CN101392376A - 蚀刻组合物 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 86
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 160
- -1 carboxylate salt Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N ammonium phosphates Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])([O-])=O ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 abstract description 38
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 abstract 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 40
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- VVLAIYIMMFWRFW-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.NCCO VVLAIYIMMFWRFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N n-propyl alcohol Natural products CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- DDXPLCBTGWFAIG-UHFFFAOYSA-N triazanium;phosphate;trihydrate Chemical class [NH4+].[NH4+].[NH4+].O.O.O.[O-]P([O-])([O-])=O DDXPLCBTGWFAIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102000002260 Alkaline Phosphatase Human genes 0.000 description 2
- 108020004774 Alkaline Phosphatase Proteins 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000000177 1,2,3-triazoles Chemical class 0.000 description 1
- HXQHRUJXQJEGER-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(C)N=NC2=C1 HXQHRUJXQJEGER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYMLZIFRPNYAHS-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C1=NNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 NYMLZIFRPNYAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004160 Ammonium persulphate Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPSAAQWVJOVCBK-UHFFFAOYSA-N [K].[K].[K].OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O Chemical compound [K].[K].[K].OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O GPSAAQWVJOVCBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVTRDWMTAVVDCU-UHFFFAOYSA-N acetic acid;hydrogen peroxide Chemical compound OO.CC(O)=O FVTRDWMTAVVDCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019395 ammonium persulphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 description 1
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 description 1
- 235000019263 trisodium citrate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
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Abstract
