CN101350358A - 半导体装置及影像感测装置 - Google Patents

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Abstract

一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及形成于该彩色滤光阵列上的多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。本发明还提供了一种半导体装置。本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。

Description

半导体装置及影像感测装置
技术领域
本发明涉及影像感测装置，且特别涉及一种影像感测装置及其制造方法，以改善其内的光学串扰(optical cross-talk)现象。
背景技术
影像感测装置包括由多个如光敏二极管(photosensitive diode)或光电二极管(photodiode)组成的像素阵列(pixel array)、复位晶体管(reset transistor)、源极跟随晶体管(source follower transistors)、固定层光电二极管(pinned layerphotodiode)和/或转移晶体管(transfer transistor)等用以记录二极管上的光强度的元件。上述像素在感应光线后产生电荷，且感应越多光线则所产生的电荷越多。这些电荷可接着为另一电路所应用，因而生成适用于如数码相机的特定应用的颜色与亮度。一般而言，像素阵列的种类可为电耦合器件(charge-coupled device，CCD)，或为互补型金属氧化物半导体(complimentary metal oxide semiconductor，CMOS)影像感测装置。
为了要得到彩色影像，影像感测器内需采用具有多个不同色彩滤光物(如红光、绿光与蓝光彩色滤光物)的彩色滤光层，且上述不同色彩的滤光物经过设置后可使得入射光在通过微透镜阵列后穿过此滤光层。然而，在相邻微透镜间的区域处，上述微透镜阵列可能表现出不良的光线控制能力。因此，入射光通过上述区域后可能无法入射至用于影像处理的特定像素。如此相邻的像素间将产生光学串扰问题与并导致元件表现不良。
因此，便需要一种简易且成本低廉的影像感测装置以及制造方法，借以改善影像感测装置中的光学串扰现象。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种影像感测装置及其制造方法以及一种半导体装置。
依据一实施例，本发明提供了一种影像感测装置，包括：
半导体衬底，具有前表面以及后表面；多个像素，形成于该半导体衬底的该前表面上，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；彩色滤光阵列，形成于所述多个像素上，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及多个微透镜，形成于该彩色滤光阵列上，其中所述多个微透镜分别用于引导光线，将该光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。
在部分实施例中，上述彩色滤光阵列形成于该半导体衬底的该后表面上。在部分实施例中，上述遮光结构包括设置于介于所述多个相邻彩色滤光物间的空间处的黑阻剂。
在部分实施例中，上述影像感测装置还包括形成于该半导体衬底的该后表面与所述多个彩色滤光阵列之间的平坦层。在其他实施例中，上述遮光结构包括具有透光部以及不透光部的平坦层，该平坦层设置于该衬底的后表面以及该彩色滤光阵列之间，而该不透光部设置于所述多个相邻彩色滤光物间的区域的下方。在又一实施例中，上述不透光部包括黑阻剂。在又一实施例中，上述透光部的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的组合物。在又一实施例中，上述该遮光结构具有约为0.2微米的宽度。在又一实施例中，上述影像感测装置还包括位于该半导体衬底的前表面上的多个内连金属层及位于所述多个内连金属层之间的层间介电物。
