通过相对于光源以轴向相对移动基板以使光源辐射到没有在步骤b1中曝光的光敏树脂层上。重复进行步骤b1和b2。在步骤b1中，基板以纵向移动。在步骤b2中，基板以横向移动。
在本发明又一个实施方式中，干涉光头可以旋转或者往复运动以提供各种类型的图案。在本发明中，可以使用在图10～12中所示的半反射镜(half mirror)、劳埃德镜和棱镜作为干涉光头，但是干涉光头并不限于这些。如果在图12中所示的棱镜旋转，可以得到同心圆结构，即，菲涅耳(Fresnel)透镜结构。
在本发明中，只要材料可以在相关领域中应用于光学光刻法，可以使用任何材料作为组成光敏树脂的材料。这样的材料的实例可以包括由Microchem公司生产的SU-6和SU-8。使用光敏树脂在基板上形成光敏树脂层的方法没有限制，并且可以使用在相关领域中已知的任何方法。例如，将SU-8光敏树脂施用在基板上，将UV辐射到在其上面施用了光敏树脂的基板上，使用例如PGMEA(丙二醇单甲醚乙酸酯)、GBL(γ-丁内酯)和MIBK(甲基异丁酮)等的有机溶剂显影所得到的基板来形成图案。
在本发明中，在其上面形成光敏树脂层的辊形基板可以是中空或实心的。可以将基板的目标材料施加在辊形支撑体上来生产辊形基板。
在本发明中，在其上面形成光敏树脂层的基板的材料可以根据其使用目的来确定。例如，当将具有精细图案的光敏树脂层的基板用于AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜或偏光膜时，可以使用光学透明材料，例如玻璃、石英或透明树脂等，作为基板材料。另外，当通过使用由上述方法图案化的光敏树脂层而在基板上形成精细图案时，可以采用能够被本领域中已知的蚀刻溶液选择性蚀刻的材料作为基板材料。例如，当将具有由上述方法形成的图案的基板用作压印模时，可以使用玻璃或者石英作为基板材料。
根据包括步骤A、B和C的方法，可以提供一种基板，在其至少一面上以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。进而，根据包括步骤a、b和c的方法，可以提供一种基板，在其至少一面上以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案并且该基板为辊形。
在这种情况下，图案形成面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。可以将在其上面形成纳米尺寸的光敏树脂图案的基板或辊形基板应用于AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜或偏光膜，并且上述膜可以用于显示装置。
本发明方法还可以包括D＂)在步骤C之后沉积例如Cr或Cr合金的金属，并且使用该方法生产的基板可以用作压印模。生产压印模的方法在图3中进行了解释。
根据本发明方法形成图案的方法还可以包括D)通过使用已形成图案的光敏树脂层选择性蚀刻基板和e)移除光敏树脂层。
为了根据光敏树脂层的图案选择性蚀刻基板，可以使用在本领域中已知的蚀刻工艺和蚀刻剂。例如可以通过将基板浸入例如PGMEA(丙二醇单甲醚乙酸酯)的溶剂中进行选择性蚀刻。
根据包括步骤A、B、C、D和E的上述方法或包括A、B、C、D′和E′的上述方法，可以提供一种基板，在其上面以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。图案形成面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。可以将在其上面形成纳米尺寸的光敏树脂图案的基板应用于AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜、偏光膜、自净装置、太阳能电池、高容量全息存储器、光子晶体、场致发射显示(FED)电极、转印高精密图案的压印模等。
根据本发明形成图案的方法还可以包括D′)镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有光敏树脂层的基板分离以制造模具，和E′)使用该模具转印纳米图案。
步骤D′的镀敷可以使用在本领域中已知的工艺来进行，例如电镀工艺。在这一点上，可以使用镍或铝作为镀敷材料。可以使用本领域中已知的工艺来进行步骤E′的图案转印。例如，将一种可固化的树脂压在模具上并通过加热或光固化，然后将模具与树脂层分离来转印图案。
根据包括A、B、C和D′的上述方法，可以提供一种模具，在其上面以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。图案形成面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。进而，可以使用模具将图案转印来大量生产将在其上面形成精细图案的膜，例如，AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜或偏光膜。根据构成模具的材料类型可以半永久地使用该模具。
本发明的另一方法可以进一步包括d＂)在步骤c后在光敏树脂图案上沉积如Cr或Cr合金的金属，并且使用该方法生产的辊形基板可以用作辊形压印模。
为了根据光敏树脂层的图案选择性蚀刻辊形基板，可以使用在本领域中已知的蚀刻工艺和蚀刻剂。例如可以通过将辊形基板浸入例如PGMEA(丙二醇单甲醚乙酸酯)的溶剂中进行选择性蚀刻。
根据包括步骤a、b、c、d和e的上述方法或包括a、b、c、d′和e′的上述方法，可以提供一种辊形基板，在其上面以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。图案形成面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。可以将在其上面形成纳米尺寸的光敏树脂图案的辊形基板应用于AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜、偏光膜、自净装置、太阳能电池、高容量全息存储器、光子晶体、场致发射显示(FED)电极、转印高精密图案的压印模等。
根据本发明形成图案的方法还可以包括d′)镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有光敏树脂层的辊形基板分离以制造模具，和e′)使用该模具转印纳米图案。
步骤d′的镀敷可以使用在本领域中已知的工艺来进行，例如电镀工艺。在这一点上，可以使用镍或铝作为镀敷材料。可以使用本领域中已知的工艺来进行步骤e′的图案转印。例如，将一种可固化的树脂压在模具上并通过加热或光固化，然后将模具与树脂层分离来转印图案。
根据包括a、b、c和d′的上述方法，可以提供一种模具，在其上面以纳米或更小的间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。图案形成面积的最长宽度优选为20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长。进而，可以使用模具将图案转印来大量生产将在其上面形成精细图案的膜，例如，AG(防眩)/AR(减反射)/LR(低反射)膜、抗水/耐水膜、增亮膜、各向异性膜或偏光膜。根据构成模具的材料类型可以半永久地使用该模具。
