CN101329482A - 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板，该液晶显示器包括：第一基板，其包括形成在其上的第一电极和第二电极；第二基板，其包括形成在其上的第三电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；以及形成在该第三电极上的至少一个切口，其中该至少一个切口与该第一和第二电极间的间隔对准。

Description

液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板
本申请是2004年3月26日向中国专利局提交的题为“液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板”，申请号为200410031213.7的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是一种使用最广泛的平板显示器。LCD用在笔记本或膝上型电脑、台式电脑监视器和电视机中。LCD重量轻，且比传统的阴极射线管(CRT)显示器占用的空间少。
LCD的通常结构由位于一对面板之间的液晶(LC)层构成，该对面板包括电场形成电极和偏振片。LC层受由电极产生的电场的作用，且电场强度的变化改变LC层的分子取向。例如，根据施加的电场，LC层的分子改变其取向，且使经过该LC层的光偏振。适当定位的偏振滤光片(polarized filter)阻挡了该偏振光，形成可表现所需图像的暗区。
LCD质量的一个量度标准是视角(即，观看LCD时的可用区域，其中可看到最小对比度)。已经提出了各种用于增大视角的技术，包括采用垂直配向的LC层并在像素电极上设置切口或凸起的技术。但是，切口和凸起降低了开口率(aperture ratio)(即子像素(sub-pixel)的实际尺寸与子像素的可透光的区域之间的比)。为了增大开口率，已经建议将像素电极的尺寸最大化。但是，像素电极尺寸的最大化导致像素电极间的距离减小，在像素电极之间引起很强的横向电场。强电场导致LC分子的取向的所不期望的改变，产生纹理和光泄漏并降低显示特性。
伴随用于在LCD的面板上形成各种图形的光刻工艺，产生另外的问题。当LCD的底板过大以致于不能使用曝光掩模时，整个曝光(例如对抗蚀剂的照射)通过重复分区域曝光来完成。这被称为分步重复工艺(step-and-repeat process)，且一单独的曝光区域或场称作一曝光区(shot)。分步重复工艺的一个特性是曝光区因曝光过程中产生的平移、旋转、变形等而对不准。因此，引线与像素电极间产生的寄生电容随它们所处的曝光区而不同。这些电容差异导致了曝光区之间的亮度差，该亮度差在位于曝光区之间的边界处的像素中出现。结果，因曝光区之间的亮度不连续，在LCD显示屏上产生了狭缝缺陷(stitch defect)。
因此，现有技术中需要一种LCD板和切口配置，其允许增加视角，而不导致开口率的所不期望的减小和LC层取向的变形。还需要一种LCD板配置，该配置将曝光区之间的寄生电容差和相应的亮度不连续减至最小，或者将其消除。
发明内容
根据本发明的一实施例的一种液晶显示器包括：第一基板，其包括形成在其上的多个像素电极，所述多个像素电极中的每个具有第一部分和第二部分；第二基板，其包括形成在其上的公共电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；形成在该公共电极中的至少一个切口，其中，该至少一个切口与该第一和第二部分间的间隔对准；以及用于传输数据电压的多条数据线，其形成在该第一基板上，其中所述像素电极的每个的所述第一和第二部分之间的所述间隔与所述数据线之一对准。
该第一部分和该第二部分彼此连接。该间隙可以包括构造来容纳液晶分子的液晶层，且该至少一个切口可以包括平行于该第一部分的面对该第二部分的一边缘定位的第一边和平行于该第二部分的面对该第一部分的一边缘定位的第二边。该公共电极与像素电极之间产生的电场的用于导致液晶分子倾斜方向变化的分量可以按以下方式中的至少一种定位：垂直于该切口的该第一边；垂直于该切口的该第二边；垂直于该第一部分的该边缘；以及垂直于该第二部分的该边缘。该至少一个切口可以具有约9微米至约12微米范围内的宽度。
因该第一部分和该第二部分之间的电压差产生的电场可以在该第一部分和第二部分间产生，且该电场的方向可以是以下方向中的至少一种：垂直于该至少一个切口的该第一边；以及垂直于该至少一个切口的该第二边。具有与施加到该公共电极上的电压相反的极性的电压可以施加到该第一部分和该第二部分中的一个上。