依据另一实施例，本发明提供了一种影像感测装置的制造方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底，该半导体衬底具有前表面以及后表面；在该半导体衬底的该前表面上形成多个像素，其中所述多个像素分别用于感测照射光线；在所述多个像素上形成彩色滤光阵列，该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及在该彩色滤光阵列上形成多个微透镜，其中所述多个微透镜分别用于引导光线，将该光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处，其中形成该彩色滤光阵列的步骤还包括以下步骤：形成可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进的遮光结构。
在部分实施例中，前述形成具有该遮光结构的该彩色滤光阵列的方法包括：
在该半导体衬底的后表面上形成平坦层；图案化该平坦层，以在该平坦层内定义形成空间；在该图案化的平坦层上形成一层不透光材料；回蚀该不透光材料直到露出该平坦层；以及在该平坦层上形成彩色滤光层，以使得该空间为该不透光材料所填满且设置于所述多个相邻彩色滤光物间的区域的下方。在部分实施例中，前述形成该层不透光材料的步骤包括形成一层黑阻剂。
在部分实施例中，前述形成具有该遮光结构的该彩色滤光阵列的步骤包括以下步骤：
在该半导体衬底的该后表面上形成平坦层；在该平坦层上形成彩色滤光层；图案化该彩色滤光层，以在相邻的所述多个彩色滤光物之间定义出空间；在该图案化彩色滤光层上形成一层不透光材料；以及回蚀该不透光材料直至该彩色滤光层露出。在部分实施例中，前述形成该层不透光材料的步骤包括形成一层黑阻剂的步骤。在其他实施例中，前述影像感测装置的制造方法还包括以下步骤：在该半导体衬底的前表面上形成多个金属层；以及在所述多个金属层之间形成金属层间介电物。
依据又一实施例，本发明提供了一种半导体装置，包括：
衬底，具有前表面以及后表面；多个像素，形成于该半导体衬底的该前表面上，其中所述多个像素分别用于感测照射光线；彩色滤光阵列，形成于所述多个像素上，该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别可使具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；多个微透镜，形成于该彩色滤光阵列上，所述多个微透镜分别用于引导光线，将该光线照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处；以及阻障结构，设置于该衬底的后表面与所述多个微透镜之间，该阻障结构可阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进而不抵达所述多个像素处。
在部分实施例中，前述阻障结构包括设置于所述多个相邻彩色滤光物间的区域的黑阻剂。在部分实施例中，上述阻障结构形成于该衬底的后表面与该彩色滤光阵列的底面之间，而该平坦层具有设置于介于所述多个相邻彩色滤光物之间的下方区域的黑阻剂。在其他实施例中，前述具有特定波长的该光线的波长为红光、绿光与蓝光的波长。在其他实施例中，上述像素分别包括光敏二极管以及至少一个晶体管。
本发明可使得相邻像素间的光学串扰问题最小化。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，以下特举优选实施例并配合附图进行详细说明。
附图说明
图1为示出具有多个像素的影像感测装置的俯视图；
图2A与图2B分别为剖面图与俯视图，显示如图1所示的影像感测装置的一部分；
图3为流程图，显示了依据本发明一实施例的后侧照光感测装置的制造方法；
图4A-图4C为一系列剖面图，显示了依据图3所示流程所制成的后侧照光影像感测装置；
图5为流程图，显示了依据本发明另一实施例的后侧照光感测器的制造方法；
图6A-图6C为一系列剖面图，显示了依据图5所示流程所制成的后侧照光影像感测装置。
其中，附图标记说明如下：
10～影像感测装置；
20～像素；
30～输出/输入装置；
102、104～像素；
110～半导体衬底；
