CN101379626A - 用于发光二极管元件的壳体以及发光二极管元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于发光二极管元件(2)的壳体(1)，所述壳体(1)具有壳体空腔(11)，在所述壳体空腔(11)内布置用于发光二极管芯片(3)的至少一个芯片安装区域(33)并且所述壳体空腔(11)具有输出开口(12)。根据一个实施方案，所述壳体(1)至少在与芯片安装区域(33)垂直的一定距离处具有内壁，该内壁在侧面限定壳体空腔(11)并且与芯片安装区域(33)的最大侧向距离(14，15)小于或等于500μm。此外，本发明提供一种壳体(1)，在所述壳体(1)中壳体空腔(11)具有至少一个被在侧面限定所述壳体空腔(11)的壳体材料(17)所侧向覆盖的部分表面(13)。此外，本发明还描述了一种特别是用于机动车前灯的发光二极管元件(2)。

Description

用于发光二极管元件的壳体以及发光二极管元件
本专利申请要求德国专利申请102006005299.4的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
本发明涉及根据权利要求1的前述部分的用于发光二极管元件的壳体，以及涉及具有这类壳体的发光二极管元件。本发明尤其涉及用于发射白光的前灯元件的壳体。
已知包括限定壳体空腔的基体的用于发射电磁辐射的光电元件的壳体。所述壳体空腔的底部设置用于安装发光二极管芯片。侧向限定壳体空腔的内壁可以成型为反射器形式，结果使得发光二极管芯片发射的部分电磁辐射可以通过内壁偏转成期望的光束立体角。具有这类壳体的元件公开在例如DE 297 24 543 U1中。
所述文献中描述的发光半导体元件具有发光转换元件。所述元件的发光二极管芯片发射第一波长范围的电磁辐射，该电磁辐射通过发光转换元件部分转换成第二波长范围的辐射。如果第一波长范围包括蓝光并且第二波长范围包括黄光，则可以例如通过加合的颜色混合产生白光。
如果由于发光转换元件使得发光二极管芯片发射的电磁辐射的光程随发射角的不同而长度不同，则根据所述光程转换不同比例的光。这可以导致元件发射的光锥的颜色不均匀。例如，在使用黄色磷光体时，光束锥的边缘区域可具有比光束锥的中心区域显著更高的黄色成分。
在DE 297 24 543 U1中给出了均匀厚度的薄层形式的发光转换元件。所述层可以直接布置在发光二极管芯片上或者布置在与发光二极管芯片间隔一定距离的元件的光束路径上。通过这类具体表现为薄层的发光转换元件可以显著降低颜色的不均匀性。
在前灯或投影应用中越来越经常采用发光二极管元件。DE 103 15131 A1给出了使用发射电磁辐射的发光二极管芯片的前灯的实例。所述前灯涉及在常规空隙内布置多个发光二极管芯片的机动车前灯。所述空隙在面向发光方向的一侧具有侧棱，所述侧棱与发光二极管芯片的空间布置方式为在所述侧棱区域形成用于前灯的光分布的预定亮度梯度。光束锥通过光学系统例如投影透镜投射到期望的平面上。
尤其是在机动车前灯的应用中，重要的是不仅实现了光束锥的预定发光分布而且实现了尽可能均匀的颜色重现，此时发射的前灯光锥的颜色不均匀可能具有干扰作用。
本发明的一个目的在于提供前述类型的壳体，利用所述壳体可以采用技术简单的方式使用发光转换材料得到发射光锥的颜色不均匀性极低的发光二极管元件。在这种情况下，所述壳体意图尤其适用于前灯或投影应用。此外，本发明提供了具有这类壳体和相应性质的元件。
本发明提供了一种壳体，它的壳体空腔具有至少一个被侧向限定壳体空腔的壳体材料侧向覆盖的部分表面。所述部分表面还优选相对于输出开口侧向偏置。所述侧向应理解为是指与芯片安装区域的芯片安装平面平行的方向。
壳体空腔的所述部分表面被壳体材料遮蔽。由此可以利用发光转换材料以技术简单的方式得到高颜色均匀度的元件。此外，对所述部分表面的遮蔽还可以用于设定所要制造的元件发射的光锥的期望发光分布。因此，尤其可以有利地实现不对称的发光分布。
有利的是，被侧向覆盖的壳体空腔的部分表面与壳体的芯片安装平面邻接。
