CN101399548B - 具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置 - Google Patents

具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101399548B
CN101399548B CN2008101737683A CN200810173768A CN101399548B CN 101399548 B CN101399548 B CN 101399548B CN 2008101737683 A CN2008101737683 A CN 2008101737683A CN 200810173768 A CN200810173768 A CN 200810173768A CN 101399548 B CN101399548 B CN 101399548B
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch
bit
digital
string
places
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101737683A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101399548A (zh
Inventor
F·库特纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intel Deutschland GmbH
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN101399548A publication Critical patent/CN101399548A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101399548B publication Critical patent/CN101399548B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • H03M1/08Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise
    • H03M1/0863Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise of switching transients, e.g. glitches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/68Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits
    • H03M1/682Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits both converters being of the unary decoded type
    • H03M1/685Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits both converters being of the unary decoded type the quantisation value generators of both converters being arranged in a common two-dimensional array
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/68Digital/analogue converters with conversions of different sensitivity, i.e. one conversion relating to the more significant digital bits and another conversion to the less significant bits
    • H03M1/687Segmented, i.e. the more significant bit converter being of the unary decoded type and the less significant bit converter being of the binary weighted type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/74Simultaneous conversion
    • H03M1/742Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
    • H03M1/745Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with weighted currents
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/74Simultaneous conversion
    • H03M1/742Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
    • H03M1/747Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with equal currents which are switched by unary decoded digital signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

本发明涉及具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置。公开了一种半导体装置。在一个实施例中,该半导体装置包括第一开关、第二开关和第三开关。配置该第一开关以锁存位串中的位来提供锁存位。配置该第二开关以基于该锁存位导通。配置该第三开关以基于该锁存位和所述位串中的下一位导通。在所述位串中所述下一位跟随所述锁存位。

