CN101414580A - Cmos图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明披露了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底上形成多个光电二极管区，形成分别相应于光电二极管区的多个滤色器，在滤色器上形成平坦化层，在平坦化层上形成保护层，以及通过在保护层上沉积低温氧化层并然后图样化该低温氧化层来形成包括多个相应于光电二极管区的微透镜的微透镜层。在形成平坦化层之后，通过等离子处理形成保护层。这样，在湿处理的过程中可以防止平坦化层遭受经由微透镜层中的大量气泡的化学制品渗透。因此，本方法防止微透镜从平坦化层上剥离。
Description
本申请要求于2007年10月18日递交的第10-2007-0105079号韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种图像传感器及其制造方法，更具体地，涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法。尽管本发明适用于宽范围的应用，但其尤其适用于包括微透镜的CMOS图像传感器，其中微透镜由氧化硅形成或包含氧化硅。
背景技术
通常，图像传感器是用来将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器可以主要分为电荷耦合器件(CCDs)图像传感器和CMOS(互补金属氧化硅)图像传感器。
在电荷耦合器件(CCD)中，用于将光学信号转换为电信号的多个光电二极管(PD)以矩阵形式排列。CCD由多个垂直电荷耦合器件(VCCD)、水平电荷耦合器件(HCCD)和传感放大器(senseamplifier)构成。多个VCCD中的每一个都设置在以矩阵形式排列的垂直光电二极管之间并起到在垂直方向上传送从相应的光电二极管中产生的电荷的作用。HCCD起到在水平方向上传送由每个VCCD所传送的电荷的作用。以及，传感放大器通过感测在水平方向上传送的电荷来输出电信号。
然而，上述的CCD具有相对复杂的驱动机制，消耗相对高的功率以及需要多级的光学处理(photo process)。因此，其不利的地方在于CCD制造工艺可能相对比较复杂。而且，很难在CCD芯片上集成控制电路、信号处理电路、模拟/数字(A/D)转换器等。因此，对于减小CCD产品的尺寸来说可能具有挑战性。
近来，人们已经关注作为下一代图像传感器来克服CCD缺点的CMOS图像传感器。CMOS图像传感器是采用开关系统(switching system)的器件，该开关系统用于通过MOS晶体管来顺序检测和/或处理每个单位像素的输出。通常使用CMOS技术根据在半导体衬底上的单位像素的数目来形成MOS晶体管，其中CMOS技术还可以被用来形成作为外围电路的控制电路、信号处理电路等。
也就是，CMOS图像传感器通过捕获光电二极管中的光致电荷(光诱导电荷，light-induced charge)，使用单位像素中的一个或多个MOS晶体管来感测电荷，然后使用开关系统从每个单位像素中检测电信号来实现图像。
由于CMOS图像传感器使用CMOS制造工艺制成，其具有优点诸如相对小的功耗、使用相对少的数量的光刻工艺步骤的相对简单的制造过程等。此外，对于CMOS图像传感器来说在CMOS图像传感器芯片上可以集成控制电路、信号处理电路、A/D转换器等，这种CMOS图像传感器在图像传感器产品的尺寸减小的制造中具有优势。因此，CMOS图像传感器适用于包括数字照相机、数字摄影机等的不同领域。
图1是用于CMOS图像传感器的4晶体管(4T)型单位像素的示例性电路图，而图2是常规4T型CMOS图像传感器单位像素的示例性布局图。
参照图1，CMOS图像传感器的单位像素100由作为光电转换单元的光电二极管10和四个晶体管构成。在这种情况下，四个晶体管包括转移晶体管(transfer transistor)20、复位晶体管(resettransistor)30、驱动晶体管40和选择晶体管(select transistor)50。将可选的负载晶体管(optional load transistor)60电连接至单位像素100的输出端Out。在这种情况下，参考符号“FD”表示浮动扩散区(floating diffusion region)，“Tx”表示转移晶体管20的栅电压(gatevoltage)，“Rx”表示复位晶体管30的栅电压，“Dx”表示驱动晶体管40的栅电压，而“Sx”表示选择晶体管50的栅电压。