本发明提供了前述类型的用于发光二极管元件的壳体，所述壳体至少在与芯片安装区域垂直的一定距离上具有内壁，所述内壁侧向限定壳体空腔并且与芯片安装区域的最大侧向距离小于或等于500μm。所述壳体可以额外具有一个或更多个前面描述的或后续描述的技术特征。
具体而言，所述内壁侧向包围壳体空腔。换言之，所述壳体空腔在与芯片安装区域的一定距离上具有在侧向上非常窄的截面，并且其侧向宽度不是非常大于芯片安装区域，亦即，不是非常大于设置用于壳体的发光二极管芯片的侧面宽度。
在壳体中存在多个线型布置的芯片安装区域且壳体空腔在平面图中具有延伸形状的情况下，所述内壁只在纵向侧与最接近的芯片安装区域具有规定的最大距离就足够了。内壁在横向侧上还可以与最接近的芯片安装区域具有更大的侧向距离。
已经确定，即使在壳体空腔不仅配置有薄的均匀层形式的发光转换材料时而且在它填充有体积灌封(volumenverguss)形式的发光转换材料时，也可以利用这样的壳体或壳体空腔的构造实现具有低颜色不均匀性的发光二极管元件。特别地，所述灌封封装发光二极管芯片。
此外，还已经确定，这类壳体可以很好地适合前灯应用，尤其是在要实现不均匀的发光分布时。因此，利用所述壳体可以产生尤其是包含发光转换材料的元件，所述元件既具有高颜色均匀性，又能够有利地实现所要产生光锥的预定的不均匀发光分布。
所述壳体空腔的内壁优选至少在窄截面区域内基本上与芯片安装平面垂直。
所述内壁至少以与芯片安装平面的垂直距离大于或等于300μm，优选大于或等于500μm的间隔与芯片安装区域具有小的侧向距离。根据特别优选的实施方案，限定输出开口的壳体边缘与芯片安装区域的最大侧向距离小于或等于500μm。
所述内壁或边缘与芯片安装区域之间的最大侧向距离特别优选小于或等于350μm。沿着至少一个主侧面，所述内壁或边缘与芯片安装区域的所述侧向距离有利的是最大200μm，优选最大150μm。所述壳体通常具有四个主侧面，尤其是例如基本为正方形或长方形的壳体。
根据一个优选的实施方案，所述壳体空腔包含与发光二极管芯片导电接触连接的电接触面，所述接触面至少部分被侧向限定壳体空腔的壳体材料覆盖。这类电接触面尤其可以用于通过连接导线与发光二极管芯片导电接触连接。通过至少部分布置在覆盖区域上的电接触面，可以灵活利用壳体空腔内提供的空间，并且可以实现剩余壳体空腔的小侧向宽度。
根据另一个有利的实施方案，额外地或者作为替代方案，芯片安装区域的一部分被侧向限定壳体空腔的壳体材料所覆盖。在本申请上下文中，芯片安装区域应理解为是指元件中填充有发光二极管芯片的区域。因此，芯片安装区域的部分覆盖也导致待制造的元件中的发光二极管芯片的部分覆盖，使得发光二极管芯片的发光层的一部分通常在元件中也被侧向遮蔽。由此可以实现在发光二极管芯片被部分遮蔽的一侧具有特别高的发光并且尤其具有非常陡的发光梯度的光锥。这在机动车前灯的应用中尤其有利。
所述壳体优选包含多个彼此线型排列的芯片安装区域。有利的是，在这种情况下，所述空腔具体形成为沟槽状(linienfoemig)形式，并且尤其在平面图中具有延伸形状。利用这种构造的壳体可以实现发射对许多应用有利的辐射锥的元件。所述辐射锥可以具有长度相对大和与长度相比宽度小的横截面，这在机动车前灯的应用中是有利的，例如在此应用中垂直方向上具有相对小的立体角，而在水平方向上照亮车行道的整个宽度，亦即具有相对大的立体角。
所述壳体有利地具有侧向限定壳体空腔的框架，所述框架以不透光形式形成，尤其是包含不透光材料。然而，作为该实施方案的替代方案，所述壳体尤其优选具有侧向限定壳体空腔并且至少部分透光的框架。由此可以实现，在壳体中产生的光的一部分同样通过壳体框架发射，使得即使在相对窄的壳体空腔的情况下，也可以实现具有相对柔和的明暗过渡的辐射锥的元件。
有利的是，所述框架在侧向上的光透射率大于或等于20％。额外地或者作为替代方案，所述框架的透射率有利地小于或等于80％。根据另一个有利的实施方案，所述壳体具有侧向覆盖壳体空腔的部分区域的壳体部分，并且所述壳体部分在垂直方向上的透射率大于或等于20％和/或小于或等于80％。原则上，还可以使用几乎完全透光的材料例如透光玻璃作为框架，使得所述框架在侧向上的光透射率大于80％。