Description

具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置
技术领域
本发明涉及具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置。
背景技术
半导体装置往往包括数据转换器,例如模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)。数据转换器用于包括真实信号的数字信号处理的场合,例如音频处理、视频处理、测试设备和通讯系统中。应用包括移动电话、基站、无线网络、成像系统、检测仪表和射频(RF)收发机。每个半导体装置可以是单一集成电路芯片或多个集成电路芯片。
ADC将输入模拟信号转换成输出数字信号,其中输出数字信号的值对应于输入模拟信号的幅度。输出数字信号可以是数字代码字串或串行位串。
DAC将输入数字信号转换成相应的输出模拟信号。通常,通过为数字代码中的每个位指定电压或电流加权值(weight)并且对数字代码的加权值求和,将数字代码转换为模拟信号。
典型地,DAC包括解码器、多个模拟输出元件和加法电路。解码器接收输入数字信号代码并且提供选择信号以选择性激活模拟输出元件。响应于选择信号,选择的模拟输出元件提供模拟信号,所述模拟信号被求和电路组合以产生模拟输出,其为输入数字代码的模拟表示。模拟输出元件可以是统一编码或加权的。在包括统一编码的模拟输出元件的DAC中,例如温度计编码DAC,每个选择的模拟输出元件提供相同数量的电压或电流。在二进制加权DAC中,模拟输出元件提供二次幂加权的量。有时,分割DAC以包括温度计编码部分和二进制加权部分。
在电流导引DAC中,模拟输出元件往往是电流单元,其中每个电流单元包括差动开关和电流源。基于输入数字代码,控制该差动开关以操纵电流从电流源至电流单元的输出或至另一节点,例如,地。组合电流单元的输出以产生与接通的电流单元的数目成比例的总电流。在电流导引DAC中,从不关断电流源并且能量不断地被每个电流单元消耗。
在包括具有单端开关和电流源的电流单元的DAC中,基于输入数字代码,控制该开关以提供电流至电流单元的输出或者关断电流。这减小了功耗。然而,如果各开关不同时接通和关断,在不同电流单元中的电流源可能一同短路并且寄生电容可能被放电。这些结果中的每个导致模拟输出中的毛刺(glitch)和较差的性能。
因为这些和其它原因,需要本发明。
发明内容
根据本发明的一个实施例,提供一种半导体装置,包括:第一开关,被配置以锁存位串(a series of bits)中的位来提供锁存位;第二开关,被配置以基于所述锁存位导通;和第三开关,被配置以基于所述锁存位和所述位串中的下一位导通,其中所述下一位跟随所述位串中的所述锁存位。
根据本发明的另一个实施例,提供一种数模转换器,包括:寄存器,被配置以接收数字代码串;电流单元阵列,其包括通过所述数字代码串中的数字代码选择的电流单元,其中所述电流单元阵列中的每个电流单元包括:第一开关,被配置以在选择的电流单元中的节点和输出之间传导电流并且在未选择的电流单元中不导通;和第二开关,如果所述数字代码串中的下一数字代码选择所述未选择的电流单元,那么该第二开关被配置为导通并预充电所述未选择的电流单元中的节点。
根据本发明的另一个实施例,提供一种操作半导体装置的方法,包括:锁存位串中的位以提供锁存位;通过所述锁存位控制第一开关;和通过所述锁存位和跟随所述位串中的所述锁存位的下一位控制第二开关。
根据本发明的另一个实施例,提供一种操作数模转换器的方法,包括:接收数字代码串;基于所述数字代码串中的数字代码选择电流单元;控制第一开关以在选择的电流单元的节点和输出之间传导电流;在未选择的电流单元中控制第一开关为非导通的;如果所述数字代码串中的下一数字代码选择所述未选择的电流单元,那么控制第二开关导通并且预充电所述未选择的电流单元中的节点。
附图说明
附图被包括用以提供对本发明的进一步的理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出本发明的实施例并且与描述一起用来解释本发明的原理。将容易领会本发明的其它实施例和本发明的多个预期的优点,同时参考以下详细描述它们将变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例绘制。相似的参考数字表示相应的相似部分。
图1为示出根据本发明的半导体装置的一个实施例的图。
图2为示出DAC的一个实施例的框图。
图3为示出电流单元的一个实施例的图。
图4为示出图3的电流单元的运行的逻辑表。
具体实施方式
在下面的详细描述中,参考附图,这些附图构成了说明书的一部分,在这些图中借助图示示出了可以实施本发明的特定实施例。在这方面,方向性的术语,例如:“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“超前”、“拖尾”等等,是参考所描述的图的方向来使用的。由于本发明的实施例的部件可被定位在许多不同的方向上,因此方向性的术语仅用于说明的目的,并且决不是用于限制。应当理解也可以利用其它实施例,并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此,下面的详细描述不是在限制的意义上进行的,并且本发明的范围将由所附权利要求来限定。