该液晶显示器还可以包括形成在该第一基板上的至少一个栅极电极，以及形成在该第一基板上的至少一对晶体管，其中关于每个栅极电极对称设置有一对晶体管，以跨越该第一基板的多个曝光区，在该至少一个栅极电极和该至少一对晶体管的漏极电极之间形成不变的寄生电容。一对对称设置的晶体管可以包括一个栅极电极、一个源极电极、两个漏极电极、以及一个半导体岛。该第一和第二部分关于该数据线对称设置，以跨越该第一基板上的多个曝光区，在该第一和第二部分以及该数据线之间形成不变的寄生电容。
该液晶显示器还可以包括形成在该第一基板上用于传输栅极信号的多条栅极线、形成在该第一基板上用于传输至少一个预定电压的多条存储电极线。该第一部分和该第二部分中的至少一个可以位于由该多条栅极线、该多条存储电极线和该多条数据线包围的区域内，且可以与该多条数据线中的一条交叠。该多条数据线可以与该多条栅极线和该多条存储线交叉。该多条数据线中的每一条数据线可以是弯曲的，且可以包括彼此相连形成V字形(chevron)的多对倾斜部分。所述倾斜部分的相背离的末端(opposite end)可以与跨过栅极电极的各纵向部分连接。每对倾斜部分的长度可以是纵向部分的长度的约1至约9倍。该多条栅极线、该多条存储电极线和该多条数据线中的至少一条可以包括斜侧面(tapered side)，其中该斜侧面的相对于该第一基板的水平表面的倾斜角在约30度至约80度范围内。该多条栅极线、该多条存储电极线和该多条数据线中的至少一条包括一下部膜和一上部膜，其中该上部膜包括铝和铝合金中的一种，且该下部膜包括铬、钼和钼合金中的一种。
该液晶显示器还可以包括形成在该第一基板上的多个存储电极、以及形成在该第一基板上的多个漏极电极，其中该多个漏极电极中的至少一对漏极电极与该多个存储电极中的至少一对存储电极交叠。该第一部分和该第二部分可以分别连接至该多个漏极电极中的第一漏极电极和第二漏极电极，且该第一部分和该第二部分可以分别接收来自该第一漏极电极和该第二漏极电极的数据电压。该液晶显示器还可以包括形成在该第一基板和该第二基板中的一个上的多个滤色片，其中该多个滤色片中的两个相邻滤色片彼此交叠。
该液晶显示器还可以包括形成在该第一基板上的栅极绝缘层、形成在该栅极绝缘层上的多个半导体岛、形成在所述半导体岛上的多个欧姆接触、形成在所述欧姆接触和栅极绝缘层中的至少一个上用于传输数据电压的多条数据线、以及形成在所述欧姆接触上的多个漏极电极，其中所述欧姆接触具有与所述数据线和所述漏极电极大致相同的平面形状。所述数据线、所述漏极电极、所述半导体岛和所述欧姆接触可以利用一道光刻工艺同时形成。
根据本发明一实施例的另一种液晶显示器包括：包括形成在其上的第一电极和第二电极的第一基板，其中一间隔位于该第一和第二电极之间；包括形成在其上的第三电极的第二基板，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；以及形成在该第三电极中的至少一切口，其中该至少一切口包括平行于该第一电极的面对该第二电极的一边缘定位的第一边和平行于该第二电极的面对该第一电极的一边缘定位的一第二边；形成在该第一基板上的多个存储电极；以及形成在该第一基板上的多个漏极电极，其中该多个漏极电极中的至少一对漏极电极交叠该多个存储电极中的至少一对存储电极。
附图说明
由以下结合附图的说明本可以更详细地理解发明的优选实施例，其中：
图1是根据本发明一实施例的LCD的布局图；
图2是图1所示LCD沿线II-II′截取的剖视图；
图3是根据本发明另一实施例的LCD的布局图；以及
图4是图3所示LCD沿线IV-IV′截取的剖视图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地说明本发明的优选实施例。但是，本发明可以以不同的形式实施，且不应当限于此处提及的实施例。
图1是根据本发明一实施例的LCD的布局图，以及图2是图1所示LCD沿线II-II′截取的剖视图。
如图2所示，根据本发明一实施例的LCD包括TFT阵列板100、公共电极板200、以及置于板100与200之间且包含相对于板100和200的表面在垂直方向上排成行的多个LC分子310的LC层300。
参见图1和2，多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘基板110上。栅极线121彼此隔开，且大致在横向上延伸。栅极线121传输栅极信号，且每条栅极线121的多个突出部分形成多个栅极电极123。
每条存储电极线131大致在横向上延伸，并包括形成多对存储电极133a和133b的多个突出部分。存储电极133a和133b具有矩形(或菱形)形状，且位于栅极电极123附近。存储电极线131被供以预定电压，诸如施加在LCD公共电极板200的公共电极270上的公共电压。
