CN101356476A - 包括清洁装置的光刻设备及用于清洁光学元件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种极紫外光刻设备，所述极紫外光刻设备包括极紫外辐射源、光学元件(50)和清洁装置(95)。所述清洁装置(95)包括氢根源(103)以及与所述氢根源(103)连通的流管(104)。清洁装置(95)配置用于提供氢根流(96)，流管(104)设置用于将氢根流(96)提供到光刻设备内的预定位置上，例如用于清洁收集器反射镜(50)。

Description

包括清洁装置的光刻设备及用于清洁光学元件的方法
技术领域
本发明涉及一种包括清洁装置的光刻设备，及用于清洁光学元件的方法。本发明还涉及一种清洁装置和一种用于制造清洁装置的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
在光刻设备中，可以被成像到衬底上的特征的尺寸受到投影辐射的波长的限制。为了生产具有更高的器件密度的集成电路，并提高工作速度，需要能够对更小的特征进行成像。尽管最新的光刻投影设备采用由汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但是采用例如大约13nm的更短的波长辐射的方案也已经提出。这种辐射被称为极紫外(EUV)或软X射线，且可能的源包括例如激光诱导等离子体源、放电等离子体源或来自电子存储环的同步加速器辐射。
EUV辐射源通常是等离子体源，例如激光诱导等离子体或放电源。任何等离子体源的共同特征是产生快速的离子和原子，所述离子和原子沿所有方向从等离子体发射。这些粒子可能对收集器和聚光器反射镜产生破坏，所述反射镜通常是多层反射镜或掠入射反射镜，具有脆弱的表面。所述表面由于从等离子体发射的粒子的作用或溅射而被逐渐劣化，且反射镜的寿命因而被减少。溅射效应对于辐射收集器尤其有害。这种反射镜的目的是收集由等离子体源沿所有方向发射的辐射，并将所述辐射朝向在照射系统中的其他反射镜引导。所述辐射收集器被定位在与等离子体源非常接近的位置上，且在其视野内，因而接收来自等离子体的大流量的快速粒子。系统中的其他反射镜通常受到从等离子体发射的粒子的溅射的、程度较轻的损坏，这是因为它们可以在一定程度上被屏蔽。
在不远的将来，极紫外(EUV)源将可能采用锡或其他金属蒸气产生EUV辐射。所述锡能够泄漏到光刻设备中，并将在光刻设备中的反射镜上，例如辐射收集器的反射镜上沉积。这种辐射收集器的反射镜可能具有由例如钌(Ru)制成的EUV反射顶层。在Ru反射层上沉积超过大约10nm的锡(Sn)将以与大块的Sn一样的方式反射EUV辐射。设想在基于Sn的EUV源附近沉积几纳米的Sn层是很快的。由于锡的反射系数比钌的反射系数低得多，所以收集器的整体传输性能可能显著地降低。为了防止来自所述源的碎片或由这些碎片产生的二级粒子沉积在辐射收集器上，可以采用污染物屏障。尽管这种污染物屏障可以去除一部分所述碎片，但是仍有一些碎片将沉积在辐射收集器或其它光学元件上。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种包括清洁装置的光刻设备，所述清洁装置例如用于从例如收集器反射镜的EUV反射表面清洁Sn的沉积物。为此，本发明在实施例中涉及一种EUV光刻设备，所述EUV光刻设备包括：EUV辐射源；光学元件；以及清洁装置，所述清洁装置配置用于提供氢根流，其中所述清洁装置包括氢根源以及与所述氢根源连通的流管，且所述流管设置用于将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置上，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
本发明的另一个方面是提供一种用于清洁光刻设备的光学元件的方法。为此，本发明涉及一种用于清洁EUV光刻设备的至少一种光学元件的方法，所述方法包括：提供清洁装置，所述清洁装置配置用于提供氢根流，其中所述清洁装置包括氢根源以及与所述氢根源连通的流管，且所述流管设置用于将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置上，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料；将氢气流提供给清洁装置；产生氢根流；以及将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置上。
本发明的另一个方面是提供一种清洁装置。关于这个方面，本发明涉及一种配置用于提供氢根流的清洁装置，其中所述清洁装置包括氢根源以及与所述氢根源连通的流管，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
另外，本发明的另一个方面是提供一种用于制造清洁装置的方法。为此，本发明提供一种用于制造清洁装置的方法，所述清洁装置配置用于提供氢根流，所述方法包括提供氢根源以及与所述氢根源连通的流管，其中被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
附图说明
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中：
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示意性示出根据图1的光刻设备的EUV照射系统和投影光学系统的侧视图；
图3a-3c示意性示出根据本发明的清洁装置的多个实施例和变体，所述清洁装置例如用于清洁收集器的至少一部分；
图4a-4c示意性示出根据本发明的清洁装置的流管的多个实施例和变体，所述清洁装置例如用于清洁收集器的至少一部分。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；以及投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
支撑结构支撑图案形成装置，即承担所述图案形成装置的重量。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时，在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径是本领域公知的。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)用于将掩模MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记P1、P2占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对齐标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种：
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在根据本发明的实施例中，提供一种光刻设备，所述设备包括：照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；支撑结构，所述支撑结构配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底台，所述衬底台配置用于保持衬底；投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及根据本发明的清洁装置。