本发明提供一种蚀刻组合物，该组合物在蚀刻含有Cu或Cu合金和Mo或Mo合金的层积金属层时，能够不发生侧蚀而得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状，而这在以往的技术中是难以实现的。作为本发明的组合物的必要成分，含有选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐、过氧化氢和水，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金，所述2层以上层积金属层是由1层或2层以上Cu或Cu合金以及1层或2层以上Mo或Mo合金形成的。
Description
技术领域
本发明是涉及一种蚀刻组合物，该组合物用于形成构成电子设备用阵列基板、特别是TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)用阵列基板的铜配线。
背景技术
在TFT-LCD用阵列基板等电子设备用阵列基板上具有栅极、栅极配线、源极、源极配线、漏极、漏极配线等电极和配线，这些电极和配线承担着向元件传递信号的作用。目前上述配线材料主要使用Al或Al合金。Al或Al合金的配线由于形成氧化被膜、发生电迁移及向Si中扩散等，因而不采用Al或Al合金单膜。即，为防止上述问题，有必要通过上敷金属或设置下层来层积化，制成2层金属层或3层金属层来使用Al或Al合金膜。作为用于该层积的金属种类，可以举出钼(以下也简写为Mo)和Ti等，但从配线形成难易度方面出发，通常使用能够进行湿法蚀刻的Mo。在用于将层积有Mo的2层以上Mo/Al金属层的Mo和Al同时蚀刻的蚀刻组合物中，一般使用由磷酸、硝酸和乙酸构成的混酸溶液。
但是，随着液晶电视等液晶显示装置的大型化，特别是在18英寸以上的大面积且高分辨率的液晶显示装置中使用Al或Al合金的配线的话，则因电阻而使信号传递延迟就成为了问题。为了解决该问题，提出了比Al或Al合金电阻低、成本低的金属铜(以下也简写为Cu)配线作为配线材料。
对于Cu配线来说，需防止向Si中扩散和密合性的问题以及防止氧化被膜等，因此也和Al配线一样不能使用Cu单膜，有必要将Mo等作为上敷金属或下层来层积化。至少为了防止扩散和密合性的问题以及防止形成氧化被膜，有必要形成含有下层的2层金属层，因为Cu表层容易形成氧化被膜，所以，优选进行上敷金属以形成3层金属层。合金化存在使电阻升高的缺点，但也正在研究通过Cu的合金化来省去上敷金属和下层的方法。
并且，Mo自身也容易生成氧化钼(钼酸)，因为没能形成钝态膜而缺乏耐腐蚀性，所以，对形成钝态膜而具有耐腐蚀性的Mo合金也进行了研究。
如上所述，对于Cu或Cu合金与Mo的层积膜，以及对于Cu或Cu合金与Mo合金的层积膜来说，能同时将Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金双方蚀刻的蚀刻组合物是必要的。但是，伴随Mo的合金化，与Mo相比，Mo合金的蚀刻断面差别较大，用现有的蚀刻组合物进行蚀刻非常困难。而且，如果对3层层积膜蚀刻，也容易发生电池腐蚀等，从而蚀刻变得更加困难。利用用于Al配线的由磷酸、硝酸、乙酸构成的混酸溶液，也能够调节Cu、Mo和Mo合金各单膜的腐蚀速率，但由于层积膜的各金属的蚀刻速率不同，Cu层的蚀刻量大，因此层积膜之中的Cu层比Mo和Mo合金蚀刻量大，导致出现称为侧蚀的底切(undercut)形状的现象等，使得蚀刻控制非常难。为了形成层积金属层的配线，不产生侧蚀是必要的，在基板的制造工艺中，使用现有的混酸溶液不能对侧蚀进行控制。
在专利文献1中公开了一种由硫酸、过氧化氢、乙酸钠以及余量的水所构成的蚀刻组合物，在专利文献2中公开了一种由盐酸、无机酸或者无机酸盐、过氧化氢以及余量的水所构成的Cu单膜用蚀刻液，作为无机酸，公开了硫酸、磷酸、硝酸、硼酸，作为无机酸盐，公开了除硼酸之外的上述无机酸的碱性盐和铜盐，这些都存在Cu侧蚀的问题。并且，用Mo合金时Cu侧蚀的程度更大，所以，完全不适合制造工艺。并且，作为蚀刻组合物，使用乙酸-过氧化氢水系以及过硫酸铵时也同样不适合。
作为能同时蚀刻所层积的Cu、Mo的2层金属层的蚀刻组合物，已知有氟化氢系溶液和氧系溶液。但是，氟化氢系蚀刻组合物也存在可对用于阵列基板的玻璃基板和玻璃基板上作为绝缘膜的蒸镀硅氮化膜(SiNx)或硅氧化膜(SiO2)同时蚀刻的问题。
作为氧系溶液，在专利文献3中公开了一种蚀刻组合物，该组合物含有从中性盐、无机酸和有机酸中选出的至少一种物质以及过氧化氢，还公开了使用该组合物对Cu(Cu合金)和Mo一并进行蚀刻的内容。作为中性盐，公开了KHSO4、KIO4、NaCl和KCl，作为无机酸，公开了盐酸、硫酸、硝酸和磷酸，作为有机酸，公开了乙酸。但是，这样的组成使Cu发生侧蚀，蚀刻控制非常困难。并且，在Mo合金的情况中，Cu侧蚀的程度更大。因此，在制造工艺中，在形成层积膜的配线方面，完全不能使用该蚀刻组合物。
这样，对Cu单膜的蚀刻组合物以及Cu(Cu合金)和Mo的2层层积膜的蚀刻组合物进行了研究，但是，不发生侧蚀而得到令人满意的锥角是很难的。
专利文献1：日本特开昭61-591号公报
专利文献2：日本特开昭51-2975号公报
专利文献3：日本特开2002-302780号公报
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种蚀刻组合物，在由Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金形成的2层以上层积金属层的蚀刻方面，所述蚀刻组合物不发生侧蚀而能得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状，而这在以前的技术中是难以实现的。