图1为示出根据本发明的半导体装置20的一个实施例的图。半导体装置20包括在24处接收输入数字代码IND串并且在26处提供相应的输出模拟信号OUTA的DAC22。在一个实施例中,半导体装置20为单一集成电路芯片。在一个实施例中,半导体装置20包括多个集成电路芯片。
半导体装置20可以在任何适合的应用中,例如音频处理、视频处理、检测仪表和通讯。在一个实施例中,半导体装置20是RF收发机。在一个实施例中,半导体装置20在移动电话中。在一个实施例中,半导体装置20在基站中。在一个实施例中,半导体装置20在无线网络中。在一个实施例中,半导体装置20在成像系统中。在一个实施例中,半导体装置20在测试设备中。
DAC22将在24处的输入数字代码IND串中的数字代码解码并且基于解码的数字代码提供选择模拟输出元件的选择信号。选择的模拟输出元件提供模拟信号,其被结合以在26处产生输出模拟信号OUTA。未选择的模拟输出元件不会提供被结合以在26处产生模拟信号OUTA的模拟信号。在一个实施例中,每个模拟输出元件将选择信号解码并且提供一系列的选择位,所述选择位顺次地锁存在模拟输出元件中。
每个模拟输出元件包括单端开关,基于选择信号控制该单端开关以在模拟输出元件的输出处提供模拟信号或者关断模拟信号。另外,每个模拟输出元件包括开关,控制该开关以预充电未选择的模拟输出元件,将通过在24处的输入数字代码IND串中的下一数字代码选择所述未选择的模拟输出元件。通过单端开关控制模拟信号减小了功耗并且预充电未选择的模拟输出元件减小了模拟输出中的毛刺并且改进了性能,其中使用在24处的输入数字代码IND串中的下一数字代码选择所述未选择的模拟输出元件。
在一个实施例中,模拟输出元件为电流单元。每个电流单元包括解码选择信号并且提供选择位串(a series of selection bits)的逻辑。每个电流单元包括在选择位中锁存的第一开关和基于锁存的选择位在节点和该电流单元的输出之间传导电流的第二开关。在选择的电流单元中第二开关传导电流并且在未选择的电流单元中第二开关是非传导的。每个电流单元包括第三开关,如果24处的输入数字代码IND串中的下一个数字代码选择该电流单元,那么该第三开关导通以预充电未选择的电流单元中的节点。
在一个实施例中,DAC22包括统一编码的模拟输出元件。在一个实施例中,DAC22包括二进制加权的模拟输出元件。在一个实施例中,DAC22为温度计编码DAC。在一个实施例中,DAC22为二进制加权DAC。在一个实施例中,DAC22被分割。在一个实施例中,DAC22包括温度计编码DAC部分和二进制加权DAC部分。
图2为示出DAC22的一个实施例的框图,该DAC22在28处接收时钟信号CLK并且在24处接收输入数字代码IND串以及在26处提供输出模拟信号OUTA。DAC22可以在任何适合的应用中,例如音频处理、视频处理、检测仪表和通讯。在一个实施例中,DAC22是RF收发机。在一个实施例中,DAC22在移动电话中。在一个实施例中,DAC22在基站中。在一个实施例中,DAC22在无线网络中。在一个实施例中,DAC22在成像系统中。在一个实施例中,DAC22在测试设备中。
DAC22包括输入寄存器30、行解码器32、列解码器34、模拟输出元件阵列36、时钟缓冲器38和加法电路40。输入寄存器30通过输入寄存器时钟信号路径42电耦合至一个或多个时钟缓冲器38。输入寄存器30通过行信号路径44电耦合至行解码器32并且通过列信号路径46电耦合至列解码器34。输入寄存器时钟信号路径42包括任何合适数目的信号线,行信号路径44包括任何合适数目的信号线,并且列信号路径46包括任何合适数量的信号线。在一个实施例中,输入寄存器时钟信号路径42包括1个信号线。在一个实施例中,行信号路径44包括4个信号线。在一个实施例中,列信号路径46包括4个信号线。
时钟缓冲器38接收28处的时钟信号CLK并且通过输入寄存器时钟信号路径42提供缓冲的时钟信号至输入寄存器30。输入寄存器30接收缓冲的时钟信号和24处的输入数字代码IND串。输入寄存器30,通过缓冲的时钟信号,时钟输入并且存储在24处的数字代码IND串中的每个数字代码。在24处的输入数字代码IND串中的每个数字代码为并行字,即多个并行位。通过行信号路径44将每个数字代码的部分位提供至行解码器32并且通过列信号路径46将每个数字代码的部分位提供至列解码器34。在一个实施例中,每个数字代码为8个并行位,其中所述位中的4个提供至行解码器32并且其它4位提供至列解码器34。
通过解码器时钟信号路径52,将行解码器32和列解码器34电耦合至一个或多个时钟缓冲器38。时钟缓冲器38接收28处的时钟信号CLK并且通过解码器时钟信号路径52提供缓冲的时钟信号至行解码器32和列解码器34。行解码器32通过行选择路径48电耦合至模拟输出元件阵列36并且列解码器34通过列选择路径50电耦合至模拟输出元件阵列36。行选择路径48包括任何合适数目的信号线,并且列选择路径50包括任可合适数目的信号线,以及解码器时钟信号路径52包括任何合适数目的信号线。在一个实施例中,行选择路径48包括16个信号线。在一个实施例中,列选路径50包括16个信号线。在一个实施例中,解码器时钟信号路径52包括1个信号线。