术语“层”在此按照本领域的技术人员所公知的含义使用。术语“层”可以表示多个层。它们也可以包括一种材料或多种材料的组合。例如，涂层可以是光学元件的一部分的顶部上的层。术语“涂层”是本领域的技术人员所公知的术语，并表示材料表面上的层。在本发明的情况中，在一变体中，涂层可以是基本均匀的、基本匀质的层，具有大致均匀的厚度，所述涂层部分地、或者在一变体中是整个地覆盖涂覆所感兴趣的表面，例如为了引导包含氢根的气体的目的。术语“涂层”也包括多层的涂层。在本发明中，术语“材料”也可以被解释为多种材料的组合。所述涂层可以以任何公知的技术施加，所述公知的技术包括热丝沉积、溅射或化学气相沉积处理。所述涂层的厚度可以为大约2nm和更厚，例如5-100nm，甚至高达10-1000nm。本领域的技术人员将选择合适的涂层厚度。
术语“含卤素的气体”或“含氢的气体”分别表示至少包含有卤素气体或氢气的气体或气体混合物。在术语“含卤素的气体”中的术语“卤素”表示选自F、Cl、Br和I中的至少一种，或者作为原子(根)或作为化合物存在，例如F2，Cl2，Br2，I2，HF，HCl，HBr，HI，或者作为卤间化合物存在，例如ClF3，或者作为其它化合物存在，包括选自F、Cl、Br和I中的至少一种，所述卤素在大约50-500摄氏度之间的温度转变为气相。在实施例中，可以采用F2，Cl2，Br2，I2中的至少一种，尤其是I2。术语“氢”和“氢根”隐含表示也包括它们的同位素，尤其是氘。因此，术语“含氢的气体”表示包括H2或氘或氚类似物。在实施例中，含氢的气体包括选自由H2，HD，D2，HT，DT，T2组成的组中的至少一种。含卤素的气体或含氢的气体还可以包括类似缓冲气体的附加成分，例如Ar等。“氢根流”表示气流，其中氢根也存在于所述气体中。通常，这种气体也将包含氢分子(像H2，HD，D2，HT，DT，T2中的至少一种)，这是因为出于根的重组的原因，并不是所有的氢都可以被转换成根。术语“含氢根的气体”表示包括氢根或其氘或氚的类似物的气体。这种气体还可以包括其他类似H2等的成分，所述成分没有从氢根中分离或者是重组得来的。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长λ)和极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长，例如13.5nm)，以及粒子束，例如离子束或电子束。通常，波长在大约780-3000nm(或更大的)之间的辐射被考虑成红外(IR)辐射。UV表示波长在大约100-400nm之间的辐射。在光刻内，通常也被应用到可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm；H线405nm；和/或I线365nm。VUV是真空UV(即被空气吸收的UV)并表示近似100-200nm的波长。DUV是深紫外，并通常用于针对由像126nm-248nm的准分子激光器产生的波长的光刻中。本领域的技术人员应当理解，波长范围在例如5-20nm之间的辐射涉及具有至少部分位于5-20nm范围内的确定的波长带的辐射。
术语“清洁装置”和“清洁方法”表示可以被用于清洁工艺的装置和方法。如下文所述，提供氢根可以被用于减少氧化物，类似氧化Sn，并在下一步中，卤素(像例如I2)可能去除金属，像Sn(由卤化物构成)。因此，在所述上下文中的“清洁”可能隐含表示所不希望的沉积的完全去除或部分去除，而且也可以隐含表示一部分清洁处理，像减少(实质上没有去除沉积)。因此，术语“清洁”还包括在清洁处理的清洁过程中以气体进行处理。进而，在实施例中，氢根可以从不被用于去除沉积。
“预定位置”尤其表示接近一个或多个光学元件的至少一个表面的位置，所述表面被以氢根流处理，且至少一部分氢根流被提供到所述表面。可能存在不止一个预定的位置。例如，整个表面将被清洁。在这种情况下，预定的位置使得来自流管的至少一个出口的氢根气流的至少一部分到达待清洁的整个表面。进而，在实施例中，多个表面，例如收集器反射镜的多个反射器，可能必须被清洁。在这种情况下，预定的位置使得来自流管的至少一个出口的氢根气流的至少一部分到达待清洁的多个表面。术语“连通”特别表示气体连通，即由于一些空间的连通，气体可以被从其中一个空间转移到另一个空间，这是本领域的技术人员所清楚的。在实施例中，例如在以下的多个变体中所述和所示，词组“氢根源以及与所述氢根源连通的流管”可以表示：氢根源，所述氢根源还包括用于含氢的气体的入口和用于氢根流的出口；以及流管，所述流管包括入口和出口，其中所述流管的入口被连接到所述氢根源的出口。
图2更详细地示出了投影设备1，所述投影设备1包括辐射系统42、照射光学系统单元44和投影系统PS。辐射系统42包括辐射源SO，所述辐射源SO可以由放电等离子体形成。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如Xe气、Li蒸气或Sn蒸气)产生，在所述气体中，很热的等离子体被形成以发出电磁波谱在EUV范围内的辐射。通过例如放电造成至少部分离子化的等离子体形成很热的等离子体。可能需要例如分压力为10Pa的Xe、Li、Sn蒸气或任何合适的气体或蒸气以形成有效的辐射。由辐射源SO发出的辐射从源室47经由气体屏障件或污染物阱49通到收集器室48中，所述气体屏障件或污染物阱49位于源室47中的开口中或开口后面。气体屏障件49可以包括通道结构。
收集器室48包括辐射收集器50，所述辐射收集器50可以由掠入射收集器形成。辐射收集器50具有上游辐射收集器侧50a和下游辐射收集器侧50b。通过收集器50的辐射可以被反射离开光栅光谱过滤器51，以被聚焦到收集器室48中的孔处的虚拟源点52中。辐射束56在照射光学系统单元44中从收集器室48经由正入射反射器53、54反射到位于掩模版台或掩模台MT上的掩模版或掩模上。形成图案化束57，所述图案化束57在投影系统PS中经由反射元件58、59被成像到晶片台或衬底台WT上。在照射光学系统单元44和投影系统PS中通常存在比示出的元件数量更多的元件。光栅光谱滤波器51依赖于光刻设备的类型视情况地存在。进而，可能存在比在图中所示出的反射镜更多的反射镜，例如可能存在除58、59之外的1-4个更多的反射元件。辐射收集器50是现有技术所公知的。空隙180被设置在两个反射器之间，例如反射器142和143之间。
如图2所示的所有光学元件(和未在该实施例的附图中示出的光学元件)对于由源SO(例如Sn)所产生的污染物的沉积是敏感的。对于辐射收集器50和光栅光谱滤波器51(如果存在)就是这种情况。因此，根据本发明的清洁装置可以被用于清洁这些光学元件中的至少一种，且本发明的清洁方法可以被应用于这些光学元件，而且可以被应用于正入射反射器53、54和辐射元件58、59或其他光学元件，例如，附加的反射镜、光栅等。