本发明提供一种蚀刻组合物。所述蚀刻组合物含有从由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中选出的至少一种盐、过氧化氢和水，所述盐、过氧化氢和水是所述蚀刻组合物的必要成分，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的铜或铜合金以及钼或钼合金，所述2层以上层积金属层由1层或2层以上铜或铜合金以及1层或2层以上钼或钼合金形成。
(1)本发明的蚀刻组合物因具有上述构成，在由Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金形成的2层以上层积金属层的蚀刻方面，不发生侧蚀而能得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状，而这在以前的技术中是很难实现的。
(2)本发明的蚀刻组合物因具有上述构成，而能够将由Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金形成的2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金同时蚀刻，因此能够减少工艺步骤。
附图说明
图1是实施例1(图1A：Mo5Nb/Cu/Mo5Nb和图1B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)、实施例2(图1C：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)的由Cu和Mo合金构成的3层层积金属层经蚀刻处理后，其配线的截面锥形的附图代用扫描电子显微镜照片(5万倍)。
图2是实施例3(Mo/Cu)的由Cu和Mo构成的2层层积金属层经蚀刻处理后，其配线的截面锥形的附图代用扫描电子显微镜照片(5万倍)。
图3是比较例1的由Cu和Mo构成的3层层积金属层(图3A：Mo/Cu/Mo)以及由Cu和Mo合金构成的3层层积金属层(图3B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)经蚀刻处理后，其配线的截面形状的附图代用扫描电子显微镜照片(5万倍)。图中，双箭头水平线表示侧蚀宽度。
图4是比较例2(图4A：Mo/Cu/Mo，图4B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb，图4C：Mo/Cu/Mo)、比较例3(图4D：Mo/Cu/Mo)、比较例4(图4E：Mo/Cu/Mo)的由Cu和Mo以及Mo合金构成的3层层积金属层经蚀刻处理后，其配线的截面形状的附图代用扫描电子显微镜照片(1万倍)。图中，双箭头水平线表示侧蚀宽度。
图5是比较例5的由Cu和Mo以及Mo合金构成的2层层积金属层(图5C：Mo/Cu)和3层层积金属层(图5A：Mo/Cu/Mo，图5B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)经蚀刻处理后，其配线的截面形状的附图代用扫描电子显微镜照片(5万倍)。图中，双箭头水平线表示侧蚀宽度。
图6是比较例6的由Cu和Mo以及Mo合金构成的2层层积金属层(图6C：Mo/Cu)和3层层积金属层(图6A：Mo/Cu/Mo，图6B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)经蚀刻处理后，其配线的截面形状的附图代用扫描电子显微镜照片(图6A：5万倍，图6B：1万倍，图6C：5万倍)。图中，双箭头水平线表示侧蚀宽度。
图7是比较例7的由Cu和Mo构成的3层层积金属层(图7A：Mo/Cu/Mo)和由Cu和Mo合金构成的3层层积金属层(图7B：Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)经蚀刻处理后，其配线的截面形状的附图代用扫描电子显微镜照片(1万倍)。图中，双箭头水平线表示侧蚀宽度。
具体实施方式
上述磷酸盐如果是水溶液为碱性的磷酸盐则没有特别限定，例如，可以举出：磷酸三铵等碱性磷酸铵盐；磷酸三胺盐(磷酸三单乙醇胺盐、磷酸三正丙醇胺盐、磷酸三异丙醇胺盐等)等碱性磷酸胺盐等，可以使用其中的一种或2种以上。这些之中，优选磷酸三铵、磷酸三单乙醇胺盐等磷酸三胺盐或者它们的组合。磷酸盐在蚀刻液中的浓度优选为1重量％以上，如果该浓度低于1重量％，则因蚀刻速率变慢而不优选。对该浓度的上限没有特别限定，但根据溶解量的上限，该浓度一般为20重量％以下，更优选为15重量％以下。
上述羧酸盐如果是水溶液为碱性的羧酸盐则没有特别限定，例如，可以举出：乙酸胺盐(例如，乙酸单乙醇胺盐、乙酸正丙醇胺盐、乙酸异丙醇胺盐等)；草酸二单乙醇胺盐等羧酸(除乙酸、草酸外，例如甲酸、丙酸、丁酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、丙二酸、琥珀酸、富马酸、马来酸等)的碱性胺盐。这些之中，特别优选乙酸单乙醇胺盐等乙酸胺盐。并且，对碱性盐没有限定，碱金属盐(例如，乙酸钠、乙酸钾、柠檬酸三钠、柠檬酸三钾等)和其他胺盐(例如，二乙醇胺的盐、三乙醇胺的盐)等即可。可以使用其中的一种或2种以上。羧酸盐在蚀刻液中的浓度优选为1重量％以上，如果该浓度小于1重量％，则因蚀刻速率变慢而不优选。对该浓度的上限没有特别限定，但根据溶解量的上限，该浓度一般为20重量％以下，更优选为15重量％以下。
