CN101346736A - 微电路卡的制作方法 - Google Patents

微电路卡的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101346736A
CN101346736A CNA200680049190XA CN200680049190A CN101346736A CN 101346736 A CN101346736 A CN 101346736A CN A200680049190X A CNA200680049190X A CN A200680049190XA CN 200680049190 A CN200680049190 A CN 200680049190A CN 101346736 A CN101346736 A CN 101346736A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microcircuit
making
film body
support film
mould
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200680049190XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101346736B (zh
Inventor
弗朗索瓦·洛奈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemia France SAS
Original Assignee
Oberthur Card Systems SA France
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oberthur Card Systems SA France filed Critical Oberthur Card Systems SA France
Publication of CN101346736A publication Critical patent/CN101346736A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101346736B publication Critical patent/CN101346736B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/021—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles by casting in several steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
    • B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
    • B29C70/72—Encapsulating inserts having non-encapsulated projections, e.g. extremities or terminal portions of electrical components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明涉及微电路卡的制作方法，其包括以下工序：微电路定位工序：其使微电路定位在具有开口腔槽的模具中；材料沉积工序：其将材料沉积在所述模具的开口腔槽中，所述材料的粘度足够小以便至少间接地封装所述微电路的至少一部分。

Description

微电路卡的制作方法
技术领域
[01]本发明涉及微电路卡的制作方法以及相关的微电路卡。
[02]本发明涉及微电路卡，其包括微处理器卡、存储器卡--例如数字数据存储卡(“Secure Digital(安全数字)”卡即SD卡)、闪存卡或小型多媒体卡。
[03]微电路卡基本包括卡体和电子模块，所述卡体一般用塑料材料制成。
[04]该电子模块尤其包括微电路，所述微电路呈集成电路和印刷电路的形式，所述集成电路固定在所述印刷电路上并且所述印刷电路限定电触点的外部范围。电子模块固定在卡体中，以便电触片齐平于卡体的主要表面之一。
背景技术
[05]这种微电路卡的技术规格例如是ISO 7816标准所定义的技术规格。在这种情况下，涉及智能卡。根据该标准，卡的厚度约为0.76毫米。在这种情况下，微电路适于根据ISO 7816标准与智能卡读卡器连通，例如通过使用称为“T＝0”的协议。
[06]但是，卡的厚度可以是任意的。
[07]卡适于定位在读卡器中，以致卡的触片(plages de contacts)与读卡器的连接器进行电接触。
[08]根据一实施变型，微电路可包括闪存存储器、标记传感器(capteurd′empreinte)、显示屏、日光传感器。
[09]使用广泛的一种组装方法在于：用热塑性材料的压延工艺或注射工艺制造塑料载体，再将电子模块胶合在为此而实施的塑料载体的腔槽中。后一操作已知称为“装卡”。
[10]因此，图1示出装卡操作。电子模块1包括外电触点2和微电路3，所述外电触点2适于被连接在一读卡器中，所述微电路3例如包括微处理器或存储模块。微电路3通过电连接线4被连接于外电触点2。为了保护电子模块，树脂5保护微电路3和电连接线4。制有一塑料卡体6，且所述卡体包括适于接纳电子模块1的腔槽7。然后，电子模块1被固定在腔槽7中。