辐射收集器50可以是掠入射收集器。收集器50沿着光轴O对准。源SO或其图像位于光轴O上。辐射收集器50可以包括反射器142、143、146。有时，它们也被称为反射罩。这些反射器142、143、146可以相互嵌套，并关于光轴O旋转对称。在图2(在其它图中也是如此)中，示出内反射器142、中间反射器143和外反射器146。辐射收集器50围成一定的体积，即在外反射器146内的体积。通常，在外反射器146内的体积是圆周封闭的，但是可以存在小的开口。所有的反射器142、143、146包括表面，所述表面的至少一部分包括一个反射层或多个反射层。于是，反射器142、143、146(可能存在更多的反射器并被包含在其中)包括至少一部分，所述至少一部分被设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，且所述反射器的至少一部分可能不被设计用于反射和收集EUV辐射。例如，所述反射器的后侧的至少一部分可能不被设计用于反射和收集EUV辐射。后者部分也可以被称为后侧。在这些反射层的表面上，还可能存在盖层，所述盖层用于保护或作为滤光器设置在所述反射层的表面的至少一部分上。
辐射收集器50通常被置于源SO附近或源SO的图像附近。每个反射器142、143、146包括至少两个相邻的反射表面，离源SO较远的反射表面与光轴O所成的角度小于离源SO较近的反射表面与光轴O所成的角度。这样，掠入射收集器50配置用于产生沿着光轴O传播的(E)UV辐射束。至少两个反射器可以被设置成基本共轴，并以关于光轴O基本成旋转对称的方式延伸。应当理解，辐射收集器50还可以具有在外反射器146的外表面上的其它特征或在外反射器146周围的其它特征，例如保护性保持器、加热器等。
在使用过程中，可能发现在外反射器146和内反射器142/143中的至少一个上存在沉积物，尤其是当采用Sn源SO时的Sn的沉积物。Sn的沉积物(例如由于Sn源)，可能在在几个单层之后对辐射收集器50或其他光学元件的反射性能有害，而这种情况可能又是清洁这种光学元件所必然发生的。
“有害”在此是指对于设计用于反射(和/或收集)辐射的反射器或反射镜的那些反射表面的反射率的降低和损失。沉积物也可能对于例如光学传感器的表面(设计成用于感测的)是有害的。
沉积物，尤其是包含Sn的沉积物，可能在一个实施例中通过卤素(气态的)被去除，例如F2、Cl2、Br2和I2，在另一个实施例通过氢根去除，而在又一个实施例中通过同时应用的或相继应用的氢根和至少一种卤素的组合去除。在存在例如Sn的沉积物的情况下，由于存在少量的氧，将通常也存在一定程度的Sn的氧化物。为了去除Sn的氧化物，在元素Sn可以在实施例中被以卤化物形式的卤素气体去除之前，还原步骤是必需的，之后，以氢化物形式的氢根去除被还原的氧化物。因此，氢根(或者对于还原或者对于去除)不得不被提供给收集器反射镜50的表面的至少一部分，或者其它光学元件的待清洁表面的至少一部分。这种表面例如是反射器142、143和146的EUV反射表面，所述反射表面被像Sn这样的沉积物所污染。
参照图3a-3c，清洁装置95配置用于提供氢根流96，其中清洁装置95包括i)氢根源103，氢根源103还包括用于含氢的气体(流)100的入口101和用于氢根流96的出口102；和ii)流管104，流管104包括入口105和出口106，其中流管104的入口105被连接到氢根源103的出口102，且被暴露给氢根的清洁装置95的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
氢根源103包括用于含H2的气体100(例如H2流)的入口101。可以为含H2的气体100选择合适的源。氢根源103还包括至少一个单元110，所述至少一个单元110被设计用于将至少一部分氢气转换成H根。在实施例中，氢根源103包括至少一个氢根产生源110，所述氢根产生源110选自由振荡场电极、磁控管RF生成器和至少一个热丝构成的组。在实施例中，热丝110可能是例如W(钨)或Ta(钽)丝或线圈(或另一种材料)，所述热丝可以被加热到例如1500-3000K或甚至更高的温度，这依赖于材料的种类以及用于分离在含H2的气体100中的所有H2分子的至少一部分的H2的化学键所期望的温度和所需要的温度。例如，等离子体可以通过至少一个电极110产生，以使得氢根形成。可以在两个电极之间施加高压(例如大约5-10kV)，从而形成等离子体。也可能存在泵、含H2的气体的存储器等(但未示出)，其设置用于将含H2的气体(流)提供到氢根源103。由于存在至少一个氢根形成单元110，所以气流100中的H2的至少一部分被转换成H根，由此提供含氢根的气体96。所述含氢根的气体96的至少一部分经由出口102离开氢根源103，并在入口105进入流管104。
因为所述流输入到入口101，所以存在将含氢根的气体朝向开口106驱动的力。所述开口可以位于设备(例如光刻设备1)内的预定位置上。然后，在所述预定位置上，所述H根可以对于光学元件的表面的至少一部分的清洁过程有贡献。
在实施例中，提供根据本发明的光刻设备1或清洁工艺等，其中至少一个光学元件选自由多层反射镜、正入射反射镜、掠入射反射镜、收集器反射镜、掩模版、滤波器、孔、遮光叶片、光栅和光学传感器构成的组。由于收集器反射镜50通常是源SO的下游的系统中的第一光学元件，所以收集器反射镜50的清洁是本发明的实施例之一。因此，本发明的描述与收集器反射镜50的清洁相关，清洁装置95，尤其是流管104被设置成使得收集器反射镜50可以被存在于含氢根的气体96中的氢根处理。然而，本发明也可以被应用于其它的多层反射镜、正入射反射镜、掠入射反射镜、掩模版、滤波器、孔、遮光叶片、光栅和光学传感器等，且本发明不限于仅仅清洁和将氢根流96提供到收集器反射镜50上(在所述预定位置上)。
在实施例中，被暴露给氢根的清洁装置104的至少一部分(即氢根源103的内表面(壁)和流管104的内壁)包括氢根表面重组系数≤0.02的材料，且在变体中氢根表面重组系数≤0.001。采用满足该标准的这种材料或多种材料的组合使得相比于氢根表面重组系数＞0.02的材料，氢根表面重组系数降低。关于重组系数的信息可以在文献中找到，尤其是W.V.Smith，“The surface recombination of H atoms and OH radicals”，J.Chem，Phys，11，110-125(1943)and B.J.Wood，H.Wise，“Kinetics of Hydrogen AtomRecombination on Surfaces”，J.Phys.Chem.65，1976-1983(1961)。
下表1示出多种材料和它们对于氢根的各自的表面重组系数。
表1：对于多种材料的氢根表面重组系数γ
Figure A20068005070400171
Figure A20068005070400181
在可选的实施例中，被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分的氢根表面重组系数包括氢根表面重组系数小于Ru的材料，且在另一个可选实施例中，氢根表面重组系数小于Sn。
在此，术语“被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分”表示氢根源103的内表面的至少一部分以及流管104。在图3c中，清洁装置95被更详细地示出。所述内表面在图3c中被分别表示为氢根源103和流管104的壁220和230的内表面221和231。氢根源103的下游内表面221以及流管104的下游内表面231或者这些表面的至少一部分，可以与氢根相接触，所述氢根由至少一个氢根形成单元110生成，这种接触可能导致重组。因此，为此，内表面221的至少一部分和/或内表面231的至少一部分可能包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。而在另一个实施例中，所述材料选自由KOH、KCl、石英、PYREX
Figure A20068005070400182
