CN101375416A - Iii族氮化物半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。所述III族氮化物半导体发光器件包括：其中形成有沟槽的衬底、在所述衬底上生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层和沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽上形成的开口。
Description
技术领域
本发明涉及III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，更具体而言，本发明涉及通过在蓝宝石衬底中形成沟槽、在所述蓝宝石衬底上形成多个氮化物半导体层、并穿过所述沟槽将电极连接至所述多个氮化物半导体层而制得的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。
背景技术
图1是描述传统III族氮化物(化合物)半导体发光器件的一个实例的截面图。所述传统半导体发光器件包括衬底100、在所述衬底100上外延生长的缓冲层200、在所述缓冲层200上外延生长的n型氮化物半导体层300、在所述n型氮化物半导体层300上外延生长的有源层400、在所述有源层400上外延生长的p型氮化物半导体层500、在所述p型氮化物半导体层500上形成的p面电极600、在所述p面电极600上形成的p面焊盘700以及在通过台面刻蚀至少所述p型氮化物半导体层500和所述有源层400而暴露的所述n型氮化物半导体层301上形成的n面电极800。
在所述衬底100的情况下，GaN衬底也可用作同类型衬底，而蓝宝石衬底、SiC衬底或Si衬底可用作非同类型衬底。所述氮化物半导体层可在其上生长的任何类型的衬底都可以使用。如果使用所述SiC衬底，所述n面电极800可形成在所述SiC衬底侧。
在所述衬底100上外延生长的所述氮化物半导体层通常通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长。
所述缓冲层200用以克服在所述非同类型衬底100和所述氮化物半导体之间的晶格参数和热膨胀系数之间的差异。美国专利5,122,845公开了在380℃～800℃，在蓝宝石衬底上生长具有
厚度的AIN缓冲层的方法。美国专利5,290,393提议在200℃～900℃，在蓝宝石衬底上生长具有
厚度的Al(x)Ga(1-x)N(0≤x<1)缓冲层的方法。韩国专利10-0448352公开了在600℃～990℃生长SiC缓冲层，并在其上生长In(x)Ga(1-x)N(0<x≤1)层的方法。
在n型氮化物半导体层300中，至少所述n面电极800形成区域(n型接触层)掺杂有掺杂剂。优选的是，所述n型接触层由GaN制成并掺杂有Si。美国专利5,733,796教导了通过控制Si和源材料的混合物比例以目标掺杂浓度掺杂n型接触层的方法。
所述有源层400通过电子和空穴的复合产生光量子(光)。通常，所述有源层400由In(x)Ga(1-x)N(0<x≤1)制成并包括单阱层或多阱层。WO02/021121提议部分掺杂多个量子阱层和阻挡层的方法。所述p型氮化物半导体层500掺杂有诸如Mg等的合适的掺杂剂，并通过激活而具有p型导电性。美国专利5,247,533公开了通过电子束辐射激活p型氮化物半导体层的方法。美国专利5,306,662教导了通过在400℃以上退火而激活p型氮化物半导体层的方法。还有，韩国专利10-043346提议了通过使用NH3和氢基源材料作为所述p型氮化物半导体层生长的氮前体，无需激活而使p型氮化物半导体层具有p型导电性的方法。
所述p面电极600有利于向整个p型氮化物半导体层500提供电流。美国专利5,563,422公开了形成在几乎整个p型氮化物半导体层表面而与所述p型氮化物半导体层欧姆接触的由Ni和Au组成的导光电极。美国专利6,515,306提议了在p型氮化物半导体层上形成n型超晶格层，并在其上形成由ITO制成的导光电极的方法。同时，所述p面电极600可以形成为厚至不传播光线，即，将光线反射至衬底侧。使用所述p面电极600的发光器件称为倒装芯片。美国专利6,194,743教导了包括厚度超过20nm的Ag层、用于覆盖所述Ag层的扩散阻挡层和由Au和Al制成的用于覆盖所述扩散阻挡层的粘合层(bonding layer)的电极结构。
形成所述p面焊盘700和所述n面电极800以用于电流供应和外部电线焊接。美国专利5,563,422提议了用Ti和Al形成n面电极的方法，以及美国专利5,652,434提议了通过移除导光电极的一部分而使得p面焊盘接触p型氮化物半导体层的方法。
所述传统III族氮化物半导体发光器件主要使用绝缘体蓝宝石作为衬底100。结果，所述p面电极600、所述p面焊盘700和所述n面电极800必须形成在同一侧。
图2是描述在韩国专利申请公开号为2005-078661的公报中公开的III族氮化物半导体发光器件的截面图。通过在衬底上形成多个氮化物半导体层，通过抛光和刻蚀所述衬底的后表面形成通孔900，并形成穿过所述通孔900的电极从而制造所述发光器件。
发明内容
技术问题
完成本发明以解决上述问题。本发明的一个目的是提供III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。