在本发明中，采用上述磷酸盐的一种或2种以上、上述羧酸盐的一种或2种以上、将上述磷酸盐的一种或2种以上以及上述羧酸盐的一种或2种以上进行合用都是可以的。合用时盐在蚀刻液中的浓度优选为1重量％以上，如果该浓度小于1重量％，则因蚀刻速率变慢而不优选。对该浓度的上限没有特别限定，但根据溶解量的上限，该浓度一般为20重量％以下，更优选为15重量％以下。
对本发明中的过氧化氢在蚀刻液中的浓度没有特别限制，但优选为0.5重量％以上，如果该浓度小于0.5重量％，则因蚀刻速率变慢而不优选。对该浓度的上限没有特别限定，例如优选该浓度为35重量％以下，更优选为20重量％以下。
在本发明中，水含量的上限是选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐与过氧化氢的合计量的剩余量；在根据需要添加如下说明的其他成分时，所述水的含量的上限是所添加的其他成分、上述盐和过氧化氢的合计量的剩余量。
对上述Cu合金没有特别限制，可以举出添加能提高Cu的耐腐蚀性的元素而成的合金，例如，添加Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ni、Ag、Al、Zn、Sn的Cu合金。
对上述Mo合金没有特别限制，可以举出添加能提高Mo的耐腐蚀性的元素而成的合金，例如，添加Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、W、和Ni中的一种或2种以上的Mo合金。这些之中，特别优选MoNb合金、MoTi合金、在这些合金中再添加Ni的Mo合金。
在本发明中，根据需要可以混合过氧化氢稳定剂。作为上述稳定剂，例如，可以举出：草酸等羧酸及其盐类；萘磺酸甲醛缩合物及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐等聚砜化合物；膦酸；乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚等二醇醚类；甲醇、乙醇、正丙醇等低级饱和脂肪族醇类。对该稳定剂在蚀刻液中的浓度没有特别限制，但优选该浓度在0.001重量％～1重量％的范围。但是，在上述必要成分中使用羧酸盐时，也可以不特别混合过氧化氢稳定剂，但在不会对本发明的效果产生不良影响的范围内，也可以再混合其它的一种以上的过氧化氢稳定剂。
并且，在对本发明的效果不产生不良影响的范围内添加表面活性剂，能够提高润湿性，还能够消除蚀刻不均。对上述表面活性剂没有特别限定，例如，可以举出属于非离子型的表面活性剂、亲油基团含氟的表面活性剂及亲水基团含磺酸的表面活性剂等。对该表面活性剂在蚀刻液中的浓度没有特别限制，优选该浓度为0.001重量％～1重量％的范围。
而且，为了调整蚀刻时间和锥形，根据需要，可以添加公知的Cu防腐蚀剂。作为上述Cu防腐蚀剂，例如，作为三唑系化合物，可以使用1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、5-苯基-1，2，4-三唑、5-氨基-1，2，4-三唑、苯并三唑、1-甲基-苯并三唑或甲苯三唑。对Cu防腐蚀剂在蚀刻液中的浓度没有特别限制，优选该浓度为0.001重量％～1重量％的范围。
优选本发明的组合物的pH值为8～11。本发明的组合物不需要特别调节pH值，根据需要，使用公知的pH调节剂就可以。
本发明的组合物用于将由1层或2层以上Cu或Cu合金以及1层或2层以上Mo或Mo合金形成的2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金同时蚀刻。对上述2层以上层积金属层的层积构成没有特别限定，只要是由Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金形成的2层或3层或4层以上的层积金属层即可，例如，可以是由Cu或Cu合金层/Mo或Mo合金层形成的经层积构成的2层层积金属层，或者，由Mo或Mo合金层/Cu或Cu合金层/Mo或Mo合金层形成的经层积构成的3层层积金属层等；再具体地说，可以举出，例如，由Cu层/Mo或Mo合金层形成的经层积构成的2层层积金属层(例如，Cu/Mo、Cu/Mo合金)，或者，由Mo或Mo合金层/Cu层/Mo或Mo合金层形成的经层积构成的3层层积金属层(例如，Mo/Cu/Mo、Mo合金/Cu/Mo合金、Mo/Cu/Mo合金等)。本发明的组合物能够对Cu的蚀刻速率进行控制，同时即使因Mo的合金化而使耐腐蚀性得到提高，也能够如下所述进行蚀刻控制。即，对由Mo合金层/Cu或Cu合金层形成的经层积构成的2层层积金属层来说，作为蚀刻的截面形状的锥形(锥角)与Mo合金种类没有关系，几乎见不出差异，具有令人满意的锥形，能够防止Mo合金的侧蚀即底切形状。而且，对于由Mo合金层/Cu或Cu合金层/Mo合金层形成的经层积构成的3层层积金属层来说，能够根据合金种类调整其蚀刻速率，因此能够得到最佳的锥形。与2层层积金属层相同，也能够防止下层的Mo合金的侧蚀。
实施例
下面，通过实施例更具体的对本发明进行说明，但以下的记载为专门用于说明的，本发明不限于这些实施例。
实施例1
用2.5重量％磷酸三铵三水合物、1.5重量％乙酸单乙醇胺盐、1.5重量％过氧化氢和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的蚀刻组合物(pH为9.05)，使用经光致抗蚀剂图案化的3层层积金属层(Cu：2000
，各Mo合金：500
，共计3000