(硼钛酸盐玻璃)、玻璃、TEFLON
Figure A20068005070400183
(聚四氟乙烯)、熔融石英、Si和Si3N4构成的组中的至少一种材料。如本领域的技术人员所知，这种表面可以被涂覆有这种合适的材料(氢根表面重组系数≤0.02)，由此提供氢根表面重组系数约≤0.02的涂层(像Si3N4涂层、PYREX
Figure A20068005070400184
涂层等)，而且，满足氢根表面重组系数约≤0.02的标准的一些材料也可以被用作氢根源103或流管104或两者的至少一部分的基础材料。例如，流管104的至少一部分或在实施例中的整个流管104可能是包括PYREX
Figure A20068005070400185
或石英等材料。壁230和内表面231和/或壁220和内表面211分别可以至少部分地或基本上地为包括PYREX
Figure A20068005070400186
或石英等材料。在特定的实施例中，选择氢根表面重组系数约≤0.01的材料，更优选约≤0.001。
在实施例中，提供重组系数小于0.01的材料。在另一个实施例中，提供根据本发明的清洁装置95，或者包括根据本发明的清洁装置95的光刻设备1，其中所述重组系数小于0.001。在又一个实施例中，所述材料是氢根抗蚀剂，即所述材料具有相对低的蚀刻率。在又一个实施例中，所述材料具有相对低的氢脆性(在氢的影响下变脆)。在又一个实施例中，所述材料具有低蚀刻率，并具有相对低的氢脆性。在又一个实施例中，选择材料，其中所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率(即在相同的压力、温度条件下)的10倍。在另一个实施例中，所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率的20倍。在又一个实施例中，所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率的50倍。
参照图3a、3b、4b和4c，收集器反射镜50被示意性地示出为表面的至少一部分已经被氢根清洁或处理的光学元件。例如，反射器142、143和146设置有至少一个反射镜表面，例如具有Ru表面。该Ru表面可能被Sn沉积物所污染或恶化。因此。在实施例中，流管104被设置，以使得流管104的出口106被设置在离待清洁的至少一个光学元件(在此是收集器反射镜50)的至少一个表面的至少一部分50cm的距离内(即等于或小于所述距离)，且其中流管104被设置，以使得至少一部分氢根流96被引导到待清洁的至少一个表面的至少一部分。所述距离d是从开口106到待处理的表面的最短距离(氢根流的至少一部分将被提供到的预定位置上)，如图所示。示例在图3a、3b、4b和4c中示出。
在实施例中，距离d等于或小于从待清洁的至少一个光学元件的至少一个表面的至少一部分算起的20cm的距离，且在另一个实施例中，所述距离等于或小于从待清洁的至少一个光学元件的至少一个表面的至少一部分算起的10cm的距离。在此，在实施例中，距离d≤10cm。在另一个实施例中，距离d≤5cm，而在又一个实施例中，距离d≤1cm。在实施例中，其中所述光学元件是收集器反射镜50，收集器反射镜50包括多个反射器(像以附图标记142、143和146所示意性表示的)，设置(或能够设置)流管104，以使得氢根流96的至少一部分被引导到由两个反射器所围成的空隙180的至少一部分。
参照图3a和3b，从开口106到收集器反射镜50(例如到反射器142和143)(待处理表面)的距离d可能是10cm或更小。然而，这是到待处理表面的最短的距离。由于在收集器反射镜50内所述反射器也需要被清洁，所以从开口106到这个预定位置的距离d可能例如是从开口106到(参照例如图3a和3b)收集器反射镜50的端部50b的距离。在实施例中，从清洁装置95的开口106到将由所述清洁装置95清洁的预定位置的最大距离≤50cm。在另一个实施例中，从清洁装置95的开口106到将由所述清洁装置95清洁的预定位置的最大距离≤20cm。为了减小所述最大距离(即通过例如三个体重组最小化氢根的损失)，多于一个的清洁装置可以被使用，或者流管104的至少一部分可以被设置在收集器反射镜50以内。
在其中光学元件是收集器反射镜50的实施例中，流管104的至少一部分可以设置在收集器反射镜50内。例如，如图3a所示的流管104可以被滑动到由两个反射器(例如在图3a中的反射器142和143之间)所围成的空隙180中或可以被设置在所述空隙180中。当存在例如多于一个的流管104和/或多于一个的清洁装置103时，流管104穿入收集器反射镜50可以从侧50a或侧50b或两者进行。这意味着预定的位置在反射器之间的空隙180中的收集器反射镜50内。穿过用附图标记106’所表示。在流管104包括多于一个的开口106，的情况中，所述多于一个的开口106可以同时穿过收集器反射镜50。
参照图3a-3c，在实施例中，流管104具有接近流管104的入口105附近的第一横截面(104-a)和接近流管14的出口106的第二横截面(104-b)(即第一横截面104-a相对于第二横截面104-b位于上游)，其中第一横截面和第二横截面的比值≤1。在另一个实施例中，所述比值＜1。在另一个实施例中，所述比值≤2，且在特定的变体中≤10。通过为流管提供宽度和阔度(或直径)的逐渐或突然的增加(即横截面的增加)，可以减少氢根重组。为了说明，图3c示意性地示出流管104的三个横截面104-a、104-b、104-c，(即流管104的该实施例的开口106)，其中所述横截面随着到氢根源103的距离而增加。这可以是横截面的连续的或台阶状的增加。
在实施例中，流管104的至少一部分是可移动的。这样，流管104可以被设置在光刻设备1内的预定位置上，且光学元件可以在例如停机时间里被清洁。在清洁后，流管104被去除，以使得辐射可以在不因流管104的存在而被阻挡的情况下传播。当流管被设置在收集器反射镜50的一端部50a和/或另一端部50b时，由此通过阻挡部分辐射，可移动的流管104是合适的。
清洁装置95还可以装备有排气管6(2)，例如所述排气管6(2)设置在氢根流96的下游。参照图3a和3b，排气管6(2)设置在端部50b，位于装置95的开口106的下游。这样，气体和气体产物可以被从由收集器反射镜50围成的体积中去除。排气管6(2)可能具有至少一个入口107和出口2(2)，所述出口2(2)可以与泵(未示出)相连接。
在多个其它的实施例中，流管104的一部分被与收集器反射镜50集成。参照图4a，示出收集器反射镜50的实施例的前/侧透视图。示出反射器142(内)、143和146(外)，但是可以存在更多的反射器。在该图的实施例中，存在至少一个交叉结构300，如图4中的交叉结构300(1)-300(4)所示。交叉结构300可以将至少两个反射器连接，并与由外反射器146所围成的体积的至少一部分交叉。交叉结构300可以被用作反射器的支撑件，并可以形成所谓“星形轮”。可以存在至少一个这种星形轮，每个所述星形轮包括至少一个交叉结构300。在图4a中，所述星形轮包括四个交叉结构(分别是300(1)-300(4))，而在一个星形轮中可存在或多或少的交叉结构。交叉结构可以存在于反射器的端部，例如在端部50a和/或端部50b上(见图2)，而且也可以被设置在收集器反射镜50中，所述收集器反射镜50位于在开口50a和50b之间的收集器反射镜50内的至少一个位置上。在图4a中，示出实施例，其中，在收集器反射镜50的一端，流管104(1)被集成到交叉结构300(1)中，而且更多的流管104可以被集成到(其它的)交叉结构300(像300(2)、300(3)等)中。