栅极线121和存储电极线131可以具有多层结构，该多层结构包括下部膜(未示出)和上部膜(未示出)两层具有不同物理性质的膜。上部膜优选由具有低电阻率的金属制成，例如诸如Al或Al合金的含铝(Al)金属，用于减小栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或电压降。下部膜优选由诸如铬(Cr)、钼(Mo)或Mo合金的材料制成，该材料对于诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料具有良好的接触性能。下部膜材料和上部膜材料的优选组合分别为Cr和铝-钕(Al-Nd)合金。
栅极线121和存储电极线131的侧面倾斜，且该侧面相对于基板110表面的倾角在约30度至约80度的范围内。
优选由氮化硅(SiNx)形成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选由氢化非晶硅(a-Si)或多晶硅(p-Si)形成的多个半导体岛150形成在栅极绝缘层140上。每个半导体岛150位于栅极电极123的对面。
优选由硅化物或n型杂质重度掺杂的n+氢化a-Si制成的多个欧姆接触岛163、165a和165b形成在半导体岛150上。
半导体岛150和欧姆接触163、165a和165b的侧面倾斜，且其相对于基板110的倾角优选在约30度至约80度之间的范围内。
如图1所示，用于传输数据电压的多条数据线171大致在纵向方向上延伸并与栅极线121和存储电极线131交叉。每条数据线171反复弯曲，并包括多对倾斜部分和多个纵向部分。一对倾斜部分彼此连接形成V字形，且该对倾斜部分的相对端连接至各纵向部分。数据线171的倾斜部分与栅极线121形成约45度角，且纵向部分跨越栅极电极123。一对倾斜部分的长度为一纵向部分的长度的约1至约9倍，即占该对倾斜部分加该纵向部分总长度的约50％至约90％。
如图2所示，该多条数据线171以及多对漏极电极175a和175b彼此分开，且形成在欧姆接触163、165a和165b、以及栅极绝缘层140上。
该对漏极电极175a和175b关于数据线171的纵向部分彼此对立。数据线171的每个纵向部分包括多个突出部分，使得包括突出部分的纵向部分形成部分围绕漏极电极175a和175b的源极电极173。源极电极173形成在欧姆接触163上。漏极电极175a和175b分别形成在欧姆接触165a和165b上。
欧姆接触163、165a和165b仅置于下面的半导体导150与上面的数据线171和上面的源极和漏极电极173、175a和175b之间，并减小下面和上面组元间的接触电阻。每个漏极电极175a或175b包括与存储电极133a或133b交叠的扩大部分。
每组栅极电极123、源极电极173、一对漏极电极175a和175b、以及半导体岛150形成了一对TFT。该对TFT包括形成在半导体岛150内分别位于源极电极173与漏极电极175a和175b之间的沟道。
与栅极线121和存储电极线131相似，数据线171和漏极电极175a和175b也可以包括优选由Mo、Mo合金或Cr制成的下部膜(未示出)和位于其上的优选由含Al金属制成的上部膜(未示出)。此外，数据线171和漏极电极175a和175b还具有倾斜侧面，其具有从约30度至约80度的倾角范围。
钝化层180形成在数据线171、漏极电极175a和175b、以及半导体岛150未被数据线171和漏极电极175a和175b覆盖的暴露部分上。钝化层180优选由平坦的光敏有机材料和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料制成，或者由诸如氮化硅和氧化硅的无机材料制成。钝化层180可以具有包括下部无机膜和上部有机膜的双层结构。
钝化层180具有分别露出漏极电极175a和175b和数据线171的端部179的多个接触孔185a、185b和189。钝化层180和栅极绝缘层140具有露出栅极线121的端部125的多个接触孔182。接触孔182、185a、185b和189可以具有各种形状，例如多边形或圆形。每个接触孔182或189的面积优选大于或等于0.5mm×15μm，且不大于2mm×60μm。接触孔182、185a、185b和189的侧壁以约30度至约85度的角度倾斜，或者具有阶梯状外形。
多对像素电极191a和191b以及优选由ITO、IZO或Cr制成的多个接触辅助部(contact assistant)192和199形成在钝化层180上。
每个像素电极191a或191b基本上位于由数据线171、栅极线121和存储电极线131围绕的区域中，并形成V字形。一对像素电极191a和191b通过连接部193彼此连接，并形成一对子像素区(subpixel area)Pa和Pb。