)的基板，所述3层层积金属层是由Cu与Mo合金(I)(添加了5重量％Nb的Mo)或者由Cu与Mo合金(II)(添加了10重量％Nb的Mo)形成的Mo合金/Cu/Mo合金的层积金属层。在23℃的处理温度进行蚀刻处理，处理的时间是直到金属层溶掉的时间(Just.Etch.Time.)。通过在上述条件下的蚀刻处理，所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片分别如图1A(Mo5Nb/Cu/Mo5Nb)(使用Mo合金(I))、图1B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)(使用Mo合金(II))所示。
由图1A、图1B可知，能够同时蚀刻Cu和Mo合金的3层层积金属层，并且没有侧蚀，得到良好的截面锥形。
实施例2
用2.5重量％磷酸铵三水合物、3.75重量％乙酸单乙醇胺盐、1.5重量％过氧化氢和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的蚀刻组合物(pH为8.95)，使用经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo合金(添加了10重量％Nb的Mo)形成的Mo合金/Cu/Mo合金的3层层积金属层(Cu：
各Mo合金：
共计
)的基板。在23℃的处理温度进行蚀刻处理，处理的时间为直到金属层溶掉的时间(Just.Etch.Time.)。通过在上述条件下的蚀刻处理，所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片如图1C(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)所示。
由图1C可知，能够同时蚀刻Cu和Mo合金的3层层积金属层，并且没有侧蚀，得到良好的截面锥形。
并且，Cu合金的蚀刻速率一般比Cu的蚀刻速率低，Cu合金的蚀刻速率的控制也比Cu容易，所以，还同时利用了本发明的蚀刻溶液对包含Cu合金膜的层积膜进行了蚀刻，在该情况中，也不存在侧蚀，可以得到良好的截面锥形。
实施例3
用2.5重量％磷酸三铵三水合物、1.0重量％乙酸单乙醇胺盐、0.75重量％过氧化氢和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的蚀刻组合物(pH为9.07)，使用经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo构成的Mo/Cu的2层层积金属层(Cu：
Mo：共计
)的基板。在25℃的处理温度进行蚀刻处理，处理的时间为直到金属层溶掉的时间(Just.Etch.Time.)。通过在上述条件下的蚀刻处理，所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片见图2。
由图2可知，能够同时蚀刻Cu和Mo的2层层积金属层，并且没有侧蚀，得到了良好的截面锥形。
比较例1
用23.2重量％磷酸、57.5重量％乙酸、3.3重量％硝酸和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的蚀刻组合物，使用经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo、Cu和Mo合金(添加了10重量％Nb的Mo)形成的Mo(Mo合金)/Cu/Mo(Mo合金)的3层层积金属层(Cu：
Mo和Mo合金：
共计
)的基板。在23℃的处理温度进行蚀刻处理，处理的时间为直到金属层溶掉的时间(Just.Etch.Time.)。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片分别如图3A(Mo/Cu/Mo)、图3B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)所示。
由图3可知，上层和下层的Mo(Mo合金)未溶而残留，而中间层的Cu溶解了，因而能够观察到上层的Mo(Mo合金)垂下来的样子。这样，用磷酸、乙酸、硝酸的混酸溶液也能蚀刻Cu、Mo或Mo合金，但是出现Cu的侧蚀，对于配线来说是不使用的形状。
比较例2
用5重量％硫酸、5.2重量％过氧化氢和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的组合物，使用经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo以及由Cu和Mo合金(添加了10重量％Nb的Mo)形成的Mo(Mo合金)/Cu/Mo(Mo合金)的3层层积金属层(Cu：
Mo和Mo合金：
共计
的基板。在40℃的处理温度进行蚀刻处理，处理的时间为直到金属层溶掉的时间(Just.Etch.Time.)。在23℃的处理温度下也进行了同样的处理。通过在上述条件下的蚀刻处理，所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片分别如图4A(Mo/Cu/Mo)、4B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)、4C(Mo/Cu/Mo)所示。比较例2是专利文献3中给出的配方的蚀刻组合物。
由图4A、4B、4C可知，上层和下层的Mo(Mo合金)未溶而残留，中间层的Cu溶解了，因而能够观察到上层的Mo(Mo合金)垂下来的样子。这样，Cu的侧蚀显著，对于配线来说是不使用的形状。在Cu与Mo合金的层积金属层的情况中，Cu的侧蚀量的增加显著。而且，即使处理温度在23℃(图4C)，也与处理温度40℃(图4A、图4B)的情况相同，发生了Cu的侧蚀，并且蚀刻时间需要5分钟以上，不适合工业应用。