所述壳体的一个有利实施方案设计为与壳体空腔的输出开口邻接的壳体的外表面(Aussenflaeche)配置有屏蔽层。所述屏蔽层适用于屏蔽电磁辐射，在此规定尤其是用于从外部屏蔽壳体内部产生的或将要产生的电磁辐射。因此，在具有这种壳体的相应的光电元件的情况下可以有利地显著减少或完全避免电磁辐射以不期望的立体角从壳体射出。
利用所述屏蔽层，可以尤其在使用透光框架时实现具有针对性光遮蔽的壳体。利用这种壳体，可以产生其横截面在至少一侧具有突然的明暗过渡的辐射锥。
所述屏蔽层尤其适用于屏蔽包括发光二极管芯片发射的一定的电磁辐射光谱范围的电磁辐射，所述发光二极管芯片设置用于具有壳体的元件。
所述屏蔽层尤其优选适用于完全屏蔽电磁辐射，即所述屏蔽层尤其优选对于所要屏蔽的波长范围的电磁辐射不透明。待屏蔽的波长范围尤其可以是将利用所述壳体制造的元件所发射的电磁辐射的全部波长范围。然而，所述屏蔽层也可以部分透过电磁辐射。例如，所述屏蔽层可以部分透过不需要屏蔽的波长范围的电磁辐射或者待屏蔽的电磁辐射。待屏蔽的电磁辐射优选是可见光。
所述屏蔽层对于具有壳体的元件发射的电磁辐射的所要屏蔽的波长范围，其总透射率优选小于或等于0.2，尤其优选小于或等于0.1。尤其有利的是，所述总透射率至少对于辐射的可见光部分为约0。
本发明中，术语“屏蔽层”不包括壳体的电连接导体或导电线路。确切地说，所述壳体在外表面上没有导电线路或电连接导体，或者所述壳体在外表面上除了存在可能的导电线路或电连接导体之外还具有至少一个屏蔽层。
所述壳体的外表面有利地具有背对壳体空腔的部分表面(Teilflaeche)，并且其设置有屏蔽层。所述部分表面有利地相对于壳体的芯片安装平面倾斜延伸。
有利的是，在存在屏蔽层时，与输出开口邻接的外表面的一部分不包含屏蔽层，因此可以利用所述壳体实现横截面具有突然的和柔和的明暗过渡两者的辐射锥。辐射锥的这种性质尤其对机动车前灯的应用有重要意义，尤其是在这样的机动车前灯应用中，其中向上需要相对突然的明暗过渡的辐射锥，而向下或向一侧有利的是与突然的明暗过渡相比更柔和的从明向暗的过渡。
所述壳体空腔尤其有利地具有小的深度。所述壳体空腔的深度优选小于或等于500μm。
额外地或作为替代方案，侧向围绕壳体空腔的壳体框架在侧向上具有相对小的厚度，优选小于或等于1.5mm，特别优选小于或等于1.1mm。所述壳体框架尤其有利的是具有侧向厚度小于或等于0.7mm的部分表面。
根据一个尤其有利的实施方案，所述壳体适用于前灯元件，尤其适用于机动车前灯元件。
本发明提供一种发光二极管元件，其包含所述壳体以及至少一个安装在芯片安装区域上的发光二极管芯片。所述壳体有利地包含与芯片安装区域数目相同的发光二极管芯片。
优选在壳体空腔内布置具有至少一种磷光体的发光转换材料，所述磷光体可以被发光二极管芯片发射的电磁辐射所激发。所述磷光体尤其优选混入要填充到所述壳体空腔内的灌封组合物中。所述灌封组合物至少部分填充所述壳体空腔。
根据一个尤其有利的实施方案，所述发光二极管元件是前灯元件，尤其是机动车前灯元件。
下面结合附图1至6说明示例性实施方案中的壳体和元件的其它优点、优选的实施方案和改进方案，其中:
图1示出所述元件和壳体的第一实施方案的示意性平面图，
图2示出图1所示的元件和壳体的示意性截面图，
图3示出所述元件和壳体的第二实施方案的示意性平面图，
图4示出图3所示的元件和壳体的示意性截面图，
图5示出所述元件和壳体的第三实施方案的示意性平面图，
图6示出图5所示的元件和壳体的示意性截面图，
在示例性实施方案和附图中，相同的或相同作用的构件在各种情况下用相同的附图标记表示。附图中所示的元件不必视为符合真实比例的，而是为了更好的理解而可能部分以放大的尺寸显示。
附图中所示发光二极管元件2在各种情况下均包含具有壳体空腔11的壳体1，其中根据芯片安装区域33的存在数目在每种情况下机械和导电地安装发光二极管芯片3。例如，每个元件2包含5个发光二极管芯片3。