行解码器32通过行信号路径44接收每个数字代码的部分位并且通过解码器时钟信号路径52接收缓冲的时钟信号。行解码器32将接收的位解码并且通过缓冲的时钟信号和行选择路径48提供行选择信号至模拟输出元件阵列36。
列解码器34通过列信号路径46接收每个数字代码的部分位并且通过解码器时钟信号路径52接收缓冲的时钟信号。列解码器34将接收的位解码并且通过缓冲的时钟信号和列选择路径50提供列选择信号至模拟输出元件阵列36。
模拟输出元件阵列36通过元件输出路径54电耦合至加法电路38并且通过阵列时钟信号路径56电耦合至一个或多个时钟缓冲器38。时钟缓冲器38接收在28处的时钟信号CLK并且通过阵列时钟信号路径56提供缓冲的时钟信号至模拟输出元件阵列。元件输出路径54包括任何合适数目的信号线并且阵列时钟信号路径56包括任何合适数目的信号线。
模拟输出元件阵列36包括多个模拟输出元件58,该多个模拟输出元件58通过行选择路径48电耦合至行解码器32,通过列选择路径50电耦合至列解码器34,通过阵列时钟信号路径56电耦合至一个或多个时钟缓冲器38,并且通过元件输出路径54电耦合至加法电路38。在一个实施例中,模拟输出元件阵列36包括256个模拟输出元件58。
模拟输出元件58通过行选择路径48接收行选择信号,通过列选择路径50接收列选择信号,并且通过阵列时钟信号路径56接收缓冲的时钟信号。基于行选择信号和列选择信号选择模拟输出元件58。选择的模拟输出元件58提供模拟信号,所述模拟信号通过元件输出路径54提供至加法电路40。加法电路40结合接收的模拟信号以产生在26处的输出模拟信号OUTA。未选择的模拟输出元件58不提供模拟信号至加法电路40。
在一个实施例中,每个模拟输出元件58包括单端开关,控制该单端开关以在模拟输出元件58的输出处提供模拟信号或基于行选择信号和列选择信号关断该模拟信号。另外,每个模拟输出元件58包括开关,控制该开关以预充电未选择的模拟输出元件58,所述未选择的模拟输出元件58将通过在24处的输入信号代码IND串中的下一数字代码来被选择。
在一个实施例中,模拟输出元件58是电流单元。每个电流单元包括解码行选择信号和列选择信号以提供选择位串的逻辑。每个电流单元包括在选择位中锁存的第一开关和基于锁存的选择位在节点和该电流单元的输出之间传导电流的第二开关。在选择的电流单元中第二开关传导电流并且在未选择的电流单元中第二开关是非传导的。每个电流单元包括第三开关,如果24处的输入数字代码IND串中的下一个数字代码选择该电流单元,那么该第三开关导通以预充电未选择的电流单元中的节点。
在操作中,时钟缓冲器38接收28处的时钟信号CLK并且通过输入寄存器时钟信号路径42提供缓冲的时钟信号至输入寄存器30,通过解码器时钟信号路径52提供缓冲的时钟信号至行解码器32和列解码器34,并且通过阵列时钟信号路径56提供缓冲的时钟信号至模拟输出元件58。输入寄存器30接收缓冲的时钟信号并且时钟输入在24处的数字代码IND串中的数字代码中的一个。输入寄存器30提供存储的数字代码的部分位至行解码器32并且提供存储的数字代码的部分位至行解码器34。
行解码器32通过行信号路径44接收存储的数字代码的部分位并且列解码器34通过列信号路径46接收存储的数字代码的部分位。另外,行解码器32和列解码器34通过解码器时钟信号路径52接收缓冲的时钟信号。行解码器32将接收到的位解码并且提供行选择信号,并且列解码器34将接收到的位解码并且提供列选择信号。
模拟输出元件58通过行选择路径48接收行选择信号,通过列选择路径50接收列选择信号,并且通过阵列时钟信号路径56接收缓冲的时钟信号。选择的模拟输出元件58通过元件输出路径54提供模拟信号至加法电路40。加法电路40结合接收的模拟信号以在26处产生输出模拟信号OUTA。未选择的模拟输出元件58不提供模拟信号至加法电路40。
在一个实施例中,DAC22包括统一编码的逻辑输出元件。在一个实施例中,DAC22包括二进制加权的模拟输出元件。在一个实施例中,DAC22为温度计编码DAC。在一个实施例中,DAC22为二进制加权DAC。在一个实施例中,DAC22被分割。在一个实施例中,DAC22包括温度计编码DAC部分和二进制加权DAC部分。
图3为示出电流单元100的一个实施例的图,该电流单元100为模拟输出元件58。电流单元100接收在102处的行选择信号LINE,在104处的列选择信号COL,以及在106处的列保持信号COLHOLD,并且在108处提供模拟输出电流IOUT。电流单元100包括解码逻辑110、时钟开关112、第一反相器114、NOR门116、第一n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管118、第二NMOS晶体管120和电流源122。解码器逻辑110通过选择信号路径124电耦合至时钟开关112的一侧和反相器114的输入。
