CN101359092B - 振荡器件、光偏转器以及使用光偏转器的成像装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种在驱动期间维持可动部分平整度的振荡器件。该振荡器件具有支撑部分、可动部分、以允许可动部分绕着扭转轴线扭转地振荡的方式将可动部分连接至支撑部分的扭簧、以及构造成使可动部分振荡的驱动单元。可动部分由单晶硅制成。可动部分的主面位于(110)晶面中，并且可动部分的平行于主面并且垂直于扭转轴线的晶体取向是[111]取向；本发明还公开了一种光偏转器以及使用光偏转器的成像装置。

Description

振荡器件、光偏转器以及使用光偏转器的成像装置

技术领域

本发明涉及振荡器件、光偏转器以及使用光偏转器的光学装置，比如成像装置和显示器。光偏转器适用于例如通过偏转光线并且执行扫描来投影图像的投影显示器、使用电子照相工艺的成像装置，比如激光束打印机以及数字复印机。

背景技术

用作通过使具有反射面的可动部分正弦振荡来偏转光线的光偏转器的各种光学扫描系统和光学扫描装置是已知的。与使用可旋转多角镜的光学扫描系统相比，使用利用共振而正弦振荡的光偏转器的光学扫描系统具有显著变小的光偏转器并且消耗更少的能量。尤其是，借助半导体工艺由单晶硅制造的光偏转器理论上不会产生金属疲劳并且具有更好的耐用性。

美国专利No.4317611公开了一种由硅制成的光偏转器，其作为示例性的光偏转器在图8中示出。图8是该光偏转器的透视图。

图8中所示的光偏转器具有支撑部分20、可动部分30以及以允许可动部分30扭转地振荡的方式将可动部分30连接至支撑部分20的扭簧22、24。该光偏转器使用在半导体加工方法中使用的光刻工艺以及蚀刻工艺由硅晶片制成。

该振荡器件的可动部分扭转地振荡预定的角度并且承受较大的角加速度。因此，可动部分在驱动期间由于其自身的重量而承受惯性力并且可能变形。尤其是，在使用可动部分具有反射面的光偏转器执行激光扫描时，可动部分的变形影响扫描光线的光学特性。

发明内容

本发明提供了一种其中可动部分在扭转振荡期间的变形量降低的振荡器件。

根据本发明的振荡器件具有支撑部分、可动部分、以允许可动部分绕着扭转轴线扭转地振荡的方式将可动部分连接至支撑部分的扭簧、以及构造成使可动部分振荡的驱动单元。可动部分由单晶硅制成。可动部分的主面位于(110)晶面中。平行于可动部分的主面并且垂直于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。

与其中可动部分的主面位于另一晶面中或晶体取向是另一取向的构造相比，这个构造进一步降低了可动部分的变形量。因此，能提供一种在扭转振荡期间维持可动部分平整度的振荡器件。

本发明的其它特点从下面参照附图对示例性实施例的描述中将变得明显。

附图说明

图1A和1B分别是根据本发明实施例的振荡器件的俯视图和截面图，并且还分别是根据示例1的光偏转器的俯视图和截面图。

图2A和2B分别是根据本发明示例2的光偏转器的俯视图和截面图。

图3是根据本发明示例3的光偏转器的俯视图。

图4是根据本发明示例4的成像装置的示意图。

图5A、5B和5C示出光偏转器的变形情况。

图6是示出本发明的可动部分的变形量和制成可动部分的基片的晶面之间关系的图表。

图7是示出本发明扭簧的扭簧常量和制成扭簧的基片的晶面之间关系的图表。

图8是已知的光偏转器的透视图。

具体实施方式

现在将参照图1A和1B描述本发明的实施例。图1A是本发明的振荡器件的俯视图，并且图1B是图1A所示振荡器件沿着线IB-IB截取的截面图。根据本实施例的振荡器件具有支撑部分101、可动部分103以及以允许可动部分103绕着扭转轴线108扭转地振荡的方式将可动部分103连接至支撑部分101的扭簧104a、104b。支撑部分101固定至固定元件比如支撑基片以使得支撑部分101在可动部分103扭转地振荡时不会移动。根据本实施例的振荡器件可通过在可动部分103的表面上设置反射面102而用作光偏转器。反射面102可由比如金或铜的薄膜制成，并且其上可形成保护膜。可替代地，反射面102可由多层介电膜制成。