如图2所示，常规4T型CMOS图像传感器的单位像素包括由器件隔离区(未示出，但是形成在除了有源区以外的单位像素的部分或区域中)限定的有源区。在有源区相对宽的部分中形成单个光电二极管PD，而在有源区的剩余部分上和/或上方形成四个晶体管的栅电极23、33、43、53。也就是，转移晶体管20包括栅电极23，复位晶体管30包括栅电极33，驱动晶体管包括栅电极43，而选择晶体管50包括栅电极53。在这种情况下，源/漏(S/D)区通过离子注入形成在相邻于每个晶体管栅极的有源区中，而不形成在每个栅极23、33、43和53之下。
包括按行和列密集排列的多个像素的常规图像传感器包括：通过检测外部光产生光电子的光电二极管PD、传递从光电二极管中产生的电荷的浮动扩散区FD，和设置在光电二极管PD和浮动扩散区FD之间用来将产生自二极管PD的电荷传输到浮动扩散区FD的转移晶体管Tx。
以下简要地描述上述构成的CMOS图像传感器的操作顺序。首先，当复位晶体管Rx导通时，输出浮动扩散结点(node)的电势(potential)变为VDD。在这种情况下，检测参考值。
随后，如果光从图像传感器的外部进入到为光接收单元的光电二极管PD，则产生与光成比例的电子空穴对(EHPs)。通过产生自光电二极管PD的信号电荷，转移晶体管Tx的源极结点(sourcenode)的电势根据所产生的信号电荷的数量成比例变化。
如果转移晶体管Tx导通，则将积聚的信号电荷传输至浮动扩散区FD。只要驱动晶体管Dx的栅偏压(gate bias)改变，输出浮动扩散结点的电势就根据所传输的信号电荷量成比例的改变。这最终导致驱动晶体管Dx的源极电势改变。在这种情况下，如果选择晶体管Sx导通，则数据被读出到图像传感器的列读出电路(columnread circuit)。
随后，当复位晶体管Rx导通时，输出浮动扩散结点的电势变为VDD。然后，重复上述过程。
以下参照图3来说明根据相关技术的CMOS图像传感器。
参照图3，根据相关技术的CMOS图像传感器由在半导体衬底101的器件隔离区中的器件隔离层102、在半导体衬底101的有源区中的多个光电二极管区103、在包括光电二极管区103的半导体衬底101上方的绝缘夹层(interlayer)104、在绝缘夹层104上的第一平坦化层(planarization layer)105、在第一平坦化层105上分别相应于光电二极管区103的滤色器层(color filter layer)106(包括红[R]、绿[G]和蓝[B]滤色器)、在包括滤色器层106的半导体衬底101上方的第二平坦化层107、以及在第二平坦化层107上相应于滤色器层106中的滤色器的多个微透镜108来构成。在这种情况下，在半导体衬底101的有源区上、中或上方(以及，在金属导线的情况下，在器件隔离区上方)形成不同的晶体管(在图中没有示出)和金属导线(在图中没有示出)。
在根据相关技术的上述构成的CMOS图像传感器中，每种颜色在光电二极管区103上方形成滤色器层106中的一个滤色器以接收红、绿或蓝(R/G/B)信号。为了接收更多的光，在光接收单元上方设置微透镜108。各个信号经由多个金属导线连接至设置在光接收单元外部的图像处理电路并且然后被组合成单个图像。
如果图3所示的微透镜由代替传统有机物质的氧化硅形成，则能够在封装器件的过程中防止微透镜被由切割晶片所产生的微粒物(particles)污染。然而，用于微透镜的氧化物物质可能在相对较低的温度下沉积，导致层的密度(quality)不是尽可能的密实(dense)。结果，在微透镜层内部存在气泡(小孔，pin hole)。由于这个问题，在实施用来溶解第二平坦化层(或上覆的(overlying)抗蚀剂(resist)或抗蚀剂图样)的有机物质的湿处理期间，化学制品(chemicals)可能透过氧化物微透镜，由此，微透镜108可能从第二平坦化层107上脱离(peel off)。
此外，当一定的氧化物在低温下沉积时(例如，在相关技术工艺中用来形成微透镜)，可以观察到在氧化硅中存在许多的气泡。如果进一步实施湿处理，则可能部分溶解平坦化层107，由此微透镜108可能从平坦化层107上剥落(exfoliate)或脱离。
发明内容
因此，本发明针对一种CMOS图像传感器及其制造方法，该方法可以基本消除由于相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过该CMOS图像传感器及其制造方法可以防止(即，防止被溶解或削弱(weakened))平坦化层遭受经由平坦化层上的氧化硅微透镜的化学制品渗透。