111～半导体衬底的前侧表面；
112～半导体衬底的后侧表面；
114、116～晶体管；
122、124～N型掺杂区域；
130、132～内连金属层；
134～金属层间介电层；
142、144～彩色滤光物；
150～微透镜；
160～微透镜的区域；
400、600～后侧照光影像感测装置；
402、602～平坦层；
404、406、604、606～开口区；
410、610～黑阻剂层；
420、620～微透镜的区域。
具体实施方式
请参照图1，其为示出包括多个像素20的影像感测装置10的俯视图。其中在邻近像素20所构成的阵列处则形成其他电路以及输出/输入装置30，借以提供用于像素以及支持像素与外部联络的操作环境。影像感测器10可包括电耦合器件、互补型金属氧化物半导体影像感测器、有源像素感测器(APS)或无源像素感测器。
请参照图2A与图2B，其分别示出如图1所示影像感测器10中的两个邻近像素120的剖面图与俯视图。在本实施例中，上述两个相邻像素包括用于感测可见光的第一像素102以及第二像素104。值得注意的是，在此像素以感测可见光的像素为例，其仅为范例而非用以限定本发明，上述像素也适用于感测如远红外线、微波、X光以及紫外光等其他类型射线的应用。第一像素102与第二104可形成于半导体衬底110上。半导体衬底110可包括如硅锗与钻石的元素态半导体。或者，衬底110可选择性地包括如碳化硅、砷化镓、砷化铟以及磷化铟的化合物半导体。此外，半导体衬底也可采用包括如绝缘层上硅和/或外延层的衬底。
在此，第一像素102与第二像素104可分别包括光敏二极管以及用于感测与记录光强度的至少一个晶体管114与116。可用于本实施例的光敏二极管的范例例如为申请日为2005年12月1日的美国专利申请第11/291880号，在此将该美国专利申请并入本申请中。举例来说，半导体衬底110可包括P型硅。硅外延层(外延层或外延)可借助如化学气相沉积的方法形成于半导体衬底110上。在此，外延层可具有比重度掺杂的P型硅衬底110的掺杂浓度低的较低掺杂浓度。本实施例中的光敏二极管包括感光区，即形成于硅外延层内的掺杂的N型掺杂区域122与124。所有掺杂均可借助实施具有多重步骤的离子注入或扩散其中之一程序来达成，可以理解的是，上述掺杂情形可为相反，即提供N型半导体衬底及外延层，其内具有P型掺杂的感光区域。
半导体衬底110也可包括如浅沟槽隔离构件的横向隔离区(未示出)，以隔离形成于半导体衬底上的像素和/或其他装置。这些其他装置可包括分别为N型或P型掺杂情形的不同掺杂区域，例如为N型阱区或P型阱区。虽然本实施例中采用光敏二极管作为示例，也可理解的是尚可采用其他种类的像素。其他种类的像素包括固定层光敏二极管、光晶体管(如p/n/p或n/p/n)以及感光栅极等。此外，也可采用如包括一个光敏二极管以及四个晶体管(即转移栅晶体管、复位晶体管、源极跟随晶体管以及选择晶体管)的4T有源像素的结构或者采用4T操作概念(即分享用于不同像素复位晶体管以及源极跟随晶体管)作为上述像素。也可存在有额外电路，以提供控制像素100的种类以及感测光线种类的适当功能。
影像感测器10内还包括多个内连金属层，包括分别位于像素102与104之上的第一内连金属层130与第二内连金属层132。这些内连金属层130与132可用于内部连接形成于衬底110上的多个装置。这些内连金属层130与132可包括如铝、铝合金、铜、铜合金、钛、氮化钛、钨、多晶硅、金属硅化物和/或上述材料的组合物等导电材料。影像感测器10可还包括金属层间介电层134，以将设置于影像感测器10内的内部连接金属层130与132绝缘。金属层间介电层134可包括如具有介电常数低于约3.5的低介电常数介电材料的材料。金属层间介电层134可包括掺碳的氧化硅、氟掺杂的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚亚酰胺、旋涂玻璃、非晶氟化碳和/或其他适当材料。虽然在此出于简化附图的目的，仅示出金属层间介电物134以及设置于其内的两个内连金属层130与132，可以理解的是影像感测装置中通常使用多个内连金属层以及金属层间介电层。