像素电极191a和191b通过接触孔185a和185b与漏极电极175a和175b物理和电学地连接，使得像素电极191a和191b接收来自漏极电极175a和175b的数据电压。被供以数据电压的像素电极191a和191b与公共电极270配合产生电场，该电场使其间设置的液晶分子重新取向。
像素电极191a或191b与公共电极形成称为“液晶电容器”的电容器，该电容器在TFT截止后存储所施加的电压。设置与该液晶电容器并联的所谓“存储电容器”的附加电容器，以提高电压存储容量。存储电容器通过将像素电极191与存储电极线131交叠来实现。通过在存储电极线131处设置形成存储电极133a和133b的突出部分，延长与像素电极191a和191b连接的漏极电极175a和175b，并在漏极电极175a和175b处设置与存储电极线131的存储电极133a和133b交叠的扩大部分，存储电容器的电容(即存储电容)得以增大。这些设计因素减小了端子间的距离，并增加了交叠面积，导致存储电容的增大。像素电极191a和191b还可以与数据线171交叠以增大开口率。
接触辅助部192和199通过接触孔182和189分别与栅极线121的暴露端部125和数据线171的暴露端部179连接。接触辅助部192和199不是必须的，而是优选的，以保护暴露部分125和179并补充暴露部分125和179与外部器件的粘附力。
配向层(alignment layer)11形成在像素电极191a和191b、接触辅助部192和199、以及钝化层180上。
对于公共电极板200，用于防止光泄漏的黑矩阵(black matrix)220形成在诸如透明玻璃的绝缘基板210上。黑矩阵220包括面向像素电极191a和191b并基本上具有与像素电极191a和191b相同形状的多个开口。
多个红、绿和兰滤色片230以其主要部分形成在黑矩阵220的开口内，且覆盖层(overcoat)250形成在滤色片230上。
优选由诸如ITO和IZO的透明导电材料制成的公共电极270形成在覆盖层250上。公共电极270具有多个切口271和272。每个切口271与一对像素电极191a和191b之间的间隙对准，且具有与该对像素电极191a和191b的两对立边平行的两条主边。如图所示，切口271可以与像素电极191a和191b的边交叠。设置切口271来控制LC层300中LC分子的倾斜方向，并优选具有约9微米至约12微米范围内的宽度。切口271的端部可以具有各种形状。切口272与数据线171对准，并设置为用于减小数据线171中流动的数据电压的延迟。该延迟因通过公共电极270与数据线171的交叠所形成的寄生电容而产生。切口272还用于控制LC层300的LC分子的倾斜方向。
同质(homogeneous)或同型(homeotropic)的配向层12覆盖在公共电极270上。
一对偏振片(未示出)设置在板100和200的外表面上，使得它们的透光轴(transmissive axis)交叉，且透光轴中的一个平行于栅极线121。
该LCD还可以包括用于补偿LC层300的迟滞的至少一层迟滞膜(例如产生诸如偏振光的全波、半波或四分之一波相位变化的光学元件)。
LC层300中的LC分子排成行，使得它们的长轴垂直于板100和200的表面。液晶层300具有负的介电各向异性。
在施加公共电压至公共电极270上且施加数据电压至像素电极191a和191b上时，产生基本上垂直于板100和200的表面的主电场。LC分子响应该电场而趋于改变它们的取向，使得它们的长轴垂直于该电场方向。
公共电极270的切口271和像素电极191a和191b的边扰乱了该主电场，使之具有确定LC分子的倾斜方向的水平分量。主电场的水平分量采用了四个不同的取向，从而在LC层300中形成了具有不同LC分子倾斜方向的四个畴。该水平分量垂直于切口271的第一和第二边，垂直于像素电极191a的边，且垂直于像素电极191b的边。因此，具有不同倾斜方向的四个畴在LC层300中形成。切口271可以以形成在公共电极270上的多个凸起代替，因为LC分子的倾斜方向也可以通过多个凸起(未示出)控制。
由于像素电极191a和191b之间的电压差导致的次电场的方向垂直于切口271的每个边。因此，次电场的电场方向与主电场的水平分量一致。因此，像素电极191a与191b之间的次电场提高了LC分子的倾斜方向。
由于LCD进行反转(即将所施加的电压的极性颠倒)，诸如点反转、列反转等等，所以提高LC分子的倾斜方向的次电场通过向邻近的像素电极提供具有与公共电压相反极性的数据电压来获得。结果，相邻的像素电极之间产生的次电场的方向等同于公共电极和像素电极之间产生的主电场的水平分量。于是，相邻的像素电极之间的次电场可以产生，从而提高畴的稳定性。
所有畴的倾斜方向相对于栅极线121形成了约45度的角度，且栅极线121平行于或垂直于板100和200的边。由于倾斜方向与偏振片的透光轴的45度交叉导致最大的透射率，所以可以配附偏振片使得偏振片的透光轴平行于或垂直于板100和200的边，从而降低制造成本。