在图4a中，中间流管104(2)将含氢根的气体提供到在一端部50a和一端部50b之间某处的收集器反射镜50。例如，假定收集器反射镜50在端部50a和50b之间具有一定的收集器长度1，例如20cm，则流管104(2)可以在实施例中在收集器长度1的30-70％处穿过收集器反射镜50。在实施例中，流管104(2)可以在收集器长度1的40-60％处穿过收集器反射镜50。注意到，从图3a的角度，“穿过”表示从外部通过开口50a或50b(或两者)进入收集器反射镜50的运动，而在此“穿过”表示收集器反射镜50的侧向进入。在收集器长度1的50％处穿过将隐含表示恰好在一半的位置上，由此提供到待清洁的表面(即，反射器142、143和146等的至少一个的反射表面)的大约10cm的最大距离dm。上述最小距离d将成为流管104中的开口106到距离最近的待清洁的预定表面的最短距离。在例如40％处穿过将隐含表示到端部50a的d的最大距离dm(到待清洁表面，即在边缘50a处的反射器的反射表面的最大距离)为大约8cm，而到端部50b的最大距离dm为大约12cm。
因此，至少一个中间(即在端部50a和50b之间)流管104(2)被设置在两端部50a和50b之间，或者作为单独的中间流管104(2)或者作为集成在中间交叉结构300中的流管104(2)。参照图4a，收集器反射镜50包括与反射器相邻的具有至少两个交叉结构300的至少一个“星形轮”，所述星形轮设置在端部50a或50b上，作为反射器的支撑件。设置中间流管104(2)，以使得单独的中间流管104(2)(或者作为流管104(2))或集成在交叉结构300中/上(图中未示出，因为在收集器反射镜50内)与通过收集器反射镜50与所述“星形轮”的至少一个交叉结构成直线传播的辐射相关。例如，参照图4a，流管104(2)(或者作为流管或者作为中间交叉结构)穿过收集器反射镜50，并被配置，以使得从50a侧进入收集器反射镜50拦截辐射，以使得交叉结构300(1)被至少部分地设置在由中间流管104(2)形成的阴影中，或者由中间流管104(2)形成的阴影小于交叉结构103(1)。这意味着辐射的损失被最小化了。在图3b中，示出在结构元件300(1)的视野中的这种中间流管104(2)的实施例。。在此，交叉结构300(1)被用作示例：可能存在更多的中间流管104(2)，例如设置在其他的交叉结构(300(2)、300(3)等)的视野中。为了用侧视图对此进行说明，图3b示出中间流管104(2)的示例，其位于交叉结构300(1)的视野中。到待清洁的表面的最大距离被以长度dm表示。
在另一个实施例中，至少一个流管104(1)和/或104(2)(例如当没有被集成在交叉结构300中的104(2)时)是可移动的，且仅仅在停机期间(清洁时间)穿过收集器反射镜50。
图4b示出收集器反射镜50的一部分的横截面的俯视图。交叉结构被设置在收集器反射镜50的两端之间的某处(这些端部未示出)。交叉结构300通常被这样选择和定位(在收集器反射镜50的端部50a、端部50b或在端部50a和端部50b之间的至少一个位置中的至少一个位置处)，以使得辐射的阻断被最小化。交叉结构300可以包括流管104的至少一部分，即流管104集成在收集器反射镜50中，并由此形成交叉结构300。然而，在另一个实施例中，交叉结构300可以例如被用于提供或排出气体，作为至少两个反射器的支撑件(“星形轮”)等，且流管104的至少一部分被集成在交叉结构300中或交叉结构300上。
在图4b中，示出收集器反射镜50的横截面的俯视图。存在反射镜142、143和146，交叉结构300(1)在左手端连接收集器反射镜的反射器146、143和142的左边部分，交叉结构300(2)在右手端连接收集器反射镜的反射器146、143和142的右边部分。交叉结构300或者是流管104，或者流管104被集成到交叉结构300中或交叉结构300上。出口106存在用于提供氢根气流96。距离d是从开口106到反射器中的一个的待清洁表面的最短距离。出口106可以被设置在不同位置上，如“顶部”出口106(1)和“侧”出口106(2)所示。术语“顶部出口106(1)”也包括实施例，其中入口存在于流管104中或流管104上，像在侧部处的出口没有被引导到观察者(“下出口”)。应当理解，可能在出口的流管104上或流管104中设置不同的配置。
替代交叉结构300或除交叉结构300之外，或者替代将出口106设置在收集器反射镜50的一端部50a和/或一端部50b上，或除将出口106设置在收集器反射镜50的一端部50a和/或一端部50b上之外，如图3a和3b以及以上描述所示，或替代如上所述将流管104在反射器之间滑动，或者除如上所述将流管104在反射器之间滑动之外，在实施例中，流管104的至少一部分被设置在至少一个反射器142、143和146上(见图4c，图4示意性地示出一些反射器的一小部分)。在另一个实施例中，流管104的所述至少一部分基本上或整个地被设置在反射器不被源照射到的位置所在的那些部分上。因此，在实施例中，提供清洁装置95，其中所述待清洁(至少部分地)的光学元件是收集器反射镜50，且其中流管104的至少一部分(尤其是支管104(1a)、104(2a)等，如图4c和图4a所示)被设置在收集器50的反射器(142、143等)的非反射部分的至少一部分上。这种支管可以具有多个开口106。每个反射器(反射罩)可以具有集成在反射器的至少一个非反射部分中的多于一个的支管(即，反射器的多个部分没有被设计用于反射EUV辐射；没有EUV反射镜表面)。未被源照射的部分可能选自由所述反射器的后侧所构成的组。然而，阴影区域32也可以被选择用于设置流管104(支管104(1a)、或中间管104(2)等)。
在图4c中，至少一部分流管104被水平设置，但是应当理解，存在其他的取向。例如，假定流管104被设置在反射器的表面的非反射部分(阴影)处，源SO的辐射在反射器143和142的没有被引导到观察者(即凹面部分)的侧部被反射，。
在反射器的所述表面的非反射部分中或在反射器的所述表面的非反射部分上(如图3a中区域32和/或在反射器的后侧上所示)，至少一个流管104可以被设置，每个流管具有至少一个出口106。存在于阴影区域32中的流管也如图3a所示，其中在阴影区域32中，流管104(侧视图)被示出。因此，在实施例中，光学元件是收集器反射镜50，且流管104的至少一部分被设置在收集器50的反射器的阴影区域32中。应当理解，存在多于一个的阴影区域32，而多于一个的流管104(或其支管)可以分别被设置在这种阴影区域32中(也见图3a和3b)。
参照图4c，例如交叉结构300可以被设计成包括或结合具有多个支管104的流管104。因此，在实施例中，流管104包括多个支管104(例如，如图4c中的附图标记104(1a)、104(2a)所示；可能存在更多的支管104)，每个支管104(104(1a)、104(2a))具有至少一个出口106，支管104(104(1a)、104(2a))相对于流管104的入口105被设置在下游。当然，可能存在更多的支管104(1a)、104(2a)。