图2、4和6分别显示图1、3和5的平面图中所示元件的示意性截面图。所述截面图的截面分别沿图1、3和5中的线AB截取。
在根据示例性实施方案的元件的情况下，壳体空腔11在所有情况下均具有输出开口12。用发光转换材料6完全填充所述壳体空腔，即一直填充到输出开口12。作为替代方案，壳体空腔11还可以只是部分填充有发光转换材料6，使得发光转换材料6不到达壳体空腔11的输出开口12处。
所述发光转换材料包含灌封组合物62。所述灌封组合物例如基于环氧树脂、基于硅氧烷或基于包括含有环氧树脂和/或硅氧烷的至少两种组分的混合材料。灌封组合物62与至少一种磷光体61混合。所述磷光体例如可以被蓝光激发并且发射黄光。
例如，Ce活化的石榴石磷光体，例如Ce活化的Tb3Al5O12或Ce活化的Y3Al5O12适合作为磷光体。原则上，所有已知与发光二极管芯片组合使用的有机和无机磷光体都适合。还可以使用多种磷光体，此时不仅可以是发射不同颜色的多种磷光体，而且可以是发射相同颜色的不同色调的磷光体。例如，包含发射不同黄色调的多种磷光体。因此，磷光体的发射光谱可以有利地重叠。
例如，发光二极管芯片是半导体发光二极管芯片。所述半导体发光二极管芯片例如基于氮化物化合物半导体材料。该材料应理解为包含氮的化合物半导体材料，例如来自InxAlyGa1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1和x+y≤1体系的材料。发光二极管芯片有利地具有外延生长的半导体层序列，所述半导体层序列包含至少一个具有氮化物化合物半导体材料的单层。所述半导体层序列例如可以具有常规的pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW结构)或多量子阱结构(MQW结构)。这种结构对本领域技术人员而言是已知的，并且因此不需要对此详细说明。
作为替代方案，发光二极管芯片3还可以基于其它材料体系。原则上，还可以在元件中使用有机发光二极管。
所述壳体在所有示例性实施方案中均具有支撑体18。在图1至4所示的示例性实施方案中，发光二极管芯片3例如通过导电粘合剂或通过焊料而机械且导电地在其面对壳体支撑体18的一侧安装。在这些示例性实施方案中，发光二极管芯片3还在其面对输出开口12的一侧具有电接触面(未显示)。所述电接触面通过连接导线31导电连接至壳体1的对应电接触面32。
电接触面32布置在壳体空腔11的底部。它与其上施加有壳体框架17的壳体支撑体18邻接。壳体支撑体18和壳体框架17在各种情况下均由分开的部件构成，然而，作为替代方案，它们还可以由单个部件共同形成。
在图2所示的示例性实施方案的情况下，框架的一部分侧向伸出超过壳体空腔11的部分表面13。框架的该部分还侧向伸出超过电连接区域32的一部分。被壳体框架侧向伸出超过的部分表面13和电连接区域32的对应部分还相对于壳体空腔11的输出开口12侧向偏置。
壳体空腔11的其余部分与输出开口12完全侧向重叠。它邻接于基本与壳体1的芯片安装平面34垂直的壳体框架的内壁。壳体空腔的所述内壁与芯片安装区域33的最大侧向距离14例如为350μm。与芯片安装区域33的最大侧向距离14等于与发光二极管芯片3的最大距离14。
所述内壁与芯片安装区域33和发光二极管芯片3的最小距离15例如为150μm。作为替代方案，所述最小距离例如可以只有约50μm。壳体空腔的深度例如只有约500μm。
壳体框架17例如包括不透明但是可透过可见光的材料。在最厚的区域处，壳体框架17例如在侧向上具有约40％的光透射率。壳体框架在侧向上的最大厚度19例如为1.05mm。壳体框架17的侧向伸出超过壳体空腔的部分表面13的部分在垂直方向上例如具有约70％的可见光透射率。
壳体框架17在最薄位置处的侧向厚度190例如为约500μm。
壳体框架17例如由陶瓷材料构成或者包含这种材料。适合的材料例如是氧化铝(Al2O3)。作为替代方案，框架17例如包含氮化铝、玻璃陶瓷、玻璃或至少一种塑料。