[11]为了消除该装卡工序，从名为“存储器卡的实施方法以及使用所述方法获得的卡”的文献EP 0277854已知使用注射成型法获得。
[12]该方法基于模具21的使用，所述模具21具有所需的卡体形状，如图2所示。所述方法包括将电子模块22插入到模具21中，并使电子模块22保持就位，以使电子模块22的存取面靠着模具的一壁布置。然后，在模具中引入塑料材料，以使塑料材料占据电子模块未占据的由模具壁限制的整个空间。
[13]但是，这种系统的缺陷是制作方法复杂。同样，电子模块在模具中的保持就位需要特殊方法，尤其是利用起模针(picot)或活塞实施的方法，其结果是增加模具成本。
[14]因此，当通过模制制造卡时，始终需要降低生产成本和简化设备。
发明内容
[15]为此，本发明提出一种微电路卡制作方法，其包括以下工序：
[16]微电路定位工序：其使微电路定位在具有开口腔槽的模具中；
[17]材料沉积工序：其将材料沉积在所述模具的开口腔槽中，所述材料的粘度足够小以便至少间接地封装所述微电路的至少一部分；以及
[18]使带有所述微电路的材料脱模的工序。
[19]实际上，为了简化微电路卡的制作方法并降低其成本，采用在开口模具中沉积材料的方法制作所述微电路卡。
[20]与注射式模具相比较，开口模具制作简化，因而成本较低。
[21]此外，该方法完全不需要传输压制机或注射机构。
[22]尤其是，开口腔槽具有待制作的微电路卡的形状。
[23]所用材料必须足够稀(粘性不大(peu visqueux))，以便材料至少间接地封装微电路的至少一部分(也可以用封装树脂或类似的材料)。材料越稀(liquide)，越能更好地充填模具的腔槽(且有利的是该材料和微电路之间未来的机械连接越好)，且工业生产进度越快。
[24]此外，该制作方法可仅需要使用低温。因此，该方法对卡的微电路没有影响。
[25]根据本发明，各种有利的特征可单独地或组合地加以实施。
[26]根据一实施方式，所述材料的粘度允许在沉积之后获得基本上光滑的自由表面。
[27]根据该特征，表面是光滑的(且有利地是平的)使得能最大限度地减小对该表面的后续处理。
[28]此外，该材料有利地具有流动性，该流动性允许尤其是可在模具中进行均匀分布。
[29]根据一实施方式，沉积用浇注法在模具中进行。
[30]有利地，材料的粘度小于10000毫帕秒。但是，优选地，材料的粘度为500至5000毫帕秒或50至100毫帕秒。
[31]根据一实施方式，模具的开口腔槽有利地具有微电路卡的形状。
[32]根据一有利特征，材料是可聚合材料。
[33]优选地，材料主要包括热固性树脂。材料还可包括硬化剂。
[34]此外，树脂例如是聚氨酯(polyuréthane)。
[35]根据一实施方式，材料包括填料，尤其是为了调节粘度。
[36]根据特殊实施方式，所述方法有利地包括被沉积材料硬化工序和/或被沉积材料加热工序和/或模具预热工序。
[37]在涉及高生产率的工业范围，它允许很好地控制芯片卡的硬化。
[38]为了使制作的微电路卡具有所需的刚度，所述方法有利地还包括一道聚合工序。
[39]为此，树脂有利地选择成在聚合工序之后，具有高于50℃的玻璃转化温度。
[40]在移动电话的微电路卡的制作方面，树脂有利地选择成在聚合工序之后，具有高于70℃的玻璃转化温度。
[41]根据一特殊实施方式，树脂有利地选择成所具有的材料硬度大于70肖氏硬度。
[42]根据一实施变型，材料沉积工序有利地在微电路定位工序以后实施。
[43]有利地，所述模具包括至少一孔，所述孔设于所述模具的底部，以便通过吸持使所述微电路保持就位。
[44]根据该特征，微电路的定位得以简化，并可在制作阶段使微电路卡保持在其模具中。
[45]另一方面，借助于该孔，微电路卡在其制作之后很容易脱模。
[46]根据一特殊实施方式，微电路有利地包括外部触点，外部触点靠于模具的底部定位。
[47]有利地，所述至少一孔定位在外部触点的定位处，以使外部触点的保持得到改进。
[48]根据一实施变型，材料沉积工序在微电路定位工序之前预先实施。
[49]根据该实施例，微电路包括外部触点，外部触点在完全硬化之前预先定位在被沉积材料的表面处。
[50]根据另一实施方式，微电路有利地固定于一支撑膜体。
[51]有利地，该支撑膜体承载外部触点。
[52]有利地，所述支撑膜体在一表面上具有外部触点，而在另一表面上具有所述微电路，相互连接件布置在所述微电路的端子与所述外部触点的至少某些外部触点之间。
[53]支撑膜体也可还具有天线的至少一部分，有利地，所述天线可连接于微电路。
[54]根据一实施方式，所述天线有利地布置在所述微电路的配有所述支撑膜体的表面上。
[55]有利地，支撑膜体通过至少一端部固定于模具和/或通过材料滴团加以固定。根据该特征，在微电路卡在模具中的制作阶段期间，可确保支撑膜体良好地保持在模具中。
[56]根据一特殊实施方式，所述微电路通过定位在所述支撑膜体上的粘合剂层被固定于该支撑膜体。根据该特征，微电路由膜上的粘合剂被保持定位在模具中，无需例如吸持孔。
[57]根据一特殊特征，微电路的外部触点由所述粘合剂层固定于支撑膜体。
[58]根据另一特殊特征，除去支撑膜体以释出所述微电路的触点。