可动部分103由单晶硅基片制成，并且可动部分103的主面(在图1A和1B中具有反射面102的表面)位于(110)晶面或与(110)晶面等同的晶面(即{110}面)中。平行于可动部分103的主面并且垂直于扭转轴线108的晶体取向是[111]取向或与[111]取向等同的取向。

此处，等同于(111)晶面的平面，比如(-1-1-1)晶面和(-111)晶面，称为“(111)等同面”(即{111}平面)。类似地，等同于[111]取向的取向，比如[-1-1-1]取向和[-111]取向，称为“[111]”等同取向。

根据本实施例的振荡器件例如由主面位于(110)晶面中的单晶硅基片制成，并且具有一体地形成的支撑部分101、可动部分103以及扭簧104a、104b。

在图1A和1B中，可动部分103的与可动部分103的主面平行并且与扭转轴线108垂直的晶体取向1000是[111]取向。此处，[111]取向指的是[111]±5度范围内的取向，包括近似的[100]取向。当晶体取向1000在这个范围内时，可动部分由于其自身重量所引起的变形量基本上是一致的。

根据本实施例的振荡器件还包括构造成驱动可动部分103的驱动单元。驱动单元的示例在驱动单元是电磁型时包括线圈和磁体，在驱动单元是静电型时包括电极，并且在驱动单元是压电型时包括压电元件。参照图1B，例如，可动部分103具有硬磁体106，并且垂直于扭转轴线108(在图1B中的左右方向)地被磁化。硬磁体106可通过溅射工艺形成于可动部分103上，或者硬磁体106可附接至可动部分103。在驱动电流从驱动控制单元(未示出)施加至用作驱动单元的线圈107时，产生磁场。然后，将扭矩施加至可动部分103，从而驱动振荡器件。如果将AC电流施加至线圈107，则振荡器件以AC电流的频率扭转地振荡。此外，如果将其频率与本发明的振荡器件的共振频率相等的AC电流施加至线圈107，振荡器件扭转且共振地振荡，同时消耗很少的能量。

下面将描述本发明的原理。

图5A是呈平板形状(矩形平行六面体)的可动部分401沿着垂直于扭转轴线的线截取的截面图。假设振荡器件被驱动来以共振频率附近的频率扭转地振荡，可动部分401的位移角度随着时间正弦地变化。最显著的变形出现于承受最大角加速度的部分。

图5B是变形了的可动部分401的截面图。如图5B所示，在可动部分401变形时，设置于可动部分401上的反射面402也变形。在振荡器件用作光偏转器时，可动部分401的显著变形降低了反射面402的平整度，导致光偏转器光学特性的显著降低。

图5B所示的近似模型示出当可动部分401呈矩形平行六面体形状时可动部分401在扭转振荡期间的变形。可动部分401的变形相对于扭转轴线403是点对称的，并且可以由如图5C所示的梁的变形来近似，该梁在对应于扭转轴线403的一端处固定。在可动部分401扭转地振荡并且承受Θ(2πf)²的角加速度时(此处Θ是位移角度，f是扭转振荡的频率)，图5C中所示的梁的变形(偏转)在公式1中表示。

[公式1]

$y=12\·\mathrm{\Θ}\·{\left(2\mathrm{\πf}\right)}^2\·\frac{{\mathrm{\ρW}}_h^5}{{\mathrm{Et}}^2}(\frac{x^5}{120}-\frac{x^3}{12}+\frac{x^2}{6})$

此处x是图5C中所示的无量纲距离，ρ是部件的密度，E是部件的杨氏模量，t是厚度，并且Wh是镜的宽度W的一半。

变形(偏转)y和参考平面Q之间的距离δ影响反射面402的光学特性。对于参考平面Q如图5B所示的情形，距离δ在公式2中表示。

[公式2]

$\mathrm{\δ}\≈0.23\·\mathrm{\Θ}\·f^2\·\frac{{\mathrm{\ρW}}^2}{{\mathrm{Et}}^2}$

距离δ与位移角度Θ、镜的宽度W的五次方、以及频率f的平方成比例。因此，在反射面的面积较大、偏转角度较大、或驱动信号频率较高的情况下，可动部分由于其自身重量所产生的变形变得很明显。

图6是示出使用有限元方法计算的、本发明的可动部分的变形量和制成可动部分的基片的晶面之间关系的图表。这个计算考虑了硅的晶体各向异性。

在使用有限元方法的计算中使用了以下物理性质：硅的密度＝2300kg/m³，和以下示出的刚度系数(单位：Pa)，其用来代替杨氏模量(单位：Pa)以将单晶硅的各向异性考虑在内。