比较例3
将比较例2的蚀刻组合物的组成变更为5重量％硫酸、0.867重量％过氧化氢和余量的水，将蚀刻对象膜变更为经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo构成的Mo/Cu/Mo的3层层积金属层(Cu：Mo：
共计
)的基板，除此以外，进行与比较例2同样的处理。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片如图4D(Mo/Cu/Mo)所示。比较例3是专利文献3中给出的配方的蚀刻组合物。
比较例4
将比较例2的蚀刻组合物的组成变更为5重量％硫酸、8.67重量％过氧化氢和余量的水，将蚀刻对象膜变更为经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo形成的Mo/Cu/Mo的3层层积金属层(Cu：
Mo：
共计
)的基板，除此以外，进行与比较案例2同样的处理。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片如图4E(Mo/Cu/Mo)所示。比较例4是专利文献3中给出的配方的蚀刻组合物。
由图4D、4E可知，上层和下层的Mo未溶而残留，中间层的Cu溶解了，因此能够观察到上层的Mo垂下来的样子。这样，比较例3、4均发生了Cu的侧蚀，对于配线来说是不能使用的形状。从比较例2～4可知，在Cu与Mo合金的层积金属层的情况中，Cu的侧蚀量的增加更加显著。比较例2、3、4的各蚀刻组合物的成分相同但组成比不同。这些蚀刻组合物与专利文献3中给出的以实施例图的曲线的两端值和中心值表示的配方相当。
比较例5
用5重量％乙酸、5.2重量％过氧化氢和余量的水来调制蚀刻组合物，使用调制出的蚀刻组合物，将蚀刻对象膜变更为经光致抗蚀剂图案化的由Cu和Mo以及由Cu和Mo合金(添加了10重量％Nb的Mo)形成的Mo(Mo合金)/Cu/Mo(Mo合金)的3层层积金属层(Cu：
Mo合金：共计
)的基板、以及由Cu和Mo构成的Mo/Cu的2层层积金属层(Cu：
Mo：
共计
)的基板，除此以外，进行与比较例2同样的处理。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片分别如图5A(Mo/Cu/Mo)、图5B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)、图5C(Mo/Cu)所示。比较例5是专利文献3中给出的配方的蚀刻组合物。
由图5可知，上层和下层的Mo(Mo合金)未溶而残留，中间层的Cu溶解了，因而能够观察到上层的Mo合金垂下来的样子(图5B)。还能够观察到上层的Cu层溶解了，下层的Mo层未溶而残留的样子(图5C)。这样，与比较例2相比，Cu的侧蚀量降低了，但是发生了Cu的侧蚀，对于配线来说是不使用的形状。可知将Mo变更为Mo合金，发生Cu侧蚀的倾向更明显。在2层层积金属层的情况中也同样发生了Cu的侧蚀。
比较例6
将蚀刻组合物变更为由5重量％KHSO4、5.2重量％过氧化氢和余量的水所调制出的蚀刻组合物，除此以外，进行与比较例5同样的处理。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片如图6A(Mo/Cu/Mo)、图6B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)、图6C(Mo/Cu)所示。比较例6是专利文献3中给出的配方的蚀刻组合物。
在比较例6中，上层和下层的Mo(Mo合金)未溶而残留，中间层的Cu溶解了，因此能够观察到上层的Mo(Mo合金)垂下来或者卷边的样子(图6A、图6B)。并且，还观察到上层的Cu层溶解了，下层的Mo层未溶而残留的样子(图6C)。这样，与比较例5相同，Cu的侧蚀量多。对2层层积金属层来说，也同样发生了Cu的侧蚀。
比较例7
将蚀刻组合物变更为由2重量％乙酸、0.7重量％过氧化氢和余量的水所调制出的蚀刻组合物，除此以外，进行与比较例2同样的处理。所得到的配线的截面锥形的扫描电子显微镜照片如图7A(Mo/Cu/Mo)、图7B(Mo10Nb/Cu/Mo10Nb)所示。比较例7是专利文献1中给出的配方的蚀刻组合物。
在比较例7中，上层和下层的Mo(Mo合金)未溶而残留，中间层的Cu溶解了，因此能够观察到上层的Mo(Mo合金)垂下来的样子(图7A、图7B)。比较例7的蚀刻组合物与比较例5的蚀刻组合物的成分相同但组成比不同。结果，与比较例5同样发生了Cu的侧蚀。
比较例8
将蚀刻组合物变更为由14重量％HCl、11.7重量％硫酸、11.3重量％过氧化氢和余量的水所调制出的蚀刻组合物，除此之外，进行与比较例2同样的处理。比较例8是专利文献2中给出的配方的蚀刻组合物。
在比较例8中发生了Cu的侧蚀。
工业实用性
如上所述，本发明的蚀刻组合物能够用于价廉、低电阻、高品质的Cu配线的形成。并且，也适用于Mo合金的层积膜，因而能够最大限度地利用Cu的低电阻特性，能够生产出电阻小，工作特性被改善的电子设备用大面积阵列基板。
Claims (5)
1.一种蚀刻组合物，该组合物含有盐、过氧化氢和水，所述盐、过氧化氢和水为该组合物的必要成分，所述盐为选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的铜或铜合金以及钼或钼合金，所述2层以上层积金属层是由1层或2层以上铜或铜合金以及1层或2层以上钼或钼合金形成的。