本发明的其他优点、目的和特征一部分将在下文中阐述，一部分对于本领域的普通技术人员而言通过下文的实验将变得显而易见或者可以从本发明的实践中获得。通过所写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构，可以了解和获知本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如在本文中所体现和概括描述的，一种根据本发明制造CMOS图像传感器的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成多个光电二极管区，形成分别相应于光电二极管区的多个滤色器，在滤色器上形成平坦化层，在平坦化层上形成保护层，通过在保护层上沉积低温氧化层并然后图样化该低温氧化层来形成相应于光电二极管区的多个微透镜。
在本发明的另一个方面中，CMOS图像传感器包括：在半导体衬底上的多个光电二极管区，分别相应于光电二极管区的多个滤色器(其可以相互均匀地间隔开)，在滤色器上的平坦化层，在平坦化层上的保护层(例如，设置用来在处理上覆材料期间保护平坦化层)，以及相应于各个光电二极管区的多个微透镜，该多个微透镜包括在保护层上的被图样化的低温氧化层。
如在根据本发明的CMOS图像传感器及其制造方法的以上描述中所提到的，在滤色器层上已经形成平坦化层之后，通过等离子处理(plasma processing)在平坦化层上形成保护层。这样，可以防止对平坦化层的损害，该损害是在实施湿处理或类似处理的过程中由经过低温氧化硅微透镜中的气泡的化学制品渗透引起的。因此，本发明防止微透镜从微透镜之下的平坦化层上剥落或脱离。
可以理解的是，本发明的上述总体描述和以下的具体描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合于此而构成本申请的一部分。本发明的示例性实施例连同描述都用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是4T型CMOS图像传感器的示例性电路图；
图2是常规4T型CMOS图像传感器的单位像素的示例性布局图；
图3是根据相关技术方法的CMOS图像传感器的截面图；
图4是根据本发明实施例的示例性CMOS图像传感器的截面图；以及
图5A到图5F是制造根据本发明实施例的CMOS图像传感器的示例性方法中的示例性中间结构的截面图。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的优选实施方式和在附图中示出的实施例。在任何可能的地方，在整个附图中使用相同的标号以表示相同或相似的部件。
图4是根据本发明实施例的示例性CMOS图像传感器的截面图；
参照图4，根据本发明的CMOS图像传感器包括：在半导体衬底201的器件隔离区中的器件隔离层202，其中半导体衬底被限定为器件隔离区和有源区；在半导体衬底201的有源区中的光电二极管区203；在包括光电二极管区203和器件隔离层202的半导体衬底201上方的绝缘夹层204；在绝缘夹层204上的第一平坦化层205；在第一平坦化层205上分别相应于光电二极管区203的多个滤色器206(例如，红[R]、绿[G]和蓝[B])；以及在包括滤色器206的半导体衬底201上方的第二平坦化层207。在一个实施例中，滤色器206被均匀地间隔开。
根据本发明的CMOS图像传感器进一步包括在第二平坦化层207上用以保护第二平坦化层207的保护层210A和通过在保护层210A上沉积和图样化低温氧化层来形成的微透镜216A(分别相应于下面的光电二极管区)。特别地，保护层210A起到防止第二平坦化层207被损害的作用，其中损害是由经过微透镜216A中的气泡渗透处理化学制品(treatment chemical)所造成的，该微透镜216A包括低温氧化层。也就是，保护层210A起到防止第二平坦化层207遭受化学制品的作用。
在根据本发明的CMOS图像传感器中，如果在滤色器层206上存在平坦化层207(其通常包括有机物质，诸如光刻胶)，如果在平坦化层207上形成保护层210A，以及如果设置低温氧化物微透镜216A，则在滤色器层206下方的结构并不限于图4中所示的结构。也就是，在本发明的CMOS图像传感器中的滤色器层206之下的下部结构可以具有许多不同结构中的任何一个。例如，可以不设置滤色器层206下方的第一平坦化层205。如果滤色器层206的下部结构被实现为与图4所示的结构不同的结构以提高图像传感器的性能，则本发明是可适用的。此外，根据本发明的CMOS图像传感器适用于3T、4T和5T型。