[公式3]

此处C11＝167.4Gpa，C12＝65.23Gpa，C44＝79.57Gpa。

通过利用上述物理性质建立部件(比如可动部分和扭簧)的有限元模型，并且通过使用有限元方法执行计算，可以在考虑晶体各向异性的情况下执行分析。

在图6中，纵坐标是可动部分的变形率，并且横坐标是相对于[110]取向的角度。可动部分的变形率代表以小数表示的可动部分的变形量，此处“1”是其主面位于(100)晶面、并且平行于主面且垂直于扭转轴线的晶体取向是[100]取向(这时，例如相对于[110]取向的角度是45度)的可动部分的变形量。

“相对于[110]取向的角度”表示平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向相对于位于可动部分的主面中的[110]取向的角度。因此，当平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向是[110]取向时，相对于[110]取向的角度是0度。

此处，(100)基片指的是其主面位于(100)晶面中的基片。类似地，(100)基片和(111)基片分别指的是其主面位于(110)晶面和(111)晶面中的基片。例如，在(100)基片的情况下，相对于[110]取向形成±45度和±135度的角度的晶体取向是[100]取向。相对于[110]取向形成0度、±90度和±180度的角度的晶体取向是[110]取向。在(110)基片的情况下，相对于[110]取向形成0度和±180度的角度的晶体取向是[110]取向。相对于[110]取向形成±90度的角度的晶体取向是[100]取向，并且±35.3度和±144.7度的角度的晶体取向是[111]取向。在(111)基片的情况下，形成0度和±180度的角度的晶体取向是[110]取向。

如图6所示，在平行于可动部分的主面并且垂直于扭转轴线的晶体取向相对于[110]取向形成从0度至60度范围内的角度时，由(110)基片制成的可动部分的变形率小于由(100)和(111)基片制成的可动部分的变形率。而且，在平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向相对于[110]取向形成35.3度的角度时，由(110)基片制成的可动部分的变形率变为最小。这时，平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。在平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向是在[111]取向±5度范围内时，可动部分由于其自身重量所引起的变形量基本上是一致的。

如上所述，在根据本实施例的振荡器件中，利用硅基片的晶体各向异性，能够降低具有反射面的可动部分在高速驱动期间的变形量。因此，使用根据本实施例振荡器件的光偏转器防止了偏转光线(反射光线)的点状形状在高速驱动期间的恶化。

下面描述根据本实施例的振荡器件的扭簧。

根据本实施例的振荡器件的扭簧由单晶硅制成，其平行于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。[111]取向包括与之等同的取向。

下面将描述扭簧的使用效果。图7是示出使用有限元方法计算的、本发明扭簧的扭簧常量和制成扭簧的基片的晶面之间关系的图表。这个计算考虑了硅的晶体各向异性。图7所示使用有限元方法的计算使用了与如图6所示计算相同的物理性质。

在图7中，纵坐标是扭簧常量比率，并且横坐标是相对于[110]取向的角度。扭簧常量比率代表用小数表示的扭簧常量，此处“1”是其主面位于(100)晶面中、且平行于扭转轴线的晶体取向是[100]取向(在图7中的(100)基片中，相对于[110]取向的角度是45度)的扭簧的扭簧常量。

相对于[110]取向的角度表示扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向相对于[110]取向的角度。因此，在扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向相对于[110]取向的角度是0度时，扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向是[110]取向。扭簧的横截面，即垂直于扭转轴线的截面，是矩形的。

如图7所示，在扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向相对于[110]取向形成在0度至60度范围内的角度时，由(110)基片制成的扭簧的扭簧常量小于由(100)和(111)基片制成的扭簧常量。而且，在扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向是[111]取向(相对于[110]取向的角度是35.3度)时，由(110)基片制成的扭簧常量比率变得最小。[111]取向指的是[111]取向±10度范围内的取向，包括近似的[111]取向，在扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向在这个范围内时，扭簧的扭簧常量比率是一致的。这个晶体取向可以是与之等同的方向。