壳体框架17尤其可以由热膨胀系数与支撑体18材料相似的塑料构成或者包含这种塑料。壳体支撑体18例如还可以包含金属或由这种金属构成。例如，铜由于其高导热性而非常适合。作为替代方案，壳体支撑体18可以例如由与壳体框架17相同的材料构成。
发光二极管芯片3以线型布置安装在壳体1中。所述布置沿直线排列。作为替代方案，所述线型布置还可以沿任意形状的线排列，例如沿着弯曲线或弯折线排列。发光二极管芯片尤其有利的是沿具有弯折的线布置，其中互相倾斜的线段彼此具有约165°的角度。换言之，所述线具有彼此倾斜约15°的两部分直线。
在与壳体空腔11的输出开口12邻接的外表面5上，壳体框架具有屏蔽层4。屏蔽层4包含在壳体框架17的外表面5的一侧上。在与所述侧相反的壳体框架侧，外表面5没有屏蔽层4。
具有屏蔽层4的外表面5具有倾斜离开壳体空腔11的部分表面51。所述部分表面还优选与壳体空腔间隔一定距离。这种实施方案既对施加屏蔽层有利，也对通过屏蔽层所获得的屏蔽作用有利。
屏蔽层4例如由反射材料构成，例如具有诸如银的金属材料。为了形成屏蔽层，例如在壳体的相应层上涂覆具有足够高的层厚度的银层。银对大光谱范围的可见光具有高反射性。银层可以只是几个单层厚，从而仍然有针对性地部分透过电磁辐射。为了达到完全屏蔽，厚度必须显著更大。为此，其厚度例如为10μm。
另外地或者作为替代方案，屏蔽层4例如还可以具有吸收材料。例如，对于拟定的光谱范围具有显著吸收性质的金属材料同样适用于这一目的。对于吸收材料而言，同样重要的是，如果要尽可能多地屏蔽壳体内部产生的电磁辐射，则所述材料不能作为过薄层施用。所述屏蔽层对于所要屏蔽的波长范围具有例如小于或等于0.05的总透射度。例如，漆或塑料也适合作为吸收材料。
根据另一示例性实施方案，屏蔽层3具有施加在外表面5上的反射层，并且在其上再施加吸收层。所述吸收层例如是黑色漆或黑色塑料。它们尤其吸收可见的电磁辐射。作为替代方案，屏蔽层3例如还可以仅由足够厚的黑色漆层或黑色塑料层构成。
在图3和4所示的示例性实施方案的情况下，壳体空腔11具有两个被壳体材料侧向覆盖的部分表面13。在所述部分表面13之一内布置发光二极管芯片3的一部分，使得芯片安装区域33的一部分也相应地被壳体材料侧向覆盖。此外，在该示例性实施方案中，所述部分表面13和发光二极管芯片的所述部分或芯片安装区域33的所述部分也额外地被屏蔽层4侧向覆盖。
限定输出开口12的壳体边缘的一部分与芯片安装区域33完全重叠，亦即布置在芯片安装区域33上方。所述边缘的其它部分与芯片安装区域33或发光二极管芯片3的最大距离14例如为300μm。
在图5和6所示的示例性实施方案的情况下，芯片安装区域33同样部分地被框架的一部分所侧向覆盖。与参考图1至4所述的示例性实施方案不同，图5和6中所示的壳体没有在芯片安装区域33的旁边布置的电连接区域32。在对应的一侧，壳体空腔11的内壁形成为笔直的，并且基本垂直于芯片安装平面34延伸。这个实施方案中，与发光二极管芯片3的最大距离14甚至可以选择得更小。例如为150μm或100μm。
图5和6所示的该实施方案尤其适合于在同一侧具有两个电连接的发光二极管芯片，例如所谓的倒装芯片(Flip-Chip)。在这种发光二极管芯片3的情况下，两个电连接可以直接导电连接至芯片支撑体18上对应的电连接上，所述芯片支撑体18布置在芯片安装区域33内并且在其上承载有发光二极管芯片3。因此，整个壳体空腔可以形成为沿着芯片安装平面34甚至更窄。
基于本发明的示例性实施方案对本发明的描述不限制本发明的保护范围。因此，例如，将多个发光二极管芯片布置成单列并非是绝对必须的。而是也可以例如将其布置成两列或更多列。本发明包括各种新技术特征，也包括技术特征的各种组合，尤其包括专利权利要求中的技术特征的各种组合，即使这种技术特征或者这种组合本身并没有明确记载在专利权利要求或示例性实施方案中也是如此。

Claims (21)

1.一种用于发光二极管元件的壳体，所述壳体具有壳体空腔，在所述壳体空腔内布置至少一个用于发光二极管芯片的芯片安装区域并且所述壳体空腔具有输出开口，