影像感测器10还包括彩色滤光层，该彩色滤光层覆盖于半导体衬底110的后侧表面112上。在本实施例中，彩色滤光层包括用以过滤穿透至第一像素102处且具有第一波长(例如红光、蓝光或绿光)的可见光的第一彩色滤光物142以及用于过滤穿透至第二像素104处且具有第二波长的可见光(如红光、蓝光或绿光)的第二彩色滤光物144。这些彩色滤光物142与144可选自包括具有彩色染料的树脂或其他有机材料。
影像感测器10还包括多个微透镜150。这些微透镜150可经过不同设置后而覆盖于彩色滤光物142与144以及像素102与104之上。在此，微透镜150可具有多种形状，且可依据用于微透镜的材料的折射系数以及距离微透镜至感测装置表面的距离来决定。
在操作时，影像感测装置10设计用于接收朝向半导体衬底110的后侧表面112照射的可见光。可见光借助微透镜150而被引导到彩色滤光物142与144。由于光线并未被覆盖于半导体衬底110的前侧表面111上的多个元件结构(例如栅电极等)或金属构件(如内连金属层130与132)所破坏，因此可将此穿透彩色滤光物142与144以及像素102与104的光线最大化。所期望波长的光线(如红光、蓝光与绿光)可穿透各像素102与104，因而形成可被纪录与处理的光电流。然而，在相邻微透镜150间仍存在区域160，在微透镜的此区域160内则表现出不良光线控制能力。因此，穿透此区域160的光线无法照射至适当的处理像素。如此，在相邻像素之间便可能发生光学串扰现象并因此导致不良的元件表现。
请参照图3与图4A-图4C，它们分别示出用于制造后侧照光影像感测装置400的方法300的流程图以及依据方法300所制作的影像感测装置400在工艺中不同阶段的剖面图。如图4A-图4C所示的影像感测装置400除了以下几点不同处外，其余均相似于如图1-图2B所示的影像感测装置10。在此在图4A-图4C与图1-图2B中相似处采用了相同的附图标记。请参照图3，方法300起始于步骤302，首先提供半导体衬底110，半导体衬底110具有前侧表面111及后侧表面112。在半导体衬底110上可还包括外延层。接着进行步骤304，在半导体衬底110上形成数个像素102与104，上述像素分别具有如光敏二极管的感光元件122与124以及至少一个晶体管114与116。形成像素的程序为公知的，故在此不再详述其工艺。
接着进行步骤306，在半导体衬底110上形成数个内连金属层130与132以及金属层间介电物134。形成内连金属层以及金属层间介电物的方法为公知的，故不在此详述。接着进行步骤308，在衬底110的后侧表面112上形成平坦层402。平坦层402可包括氧化硅。或者，平坦层402可选自氮化硅、氮氧化硅或其他适当的材料。平坦层402可借助适当沉积方式或公知的旋转涂布方式来形成。接着继续步骤310，借助光刻与蚀刻方式图案化平坦层402，以在平坦层402中形成开口区404与406。开口区404与406可具有约0.2微米的宽度。或者，开口区404与406可具有少于0.2微米的宽度。
请参照图4A，接着进行步骤312，在图案化的平坦层402之上形成黑阻剂层410。因此，黑阻剂层410可填入位于平坦层402内的开口区404与406内。黑阻剂层410可借助沉积方式、旋转涂布方式或其他适当方式来形成。或者，也可选择性地使用其他适当的不透光材料来替代黑阻剂层。在图4B中，接着继续步骤314以回蚀黑阻剂层410，直至露出平坦层402。回蚀程序中包括可选择性地除去黑阻剂层410的蚀刻剂，并采用平坦层402作为蚀刻停止层。
请参照图4C，接着继续步骤316，在图案化的平坦层402上形成包括彩色滤光物142与144的彩色滤光层。彩色滤光层中两个相邻彩色滤光物142与144的区域大体覆盖于平坦层402内的为黑阻剂层所填满的开口域402与406之上。接着进行步骤318，在彩色滤光层上形成多个微透镜150，设置这些微透镜150，可引导朝向半导体衬底110的后侧表面112照射的光线穿透至对应的像素102与104处。经由微透镜150的设置，可使得介于两相邻微透镜间的区域大体覆盖于平坦层402内为黑阻剂层所填入的区域404与406上。