解码器逻辑110接收在102处的行选择信号LINE、104处的列选择信号COL和106处的列保持信号COLHOLD,并且在124处提供选择信号SEL。在24处的输入数字代码IND串(图2中示出)中的每个数字代码通过行解码器32和列解码器34解码。行解码器32在102处提供行选择信号LINE并且列解码器34在104处提供列选择信号COL。解码器逻辑110为在24处的输入数字代码IND串中的每个数字代码接收选择信号电平(level)并且将在102处接收的行选择信号LINE、在104处的列选择信号COL和在106处的列保持信号COLHOLD解码。如果在一列中通过数字代码中的一个选择全部的电流单元100,那么列解码器34或者其它列选择逻辑就提供在106处的列保持信号COLHOLD中的高逻辑电平。如果在102处的行选择信号LINE和在104处的列选择信号COL处于高逻辑电平或者如果在106处的列保持信号COLHOLD处于高逻辑电平,那么解码器逻辑110在124处提供高逻辑电平并且选择电流单元100。否则,解码器逻辑110在124处提供低逻辑电平并且不选择电流单元100。基于在24处的数字输入代码IND串中的解码的数字代码,解码器逻辑110在124处提供选择信号SEL中的选择位串。
解码器逻辑110包括第二反相器126、第一NAND门128和第二NAND门130。第二反相器126的输出通过信号路径132电耦合至第二NAND门130的一个输入。NAND门128的输出通过信号路径134电耦合至第二NAND门130的另一输入。第二NAND门130的输出通过选择信号路径124电耦合至时钟开关112的一侧和反相器114的输入。
第一NAND门128接收在102处的行选择信号LINE和在104处的列选择信号COL。如果102处的选择信号LINE和104处的COL两者都处于高逻辑电平,那么第一NAND门128提供在124处的选择信号SEL中的低逻辑电平输出信号。如果102处的选择信号LINE和104处的COL中的一个或两者都处于低逻辑电平,那么第一NAND门128提供在124处的选择信号SEL中的高逻辑电平输出信号。第二反相器126在106处接收列保持信号COLHOLD并且在106处提供列保持信号COLHOLD的反量(inverse)至第二NAND门130。如果第二NAND门130的两个输入都处于高逻辑电平,第二NAND门130在124处提供选择信号SEL中的低逻辑电平位。如果第二NAND门130的两个输入之一或者两者都处于低逻辑电平,第二NAND门130在124处提供选择信号SEL中的高逻辑电平位。因此,如果102处的行选择信号LINE和104处的列选择信号COL处于高逻辑电平或者如果106处的列保持信号COLHOLD处于高逻辑电平,那么在124处的选择信号SEL处于高逻辑电平。否则,在124处的选择信号SEL处于低逻辑电平。
时钟开关112和第一反相器114在124处接收选择信号SEL。时钟开关112的另一侧通过锁存的选择信号路径136电耦合至第一NMOS晶体管118的栅和NOR门116的一个输入。反相器114的输出通过信号路径138电耦合至NOR门116的另一输入。NOR门116的输出通过信号路径140电耦合至第二NMOS晶体管120的栅。第一NMOS晶体管118的漏—源路径的一侧在108处提供模拟输出电流IOUT。第二NMOS晶体管120的漏—源路径的一侧在142处电耦合至电源电压VD。第一NMOS晶体管118的漏—源路径的另一侧通过节点144电耦合至第二NMOS晶体管120的漏—源路径的另一侧和电流源122。电流源122的另一侧电耦合至146处的参考电位,例如地。另外,节点144包括148处的寄生电容C,该寄生电容电耦合至150处的参考电位,例如地。
时钟开关112接收在124处的选择信号SEL中的选择位串以及在152处的时钟信号CLOCK。从124处的选择信号SEL中的选择位串通过152处的时钟信号CLOCK,时钟开关112一次锁存在一个选择位中,并且在136处提供锁存的选择信号LSEL中的锁存的选择位。锁存的时钟112闭合以传导124处的选择信号SEL中的选择位中的一个,锁存的时钟112打开以将该选择位锁存到136处的锁存的选择信号LSEL中。当打开时,时钟开关112在124处接收选择信号SEL中的选择位串中的下一选择位。
第一NMOS晶体管118的栅在136处接收锁存的选择信号LSEL中的锁存的选择位。如果锁存的选择位处于高逻辑电平,第一NMOS晶体管118导通以在108处提供模拟输出电流IOUT。另外,如果锁存的选择位为高逻辑电平,NOR门116提供低逻辑电平并且第二NMOS晶体管120关断或者非导通。如果锁存的选择位处于低逻辑电平,第一NMOS晶体管118非导通以关断108处的模拟输出电流IOUT。
第一反相器114在124处接收选择信号SEL中的选择位串中的下一选择位。如果下一选择位是低逻辑电平,NOR门116提供低逻辑电平并且第二NMOS晶体管120关断。如果锁存的选择位是低逻辑电平并且下一选择位是高逻辑电平,那么NOR门116提供高逻辑电平并且第二NMOS晶体管120导通。第二NMOS晶体管120导通以预充电节点144和电容器148。如果第一NMOS晶体管118是非导通的但是响应于下一选择位被设置成导通,就发生这种情况。