参照附图来对制造根据本发明实施例的CMOS图像传感器的示例性方法进行如下地解释。
图5A到5F是用来说明制造根据本发明实施例的CMOS图像传感器的示例性方法的截面图。
参照图5A，在限定为有源区和器件隔离区的半导体衬底201上，器件隔离层202形成在器件隔离区中以限定有源区。在这种情况下，可以通过STI(浅沟道隔离)、LOCOS(硅的局部氧化)或类似技术(例如，STI和LOCOS技术的结合)来形成器件隔离层202。
在被器件隔离层202隔离的有源区中形成光电二极管区203。例如，在p++型半导体衬底201上实施外延工艺(epitaxial process)(例如，可以外延生长硅，其中硅可以进一步包括诸如磷的p-型掺杂物)以形成p-型外延层(在附图中没有示出)。单晶硅(single-crystalline silicon)衬底可以被用作半导体衬底201。以及，可以通过离子注入(例如，首先用低浓度的n-型掺杂物，然后在比n-型掺杂物浅的深度用中浓度的p-型掺杂物)轻掺杂半导体衬底201的有源区来在半导体衬底201的表面中形成光电二极管区203。
随后，在包括光电二极管区203和器件隔离层202的半导体衬底201上方沉积绝缘夹层204。在这种情况下，绝缘夹层204可以包括诸如USG(不掺杂硅酸盐玻璃(undoped silicate glass))的氧化物。
通常，绝缘夹层204包括：多个介电层(未示出)，其中每个介电层都可以单独包括最低蚀刻停止层(lowermost etch stop layer)(例如，氮化硅)；一个或多个共形(conformal)和/或间隙填充介电层(例如，TEOS、等离子硅烷、或富硅氧化物(silicon-rich oxide))；一个或多个体介电层(bulk dielectric layer)(例如，碳氧化硅[SiOC]，其可以被氢化[例如，SiOCH]；不掺杂的二氧化硅[例如，USG或等离子硅烷]；或掺杂氟[例如，FSG]或硼和/或磷[例如，BSG、PSG或BPSG]的二氧化硅)；和/或一个或多个覆盖层(例如，TEOS、USG、等离子硅烷等)。
可以在多个介电层的每个上或中形成金属互连结构(mentalinterconnection)(未示出)。每个金属互连结构可以单独包括：一个或多个最低粘合剂和/或扩散阻挡层(diffusion barrier layer)(例如，钛、氮化钛、钽、氮化钽等，诸如钛上覆氮化钛的双层(titaniumnitride-on-titanium bilayer))；体导电层(例如，铝，铝合金[例如，具有从0.5％到4％重量的铜，达到2％重量的钛，和/或达到1％重量的硅的铝]或铜)；和/或一个或多个最上粘合剂，小丘防止(hillockprevention)层和/或抗反射涂覆层(例如，钛，氮化钛，钛钨合金等，诸如钛上覆氮化钛的双层)。通过传统的钨插塞和通孔(via)，最下金属互连结构可以电连接至衬底201中的源极/漏极端(例如，单位像素的CMOS电路中的晶体管的源极/漏极端)，其中最下金属互连结构可以进一步包括在其和周围的介电层之间的粘合剂和/或扩散阻挡层(例如，钛上覆氮化钛的双层)。上覆的金属互连结构(overlying metal interconnection)40可以通过这样的钨插塞来电连接至下部(underlying)金属互连结构(例如，最下金属互连结构)。可选地，金属互连结构和下部插塞或通孔可以包括传统的双重镶嵌(dual damascene)的铜互连结构(其可以进一步包括在其和周围的介电层之间的粘合剂和/或扩散阻挡层，诸如钽上覆氮化钽的双层(tantalum nitride-on-tantalum bilayer)，以及诸如溅射的铜、钌或其他的金属的籽晶层)。
在绝缘夹层204上形成第一平坦化层205。平坦化层205通常包括透明抗蚀剂材料(transparent resist material)。在第一平坦化层205上涂覆可染色的或已染色的抗蚀剂层(例如，包括红、绿或蓝染料)。在已染色的/可染色的抗蚀剂层上实施曝光和显影以形成第一滤色器图样。重复该工艺两次以形成第二滤色器和第三滤色器。因此，在第一平坦化层205上形成用于根据预定波长范围来过滤光的滤色器层206，可选地，滤色器层206(例如，在特定颜色的单个滤色器之间，诸如在绿色滤色器和与其最接近的绿色滤色器之间)具有均匀的间隔以分别相应于光电二极管区203。