其特征在于，所述壳体至少在与所述芯片安装区域垂直的一定距离处具有内壁，所述内壁侧向限定所述壳体空腔并且与所述芯片安装区域的最大侧向距离小于或等于500μm。
2.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述壳体空腔具有至少一个部分表面，所述部分表面被侧向限定所述壳体空腔的壳体材料侧向覆盖。
3.一种用于发光二极管元件的壳体，所述壳体具有壳体空腔，在所述壳体空腔内布置至少一个用于发光二极管芯片的芯片安装区域并且所述壳体空腔具有输出开口，
其特征在于，所述壳体空腔具有至少一个部分表面，所述部分表面被侧向限定所述壳体空腔的壳体材料侧向覆盖。
4.根据权利要求3所述的壳体，其特征在于，所述壳体至少在与所述芯片安装区域垂直的一定距离处具有内壁，所述内壁侧向限定所述壳体空腔并且与所述芯片安装区域的最大侧向距离小于或等于500μm。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的壳体，其特征在于，所述部分表面相对于所述输出开口侧向偏置。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的壳体，其特征在于，所述部分表面与所述壳体的芯片安装平面邻接。
7.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，在所述壳体空腔中包含用于导电接触连接发光二极管芯片的电接触面，所述电接触面的至少一部分被侧向限定所述壳体空腔的壳体材料所侧向覆盖。
8.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，所述芯片安装区域的一部分相对于所述输出开口侧向偏置。
9.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，所述壳体包含多个彼此线型布置的芯片安装区域。
10.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，所述壳体包含侧向限定所述壳体空腔的框架，所述框架是至少部分透光的。
11.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，侧向限定所述壳体空腔的框架在垂直侧向上的光透射率为20％至80％，包括两端点。
12.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，与所述壳体空腔的输出开口邻接的所述壳体的外表面设置有适合屏蔽电磁辐射的屏蔽层。
13.根据权利要求8所述的壳体，其特征在于，与所述输出开口邻接的所述外表面的一部分不含所述屏蔽层。
14.根据权利要求8或9所述的壳体，其特征在于，所述壳体的外表面具有背向所述壳体空腔的部分表面，并且所述部分表面设置有所述屏蔽层。
15.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，所述壳体空腔的深度小于或等于500μm。
16.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，侧向围绕所述壳体空腔的壳体框架的厚度小于或等于1.5mm。
17.根据前述权利要求中任一项所述的壳体，其特征在于，所述壳体适用于前灯元件。
18.一种发光二极管元件，其特征在于，所述元件具有根据前述权利要求中任一项所述的壳体和至少一个安装在所述芯片安装区域的发光二极管芯片。
19.根据权利要求15所述的发光二极管元件，其特征在于，在所述壳体空腔内布置含有至少一种磷光体的发光转换材料，所述磷光体可以被所述发光二极管芯片发射的电磁辐射所激发。
20.根据权利要求16所述的发光二极管元件，其特征在于，所述壳体空腔至少部分填充有混入所述磷光体的灌封组合物。
21.根据权利要求15～17中任一项所述的发光二极管元件，其特征在于，所述元件是前灯元件。
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