[59]根据本发明的另一实施变型，微电路固定在支撑膜体上，有利地存在将所述支撑膜体在所述模具中固定于一中间位高以致材料封装所述支撑膜体的工序。
[60]根据该特征，使支撑膜体固定成：例如材料封装膜，尤其是形成在其中央具有微电路的卡。该卡可以是非接触式卡，但是也可以是有触点卡，微电路埋置在材料中。
[61]有利地，支撑膜体具有天线的至少一部分。
[62]根据一实施方式，支撑膜体有利地包括允许材料散布的孔。
[63]根据另一实施方式，支撑膜体有利地与模具的某些边保持一定距离。
[64]根据又一实施方式，支撑膜体有利地由材料滴团保持。
[65]根据另一实施变型，微电路有利地固定在一支撑膜体上，所述方法包括以下工序：
[66]通过第一材料沉积层充填所述模具底部的工序；
[67]将所述支撑膜体定位在材料中的工序；
[68]通过将第二材料沉积层充填在所述模具中来覆盖所述支撑膜体的工序。
[69]根据该实施方式，制作无触点的微电路卡。但是，该实施方式适用于有触点的卡，外部触点固定于卡的表面，并将这些外部触点电连接到微电路。
[70]根据一特殊实施方式，支撑膜体具有天线的至少一部分。
[71]这样，智能卡可以是非接触式卡或双卡(carte duale)。
[72]优选地，制作的卡符合ISO 7816标准，其厚度基本上等于0.76毫米。
附图说明
[73]在参照附图对仅作为非限制性实施例给出的实施方式所作的说明中，本发明及其优越性将得到更清楚的理解，附图如下：
[74]图1示出根据现有技术中的装卡方法制作的卡；
[75]图2示出现有技术中用注射法制作的卡；
[76]图3是一开口模具的示意图；
[77]图4是在外表面上具有一组图案的支撑膜体的示意图；
[78]图5是在内表面上具有微处理器的支撑膜体的示意图；
[79]图6是微电路固定在倒装芯片式支撑膜体上的示意图；
[80]图7示出微电路在本发明的模具中的定位；
[81]图8示出按本发明的在模具中的微电路卡；
[82]图9示出本发明的刀具的使用；
[83]图10示出在微电路定位之前预先将材料沉积在模具中；
[84]图11是微电路将要定位在材料上的材料层的示意图；
[85]图12是微电路固定在模具中的材料层上的示意图；
[86]图13示出仅具有单排触点的膜；
[87]图14示出仅具有单排触点且具有微电路的膜；
[88]图15示出由可拆卸的构件组成的模具；
[89]图16是模具的俯视图；
[90]图17示出非接触式卡的载体；
[91]图18是非接触式卡的载体的示意图；
[92]图19是按本发明的非接触式卡的第一实施方式的示意图；
[93]图20是按本发明的非接触式卡的第二实施方式的示意图；
[94]图21示出本发明的非接触式卡的第二实施方式的另一实施变型；
[95]图22示出材料在模具中的沉积，以根据第三实施方式制作非接触式卡；
[96]图23示出嵌体在模具中的定位，以根据第三实施方式制作非接触式卡；
[97]图24示出在模具中沉积第二材料层，以根据第三实施方式制作非接触式卡；以及
[98]图25示出由可拆卸构件组成的模具的另一实施方式。
具体实施方式
[99]本发明在于用低成本的模制方法制作卡，尤其是微电路卡，所述模制方法采用将材料尤其是聚氨酯树脂分配、也称为浇注在开口模具中。
[100]为此，所述方法使用具有敞开腔槽的开口模具31，如图3所示。模具具有限定型腔的开口腔槽，所述型腔赋予所需卡体的外部形状。为此，其在宽度和长度上具有所需卡的形状和尺寸，从而降低生产成本。
[101]模具可采用微电路卡的形状，即由ISO-7816标准限定的银行卡的规格，但是也可采用微型卡的形状，例如尤其是符合ISO 7816标准的SIM卡、或者SD卡。
[102]根据一实施变型，模具呈中间载体的形状，所述中间载体以后用作最终微电路卡的组成部分。该中间载体例如是一模块，所述模块由具有微电路或存储器的载体组成，或者所述中间载体具有任何其它形状。
[103]在一实施方式中，所用微电路尤其具有一个或多个微处理器和/或一个或多个存储器、以及一支撑膜体，所述支撑膜体可具有内部触点和外部触点。
[104]该支撑膜体也可包括屏、光学指纹传感器、或者微型机械系统或微型光学系统。
[105]根据一实施变型，微电路可布置在支撑膜体的厚度中，或布置在为此而配置的支撑膜体的腔槽中。
[106]支撑膜体的厚度可根据使用的材料进行变化。所述厚度平均为50微米至200微米。
[107]这样，定位有触点和微电路的支撑膜体示于图4和5。支撑膜体41尤其用挠性材料制成，具有多个图案42，其起每个微电路用的外部触点44的作用。这些图案尤其固定在膜体41的一表面上，所述表面称为外表面43。
[108]微电路51例如包括微处理器或存储器，所述微电路固定在与外部触点相对的表面上，即固定在支撑膜体41的第二表面上，所述第二表面也称为支撑膜体41的内表面52，如图5所示。这样，一微电路51在每个外部触点44的位置胶接在支撑膜体的内表面52上，以使每个外部触点图案都具有一微电路。
[109]根据一特殊实施方式，外部触点44和微电路51在支撑膜体41上没有靠近，而是远离开。外部触点44与微电路51之间的连接由支撑膜体上或支撑膜体中的导线加以确保。
[110]根据另一实施变型，微电路51可布置在支撑膜体41的厚度中，或布置在为此而配置的支撑膜体的腔槽中。
[111]然后，电连接件53实施在微电路51的连接端子、与由支撑膜体外表面43所支承的外部触点44的一图案的至少一触点之间。