由其主面位于具有小扭簧常量比率的晶面中的基片制成的扭簧和由其主面位于具有大扭簧常量比率的晶面中的基片制成的扭簧之间的比较如下。在要制造具有相同扭簧常量比率的扭簧时，其晶面和取向具有小扭簧常量比率的基片制成的弹簧比其晶面具有大扭簧常量比率的基片制成的弹簧要大。例如，在要制成相同长度的扭簧时，具有较小扭簧常量比率的扭簧能具有较大的宽度。在扭簧由具有相同程度制造误差的单晶硅基片制成时，扭簧常量比率对制造误差的影响对于具有较大宽度的扭簧来说较小。因此，由其晶面和取向具有小扭簧常量比率的基片制成的扭簧受单晶硅基片制造误差的影响较少。

这种构造降低了扭簧常量由于扭簧宽度等制造误差所造成的变化。因此，能降低由于制造误差所引起的可动部分在高速驱动期间的变形量以及共振频率的变化。

扭簧可由(111)基片制成。如图7所示，由(111)基片制成的扭簧的弹簧常量在相对于[110]取向的角度的整个范围上基本上一致。因此，即使扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向在制造期间没有与预期取向对齐，扭簧的扭簧常量也基本上是一致的。因此，能降低由于制造误差所导致的共振频率的变化。

如图2A和2B所示，在根据本实施例的振荡器件中，能使可动部分203与支撑部分201和扭簧204a、204b分开。在这种情况下，在部件制成后，可动部分203可粘附或粘合至固定部分205。

根据本实施例的光偏转器可具有多个可动部分、以及多个构造用来以允许可动部分绕着单个扭转轴线扭转地振荡的方式支撑多个可动部分的扭簧。所述多个可动部分中的至少一个具有反射面。所述多个可动部分在用作基准频率的固有频率下以及在是基准频率整倍数的固有频率下绕着扭转轴线振荡。光偏转器能通过使可动部分同时在两个或更多固有频率下绕着扭转轴线振荡来执行除正弦光学扫描以外的光学扫描。

根据本实施例的成像装置可具有光源、光偏转器以及感光体。光偏转器可偏转从光源发射出的光线并且用一部分光线照射感光体以形成静电潜像。当使用具有在高速驱动期间变形较少的可动部分的光偏转器时，反射光线的点状形状不会恶化。因此，能防止图像质量变差。

现在将描述用于制造根据本发明的振荡器件的方法。

在支撑部分、可动部分以及扭簧由单晶硅整体地制成时，例如，要遵从下面的工艺：首先，利用光刻工艺在(110)基片上图案化支撑部分、可动部分以及扭簧。这时，平行于可动部分的主面并且垂直于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。然后，使用湿或干蚀刻工艺移除没有图案化的部分。通过利用具有高加工精度的半导体工艺整体地制成支撑部分、可动部分以及扭簧，能高度精确地制造振荡器件。

下面将描述与支撑部分和扭簧分离的可动部分的制造方法。

可动部分由(110)基片利用湿或干蚀刻工艺或切割刀片(圆形旋转刀片)制成。然后将可动部分结合至扭簧以使得平行于可动部分的主面且垂直于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。它们可通过粘附或焊接结合起来。通过将这些部件结合起来，就生产出了具有在高速驱动期间变形较少的可动部分的光偏转器。

可替代地，构成光偏转器的部件——比如可动部分和扭簧——可以是利用微加工工艺由硅晶片分开地制成。这减少了晶片的浪费部分，使得由单个硅晶片获得的部件数目增加。因此，能提供便宜的光偏转器。而且，通过使部件，比如扭簧，与由(110)基片制成的可动部分分离地制成，扭簧可由任何期望的材料制成。例如，可弱化扭簧以降低共振频率，或可硬化扭簧以增大共振频率。因此，能提供具有高共振频率的光偏转器以及具有低共振频率的光偏转器。尤其是，能提供具有由晶体取向定向在任何期望取向上的硅制成的扭簧的光偏转器。

扭簧由(110)基片制成以使得平行于扭转轴线的晶体取向是[111]取向。可动部分和扭簧可通过粘合或焊接结合起来。这降低了扭簧常量由于扭簧宽度等的制造误差所导致的变化。因此，能降低扭簧由于制造误差而导致的次品率，使得制造成本降低。

可替代地，扭簧可由(111)基片制成。这降低了扭簧常量由于扭簧的晶体取向在制造期间没有与预期取向对齐所导致的变化。因此，同样地，能降低扭簧由于制造误差导致的次品率，使得制造成本降低。