2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述磷酸盐是选自由磷酸三铵和磷酸三胺盐组成的组中的至少一种盐。
3.如权利要求1～2任一项所述的蚀刻组合物，其中，所述羧酸盐是乙酸胺盐。
4.如权利要求1～3任一项所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物的pH值为8～11。
5.如权利要求1～4任一项所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的钼合金和铜，所述2层以上层积金属层是由1层或2层以上铜以及1层或2层以上钼合金形成的。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007242786 | 2007-09-19 | ||
| JP2007242786 | 2007-09-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101392376A true CN101392376A (zh) | 2009-03-25 |
Family
ID=40492881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA200810148933XA Pending CN101392376A (zh) | 2007-09-19 | 2008-09-17 | 蚀刻组合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009091656A (zh) |
| KR (1) | KR20090030225A (zh) |
| CN (1) | CN101392376A (zh) |
| TW (1) | TW200916606A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102687251A (zh) * | 2009-12-15 | 2012-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 |
| EP2604724A4 (en) * | 2010-08-12 | 2013-11-27 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | TEXTURE AGENT FOR CRYSTALLINE SILICON WAFERS AND TEXTURE METAL PROCESSES (2) |
| CN104838040A (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-12 | 东进世美肯株式会社 | 金属膜蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法 |
| US9305792B2 (en) | 2010-08-12 | 2016-04-05 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching (1) |
| CN106884167A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | 一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液 |
| CN107365996A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-21 | 东友精细化工有限公司 | 铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 |
| CN108998795A (zh) * | 2018-09-19 | 2018-12-14 | 珠海特普力高精细化工有限公司 | 一种有机酸蚀刻液及其在线路板制造中的使用方法 |
| CN112981405A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-18 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 | 一种钛钨蚀刻液及其制备方法和应用 |
| US20230243041A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Etching compositions |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101805187B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-12-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 |
| KR101825493B1 (ko) | 2010-04-20 | 2018-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
| WO2013005631A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