在操作期间,通过行解码器32和列解码器34,将24处的输入数字代码IND串中的每个数字代码解码,行解码器32在102处提供行选择信号LINE,列解码器34在104处提供列选择信号COL。如果通过数字代码之一选择在一列中的所有的电流单元100,那么列解码器34或其它列选择逻辑在106处提供列保持信号COLHOLD中的高逻辑电平。如果在102处的行选择信号LINE和在104处的列选择信号COL处于高逻辑电平或者如果106处的列保持信号COLHOLD处于高逻辑电平,那么解码器逻辑110在124处提供高逻辑电平并且选择电流单元100。基于24处的数字输入代码IN串中的解码的数字代码,解码器逻辑110在124处提供选择信号SEL中的选择位串。
时钟开关112接收在124处的选择信号SEL中的选择位串并且从124处的选择信号SEL中的选择位串通过152处的时钟信号CLOCK一次锁存在一个选择位中。锁存的时钟112闭合以传导124处的选择信号SEL中的选择位中的一个并且打开以将该选择位锁存到136处的锁存的选择信号LSEL中。时钟开关112在136处提供锁存的选择信号LSEL中的锁存的选择位至第一NMOS晶体管118的栅和NOR门116。在打开之后,时钟开关112在124处接收选择信号SEL中的选择位串中的下一选择位。
如果锁存的选择位处于高逻辑电平,选择电流单元100并且第一NMOS晶体管118导通以在108处提供模拟输出电流IOUT。另外,第二NMOS晶体管120关断以变为非导通的。
如果锁存的选择位处于低逻辑电平,那么就不选择电流单元100并且第一NMOS晶体管118非导通以关断108处的模拟输出电流IOUT。另外,如果下一选择位处于高逻辑电平并且锁存的选择位处于低逻辑电平,NOR门116提供高逻辑电平并且第二NMOS晶体管120导通以预充电节点144和电容器148。如果下一选择位处于低逻辑电平,那么NOR门116提供低逻辑电平并且第二NMOS晶体管120关断以变为非导通的。
通过单端开关,例如第一NMOS晶体管118,控制108处的模拟输出电流IOUT,减小了功耗。在未选择的电流单元100中预充电节点144和电容器148减小了在108处的模拟输出电流IOUT中的毛刺并且改进了性能,其中通过与在24处的输入数字代码IND串中的下一数字代码对应的下一选择位选择该未选择的电流单元100。
图4为示出图3的电流单元100的运行的逻辑表。该逻辑表包括在200处的选择信号SEL的逻辑电平和在202处的锁存的选择信号LSEL的逻辑电平。如果在电流单元100的输出处提供204处的模拟输出电流IOUT,那么逻辑电平为高或1,并且如果204处的模拟输出电流IOUT关断,那么逻辑电平为低或0。如果第二NMOS晶体管120预充电节点144,那么206处的PRE-CHARGE为高逻辑电平1,如果第二NMOS晶体管120没有预充电节点144,那么206处的PRE-CHARGE为低逻辑电平0。
在208处的第一行中,200处的选择信号SEL和202处的锁存的选择信号LSEL为低逻辑电平。200处的选择信号SEL的低逻辑电平防止通过第二NMOS晶体管120对节点144的预充电并且206处的PRE-CHARGE为低逻辑电平。202处的锁存的选择信号LSEL的低逻辑电平将204处的模拟输出电流IOUT切断,其由低逻辑电平表示。
在210处的第二行中,200处的选择信号SEL处于低逻辑电平并且202处的锁存的选择信号LSEL处于高逻辑电平。200处的选择信号SEL的低逻辑电平防止通过第二NMOS晶体管120对节点144的预充电并且206处的PRE-CHARGE处于低逻辑电平。第一NMOS晶体管响应于202处的锁存的选择信号LSEL的高逻辑电平导通并且在电流单元100的输出处提供204处的模拟输出电流IOUT,其由高逻辑电平表示。
在212处的第三行中,200处的选择信号SEL处于高逻辑电平并且202处的锁存的选择信号LSEL处于低逻辑电平。202处的锁存的选择信号LSEL的低逻辑电平将204处的模拟输出电流IOUT关断,其由低逻辑电平表示。通过200处的选择信号SEL的高逻辑电平和在202处的锁存的选择信号LSEL的低逻辑电平,开启第二NMOS晶体管120。第二NMOS晶体管120导通以预充电节点144并且206处的PRE-CHARGE为高逻辑电平。
在214的第四行中,200处的选择信号SEL和202处的锁存的选择信号LSEL处于高逻辑电平。第一NMOS晶体管响应于202处的锁存的选择信号LSEL的高逻辑电平导通并且在电流单元100的输出处提供204处的模拟输出电流IOUT,其由高逻辑电平表示。另外,202处的锁存的选择信号LSEL的高逻辑电平关断通过第二NMOS晶体管120对节点144的预充电并且206处的PRE-CHARGE处于低逻辑电平。
尽管在这里已经示出并描述了具体的实施例,但本领域技术人员将意识到多种改变和/或等价实施方式可以替代示出和描述的具体实施例而不脱离本发明的范围。本申请旨在覆盖在这里讨论的具体实施例的任何改编或变型。因此,本发明旨在仅由权利要求及其等价物来限制。