现在将参照具体示例更具体地描述本发明。

示例1

下面将参照图1A和1B描述根据示例1的光偏转器的构造。如上所述，图1A是本发明的光偏转器的俯视图，并且图1B是图1A所示光偏转器沿着线IB-IB截取的截面图，本发明的光偏转器具有支撑部分101、具有反射面102的可动部分103以及以允许可动部分103绕着扭转轴线108扭转地振荡的方式将可动部分103连接至支撑部分101的扭簧104a、104b。可动部分103由(110)基片制成，以使得平行于可动部分103的主面(在图1A和1B中具有反射面102的表面)并且垂直于扭转轴线108的晶体取向是[111]取向。

也就是说，可动部分103的晶体取向1000示出：可动部分103的主面位于(110)晶面中，并且平行于可动部分103的主面且垂直于扭转轴线108的晶体取向是[111]取向。

可动部分103具有垂直于扭转轴线108的3.0毫米的长度、平行于扭转轴线108的1.0毫米的长度、以及0.3毫米的厚度。尽管可动部分103是矩形平行六面体的形状，其也可以是椭圆柱等形状。反射面102由铝通过真空沉积制成。支撑部分101、可动部分103以及扭簧104a、104b由(110)基片利用在半导体制造方法中使用的光刻工艺和干蚀刻工艺制成。可动部分103的平行于可动部分103主面且垂直于扭转轴线108的晶体取向是[111]取向。

可动部分103具有硬磁体106并且垂直于扭转轴线108(图1B中的左右方向)地被磁化。根据示例1的光偏转器具有大约2000Hz的共振频率。在将频率等于共振频率的AC电流施加至线圈107时，产生磁场，并且将扭矩施加至可动部分103。因此，可动部分103扭转地振荡100度的光学角度，同时消耗较少的能量。

在这个构造中，可动部分103的最大变形量是大约40纳米，其小于没有应用本发明的可动部分的变形量。因此，能降低反射光线的点状形状的恶化。

示例2

现在将参照图2A和2B描述根据示例2的光偏转器的构造。图2A是本发明的光偏转器的俯视图，并且图2B是图2A所示光偏转器沿着线IIB-IIB截取的截面图。根据示例2的光偏转器具有与根据示例1的光偏转器大致相同的构造。在示例2中，扭簧204a、204b由(110)基片制成。扭簧204a、204b的平行于扭转轴线208的晶体取向2001是[111]取向。定向于[111]取向上的扭簧可以由(110)基片制成。扭簧的横截面，即垂直于扭转轴线208的截面，是矩形的。

可动部分203由(110)基片利用在半导体制造方法中使用的光刻工艺和干蚀刻工艺制成。可动部分203以及扭簧204a和204b如图2B所示粘合起来。它们粘合起来以使得平行于可动部分203的主面且垂直于扭转轴线208的晶体取向是[111]取向。

通过分开地制造硅晶片的部件，比如可动部分和扭簧，能减少晶片的浪费部分，使得由单个硅晶片获得的部件的数目增加，并且制造成本降低。

如图7所示，由平行于扭转轴线208的晶体取向是[111]取向的(110)基片制成的扭簧具有最小的扭簧常量。

即使扭簧204a、204b相对于其宽度具有大约1μm的制造误差，这个构造也能降低扭簧常量的变化，降低由于制造误差而导致的共振频率的变化。通过将可动部分的晶体取向如上所述那样定向，能降低可动部分在高速驱动期间的变形量。

示例3

现在将参照图3描述根据示例3的光偏转器的构造。根据示例3的光偏转器构造具有两个可动部分303和305。可动部分303具有反射面304。可动部分303和305由多个扭簧302a、302b支撑，所述多个扭簧302a、302b以允许可动部分303和305绕着单个扭转轴线扭转地振荡的方式将可动部分303和305连接至支撑部分301。

可动部分303具有垂直于扭转轴线308的3.0毫米的长度、平行于扭转轴线308的1.0毫米的长度、以及0.3毫米的厚度。可动部分305具有垂直于扭转轴线308的3.0毫米的长度、平行于扭转轴线308的1.0毫米的长度、以及0.3毫米的厚度。可动部分305具有永磁体(未示出)并且类似于示例1能由电磁力驱动。

扭簧302a、302b由(111)基片制成。如图7所示，由(111)基片制成的扭簧的弹簧常量在相对于[110]取向的角度的整个范围上基本上一致。因此，即使扭簧的平行于扭转轴线的晶体取向在制造期间没有与预期取向对齐，扭簧的扭簧常量也基本上是一致的。因此，能减少由于制造误差导致的共振频率的变化。