[112]这样获得由支撑膜体41所形成的带，所述支撑膜体在其表面之一上具有多个图案，每个图案还具有一微电路51，所述微电路51在膜体的相对表面上连接到所述膜体。
[113]支撑膜体尤其可以是环氧玻璃膜，用聚对苯二甲酸乙二醇酯(poly éthylène térephtalate)或聚酰亚胺制成。
[114]在实施变型中，微电路51没有安装在支撑膜体上，而是呈形成集成电路的微型控制器和天线的形式。
[115]外部触点44和微电路51通过支撑膜体41的连接，可用倒装芯片(英文术语为“Flip-chip”)的方法获得，如图6所示。
[116]根据该方法，外部触点44定位在支撑膜体41的外表面43上。在支撑膜体41的内表面52上具有微电路51，所述微电路予以定位且连接于导电轨53。导电轨63通过电连接件53使微电路51与外部触点44相连接，所述电连接件53尤其由金属化孔也称为金属化“通孔(vias)”实施而成。微电路51由一构件例如绝缘的或各向异性导电的胶体61加以固定。同样，微电路51与导电轨63之间的连接由导电的厚度余量部分62(英文术语称为“bump”)进行。
[117]根据芯片没有倒装(“Flip-Chip”)的另一实施方式，外部触点44和微电路51通过支撑膜体41的连接可用微电路与导电轨63之间的有线焊接方法来进行。
[118]根据本发明的一实施方式，每个单独的微电路从支撑膜体分割开，且安放在开口模具中。微电路的外部触点靠于模具底部定位，如图7所示。
[119]在微电路卡的情况下，位置由ISO国际标准限定，尤其是在ISO7816标准中加以限定。
[120]微电路在模制作业期间，例如可通过经由在模具31的底部制出的孔71的吸持被保持在所需的位置。该孔以后也可使制作的卡脱模。
[121]在使用包括微电路的支撑膜体的情况下，其布置在模具底部，且在制作工序期间，吸持孔使支撑膜体保持定位。
[122]根据又一实施变型，可在支撑膜体的周边沉积材料滴团来保持所述支撑膜体。
[123]然后，材料72尤其通过浇注被沉积在容纳微电路的模具中，以便至少间接地封装微电路的至少一部分，微电路本身可至少部分地被树脂封装。这种封装有助于材料与微电路的良好附着性。这种材料例如是聚氨酯树脂。这尤其涉及Axson树脂F31。这种材料也必须具有适合的湿润特性，以便这种材料至少部分地和至少间接地与微电路接触。
[124]沉积、尤其是浇注沉积在模具中的材料的数量计算成：充填模具，直至达到微电路卡所需的厚度位高。根据ISO 7816标准制作的卡的厚度约为0.76毫米。
[125]显然，沉积可在一定的位置进行，或者例如使用多个沉积喷口同时在多个位置进行。这种应用具有快速制作大量微电路卡的优越性。
[126]沉积材料尤其由基本的聚氨酯树脂和使树脂聚合的硬化剂混合而成。
[127]混合物的粘度应当可令人满意地布满限定卡的模具的表面，在整个所述表面上获得均匀的厚度，且获得基本上光滑的、且有利的是平坦的自由表面，如图8所示。
[128]为此，材料也可包括填料(charge)，例如二氧化钛，以便调节粘度。
[129]为此，混合物在25℃的粘度必须小于10000毫帕秒。优选地，在25℃下，粘度约为数千毫帕秒，且有利地为500至5000毫帕秒。
[130]根据一优选实施方式，树脂例如是Axson树脂F31，其粘度为50至100毫帕秒，且其玻璃转化温度高于50°。
[131]必须指出，较低的温度足以制作这种微电路卡。这样，对于膜体、微处理器或存储器、及微电路与外部触点之间的联接件来说，所述方法应力极小，且这些联接件用有线焊接的方法或用倒装芯片的方法加以实施。
[132]根据一实施变型，如图9所示，使用刮刀91，以均化微电路卡的厚度。
[133]模具也可被预热，以加快被沉积材料的胶凝或硬化，且使之在开口模具中分布最佳化。预热温度较低，尤其约为40℃，以防材料在充满模具之前硬化。
[134]同样，可采用其它技术例如紫外线硬化进行材料硬化。
[135]这些材料硬化技术旨在控制和/或明显改善微电路卡的制作方法。实际上，在工业生产情况下，该硬化工序基本上可通过在开口模具中沉积材料，来提高所制作的微电路卡的生产率。
[136]根据一特殊实施方式，所用材料在聚合作用之后的玻璃转化温度高于50℃，且硬度大于70肖氏硬度，以使之在其使用期间耐受温度变化，且刚性足以能毫无问题地插入到连接器中，例如插入到微电路卡的读卡器中。
[137]对于微型卡，尤其是SIM或USIM移动电话的识别卡，玻璃转化温度由于工作中电话的可能升温而高于70℃。
[138]卡的自由表面上的外部加热器也可用于加速硬化。例如，可采用约25℃至100℃的较低的温度。
[139]然后，使微电路卡脱模。
[140]根据本发明的另一实施方式，微电路卡的制作方法开始于材料在模具中的沉积，尤其是用浇注法沉积，然后再定位微电路，如图10所示。
[141]为此，沉积一材料层，所述材料层的厚度符合所需微电路卡，尤其是对于符合ISO 7816标准的卡来说，厚度为0.76毫米，如图11所示。
[142]然后，将微电路51定位于沉积材料的表面，同时要注意与微电路相连接的外部触点保持在材料的表面，如图12所示。
[143]最后，使这样获得的结构进行聚合。因此，使微电路卡具有刚性。
[144]根据本发明的另一实施变型，可在支撑膜体上实施微电路卡，所述支撑膜体包括微电路，但是不从支撑膜体分离开微电路。
[145]根据本发明的又一实施变型，不是采用双道式支撑膜体--即如图3和4所示的并行地具有两组触点图案，而是采用仅包括一组触点图案的支撑膜体，因此，这种膜体称为单道式膜体。