| CN104419930B (zh) * | 2013-08-27 | 2018-03-27 | 东友精细化工有限公司 | 蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| KR102091847B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2020-03-20 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| TWI495763B (zh) * | 2013-11-01 | 2015-08-11 | Daxin Materials Corp | 蝕刻液組成物及蝕刻方法 |
| TWI789741B (zh) * | 2020-04-14 | 2023-01-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 蝕刻鉬之方法及組合物 |
-
2008
- 2008-09-17 JP JP2008237452A patent/JP2009091656A/ja active Pending
- 2008-09-17 CN CNA200810148933XA patent/CN101392376A/zh active Pending
- 2008-09-17 TW TW097135588A patent/TW200916606A/zh unknown
- 2008-09-17 KR KR1020080090967A patent/KR20090030225A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102687251A (zh) * | 2009-12-15 | 2012-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 |
| CN102687251B (zh) * | 2009-12-15 | 2016-02-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 |
| EP2604724A4 (en) * | 2010-08-12 | 2013-11-27 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | TEXTURE AGENT FOR CRYSTALLINE SILICON WAFERS AND TEXTURE METAL PROCESSES (2) |
| US9305792B2 (en) | 2010-08-12 | 2016-04-05 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching (1) |
| CN104838040A (zh) * | 2012-12-18 | 2015-08-12 | 东进世美肯株式会社 | 金属膜蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法 |
| CN104838040B (zh) * | 2012-12-18 | 2018-01-23 | 东进世美肯株式会社 | 金属膜蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法 |
| CN106884167A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 上海飞凯光电材料股份有限公司 | 一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液 |
| CN107365996A (zh) * | 2016-05-13 | 2017-11-21 | 东友精细化工有限公司 | 铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 |
| CN107365996B (zh) * | 2016-05-13 | 2021-08-24 | 东友精细化工有限公司 | 铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 |
| CN108998795A (zh) * | 2018-09-19 | 2018-12-14 | 珠海特普力高精细化工有限公司 | 一种有机酸蚀刻液及其在线路板制造中的使用方法 |
| CN112981405A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-18 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 | 一种钛钨蚀刻液及其制备方法和应用 |
| US20230243041A1 (en) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Etching compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090030225A (ko) | 2009-03-24 |
| TW200916606A (en) | 2009-04-16 |
| JP2009091656A (ja) | 2009-04-30 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090325 |