Claims (25)

1.一种半导体装置,包括:
第一开关,被配置以锁存位串中的位来提供锁存位;
第二开关,被配置以基于所述锁存位导通;和
第三开关,被配置以基于所述锁存位和所述位串中的下一位导通,其中所述下一位跟随所述位串中的所述锁存位。
2.权利要求1的半导体装置,其中该第二开关在节点和输出之间导通并且该节点通过该第三开关预充电。
3.权利要求2的半导体装置,包括:
被配置以提供电流的电流源,其中该第二开关在所述节点和所述输出之间传导电流。
4.权利要求1中的半导体装置,其中如果第二开关不导通并且所述下一位具有不同于所述锁存位的逻辑值,那么该第三开关被配置为导通。
5.权利要求1中的半导体装置,其中如果所述下一位具有与所述锁存位相同的逻辑值,那么该第三开关是非导通的。
6.权利要求1中的半导体装置,其中如果第二开关导通并且所述下一位具有不同于所述锁存位的逻辑值,那么该第三开关是非导通的。
7.权利要求1中的半导体装置,其中配置该第一开关以基于时钟信号锁存所述位。
8.权利要求1中的半导体装置,包括:
逻辑,被配置以将行选择信号和列选择信号解码并且提供所述位串。
9.一种数模转换器,包括:
寄存器,被配置以接收数字代码串;
电流单元阵列,其包括通过所述数字代码串中的数字代码选择的电流单元,其中所述电流单元阵列中的每个电流单元包括:
第一开关,被配置以在选择的电流单元中的节点和输出之间传导电流并且在未选择的电流单元中不导通;和
第二开关,如果所述数字代码串中的下一数字代码选择所述未选择的电流单元,那么该第二开关被配置为导通并预充电所述未选择的电流单元中的节点。
10.权利要求9的数模转换器,其中每个电流单元包括:
第三开关,被配置以锁存选择位并提供锁存的选择位。
11.权利要求10中的数模转换器,其中该第一开关配置为通过所述锁存的选择位来被控制。
12.权利要求10的数模转换器,其中该第二开关配置为通过所述锁存的选择位和下一选择位来被控制。
13.权利要求9的数模转换器,其中每个电流单元包括:
电流源,被配置以提供电流,该第一开关在所述节点和所述输出之间传导所述电流。
14.权利要求9的数模转换器,包括:
行解码器;和
列解码器,其中行解码器和列解码器将寄存器接收的每个数字代码解码并且提供行选择信号和列选择信号。
15.权利要求14的数模转换器,其中每个电流单元包括:
逻辑,被配置以将行选择信号和列选择信号解码并且提供选择位。
16.权利要求9的数模转换器,其中该数模转换器为二进制加权的数模转换器。
17.权利要求9的数模转换器,其中该数模转换器为温度计编码的数模转换器。
18.权利要求9的数模转换器,其中该数模转换器被分割为温度计编码的和二进制加权的数模转换器。
19.一种操作半导体装置的方法,包括:
锁存位串中的位以提供锁存位;
通过所述锁存位控制第一开关;和
通过所述锁存位和跟随所述位串中的所述锁存位的下一位控制第二开关。
20.权利要求19的方法,其中:
控制第一开关包括:
通过第一开关在节点和输出之间传导电流;和
控制第二开关包括:
基于所述锁存位和下一位,通过第二开关预充电所述节点。
21.权利要求20的方法,其中预充电所述节点包括:
如果第一开关未导通并且所述下一位具有不同于所述锁存位的逻辑值,那么预充电所述节点。
22.权利要求19的方法,其中控制第二开关包括:
如果所述下一位具有与所述锁存位相同的逻辑值,那么控制该第二开关为非导通的。
23.权利要求19的方法,其中控制第二开关包括:
如果第二开关导通并且所述下一位具有不同于所述锁存位的逻辑值,那么控制该第二开关为非导通的。
24.一种操作数模转换器的方法,包括:
接收数字代码串;
基于所述数字代码串中的数字代码选择电流单元;
控制第一开关以在选择的电流单元的节点和输出之间传导电流;
在未选择的电流单元中控制第一开关为非导通的;
如果所述数字代码串中的下一数字代码选择所述未选择的电流单元,那么控制第二开关导通并且预充电所述未选择的电流单元中的节点。
25.权利要求24的方法,包括:
将所述数字代码串中的每个数字代码解码;
基于所述数字代码串,提供行选择信号串;
基于所述数字代码串,提供列选择信号串;
将所述行选择信号串和所述列选择信号串解码;
提供选择位串;
锁存所述选择位串之一并且提供锁存的选择位;
通过所述锁存的选择位,控制该第一开关;和
通过所述选择位串中的所述锁存的选择位和下一选择位,控制该第二开关。
CN2008101737683A 2007-09-13 2008-09-12 具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置 Active CN101399548B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/854,849 US7474243B1 (en) 2007-09-13 2007-09-13 Semiconductor device including switch that conducts based on latched bit and next bit
US11/854849 2007-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101399548A CN101399548A (zh) 2009-04-01
CN101399548B true CN101399548B (zh) 2010-09-29