本发明的另一个目的是提供III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括其中形成有沟槽的衬底。
本发明的再一个目的是提供III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，其中，沿着所述沟槽在多个氮化物半导体层中形成开口。
技术方案
为了实现本发明的上述目的，提供了制造III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述衬底的第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；与所述第一氮化物半导体层电连接的第一电极；和与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极；所述方法包括：在所述衬底的所述第一表面形成沟槽的第一步骤；在其中形成有沟槽的所述衬底的所述第一表面侧上生长所述多个氮化物半导体层的第二步骤；从所述衬底的所述第二表面侧部分移除所述衬底从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第三步骤；和由所述衬底的所述第二表面侧形成所述第一电极从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第四步。根据上述方法，其中所述电极位于所述多个III族氮化物半导体层的上部和下部的垂直结构型发光器件可以无需移除整个衬底而制得。在所述氮化物半导体层的生长条件下可以形成开口或者可以不形成开口。同时，根据设计规范，必要的是形成超过预定尺寸的沟槽以稳定地穿过所述沟槽将所述第一电极连接至所述第一氮化物半导体层。然而，如果所述沟槽较大，难以形成开口。根据本发明，无需顾及设计上的限制而制造所述垂直结构型III族氮化物半导体发光器件。
在本发明的另一方面中，提供了III族氮化物半导体发光器件，其包括：具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和由所述第一表面延伸至所述第二表面的沟槽的蓝宝石衬底；在所述蓝宝石衬底的所述第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的通过电子和空穴的复合而发光的有源层，其中形成与所述沟槽相通的开口；由所述蓝宝石衬底的所述第二表面穿过所述沟槽电连接至所述第一氮化物半导体层的第一电极；和与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极。
在本发明的另一个方面，所述第一氮化物半导体层在所述开口中暴露，并且所述第一电极形成在所暴露的第一氮化物半导体层上。
在本发明的再一个方面，所述第一电极作为反射膜形成在所述蓝宝石衬底的整个第二表面上。
在本发明的再一个方面，提供了III族氮化物半导体发光器件，其包括：具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和由所述第一表面延伸至所述第二表面的沟槽的衬底；在所述衬底的第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的通过电子和空穴的复合而发光的有源层；由所述衬底的所述第二表面穿过所述沟槽电连接至所述第一氮化物半导体层并作为反射膜形成在所述衬底的整个第二表面上的第一电极；和与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极。
在本发明的再一个方面，其中形成有沟槽的衬底；覆盖所述衬底生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；和沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽上形成的开口。
在本发明的再一个方面，所述多个氮化物半导体层包括通过刻蚀而暴露的氮化物半导体层，并且所述第一电极与所暴露的氮化物半导体层电接触。
在本发明的再一个方面，所述衬底包括形成在所述沟槽上的划线。
在本发明的再一个方面，所述开口形成在所述划线上。
在本发明的再一个方面，所述III族氮化物半导体发光器件包括在所述开口中的台阶。
在本发明的再一个方面，所述III族氮化物半导体发光器件包括多个开口和位于所述多个开口之间的焊盘。
在本发明的再一个方面，具有沟槽和沿着所述沟槽形成的划线的衬底；和覆盖所述衬底生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层。
所述III族氮化物半导体发光器件包括沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽的上方形成的开口。
有利效果
根据所述III族氮化物半导体发光器件，电流可以在所述发光器件中均匀扩散。
根据所述III族氮化物半导体发光器件，无需从所述多个III族氮化物半导体层上分离所述衬底即可制造所述垂直结构型发光器件。
附图说明
图1是描述传统III族氮化物半导体发光器件的一个实例的截面图；
图2是在韩国专利申请公开号为2005-078661的公报中公开的III族氮化物半导体发光器件的截面图；
图3是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的一个步骤的说明图；