[146]根据一实施方式，定位在支撑膜体上的微电路间隔开的距离严格地大于卡的宽度，如图13和14所示的。
[147]根据一特殊实施方式，模具由两个部分构成。第一部分包括平坦的承载部，膜体则支承在该承载部上，而第二部分包括可拆卸部分，该可拆卸部分限定所需微电路卡的侧面尺寸。
[148]在将膜体定位在平坦的承载部上之后，模具的可拆卸部分在膜体上合上，如图15所示。
[149]如此安装成的模具准备好实施微电路卡的模制作业。
[150]支撑膜体在模制作业期间，也可例如通过孔71的吸持被保持在模具底部，所述孔71在模具31的底部实施在所需的位置。
[151]因此，将材料沉积在模具中。图16是模具的俯视图，其示出待实施的微电路卡组，模具装有微电路51。
[152]前述方法也适用于实施非接触式微电路卡，其装有支撑膜体，所述支撑膜体包括天线以及尤其是至少一微电路。
[153]微电路可以是微处理器或存储器，其例如用倒装芯片的制作方法或用有线焊接方法，被直接连接于天线。
[154]根据一变型，微电路包括微处理器或预装配在模块中的存储器，所述模块连接于天线。
[155]图17和18示出支撑片41，支撑片上固定着微处理器或存储器，其采用倒装芯片的制作方法被直接连接于天线171，以制作无触点微电路卡。
[156]由支撑片、天线和微处理器构成的该组件英文术语称为“inlay(嵌体)”。
[157]如此构成的嵌体可被用于制作微电路卡。
[158]根据如图19所示的具有天线的卡的第一实施方式，将嵌体定位在开口模具的底部，且使材料沉积、例如用浇注法沉积在装有微处理器或存储器以及天线的嵌体的表面上。
[159]使嵌体定位并保持就位在模具底部，可由吸持部件通过实施在模具底部的孔71进行，如图19所示。
[160]材料在嵌体上的沉积在于：浇注一定量的该材料，以获得所需的厚度。
[161]根据如图20所示的具有天线的卡的第二实施方式，在一中间位高将嵌体定位在开口模具中，以使嵌体定位在卡的结构内。该中间位高差不多位于微电路卡的所需厚度的中部。
[162]为此，材料必须可在嵌体的两个表面上封装该嵌体。
[163]为此，可通过设在模具侧壁上的凹槽保持嵌体。
[164]为使材料可散布在模具底部，根据第一实施方式，可在嵌体中穿出孔201，如图20所示，以使材料浇注在嵌体下面。
[165]根据一实施变型，如图21所示，可考虑模具的边侧不被嵌体覆盖，以使材料浇注在嵌体层下面。
[166]根据又一实施变型，通过沉积材料滴团将嵌体保持就位。
[167]根据另一实施方式，可通过分为两道工序的制作方法，将嵌体封入卡中。
[168]首先，在模具底部沉积例如用浇注法沉积第一材料层，如图22所示。该第一层的厚度大致对应于所需卡的厚度的一半。
[169]然后，当材料层仍呈液态时，将嵌体定位在该材料层上，如图23所示。
[170]最后，在嵌体上沉积尤其是用浇注法沉积第二层，以使嵌体定位在卡材料的内部，如图24所示。该第二层的厚度大致对应于第一层的厚度。
[171]根据该实施方式，嵌体定位在微电路卡的厚度的中部，以便获得具有对称结构的微电路卡。
[172]显然，本发明完全不局限于所述和所示的实施方式。
[173]实际上，例如，图25示出一实施方式，其中，微电路通过粘合剂层251被固定在支撑膜体41上，所述粘合剂层251定位在支撑片41上。
[174]特别是，微电路的外部触点通过粘合剂层251被固定在支撑膜体41上，所述粘合剂层251定位在支撑片41上。
[175]根据该实施方式，模具由两个部分构成。第一部分包括平坦的承载部，支撑膜体41支承在该承载部上，而第二部分包括可拆卸部分，该可拆卸部分限定所需微电路卡的侧面尺寸。
[176]在膜体定位在平坦承载部上之后，模具的可拆卸部分在膜体上合上，如图25所示。
[177]根据该实施方式，粘合剂层使微电路保持定位在膜体上，因而在膜体定位之后，顺带地使微电路正确保持定位在模具中。
[178]然后，将材料沉积在模具中。
[179]制作结束后，使具有微电路和支撑膜体的材料脱模。以后除去膜体，以释出所述微电路的触点。

Claims (43)

1.微电路卡的制作方法，其特征在于，其包括以下工序：
微电路定位工序：其使微电路定位在具有开口腔槽的模具中；
材料沉积工序：其将材料沉积在所述模具的开口腔槽中，所述材料的粘度足够小以便至少间接地封装所述微电路的至少一部分；以及
使带有所述微电路的材料脱模的工序。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述材料的粘度允许在沉积之后获得基本上光滑的自由表面。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述沉积通过浇注在所述模具中进行。
4.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料的粘度小于10000毫帕秒。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述材料的粘度为500至5000毫帕秒。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述材料的粘度为50至100毫帕秒。
7.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述模具的开口腔槽呈所述微电路卡的形状。