根据本发明，在最长宽度大于12英寸，优选20英寸或更长，并且更优选40英寸或更长的大面积上连续形成了纳米图案。在目前半导体芯片制造商中，用于光学光刻法的晶片的最大尺寸为直径12英寸，并且从没有出现过在直径或对角线12英寸的大面积上连续形成纳米图案的实例。
根据上述方法形成的纳米图案可以用于电子元件、电子装置或者压印模。所述电子元件的实例包括分束偏光器，而电子装置的实例包括显示装置。

Claims (37)

1、一种形成图案的方法，所述方法包括：
A)在基板上形成光敏树脂层；
B)通过相对移动在其上面形成光敏树脂层的基板和干涉光光源而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层；和
C)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
2、如权利要求1所述的方法，其中步骤B包括：
B1)通过相对于光源相对移动所述在其上面形成光敏树脂层的基板使干涉光辐射到光敏树脂层上；和
B2)相对于所述基板相对移动光源以使光源辐射到没有在步骤B1中曝光的光敏树脂层上，
其中，重复进行步骤B1和B2。
3、如权利要求1所述的方法，其进一步包括：
D)通过采用已形成图案的光敏树脂层选择性蚀刻所述基板。
4、如权利要求3所述的方法，其进一步包括：
E)移除所述光敏树脂层。
5、如权利要求1所述的方法，其进一步包括：
D′)通过镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有光敏树脂层的基板分离制造模具。
6、如权利要求5所述的方法，其进一步包括：
E′)使用所述模具转印纳米图案。
7、一种基板，在其至少一个侧面上通过使用权利要求1的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。
8、如权利要求7所述的基板，其中，形成光敏树脂图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
9、一种基板，在其上面通过使用权利要求4的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。
10、如权利要求9所述的基板，其中，形成图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
11、一种模具，在其上面通过使用权利要求5的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。
12、如权利要求11所述的模具，其中，形成图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
13、一种电子元件，在其上面通过使用根据权利要求1～4和6中任一项的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
14、如权利要求13所述的电子元件，其中，所述电子元件是分束偏光器。
15、一种电子装置，在其上面通过使用根据权利要求1～4和6中任一项的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
16、如权利要求15所述的电子装置，其中所述电子装置是显示装置。
17、一种制备压印模的方法，该方法包括：
A)在基板上形成光敏树脂层；
B)通过相对移动在其上面形成光敏树脂层的基板和干涉光光源而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层；
C)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案；和
D＂)在光敏树脂图案上沉积金属。
18、如在权利要求17所述的方法，其中，所述步骤D＂的金属是Cr或Cr合金。
19、一种压印模，在其上面通过使用权利要求17的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
20、一种形成图案的方法，所述方法包括：
a)在辊形基板上形成光敏树脂层；
b)通过在基板的轴向上相对移动干涉光光源和辊形基板，同时旋转在其上面形成光敏树脂层的辊形基板，从而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层；和
c)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案。
21、如权利要求20所述的方法，其进一步包括：
d)通过采用已形成图案的光敏树脂层选择性蚀刻所述辊形基板。
22、如权利要求21所述的方法，其进一步包括：
e)移除所述光敏树脂层。
23、如权利要求20所述的方法，其进一步包括：
d′)通过镀敷已形成图案的光敏树脂层并将镀敷部分与具有光敏树脂层的基板分离制造模具。
24、如权利要求23所述的方法，其进一步包括：
e′)使用所述模具转印纳米图案。
25、一种辊形基板，在其上面通过使用权利要求20的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成光敏树脂图案。
26、如权利要求25所述的辊形基板，其中，形成光敏树脂图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
27、一种辊形基板，在其上面通过使用权利要求22的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。
28、如权利要求27所述的辊形基板，其中，形成图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
29、一种模具，在其上面通过使用权利要求23的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上连续形成图案。
30、如权利要求29所述的模具，其中，形成图案的面积的最长宽度为20英寸或更长。
31、一种电子元件，在其上面通过使用根据权利要求20～22和24中任一项的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
32、如权利要求31所述的电子元件，其中，所述电子元件是分束偏光器。
33、一种电子装置，在其上面通过使用根据权利要求20～22和24中任一项的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
34、如权利要求33所述的电子装置，其中，所述电子装置是显示装置。
35、一种制备辊形压印模的方法，该方法包括：
a)在辊形基板上形成光敏树脂层；
b)通过在基板的轴向上相对移动干涉光光源和基板，同时旋转在其上面形成光敏树脂层的辊形基板，从而根据由干涉光形成的图案选择性曝光光敏树脂层；
c)通过显影选择性曝光的光敏树脂层而在光敏树脂层上形成图案；和
d＂)在光敏树脂图案上沉积金属。
36、如权利要求35所述的方法，其中，所述步骤d＂的金属是Cr或Cr合金。
37、一种辊形压印模，在其上面通过使用根据权利要求35的方法以纳米或更小间隔在最长宽度大于12英寸的面积上形成图案。
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