图4是显示其中通过激光器形成有沟槽的衬底的照片；
图5是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的另一个步骤的说明图；
图6是显示在其中形成有沟槽的衬底上生长的多个氮化物半导体层的照片；
图7是沿图6的A-A’线截取的截面图；
图8是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的再一个步骤的说明图；
图9是描述本发明的III族氮化物半导体发光器件的一个实例的截面图；
图10是显示本发明的III族氮化物半导体发光器件的前、后表面的照片；
图11是显示根据本发明的其中形成有沟槽和划线的衬底的实例的照片；
图12是显示根据本发明在其中形成有沟槽和划线的衬底上生长的多个氮化物半导体层的照片。
具体实施方式
现在参考附图详细描述本发明。
图3是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的一个步骤的说明图。沟槽90a和90b形成在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的蓝宝石衬底10上。
通过使用激光器在所述衬底10中由所述第一表面向所述第二表面形成所述沟槽90a和90b。在所述激光器聚焦的状态下，所述沟槽90a和90b可以形成为具有数微米至数百微米的直径的各种圆形、椭圆形或多边形的沟槽。可根据诸如所述激光器的能量、所述激光器的照射时间等条件的变化确定所述沟槽90a和90b的深度。可贯穿所述衬底10形成所述沟槽90b。在所述沟槽90b完全穿透过所述衬底10的情况下，难以形成垂直贯穿所述衬底10的所述沟槽90b。
图4是显示通过使用激光器在衬底上形成沟槽的状态的照片，具体而言是通过放大倍数为200倍的光学显微镜观察到的表面的照片。在此照片中，直径为30μm的环形沟槽90形成在衬底10中。所述沟槽90以在x轴方向上与一个沟槽90相距200μm和y轴方向上与该沟槽90相距250μm的周期间隔排列。具有钕掺杂钇铝石榴石(Nd:YAG)的活性介质和532nm波长的二极管泵浦固体(DPSS)激光器被用于形成沟槽90。此处，所述激光器的输出为10W(10KHz～100KHz)且钻孔速度为20孔/秒～50孔/秒。在通过使用所述激光器形成所述沟槽90以后，为了除去产生的杂质，使用磷酸对所述衬底10进行有机清洗。
图5是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的另一个步骤的说明图，具体而言是描述了其中形成有沟槽的衬底10，在其中形成有所述沟槽的衬底10的第一表面上形成的n型氮化物半导体层20，在所述n型氮化物半导体层20上生长的有源层30，和在所述有源层30上生长的p型氮化物半导体层40的示意图。所述多个生长的氮化物半导体层仅是本发明的实例。必须认识到本发明包括外延结构的微小变化或外延层的增加/省略。
所述n型氮化物半导体层20由GaN制成，并且其上掺杂有n型杂质。Si用作所述n型杂质。所述杂质的掺杂浓度为1×1017/cm3～1×1020/cm3。如果所述掺杂浓度低于1×1017/cm3，由于所述半导体层20具有高电阻而难以获得欧姆接触，如果所述掺杂浓度超过1×1020/cm3，所述半导体层20的结晶度可被劣化。
优选的是，所述n型氮化物半导体层20的厚度为2μm～6μm。如果所述半导体层20的厚度超过6μm，所述半导体层20的结晶度可降低从而导致对所述器件的不利影响，如果所述厚度小于2μm，将不能顺畅的提供电子。优选的是，所述n型氮化物半导体层20的生长温度为600℃～1100℃。如果所述生长温度低于600℃，所述半导体层20的结晶度可劣化，如果所述生长温度高于1100℃，所述半导体层20的表面可变得粗糙从而导致对所述半导体层20的结晶度的不利影响。
通过分别提供365sccm，11slm和8.5slm的TMGa、NH3和SiH4，生长4μm的n型氮化物半导体层20。此处，生长温度为1050℃，掺杂浓度为3×1018/cm3，反应器压力为400托(torr)。
在上述生长条件下，由于不足的生长速度和相对较低的生长温度，所述n型氮化物半导体层20不足于侧向生长。因此，所述n型氮化物半导体层20没有覆盖所述衬底10中形成的沟槽而是形成开口80。此外，形成在所述n型氮化物半导体层20上的多个氮化物半导体层也没有侧向生长，所以所述开口80通达所述多个氮化物半导体层的最顶层。缓冲层可在所述n型氮化物半导体层20生长之前生长。由于所述缓冲层薄，因此没有覆盖所述开口80。
在所述n型氮化物半导体层20上生长的有源层30通过电子和空穴的复合而发光。所述有源层30可具有单量子阱或多量子阱结构。
在所述有源层30上生长的p型氮化物半导体层40由GaN制成，并且其上掺杂有p型杂质。Mg用作所述p型杂质。所述杂质的掺杂浓度为1×1017～1×1020/cm3。如果所述掺杂浓度低于1×1017/cm3，所述p型氮化物半导体层40不能正常运作，如果所述掺杂浓度超过1×1020/cm3，所述半导体层40的结晶度可被劣化。
优选的是，所述p型氮化物半导体层40的厚度为
如果所述半导体层40的厚度超过
所述半导体层40的结晶度可降低从而导致对所述器件的不利影响，如果所述厚度小于
将不能顺畅地提供空穴。优选的是，所述p型氮化物半导体层40的生长温度为600℃～1100℃。如果所述生长温度低于600℃，所述半导体层40的结晶度可劣化，如果所述生长温度高于1100℃，所述半导体层40的表面可变得粗糙从而导致对所述半导体层40的结晶度的不利影响。