8.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料是可聚合材料。
9.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料主要包括热固性树脂。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述材料还包括硬化剂。
11.根据权利要求9或10所述的制作方法，其特征在于，所述树脂是聚氨酯。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料包括填料。
13.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，它包括被沉积材料硬化工序。
14.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，它包括被沉积材料加热工序。
15.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，它包括模具预热工序。
16.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，它还包括聚合工序。
17.根据权利要求16所述的制作方法，其特征在于，树脂选择为在所述聚合工序之后，具有高于50℃的玻璃转化温度。
18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，对于移动电话的微电路卡来说，树脂选择成在所述聚合工序之后，具有高于70℃的玻璃转化温度。
19.根据权利要求17或18所述的制作方法，其特征在于，树脂选择为具有大于70肖氏硬度的材料硬度。
20.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料沉积工序在所述微电路定位工序之后进行。
21.根据权利要求20所述的制作方法，其特征在于，所述模具包括至少一孔，所述孔设于所述模具的底部，以便通过吸持使所述微电路保持就位。
22.根据权利要求20或21所述的制作方法，其特征在于，所述微电路包括外部触点，所述外部触点靠于所述模具的底部定位。
23.根据权利要求21和22所述的制作方法，其特征在于，所述至少一孔定位在所述外部触点的定位处。
24.根据权利要求1至19中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述材料沉积工序在所述微电路定位工序之前预先进行。
25.根据权利要求24所述的制作方法，其特征在于，所述微电路包括外部触点，所述外部触点在完全硬化之前预先定位在被沉积材料的表面处。
26.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述微电路固定于支撑膜体。
27.根据权利要求26所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体承载外部触点。
28.根据权利要求27所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体在一表面上具有外部触点，而在另一表面上具有所述微电路，相互连接件布置在所述微电路的端子与所述外部触点的至少某些外部触点之间。
29根据权利要求26至28中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体还具有天线的至少一部分。
30.根据权利要求29所述的制作方法，其特征在于，所述天线连接于所述微电路。
31.根据权利要求29或30所述的制作方法，其特征在于，所述天线布置在所述微电路的配有所述支撑膜体的表面上。
32.根据权利要求26至31中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体通过至少一端部被固定于所述模具。
33.根据权利要求26至32中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体由材料滴团保持。
34.根据权利要求26所述的制作方法，其特征在于，所述微电路通过定位在所述支撑膜体上的粘合剂层被固定于该支撑膜体。
35.根据权利要求34所述的制作方法，其特征在于，所述微电路的外部触点通过所述粘合剂层固定于所述支撑膜体。
36.根据权利要求34或35所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体被除去，以释出所述微电路的触点。
37.根据权利要求1至18中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述微电路被固定在支撑膜体上，存在将所述支撑膜体在所述模具中固定于一中间位高以致材料封装所述支撑膜体的工序。
38.根据权利要求37所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体配有天线的至少一部分。
39.根据权利要求37或38所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体包括允许材料散布的孔。