在操作时，影像感测装置400设计为接收朝向半导体衬底110的后侧表面112照射并穿透的入射光。入射光经由微透镜150而被引导朝向彩色滤光物142与144前进。由于入射光并未被覆盖于半导体衬底110的前侧表面上111的多个构件(如栅电极)或金属构件(例如金属层130与132)所破坏，因此可将穿透彩色滤光物142与144以及像素102与104的入射光量最大化。所期望波长的光线(如红光、蓝光与绿光)可穿透各像素102与104，因而形成可被纪录与处理的光电流。然而，在本实施例中，存在于相邻微透镜150之间的区域420为微透镜表现出不良光控制能力之处。因而当光线穿透此区域420时可能无法被引导至适当的处理像素。然而，在本实施例中，穿透此区域420的光线可为位于平坦层402内的区域404与406中所填满的黑阻剂层所遮蔽或阻挡。如此，位于平坦层402内的区域404与406可因而将相邻像素间的光学串扰问题最小化。
请参照图5与图6A-图6C，它们分别示出用于制造后侧照光影像感测装置600的方法500的流程图以及依据方法500所制作的影像感测装置600于工艺中不同阶段的剖面图。如图6A-图6C所示的影像感测装置600除了以下几点不同处外，其余均相似于如图1-图2B所示的影像感测装置10。在此图6A-图6C与图1-图2B中相似处采用了相同的附图标记。请参照图5，方法500起始于步骤502，首先提供半导体衬底110，半导体衬底110具有前侧表面111及后侧表面112。半导体衬底110上还可包括外延层。接着进行步骤604，在半导体衬底110上形成数个像素102与104，上述像素分别具有如光敏二极管的感光元件122与124以及至少一个晶体管114与116。形成像素的程序为公知的，故在此不详述其工艺。
接着进行步骤506，在半导体衬底110上形成数个内连金属层130与132以及金属层间介电物134。形成内连金属层以及金属层间介电物的方法为公知的，故不在此再次详述。接着进行步骤508，在衬底110的后侧表面112上形成平坦层602。平坦层602可包括氧化硅。或者，平坦层602可选自氮化硅、氮氧化硅或其他适当的材料。平坦层602可借助适当沉积方式或公知的旋转涂布方式来形成。
接着继续步骤510，在平坦层602上形成彩色滤光层。在此，彩色滤光层中包括第一彩色滤光物142以及第二彩色滤光物144，第一彩色滤光物142用以过滤穿透至第一像素102的具有第一波长的可见光(例如红光、蓝光与绿光)，第二彩色滤光物144用以过滤穿透至第二像素104的具有第二波长的可见光(例如红光、蓝光与绿光)。这些彩色滤光物142与144可包括染料型(或颜料型)聚合物，借以过滤特定频带的光线(例如期望的可见光波长)。或者，这些彩色滤光物142与144可选择性地包括具有染料的树脂或其他有机型材料。形成彩色滤光层的工艺为公知的，故不在此重复描述。
接着继续步骤512，借助光刻与蚀刻方式图案化彩色滤光层，以在彩色滤光层中形成开口区604与606。开口区604与606位于相邻的彩色滤光物142与144之处。开口区604与606可具有约0.2微米的宽度。或者，开口区604与606可具有少于0.2微米的宽度。请参照图6A，接着进行步骤514，在图案化的彩色滤光层之上形成黑阻剂层610。因此，黑阻剂层610可填入位于彩色滤光层内的开口区604与606内。黑阻剂层610可借助沉积方式、旋转涂布方式或其他适当方式来形成。或者，也可选择性地使用其他适当的不透光材料来替代黑阻剂层
在图6B中，接着继续步骤516以回蚀黑阻剂层610，直至彩色滤光物142与144露出。回蚀程序中包括可选择性地除去黑阻剂层410的蚀刻剂并采用彩色滤光层作为蚀刻停止层。请参照图6C，接着进行步骤518，在彩色滤光层上形成多个微透镜150，设置这些微透镜150，可引导朝向半导体衬底110的后侧表面112照射的光线穿透至对应的像素102与104处。经由微透镜150的设置，可使得介于两个相邻微透镜间的区域大体覆盖于彩色滤光层内为黑阻剂层所填入的区域404与406上。