在实施例中，提供EUV光刻设备1，其中所述光刻设备包括根据本发明的多个清洁装置95。根据另一个实施例，提供一种清洁装置95，例如用于EUV光刻设备中，其中所述清洁装置95包括多个出口102，例如以将含氢根的气体96引导到多个流管104。在又一个实施例中，提供一种清洁装置95，其中所述清洁装置95包括多个流管104，例如如图4c所示。在又一个实施例中，流管104包括多个入口105。在下一个实施例中，流管包括多个出口，例如如图4b和4c所示。
在本发明的实施例中，清洁装置95、光刻设备1或两者还包括温度控制单元，所述温度控制单元配置用于在室温和150℃之间的温度上调整和/或维持氢根流的含氢根的气体的温度，以使得光学元件被以(大致)该温度的气流进行处理。例如，所述含氢根的气体的温度对于收集器的处理可能在大约20℃和大约150℃之间，对于多层反射镜的处理可能在大约20℃和大约70℃之间。另外，清洁装置95还可能包括控制单元结构，用于控制至少一种氢根产生源110，所述氢根产生源110选自由至少一个振荡场电极、磁控管RF生成器和至少一根热丝构成的组。
根据另一方面，提供一种用于清洁EUV光刻设备1的至少一个光学元件的方法，所述方法包括：提供清洁装置95，将氢流100提供到清洁装置95，生成氢根流96；和将氢根流96提供到光刻设备内的预定位置上。在另一个实施例中，所述清洁方法还包括将卤素气体提供到光刻设备内的预定位置上。当提供含氢根的气体96时，可以同时或不同时提供含卤素的气体。流管104可以被用于传输所述含卤素的气体。在一种机制中，提供第一氢根，然后提供卤素气体；在第二种机制中，在提供卤素气体的过程(在提供氢根之后)之后，第二过程将氢根提供到光刻设备中的预定位置上。含氢的气体包括选自由H2、HD、D2、HT、DT、T2构成的组中的至少一种气体。
根据本发明的另一个方面，提供一种制造根据本发明的清洁装置95的方法，所述清洁装置95配置用于提供氢根流96。所述方法包括提供：氢根源103，所述氢根源103还包括用于含氢的气体100的入口101以及用于氢根流96的出口102；以及流管104，所述流管包括入口105和出口106，其中流管104的入口105被连接到氢根源103的出口102，且其中被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.2的材料。
根据本发明的另一方面，提供一种采用EUV光刻设备的器件制造方法，其中在制造之后或在制造期间，进行根据本发明的清洁方法。
在实施例中，氢根源103可以被设置在EUV光刻设备的外部。
根据本发明的另一个方面，光刻设备的至少一个非反射部分至少部分地包括氢根表面重组系数≤0.2，优选≤0.02的材料。在实施例中，所述材料选自由KOH、KCl、石英、PYREX
Figure A20068005070400261
、K2CO3、W、K2SiO3、Na3PO4、Pd、Cu、TEFLON、熔融石英、Si和Si3N4构成的组中的至少一种材料。例如，反射器的后侧、管、管道、保持器、气体屏障件、交叉结构、快门等，可以被涂覆，或可以包括这种材料。在实施例中，提供一种重组系数小于0.01的材料。在另一个实施例中，所述重组系数小于0.001。在又一个实施例中，所述材料是氢根抗蚀剂。在另一个实施例中，选择材料，其中所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下(即在压力、温度等条件相同的情况下)的蚀刻率的10倍。在另一个实施例中，所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率的20倍。
附图可以示意性地示出多于一个的实施例。例如，参照图3a，可以采用一个装置95，所述装置95具有一个流管104，所述流管104带有一个开口106，如图3a的左手侧所示，但是也可以采用具有设置在阴影区域32中的至少一个流管的装置。
本发明并不仅限于EUV辐射，而也可以用于采用如上所述的其它辐射的光刻设备中。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (27)

1.一种极紫外光刻设备，所述极紫外设备包括：
极紫外辐射源；
光学元件；以及
清洁装置，所述清洁装置配置用于提供氢根流，其中所述清洁装置包括：
氢根源；以及
与所述氢根源连通的流管，其中所述流管设置用于将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置处，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
2.根据权利要求1所述的极紫外光刻设备，其中所述重组系数小于0.01。
3.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述重组系数小于0.001。
4.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述材料是氢根抗蚀剂。
5.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率的10倍。
6.根据权利要求5所述的极紫外光刻设备，其中所述材料的蚀刻率小于锡在预定的氢根分压力下的蚀刻率的20倍。
7.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中至少一个光学元件选自由多层反射镜、正入射反射镜、掠入射反射镜、收集器反射镜、掩模版、滤波器、孔、遮光叶片、光栅和光学传感器构成的组。
8.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述流管被设置，以使得所述流管的出口被设置在到待清洁的光学元件的至少一个表面的至少一部分50cm的距离内，且其中所述流管被设置，以使得所述氢根流的至少一部分被引导到待清洁的表面的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的极紫外光刻设备，其中到待清洁的光学元件的表面的所述距离等于或小于20cm。
10.根据权利要求8所述的极紫外光刻设备，其中到待清洁的光学元件的表面的所述距离等于或小于10cm。
11.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述光刻设备包括多个清洁装置。
12.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述清洁装置包括多个流管。
13.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述流管包括多个出口。
14.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述流管包括多个支管，每个支管具有出口，所述支管相对于所述流管的入口设置在下游。
15.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述流管具有接近所述流管的入口的第一横截面，以及接近所述流管的出口的第二横截面，且所述第一横截面与所述第二横截面的比例≤1。
16.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述光学元件是收集器反射镜，且所述流管的至少一部分被设置在所述收集器反射镜内。
17.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述光学元件是收集器反射镜，且所述流管的至少一部分被设置在所述收集器反射镜的反射器的阴影区域中。