参见图1和2，该对TFT和该对像素电极191a和191b分别关于栅极电极123和数据线171的对称定位在数据线171与像素电极191a、191b之间，且在栅极电极123与漏极电极175a、175b之间形成了恒定的寄生电容。结果，曝光区间的亮度差降低。
应当注意，数据线171因其弯曲结构导致的增大电阻可以通过扩宽数据线171来弥补。此外，因数据线171宽度增大导致的电场变形和寄生电容增大又可通过增大像素电极191a和191b的尺寸并通过适应厚的有机钝化层来补偿。
在制造图1和2所示的TFT阵列板的方法中，包括多个栅极电极123的多条栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多条存储电极线131形成在诸如透明玻璃的绝缘基板110上。
如果栅极线121和存储电极线131具有包括下部导电膜和上部导电膜的双层结构，则下部导电膜优选由诸如Cr或Mo合金的具有良好物理和化学特性的材料制成，且上部导电膜优选由Al或含Al金属制造。
在顺序沉积厚度约1,500至约
Figure A20081014487100131
的栅极绝缘层140、厚度约500至约
Figure A20081014487100132
的本征a-Si层、以及厚度约300至约
Figure A20081014487100133
的非本征a-Si层后，进行光刻从而在栅极绝缘层140上形成多个非本征半导体岛和多个本征半导体岛150。
其后，形成包括多个源极电极173的多条数据线171和多个漏极电极175a和175b。
其后，去除非本征半导体岛未被数据线171和漏极电极175a和175b覆盖的部分，从而完成多个欧姆接触岛163和165，并暴露部分本征半导体岛150。其后优选进行氧等离子体处理，以稳定半导体岛150的暴露表面。
钝化层180由诸如丙烯基材料的光敏有机绝缘材料形成，并沉积在当前结构上。在沉积钝化层180后，构图钝化层180和栅极绝缘层140，从而形成分别露出栅极线121端部125、漏极电极175a和175b、以及数据线171端部179的多个接触孔182、185a、185b和189。
最后，通过溅镀和光刻厚度约400至约
Figure A20081014487100141
的IZO或ITO层，在钝化层180上形成多个像素电极191a和191b、以及多个接触辅助部192和199。
图3是根据本发明的另一实施例的LCD的布局图，图4是图3所示LCD沿线IV-IV′截取的剖视图。
如图3和4所示，根据此实施例的LCD的TFT阵列板的层结构包括一些与图1和2所示的相同的元件。在图3和4所示的构造中，包括多个栅极电极123的多条栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多条存储电极线131形成在基板110上。栅极绝缘层140、多个半导体条152、以及多个欧姆接触条和岛163和165顺序形成在包括栅极线121、栅极电极123、存储电极线131和存储电极133a、133b的基板110上。包括多个源极电极173的多条数据线171和多个漏极电极175a和175b形成在欧姆接触163和165上，且钝化层180和配向层11顺序形成在其上。多个接触孔182、185a、185b和189设置在钝化层180和/或栅极绝缘层140中，且多个像素电极191a和191b以及多个接触辅助部192和199形成在钝化层180上。
根据图4所示实施例的LCD的公共电极板的层结构包括一些与图1和2中所示的相同的元件。例如，在绝缘基板210上顺序形成黑矩阵220、覆盖层250、公共电极270以及配向层21。
与图1和2中示出的TFT阵列板不同，根据图3和4中示出的实施例的TFT阵列板沿数据线171延伸半导体条152和欧姆接触163。此外，半导体条152具有与数据线171和漏极电极175a和175b以及下面的欧姆接触163和165基本相同的平面形状，除了TFT的沟道部分外。
此外，与图1和2的LCD不同，在钝化层180下方相对于像素电极191a和191b形成多个红、绿和兰滤色片R、G和B，且在上板200上没有滤色片。此外，接触孔185a和185b穿过滤色片R、G和B。滤色片R、G和B中两个相邻的滤色片可以彼此交叠，以促进防止光泄漏。
根据本发明一实施例的TFT阵列板的制造方法利用一道光刻工艺同时形成数据线171、漏极电极175a和175b、半导体条152和欧姆接触163和165。用于光刻工艺的光致抗蚀剂图形具有取决于位置的厚度，且其尤其具有位于TFT沟道上的较小厚度部分。因此，可以省去额外的光刻工序，从而简化制造工艺。