图6是显示在其中形成有沟槽的衬底上生长的多个氮化物半导体层的照片，具体而言是通过扫描电子显微镜观察到的所述多个氮化物半导体层的最顶层的表面的照片。所述多个氮化物半导体层侧向生长形成开口80。如图7所示，所述开口80与在衬底中形成的沟槽90相连。图7是沿图6的A-A’线截取的截面图。
图8是描述用于制造本发明的III族氮化物半导体发光器件的再一个步骤的说明图。包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层在内的多个氮化物半导体层生长在其中形成有沟槽的衬底上。
在所述多个氮化物半导体层生长之后，p面电极50在所述多个氮化物半导体层上形成。所述p面电极50含有选自由Ni、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Pd、Rh、Ir、Al、Sn、ITO、IZO、ZnO、CIO、In、Ta、Cu、Co、Fe、Ru、Zr、W和Mo组成的组的任一种物质。
在所述p面电极50形成后，进行暴露所述n型氮化物半导体层的工序。此处，通过干法刻蚀和/或湿法刻蚀暴露所述n型氮化物半导体层。为了增加所暴露的表面面积，优选将所述n型氮化物半导体层刻蚀成具有一个台阶21。
在暴露所述n型氮化物半导体层的刻蚀工序之后，在所述p面电极50和所述p型氮化物半导体层的上部形成p面焊盘60。进而，进行抛光所述衬底的第二表面的工序。所述衬底至少抛光至所述沟槽形成区域使得所述沟槽能贯穿所述衬底。此处，所述衬底可通过磨削或外绕(wrapping)进行抛光。在所述衬底的第二表面经过抛光以后，所述衬底的最终厚度优选为50μm～400μm，并更优选为30μm～300μm。如果所述衬底的最终厚度小于30μm，所述衬底可能在后续工序中断裂，如果所述衬底的最终厚度超过300μm，所述垂直结构型发光器件的亮度和热特性可能得不到很大改善。
在所述衬底的第二表面抛光之前，可在所述发光器件的整个表面上除了所述p面焊盘60之外形成钝化膜。所述钝化膜由SiOx、SiNx、SiON、BCB或聚酰亚胺制成。
在所述衬底的第二表面抛光之后，形成n面电极70。在经过抛光的衬底的第二表面上形成所述n面电极70，以使所述n面电极70穿过所述沟槽与所述n型氮化物半导体层相接触。所述n面电极70可通过溅射、电子束蒸发或热沉积而形成。所述n面电极70含有选自由Ni、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Pd、Rh、Ir、Al、Sn、In、Ta、Cu、Co、Fe、Ru、Zr、W和Mo组成的组的任一种或其组合，并用作反射膜。形成在所述衬底的第二表面上的n面电极70用作n面焊盘以向所述半导体发光器件供应电流。
在所述n面电极70的形成过程中，可在所述p面焊盘60的沉积中暴露于所述开口的所述n型氮化物半导体层21上形成金属层。此外，由于所述n面电极70穿过形成在所述衬底的第二表面上的所述沟槽而形成，因此所述金属层可形成在所述暴露的n型氮化物半导体层22的整个区域，如图9中所示。
图10是显示本发明的III族氮化物半导体发光器件的前、后表面的照片。所述发光器件具有600×250μm的尺寸。在所述发光器件中形成三个开口80。考虑到发光效率和电流供应，在所述开口80之间形成所述p面焊盘60。所述n面电极70形成在所述经抛光的衬底的第二表面上(在图10中显示)。根据本发明，所述发光器件的尺寸和所述开口80的数目并非局限于此。所述p面焊盘60的位置并非局限在所述开口80之间的空间。
图11是显示根据本发明的在其中形成有沟槽和划线的衬底的实例的照片，具体而言是显示了进行激光钻孔工序和激光划线工序的衬底的50倍显微镜照片。在衬底10中形成沟槽90和划线91。
图12是显示在其中形成有沟槽和划线的衬底上生长的多个氮化物半导体层的照片，具体而言是通过光学显微镜观察到的所述多个氮化物半导体层的最顶层的表面的照片。所述多个氮化物半导体层侧向生长形成开口80。此外，在垂直于所述衬底的平坦区域的激光划线91a和与其水平的激光划线91b之间显示了不同的氮化物半导体外延生长。尤其是，在垂直方向上氮化物半导体生长速度高于水平方向上的生长速度，因此所述垂直激光划线91a几乎被覆盖。
通过在具有沿着所述沟槽90形成的划线91的衬底10上生长多个氮化物半导体层来制造晶片，并将所述晶片断裂形成芯片。因此，在每个芯片(每个发光器件)上所存在的开口80的数目可以减少。这意味着可以制造具有更宽的发光面积的发光器件。如果所述发光面积在所述发光器件的设计中是重要的考虑所在，则该构造会变得更加有利。
Claims (20)
1.一种制造III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述衬底的所述第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；与所述第一氮化物半导体层电连接的第一电极；和与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极；
所述方法包括：
在所述衬底的所述第一表面上形成沟槽的第一步骤；
在其中形成有所述沟槽的所述衬底的所述第一表面侧上生长所述多个氮化物半导体层的第二步骤；