在操作时，影像感测装置600设计为接收朝向半导体衬底110的后侧表面112照射并穿透的入射光。入射光经由微透镜150而被引导朝向彩色滤光物142与144前进。由于入射光并未被覆盖于半导体衬底110的前侧表面上111的多个构件(如栅电极)或金属构件(例如金属层130与132)所破坏，因此可将穿透彩色滤光物142与144以及像素102与104的入射光量最大化。所期望波长的光线(如红光、蓝光与绿光)可穿透各像素102与104，因而形成可被纪录与处理的光电流。然而，在本实施例中，存在于相邻微透镜150之间的区域620为微透镜表现出不良光控制能力之处。因而当光线穿透此区域620时可能无法被引导至适当的处理像素。然而，在本实施例中，穿透此区域620的光线可被彩色滤光层内的区域604与606中填满的黑阻剂层所遮蔽或阻挡。如此，位于彩色滤光层内的区域604与606可因而将相邻像素间的光学串扰问题最小化。
虽然本发明已通过优选实施例公开如上，然而所公开内容并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改，因此本发明的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种影像感测装置，包括：
半导体衬底，具有前表面以及后表面；
多个像素，形成于该半导体衬底的该前表面上，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；
彩色滤光阵列，形成于所述多个像素上，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，所述多个彩色滤光物分别能使得具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素其中之一处；以及
多个微透镜，形成于该彩色滤光阵列上，其中所述多个微透镜分别用于将光线引导照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处；
其中该彩色滤光阵列还包括遮光结构，其能阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进。
2.如权利要求1所述的影像感测装置，其中该彩色滤光阵列形成于该半导体衬底的该后表面上。
3.如权利要求2所述的影像感测装置，其中该遮光结构包括黑阻剂，设置于介于所述多个相邻彩色滤光物间的空间处。
4.如权利要求3所述的影像感测装置，还包括：平坦层，形成于该半导体衬底的该后表面与所述多个彩色滤光阵列之间。
5.如权利要求1所述的影像感测装置，其中该遮光结构包括具有透光部以及不透光部的平坦层，该平坦层设置于该衬底的后表面以及该彩色滤光阵列之间，而该不透光部设置于所述多个相邻彩色滤光物间的区域的下方。
6.如权利要求5所述的影像感测装置，其中该不透光部包括黑阻剂。
7.如权利要求5所述的影像感测装置，其中该透光部的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述材料的组合物。
8.一种半导体装置，包括：
衬底，具有前表面以及后表面；
多个像素，形成于该半导体衬底的该前表面上，其中所述多个像素分别用于感测照射光线；
彩色滤光阵列，形成于所述多个像素上，该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，所述多个彩色滤光物分别能使得具有特定波长的光线通过并抵达至少所述多个像素之一处；
多个微透镜，形成于该彩色滤光阵列上，所述多个微透镜分别用于将光线引导照射至该彩色滤光阵列中的所述多个彩色滤光物其中之一处；以及
阻障结构，设置于该衬底的后表面与所述多个微透镜之间，该阻障结构能阻绝朝向介于相邻的所述多个微透镜间的区域照射的光线前进而不抵达所述多个像素处。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该阻障结构包括设置于所述多个相邻彩色滤光物间的区域的黑阻剂。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该阻障结构形成于该衬底的后表面与该彩色滤光阵列的底面之间，而该平坦层具有设置于介于所述多个相邻彩色滤光物之间的下方区域的黑阻剂。
11.如权利要求8所述的半导体装置，其中具有特定波长的该光线的波长为红光、绿光与蓝光的波长。
12.如权利要求11所述的半导体装置，其中所述多个像素分别包括光敏二极管以及至少一个晶体管。
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