虽然此处已经参照附图说明了示例性实施例，但是应当理解的是，本发明并不限于这些特定实施例，且本领域技术人员在不脱离本发明的范围和精神的情况下可对其作各种变化和更改。所有这样的变化和更改被确定为包括在所附权利要求所定义的本发明的范围内。

Claims (15)

1.一种液晶显示器，包括：
第一基板，包括形成在其上的第一电极和第二电极；
第二基板，包括形成在其上的第三电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；
至少一个栅极电极，形成在该第一基板上；以及
至少两个晶体管，形成在该第一基板上且关于所述至少一个栅极电极对称设置。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中该第一电极是第一像素电极，该第二电极是第二像素电极，该第三电极是公共电极。
3.如权利要求1所述的液晶显示器，其中一对所述对称设置的晶体管包括所述至少一个栅极电极、至少一个源极电极、至少两个漏极电极和至少一个半导体岛。
4.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括形成在该第一基板上用于传输数据电压的多条数据线，其中该第一和第二电极关于所述多条数据线中的至少一条数据线对称设置。
5.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括形成在该第三电极中的至少一个切口，其中所述至少一个切口包括与所述第一电极的边缘平行地排列的第一边缘和与所述第二电极的边缘平行地排列的第二边缘。
6.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述至少一个切口与所述第一和第二电极之间的间隔对准。
7.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述第三电极与所述第一和第二电极之间产生的电场的用于使液晶分子的倾斜方向变化的分量按以下方式中的至少一种排列：垂直于所述切口的所述第一边缘，垂直于所述切口的所述第二边缘，垂直于所述第一电极的所述边缘、垂直于所述第二电极的所述边缘。
8.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述至少一个切口具有在约9微米至约12微米范围内的宽度。
9.如权利要求5所述的液晶显示器，其中电场产生在所述第一和第二电极之间，该电场的方向是以下方向中的至少一种：垂直于所述至少一个切口的所述第一边缘，垂直于所述至少一个切口的所述第二边缘。
10.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括：
多条数据线，形成在所述第一基板上用于传输数据电压；以及
至少一个切口，形成在该第三电极中，其中所述至少一个切口与至少一条数据线对准。
11.如权利要求1所述的液晶显示器，其中相对于施加到所述第三电极的电压具有相反极性的电压施加到所述第一电极和所述第二电极之一，电场产生在所述第一电极和所述第二电极之间。
12.如权利要求11所述的液晶显示器，其中由于该第一电极和该第二电极之间的电压差而产生该电场。
13.一种液晶显示器，包括：
第一基板，包括形成在其上的第一像素电极和第二像素电极；以及
第二基板，包括形成在其上的公共电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙，相对于施加到所述公共电极的电压具有相反极性的电压施加到所述第一像素电极和所述第二像素电极之一以在所述第一像素电极和所述第二像素电极之间产生电场，该电场具有与所述公共电极与所述第一和第二像素电极之间产生的电场的分量一致的方向。
14.一种液晶显示器，包括：
第一基板，包括形成在其上的第一电极和第二电极；
第二基板，包括形成在其上的第三电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；以及
多条数据线，形成在该第一基板上用于传输数据电压，其中该第一和第二电极关于所述多条数据线中的至少一条数据线对称设置。
15.一种液晶显示器，包括：
第一基板，包括形成在其上的第一电极和第二电极，其中一间隔位于该第一和第二电极之间；
第二基板，包括形成在其上的第三电极，其中该第二基板与该第一基板间隔一间隙；
形成在该第三电极中的至少一个切口，其中该至少一个切口包括平行于该第一电极的面对该第二电极的一边缘排列的第一边和平行于该第二电极的面对该第一电极的一边缘排列的第二边；
形成在该第一基板上的多个存储电极；以及
形成在该第一基板的多个漏极电极，其中该多个漏极电极中的至少一对漏极电极交叠该多个存储电极中的至少一对存储电极。
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