使用有机物质(例如，透明抗蚀剂材料)在滤色器上形成第二平坦化层207。通常，光的透射率对于图像传感器来说很重要。为了避免由于第二平坦化层207的厚度引起的薄膜之间的干扰，第二平坦化层207的厚度可以是1000埃到6000埃。
参照图5B和图5C，在第二平坦化层207上形成用于保护第二平坦化层207的保护层210。优选地，保护层210对化学制品具有很强的化学抗性(chemical resistance)，其中化学制品可以在湿处理的过程中经由微透镜216A渗透。根据本发明示例性实施例，可以以下列方式形成保护层210。
参照图5B，通过在第二平坦化层207上实施惰性气体等离子处理(inert gas plasma processing)，可以形成保护层210。这样，保护层可以包括被包含氩，氦，氖和/或氪的等离子处理过的透明光刻胶材料，该光刻胶材料可以使保护层210的表面变粗糙。例如，可以在包括100瓦到300瓦的偏压功率(bias power)、2.5托到3.5托的压力、15秒到30秒的处理时间和大约1000sccm的氦和/或500sccm到1500sccm的氩的流动速率的条件下实施惰性气体等离子处理。
参照图5C，形成保护层210的方法可以进一步包括(例如，通过使光刻胶交叉耦合(cross-linking))在图5B所示的保护层210上实施氮气等离子处理，例如以使其表面硬化，由此可以完成保护层210A。可以使用诸如N2、NH3、N2H4、HN3或HCN的氮源(nitrogen source)，优选地和诸如H2、NH3、N2H4、HN3、SiH4等的氢源(hydrogen source)来实施氮气等离子处理。在优选的实施例中，氮气等离子处理包括使用包含NH3和N2的混合气体。
特别地，如在上述描述中所提到的，通过惰性气体等离子处理208，例如通过溅射(或溅射蚀刻)惰性气体等离子中的氦和氩阳离子(cations)来使第二平坦化层207的顶部表面变粗糙以增加其特定的表面区域。随后，如果在具有由惰性等离子处理208增加的特定表面区域的保护层210上实施氮气等离子处理212，则保护层210A可以具有硬质特性(hard property)。由于通过惰性等离子处理208来增加特定的表面区域，所以在实施氮气等离子处理的情况下保护层210的上侧(top side)可以容易地掺杂有氮原子，而在实施氢气等离子处理的情况下可以相对容易地减小(还原，reduce)保护层210的上侧。
上述形成的保护层210A可以具有100埃到300埃的厚度。可以在包括200瓦到400瓦的偏压功率、2托到4托的压力、10秒到30秒的处理时间和500sccm到1500sccm的NH3(或其他的氢源气体)和/或2000sccm到4000sccm的N2(或其他的氮源气体)的流动速率的条件下实施氮气等离子处理。
参照图5D，在保护层210A上形成低温氧化(LTO)层216。在这种情况下，可以在10℃到200℃的温度下形成氧化层216。LTO层216可以包括二氧化硅，而且可以通过在250℃或更低的温度下从二氧化硅前驱物(precursors)(例如，诸如硅烷气体或正硅酸乙酯(tetraethyl orthosilicate)的硅源，和诸如二氧(dioxygen)和/或臭氧的氧源)中等离子增强化学气相沉积(PECVD)来形成LTO层216。在不同的实施例中，LTO层216可以在150℃到200℃的温度范围通过PECVD形成具有200nm到500nm(例如，大约370nm)的厚度。
参照图5E，图样化所沉积的低温氧化层216。特别地，在图5E所示的低温氧化层216上涂覆抗蚀剂层(在图中没有示出)并图样化该抗蚀剂层，然后在200℃到700℃的温度下加热该图样化的抗蚀剂层以回流(reflow)该图样化的抗蚀剂(resist)并形成半球状或凸起的微透镜图样218。
参照图5F，在弯曲的微透镜图样218上实施毯式蚀刻(blanketetch)以在保护层210A上或中形成弯曲的微透镜216A来相应于每个光电二极管区203。通常，为了保持回流的图样化的抗蚀剂218的弯曲形状，实施相对非选择性的蚀刻。换句话说，对抗蚀剂图样218或LTO层216的蚀刻选择性相比于其他的可以不超过2:1、1.5:1或1.1:1。根据本发明，如上所述，诸如TEOS(正硅酸乙酯)的氧化物可以代替抗蚀剂用作用于形成微透镜图样218的物质。
在不脱离本发明的精神和范围内可以作各种修改及变形，这对于本领域的技术人员而言是显而易见的。因此，本发明意在涵盖在所附权利要求及其等同替换的范围内的对本发明的修改和变形。