从所述衬底的所述第二表面侧部分移除所述衬底从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第三步骤；和
由所述衬底的所述第二表面侧形成所述第一电极从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第四步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第一步骤中，所述沟槽形成为不穿透所述衬底。
3.如权利要求1所述的方法，所述方法在所述第四步骤之前进一步包括由所述衬底的所述第一表面侧形成所述第一电极的步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述步骤进一步包括在由所述衬底的所述第一表面侧形成所述第一电极之前，由所述衬底的所述第一表面侧刻蚀所述多个氮化物半导体层以暴露所述第一氮化物半导体层的工序。
5.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第四步骤中，所述第一电极作为反射膜形成在所述衬底的整个第二表面上。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第二步骤中，使所述多个氮化物半导体层生长而形成开口，所述开口形成在所述沟槽的上部。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是蓝宝石衬底。
8.一种III族氮化物半导体发光器件，其包括：
具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和由所述第一表面延伸至所述第二表面的沟槽的蓝宝石衬底；
在所述蓝宝石衬底的所述第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层，在所述多个氮化物半导体层中形成与所述沟槽相通的开口；
由所述蓝宝石衬底的所述第二表面穿过所述沟槽电连接至所述第一氮化物半导体层的第一电极；和
与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极。
9.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述第一氮化物半导体层在所述开口中暴露，并且所述第一电极形成在所暴露的第一氮化物半导体层上。
10.如权利要求8所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述第一电极作为反射膜形成在所述蓝宝石衬底的整个第二表面上。
11.一种III族氮化物半导体发光器件，其包括：
具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和由所述第一表面延伸至所述第二表面的沟槽的衬底；
在所述衬底的所述第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；
由所述衬底的所述第二表面穿过所述沟槽电连接至所述第一氮化物半导体层并作为反射膜形成在所述衬底的整个第二表面上的第一电极；
和
与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极。
12.一种III族氮化物半导体发光器件，其包括：
其中形成有沟槽的衬底；
覆盖所述衬底生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；和
沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽上形成的开口。
13.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括穿过所述沟槽与所述多个氮化物半导体层电接触的第一电极。
14.如权利要求13所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述多个氮化物半导体层包括通过刻蚀而暴露的氮化物半导体层，并且所述第一电极与所述暴露的氮化物半导体层电接触。
15.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述衬底包括沿所述沟槽形成的划线。
16.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述开口形成在所述划线上。
17.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括在所述开口中的台阶。
18.如权利要求12所述的III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括多个开口和位于所述多个开口之间的焊盘。
19.一种III族氮化物半导体发光器件，其包括：
具有沟槽和沿着所述沟槽形成的划线的衬底；和
覆盖所述衬底生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层。
20.如权利要求18所述的III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽的上方形成的开口。
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