根据示例3的光偏转器绕着扭转轴线308以频率f1和频率f2扭转地振荡，其中频率f1用作基准频率并且称为一阶固有振荡模式，而频率f2是基准频率的双倍并且被称为二阶固有振荡模式。通过同时在一阶和二阶扭转振荡模式下扭转地振荡光偏转器，在偏转和扫描期间由设置于可动部分303上的反射面304所反射的光线的位移角度由这两个振荡模式控制。由于根据示例3的光偏转器具有一阶扭转振荡模式(其用作基准频率)以及二阶扭转振荡模式(其是基准频率的两倍)，光偏转器能以锯齿波形振荡。这允许光偏转器在角速度很小变化的情况下执行光学扫描，进一步使反射光线的点状形状一致。

示例4

图4是根据示例4使用上述光偏转器的光学装置的示意图。图4是作为示例性光学装置的成像装置的示意图。图4示出本发明的光偏转器503，其偏转入射光线并且执行一维扫描。图4还示出激光源501、透镜或透镜组502、记录透镜或记录透镜组504、感光体505、以及扫描轨迹506。从激光源501发射的激光束根据光线的偏转和扫描定时而被调制，并且通过光偏转器503使激光束一维地扫描感光体505。激光束的扫描通过记录透镜504在感光体505上形成图像。感光体505由充电器(未示出)均匀地充电。通过用激光束扫描感光体505，在感光体上面形成静电潜像。显影单元(未示出)在静电潜像上形成调色剂图像。这个调色剂图像例如被转印并且定影在片材(未示出)上，由此在片材上形成图像。使用维持反射面的平整度并且由于制造误差引起的频率变化很小的光偏转器使得能形成稳定的图像。

在本发明的光偏转器应用至图像显示装置比如投影显示器时，图像显示装置应当如下构造。光源发射根据图像数据调制的光束。本发明的光偏转器偏转光束并且用光束照射目标以在其上面形成图像。光偏转器构造成在目标的主扫描方向和副扫描方向上偏转光束。

如上所述，本发明的光偏转器能应用至上述光学装置。

本发明涉及振荡器件、光偏转器以及使用光偏转器的成像装置。光偏转器适用于例如通过偏转光线并且执行扫描来投影图像的投影显示器、使用电子照相工艺的成像装置，比如激光打印机和数字复印机。

虽然本发明已经参照示例性实施例进行了描述，但是应理解本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围依照最宽泛的解释以便包含所有这种变型以及等同结构和功能。

Claims (7)

1.一种振荡器件，包括：

支撑部分；

可动部分；

扭簧，其以允许所述可动部分绕着扭转轴线扭转地振荡的方式将所述可动部分连接至所述支撑部分；以及

驱动单元，其构造成使所述可动部分振荡，

其中所述可动部分由单晶硅制成；

其中所述可动部分的主面位于(110)晶面中；并且

其中平行于所述可动部分的主面并且垂直于所述扭转轴线的晶体取向是[111]取向。

2.根据权利要求1的振荡器件，

其中所述扭簧由单晶硅制成，并且

其中所述扭簧的平行于所述扭转轴线的晶体取向是[111]取向。

3.根据权利要求1的振荡器件，

其中所述扭簧由主面位于(111)晶面中的单晶硅制成。

4.根据权利要求1的振荡器件，

其中所述支撑部分、所述可动部分以及所述扭簧由单晶硅整体地制成。

5.一种光偏转器，其包括根据权利要求1至4中任一项的振荡器件，该振荡器件还具有设置于所述可动部分上的反射面。

6.根据权利要求5的光偏转器，其包括：

多个可动部分；以及

多个扭簧，其构造成以允许所述多个可动部分绕着单个扭转轴线扭转地振荡的方式支撑所述多个可动部分，

其中所述多个可动部分中的至少一个具有所述反射面，并且

其中所述多个可动部分在以下多个频率中的任一频率下绕着所述扭转轴线振荡，所述多个频率是绕着所述扭转轴线的用作基准频率的固有频率和为所述基准频率整数倍的固有频率。

7.一种成像装置，其包括：

光源；

根据权利要求5的光偏转器；以及

感光体，

其中所述光偏转器偏转从所述光源发射的光线并且用一部分光线照射所述感光体以形成静电潜像。

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