40.根据权利要求37至39中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体被保持离开所述模具的某些边侧。
41.根据权利要求37至40中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体由材料滴团保持。
42.根据权利要求1至18中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述微电路被固定在支撑膜体上，所述方法包括以下工序：
通过第一材料沉积层充填所述模具底部的工序；
将所述支撑膜体定位在材料中的工序；
通过将第二材料沉积层充填在所述模具中来覆盖所述支撑膜体的工序。
43.根据权利要求42所述的制作方法，其特征在于，所述支撑膜体配有天线的至少一部分。
44.根据前述权利要求中任一项所述的制作方法，其特征在于，制作的卡符合ISO 7816标准，其厚度基本上等于0.76毫米。
CN200680049190XA 2005-12-26 2006-12-22 微电路卡的制作方法 Expired - Fee Related CN101346736B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0513319 2005-12-26
FR0513319A FR2895547B1 (fr) 2005-12-26 2005-12-26 Procede de fabrication d'une carte a microcircuit
PCT/FR2006/002854 WO2007077355A1 (fr) 2005-12-26 2006-12-22 Procede de fabrication d’une carte a microcircuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101346736A true CN101346736A (zh) 2009-01-14
CN101346736B CN101346736B (zh) 2012-07-04

Family

ID=36778196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200680049190XA Expired - Fee Related CN101346736B (zh) 2005-12-26 2006-12-22 微电路卡的制作方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080272519A1 (zh)
EP (1) EP1966744B1 (zh)
CN (1) CN101346736B (zh)
AT (1) ATE531000T1 (zh)
ES (1) ES2375741T3 (zh)
FR (1) FR2895547B1 (zh)
WO (1) WO2007077355A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103996064A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 纳格雷德股份有限公司 用于智能卡的塑料层

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1923821B1 (en) * 2006-11-17 2012-03-28 Oberthur Technologies Method of fabricating an entity and corresponding device
FR3073307B1 (fr) * 2017-11-08 2021-05-28 Oberthur Technologies Dispositif de securite tel qu'une carte a puce

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4470786A (en) * 1981-07-28 1984-09-11 Omron Tateisi Electronics Co. Molding apparatus with retractable preform support pins
FR2580416B1 (fr) * 1985-04-12 1987-06-05 Radiotechnique Compelec Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique
FR2609821B1 (fr) * 1987-01-16 1989-03-31 Flonic Sa Procede de realisation de cartes a memoire et cartes obtenues par la mise en oeuvre dudit procede
FR2702067B1 (fr) * 1993-02-23 1995-04-14 Schlumberger Ind Sa Procédé et dispositif de fabrication de cartes à mémoire.