Claims (20)
1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上形成多个光电二极管区；
形成分别相应于所述光电二极管区的多个滤色器；
在所述滤色器上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成保护层；以及
通过在所述保护层上沉积低温氧化层并然后图样化所述低温氧化层来形成相应于所述光电二极管区的多个微透镜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括在所述平坦化层上实施氮气等离子处理的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述保护层进一步包括用惰性气体等离子处理所述平坦化层的步骤，其中，在用所述惰性气体等离子处理所述平坦化层之后实施所述氮气等离子处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述保护层包括用惰性气体等离子处理所述平坦化层的步骤。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氮气等离子包括含有NH3和N2的混合气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层具有100埃到300埃的厚度。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氮气等离子处理在包括200瓦到400瓦的偏压功率、2托到4托的压力和500sccm到1500sccm的NH3和/或2000sccm到4000sccm的N2的流动速率的条件下实施。
8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述惰性气体等离子处理在包括100瓦到300瓦的偏压功率、2.5托到3.5托的压力和大约1000sccm的氦和500sccm到1500sccm的氩的流动速率的条件下实施。
9.根据权利要求4所述的方法，其中，用所述惰性气体等离子来处理所述平坦化层包括包含100瓦到300瓦的偏压功率、2.5托到3.5托的压力和大约1000sccm的氦和/或500sccm到1500sccm的氩的流动速率的条件。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述平坦化层具有1000埃到6000埃的厚度。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，在10℃到200℃沉积所述低温氧化层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述微透镜包括以下步骤：
在所述低温氧化层上沉积光刻胶；
图样化所述光刻胶；
通过回流所述光刻胶形成微透镜图样；以及
通过蚀刻所述微透镜图样和所述低温氧化层来形成所述微透镜。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，回流包括在200℃到700℃的温度下加热。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述滤色器相互均匀地间隔开。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层防止所述平坦化层遭受湿化学制品损害，所述湿化学制品可以透过所述低温氧化物。
16.一种CMOS图像传感器，包括：
多个光电二极管区，在半导体衬底上；
多个滤色器，分别相应于所述光电二极管区；
平坦化层，在所述滤色器上；
保护层，在所述平坦化层上；以及
多个微透镜，相应于所述光电二极管区，所述多个微透镜包括在所述保护层上的被图样化的低温氧化层。
17.根据权利要求16所述的CMOS图像传感器，其中，所述滤色器相互均匀地间隔开。
18.根据权利要求16所述的CMOS图像传感器，其中，所述保护层防止所述平坦化层遭受湿化学制品损害，所述湿化学制品可以透过所述低温氧化物。
19.根据权利要求16所述的CMOS图像传感器，其中，所述微透镜具有凸起的形状。
20.根据权利要求16所述的CMOS图像传感器，其中，所述平坦化层具有1000埃到6000埃的厚度。
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