Family

ID=40174969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101737683A Active CN101399548B (zh) 2007-09-13 2008-09-12 具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7474243B1 (zh)
CN (1) CN101399548B (zh)
DE (2) DE102008047165B4 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7619552B1 (en) * 2008-04-24 2009-11-17 Analog Devices, Inc. Low distortion current switch
US7924197B1 (en) * 2009-11-04 2011-04-12 Mediatek Inc. Method for reducing current consumption of digital-to-analog conversion, and associated tri-state current digital-to-analog converter
US8547268B2 (en) * 2012-02-29 2013-10-01 Lantiq Deutschland Gmbh Switched current-cell with intermediate state
JP2014078909A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Sony Corp D/a変換回路
US9231546B2 (en) * 2014-06-06 2016-01-05 The Regents Of The University Of Michigan Multi-dimensional array of impedance elements
US9337874B1 (en) * 2014-12-18 2016-05-10 Intel IP Corporation High-speed digital signal processing systems
CN108418586B (zh) * 2017-02-10 2021-09-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 单端输出的电流舵数模转换电路
US10944417B1 (en) * 2020-07-07 2021-03-09 Xilinx, Inc. Radio frequency DAC with improved linearity using shadow capacitor switching

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6188619A (ja) * 1984-09-28 1986-05-06 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト D‐a変換器
US5272432A (en) 1991-05-01 1993-12-21 Winbond Electronics N.A. Corporation DAC current source with stabilizing bias
US5164725A (en) 1992-02-05 1992-11-17 Tritech Microelectronics International Pte Ltd. Digital to analog converter with current sources paired for canceling error sources
US5489902A (en) 1994-04-28 1996-02-06 Sierra Semiconductor Corporation Dynamic power saving video DAC
US5625360A (en) 1995-09-05 1997-04-29 Motorola, Inc. Current source for reducing noise glitches generated in a digital to analog converter and method therefor
US5689257A (en) * 1996-01-05 1997-11-18 Analog Devices, Inc. Skewless differential switch and DAC employing the same
SE507892C2 (sv) * 1996-11-04 1998-07-27 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande och anordning för att åstadkomma en konstruktion för digital-till-analogomvandling med hög prestanda
US6160507A (en) * 1996-05-13 2000-12-12 Texas Instruments Incorporated Current bit cell and switched current network formed of such cells
US6392573B1 (en) * 1997-12-31 2002-05-21 Intel Corporation Method and apparatus for reduced glitch energy in digital-to-analog converter
GB2356750B (en) * 1999-11-24 2002-12-04 Fujitsu Ltd Reducing jitter in mixed-signal circuitry
US6331830B1 (en) 2000-02-04 2001-12-18 Rockwell Technologies Llc Self-trimming current source and method for switched current source DAC
US6778115B2 (en) 2001-03-21 2004-08-17 Nokia Corporation Digital-to-analog converter and method for reducing harmonic distortion in a digital-to-analog converter
GB0111313D0 (en) 2001-05-09 2001-07-04 Broadcom Corp Digital-to-analogue converter using an array of current sources
KR100812846B1 (ko) * 2003-05-07 2008-03-11 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 전류 출력형 반도체 장치, 표시 장치 구동용 소스 드라이버, 표시 장치, 신호 입출력 방법
KR20060065002A (ko) 2004-12-09 2006-06-14 한국전자통신연구원 전류셀 및 그를 이용한 디지털-아날로그 변환기
TWI244270B (en) 2005-01-17 2005-11-21 Novatek Microelectronics Corp Digital-to-analog converter
US7081844B1 (en) 2005-04-22 2006-07-25 Ess Technology, Inc. Devices and methods for converting a digital signal into an analog signal

Also Published As

Publication number Publication date
DE102008047165B4 (de) 2016-09-15
DE202008018606U1 (de) 2016-07-15
CN101399548A (zh) 2009-04-01
DE102008047165A1 (de) 2009-04-02
US7474243B1 (en) 2009-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101399548B (zh) 具有基于锁存位和下一位导通的开关的半导体装置
JP4675897B2 (ja) 集積回路内の複数の供給電圧でのデジタル信号の多重化
US8493257B2 (en) Current-switching cell and digital-to-analog converter
CN105340182A (zh) 用于高速模数转换的开窗
US7551107B2 (en) Multiplexer for controlling data output sequence and parallel-to-serial converter using the same
US20120068869A1 (en) Compact digital-to-analog converter
CN101346774A (zh) 多电平单元存储装置的读出
JP5780178B2 (ja) 高周波スイッチモジュール
US20110234317A1 (en) Differential driver circuit
CN101399549B (zh) 数字模拟转换电路
KR20150042808A (ko) 오프-상태 커패시턴스 감소를 지닌 멀티-스루 안테나 스위치
JP2023037615A (ja) デジタル・アナログ変換器、及びそれを含む装置
US7956785B2 (en) Return to zero digital to analog converter and converting method thereof
US7321326B2 (en) Current source cell and D/A converter using the same
US7924198B2 (en) Digital-to-analog converter
US5754010A (en) Memory circuit and method for sensing data
US7199742B2 (en) Digital-to-analog converter and related level shifter thereof
US7750707B2 (en) High-resolution low-interconnect phase rotator
US7206876B2 (en) Input/output interface of an integrated circuit device
US8937503B2 (en) Switch control circuit, semiconductor device, and radio communication device
CN115208402A (zh) 模数转换电路及具有其的数模混合芯片、电子设备、车辆
CN101819816B (zh) 相变存储器
TW200721186A (en) Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window
US20160269023A1 (en) Semiconductor switch and switching system
US7969220B2 (en) Delay circuit

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS LTD.

Free format text: FORMER OWNER: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY LTD.

Effective date: 20120615

Owner name: INTEL MOBILE COMMUNICATIONS TECHNOLOGY LTD.

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Effective date: 20120615

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: Neubiberg, Germany

Patentee after: Infineon Technologies AG

Address before: German Neubiberg

Patentee before: Infineon Technologies AG

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20120615

Address after: Neubiberg, Germany

Patentee after: Intel Mobile Communications GmbH

Address before: Neubiberg, Germany

Patentee before: Infineon Technologies AG

Effective date of registration: 20120615

Address after: Neubiberg, Germany

Patentee after: Intel Mobile Communications GmbH

Address before: Neubiberg, Germany

Patentee before: Intel Mobile Communications GmbH

C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Neubiberg, Germany

Patentee after: Intel Mobile Communications GmbH

Address before: Neubiberg, Germany

Patentee before: Intel Mobile Communications GmbH