DE4435802A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung von Datenträgern mit eingebetteten Elementen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
FR2730576B1 (fr) * 1995-02-15 1997-04-04 Gemplus Card Int Procede de fabrication de cartes electroniques et cartes obtenues par un tel procede
FR2736740A1 (fr) * 1995-07-11 1997-01-17 Trt Telecom Radio Electr Procede de production et d'assemblage de carte a circuit integre et carte ainsi obtenue
WO1998009252A1 (de) * 1996-08-26 1998-03-05 Tomas Meinen Verfahren zur herstellung von chipkarten
DE19716912B4 (de) * 1997-04-22 2006-06-08 Assa Abloy Identification Technology Group Ab Verfahren zur Fixierung eines Chipmoduls in einer Chipkarte
FR2780847B1 (fr) * 1998-07-03 2000-09-22 Rue Cartes Et Systemes De Procede de fabrication d'une carte a microcircuit incluant une antenne et carte a microcircuit ainsi obtenue
DE10148105A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-17 Orga Kartensysteme Gmbh Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen Bauelementen einer Datenträgerkarte
DE10216652A1 (de) * 2002-04-15 2003-10-23 Orga Kartensysteme Gmbh Spritzgussverfahren zur Herstellung einer Chipkarte und nach diesem Verfahren hergestellte Chipkarte
DE10334578A1 (de) * 2003-07-28 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Chipkarte, Chipkartenmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines Chipkartenmoduls

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103996064A (zh) * 2013-02-18 2014-08-20 纳格雷德股份有限公司 用于智能卡的塑料层
CN103996064B (zh) * 2013-02-18 2017-08-25 耐瑞唯信有限公司 用于智能卡的塑料层

Also Published As

Publication number Publication date
FR2895547B1 (fr) 2008-06-06
WO2007077355A1 (fr) 2007-07-12
EP1966744B1 (fr) 2011-10-26
ATE531000T1 (de) 2011-11-15
FR2895547A1 (fr) 2007-06-29
ES2375741T3 (es) 2012-03-05
CN101346736B (zh) 2012-07-04
US20080272519A1 (en) 2008-11-06
EP1966744A1 (fr) 2008-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101404861B (zh) 电路装置及其制造方法
US6468835B1 (en) Method for making smart card or similar electronic device
US6988668B2 (en) IC card and method of manufacturing the same
US20020093120A1 (en) Manufacturing method of an electronic device package
CN101127313A (zh) 树脂材料
CN101346736B (zh) 微电路卡的制作方法
US20060172464A1 (en) Method of embedding semiconductor element in carrier and embedded structure thereof
US8300419B2 (en) Electronic circuit device and method of making the same
KR102119992B1 (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
EP1244055B1 (en) Method for Manufacturing a Portable Electronic Medium
US6548888B1 (en) Integrated circuit card comprising an interface terminal strip and method for making same
US8173056B2 (en) Method of fabricating an entity and corresponding device
CN109383047A (zh) 树脂成型装置以及树脂成型品的制造方法
DE19639902C2 (de) Verfahren zur Herstellung kontaktloser Chipkarten und kontaktlose Chipkarte
CN103573034B (zh) 加强强度的卡式钥匙及其制造方法
EP1346316B1 (en) Electronic data storage medium
CN104067299A (zh) 生产避免芯片和数据载体主体之间的机械应力的数据载体的方法
CN1309796A (zh) 制造包括至少一个集成电路芯片的便携式电子装置的方法
CN103999098B (zh) 智能卡的制造方法
JPH11354554A (ja) Ｉｃチップの封止方法およびｉｃカードの製造方法
KR20060119943A (ko) 인캡슐런트를 이용한 부분 캡슐화 방법 및 장치
TW202303455A (zh) 製造智慧卡模組及支持該模組的可撓性材料條帶的方法
WO1999023606A1 (de) Verfahren zur herstellung kontaktloser chipkarten und kontaktlose chipkarte

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120704

Termination date: 20201222