18.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述光学元件是收集器反射镜，且所述流管的至少一部分被设置在所述收集器反射镜的反射器的非反射部分的至少一部分上。
19.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述光学元件是收集器反射镜，且所述收集器反射镜包括多个反射器，且所述流管被设置，以使得所述氢根流的至少一部分被引导到由两个反射器围成的空间的至少一部分。
20.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述流管的至少一部分是可移动的。
21.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中所述氢根源包括至少一个氢根产生源，所述至少一个氢根产生源选自由振荡场电极、磁控管RF生成器和热丝构成的组中。
22.根据前述权利要求中任一项所述的极紫外光刻设备，其中光刻设备的非反射部分至少部分地包括氢根表面重组系数≤0.2的材料。
23.一种用于清洁极紫外光刻设备的光学元件的方法，所述方法包括步骤：
提供清洁装置，所述清洁装置包括氢根源、以及与所述氢根源连通的流管，其中所述流管设置用于将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置处，且被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料；
将氢气流提供给清洁装置；
产生氢根流；以及
将所述氢根流提供到光刻设备内的预定位置上。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述清洁方法还包括步骤：
将卤素气体提供到光刻设备内的预定位置处。
25.根据权利要求23或24所述的方法，其中所述含氢的气体包括选自由H2、HD、D2、HT、DT、T2构成的组中的至少一种气体。
26.一种配置用于提供氢根流的清洁装置，所述清洁装置包括：
氢根源；以及
与所述氢根源连通的流管，其中被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
27.一种用于制造清洁装置的方法，所述清洁装置配置用于提供氢根流，所述方法包括步骤：
提供氢根源以及与所述氢根源连通的流管，其中被暴露给氢根的清洁装置的至少一部分包括氢根表面重组系数≤0.02的材料。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102472975A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、光刻设备和用于制造光谱纯度滤光片的方法
CN103230900A (zh) * 2013-04-28 2013-08-07 哈尔滨工业大学 一种用于保持大口径光学元件表面洁净的冲扫装置
US9810991B2 (en) 2013-12-23 2017-11-07 Kla-Tencor Corporation System and method for cleaning EUV optical elements
CN108246750A (zh) * 2017-12-13 2018-07-06 北京华航无线电测量研究所 一种大面阵ccd光窗清洁方法
CN112748642A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种导流均流装置
CN114798655A (zh) * 2021-03-19 2022-07-29 台湾积体电路制造股份有限公司 极紫外光源、辐射源及其装置

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750326B2 (en) * 2005-06-13 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and cleaning method therefor
US7495239B2 (en) * 2005-12-22 2009-02-24 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7504643B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement
US7541603B2 (en) 2006-09-27 2009-06-02 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus comprising the same
DE102006054726B4 (de) * 2006-11-21 2014-09-11 Asml Netherlands B.V. Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen auf optischen Oberflächen und optische Anordnung
CN101681114B (zh) * 2007-06-12 2013-05-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学设备和原位处理euv光学部件以增强降低的反射率的方法
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
KR101495208B1 (ko) * 2007-08-23 2015-02-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈
US8901521B2 (en) 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
US7763399B2 (en) * 2007-08-31 2010-07-27 Intel Corporation Removal of ionic residues or oxides and prevention of photo-induced defects, ionic crystal or oxide growth on photolithographic surfaces
US20090074962A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Asml Netherlands B.V. Method for the protection of an optical element of a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7719661B2 (en) * 2007-11-27 2010-05-18 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device
NL1036181A1 (nl) * 2007-11-30 2009-06-04 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a projection system and a device manufacturing method.
CN101448294B (zh) * 2008-01-21 2011-05-04 华为技术有限公司 网络资源释放处理的方法及设备
EP2083328B1 (en) * 2008-01-28 2013-06-19 Media Lario s.r.l. Grazing incidence collector for laser produced plasma sources
DE102008000709B3 (de) * 2008-03-17 2009-11-26 Carl Zeiss Smt Ag Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung
DE102008000959A1 (de) * 2008-04-03 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Reinigungsmodul und EUV-Lithographievorrichtung mit Reinigungsmodul
NL1036832A1 (nl) * 2008-04-15 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus comprising an internal sensor and a mini-reactor, and method for treating a sensing surface of an internal sensor of a lithographic apparatus.
JP5559562B2 (ja) * 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
US8330131B2 (en) 2010-01-11 2012-12-11 Media Lario, S.R.L. Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source
US8587768B2 (en) 2010-04-05 2013-11-19 Media Lario S.R.L. EUV collector system with enhanced EUV radiation collection
JP2013148878A (ja) * 2011-12-19 2013-08-01 Sumitomo Chemical Co Ltd レジスト組成物
DE102013002064A1 (de) 2012-02-11 2013-08-14 Media Lario S.R.L. Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle
US10953441B2 (en) * 2013-03-15 2021-03-23 Kla Corporation System and method for cleaning optical surfaces of an extreme ultraviolet optical system
CN103230901B (zh) * 2013-04-28 2015-02-04 哈尔滨工业大学 一种保持激光传输光学系统中洁净度的冲扫装置和方法
US9560730B2 (en) * 2013-09-09 2017-01-31 Asml Netherlands B.V. Transport system for an extreme ultraviolet light source
US9557650B2 (en) 2013-09-09 2017-01-31 Asml Netherlands B.V. Transport system for an extreme ultraviolet light source
DE102014204658A1 (de) * 2014-03-13 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für die EUV-Lithographie
US9776218B2 (en) 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
US10606180B2 (en) * 2017-03-08 2020-03-31 Asml Netherlands B.V. EUV cleaning systems and methods thereof for an extreme ultraviolet light source
DE102017207030A1 (de) * 2017-04-26 2018-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Reinigung von optischen Elementen für den ultravioletten Wellenlängenbereich
KR102655267B1 (ko) 2017-06-26 2024-04-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 냉각 장치 및 냉각 장치용 플라즈마-세정 스테이션
DE102017211539A1 (de) * 2017-07-06 2019-01-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entfernen einer Kontaminationsschicht durch einen Atomlagen-Ätzprozess
DE102017213181A1 (de) 2017-07-31 2019-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung für EUV-Strahlung mit einer Abschirmung zum Schutz vor der Ätzwirkung eines Plasmas
US10656539B2 (en) 2017-11-21 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Radiation source for lithography process
JP7340524B2 (ja) * 2018-02-13 2023-09-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． Ｅｕｖチャンバにおける構造物表面の洗浄
DE102021206168A1 (de) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Abscheiden einer Deckschicht, reflektives optisches Element für den EUV-Wellenlängenbereich und EUV-Lithographiesystem
DE102021214362A1 (de) 2021-12-15 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Schutzabdeckung und EUV-Lithographiesystem

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3069700B1 (ja) * 1999-07-22 2000-07-24 静岡大学長 放電容器及びその放電容器を備えたプラズマラジカル生成装置
SG109523A1 (en) * 2002-08-15 2005-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus
EP1429189B1 (en) 2002-12-13 2008-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US8945310B2 (en) * 2003-05-22 2015-02-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for cleaning at least one optical component
EP1624467A3 (en) * 2003-10-20 2007-05-30 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355672B2 (en) 2004-10-04 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, device manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus
US7750326B2 (en) * 2005-06-13 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and cleaning method therefor

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102472975A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 Asml荷兰有限公司 光谱纯度滤光片、光刻设备和用于制造光谱纯度滤光片的方法
CN103230900A (zh) * 2013-04-28 2013-08-07 哈尔滨工业大学 一种用于保持大口径光学元件表面洁净的冲扫装置
CN103230900B (zh) * 2013-04-28 2015-03-04 哈尔滨工业大学 一种用于保持大口径光学元件表面洁净的冲扫装置
US9810991B2 (en) 2013-12-23 2017-11-07 Kla-Tencor Corporation System and method for cleaning EUV optical elements
CN108246750A (zh) * 2017-12-13 2018-07-06 北京华航无线电测量研究所 一种大面阵ccd光窗清洁方法
CN112748642A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种导流均流装置
CN112748642B (zh) * 2019-10-31 2022-06-21 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种导流均流装置
CN114798655A (zh) * 2021-03-19 2022-07-29 台湾积体电路制造股份有限公司 极紫外光源、辐射源及其装置
US11815821B2 (en) 2021-03-19 2023-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Module vessel with scrubber gutters sized to prevent overflow
CN114798655B (zh) * 2021-03-19 2024-05-03 台湾积体电路制造股份有限公司 极紫外光源、辐射源及其装置

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