CN101312232A - 旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置 - Google Patents

旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种磁性存储器组件。存储器组件包括一磁穿隧接面(MTJ)组件与一电极。电极包括一固定层、一被固定层与一非磁性传导层。在一实施例中，磁穿隧接面组件包含具有一第一表面区域的一第一表面，且电极包含一第二表面。在此实施例中，电极的第二表面耦合至磁穿隧接面组件的第一表面，以使形成一接口区域，且接口区域比第一表面区域小。

Description

旋转扭矩转移磁阻式随机存取存储器装置
技术领域
本发明涉及一种非挥发性存储器装置，尤其是使用旋转扭矩转移的磁阻式随机存取存储器(MRAM)组件。
背景技术
磁阻式随机存取存储器(MRAM)为使用磁化以呈现储存数据的非挥发性存储器技术。磁阻式随机存取存储器的优点是，在缺乏电力时，仍可保留储存的数据。一般而言，磁阻式随机存取存储器包括多个磁性单元于一阵列中。每一单元基本上均代表一数据位。包含于此单元中为磁性组件。一磁性组件包括两铁磁″板″(或半导体基板上的一层)，每一铁磁板均具有与其相关的一磁化方向(或磁动量方向)。两铁磁板由薄非磁性层隔开。
更具体地是，磁阻式随机存取存储器单元经常以磁穿隧接面组件(也为穿隧磁阻(TMR)组件)为基础。磁穿隧接面组件至少包括三个基本层：一“自由层”、一穿隧阻障层，与一“被固定层”。自由层与被固定层为铁磁层，穿隧阻障层为置于自由层与被固定层的间的薄绝缘层。在自由层中，磁化方向会随意转动；固定层的磁化则不会。使用反铁磁层以固定或定住该固定层的磁化于一特定方向。一位通过改变磁性组件的其中一个铁磁板的磁化方向而写入组件。磁穿隧接面组件的阻抗根据自由层与固定层的磁动量的方向而改变。因此，通过决定磁性组件的阻抗而读取位元。当自由层与固定层的磁化平行时，且磁动量具有相同极性时，磁穿隧接面组件的阻抗会很低，基本上，此标示为“0”。当自由层与固定层的磁化为反向平行时(也就是说，磁动量具有相反极性)，磁穿隧接面的阻抗很高，基本上，此标示为“1”。
旋转扭矩转移(STT)(也为旋转转移切换，或旋转转移效应)为用以写入至存储器组件的技术。旋转扭矩转移(STT)发展作为一种使用外部磁场的替代方案，以切换磁性组件中自由层的方向。旋转扭矩转移(STT)根据当将旋转极化电流施加到“自由”铁磁层时，电子会由于“自由层”磁动量的方向而重新极化的构想。随着电子被重新极化，电子的重新极化会造成自由层受到与电子的角动量变化有关的扭矩。结果，若电流密度够高，此扭矩则具有足够能量切换自由层的磁化方向。通过此技术可知，利用旋转扭矩转移(STT)来写入至磁性组件的优点在于，相较于其他写入技术、大阵列的可测性，与更低的写入电流条件，并包括更小的位元尺寸、更少数目的制程步骤。然而，由于将磁性组件中的自由层的磁化方向切换所需要的电流密度相当大，所以使用旋转扭矩转移(STT)写入至磁性组件也有缺点。切换此层需要的临界电流密度表示为“Jc”。在一般实施例中，Jc会大于1E106安培/平方公分。
因此，改善磁性组件架构，以使用旋转扭矩转移(STT)是指日可待。
发明内容
本发明提供一种磁性存储器组件，在本发明一实施例中，该磁性存储器组件包括：一磁穿隧接面(MTJ)组件，包括至少一自由层；以及一电极，包含一固定层、一被固定层、与一非磁性传导层；其中该电极的该非磁性传导层，插入于该电极的该被固定层与该磁穿隧接面组件的该自由层间。
在本发明另一实施例中，提供一种程序化磁性存储器组件的方法，包含：提供一存储器组件，包含耦合至一磁穿隧接面(MTJ)组件的一电极，该磁穿隧接面组件包括一自由层；供应一电流至该电极；使用该电极以旋转极化该电流；以及经由该电极与该磁穿隧接面组件间的一接口区域，将该旋转极化电流从该电极供应至该磁穿隧接面组件，其中所供应的该电流足以切换该自由层的磁化方向。
然而，可结合附图，从下列具体实施方式中理解本发明操作的结构和方法，及其他的目的和优点。
附图说明
本发明一方面公开从附图及以下详细的说明可更好地理解。需强调的是，根据工业中的实施标准，各种特征不一定按比例绘制。事实上，为说明清楚，各特征的尺寸可被任意增加或减少。
图1为显示一磁穿隧接面(MTJ)组件实施例的截面图。
图2为显示包括磁穿隧接面与电极的磁性组件实施例的截面图。
图3为显示磁性组件的另一实施例的截面图。
图4a、4b与4c为显示结合磁穿隧接面组件与电极的三种实施例的磁性组件的截面图。
图5为显示一程序化磁性组件方法的实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种磁阻式随机存取存储器装置(MRAM)，尤其是旋转扭矩转移磁性组件。然而，可理解的是，列举具体实施例为示例以教导更广泛的发明概念，且普通技术人员能轻易地将本发明公开的教导应用在其他方法或设备。此外，可理解的是，本发明公开的方法与设备，包括一些现有结构及/或制程。因为这些结构与制程在此技术领域中众所皆知，所以它们仅作一般程度的细节讨论。另外，为了方便性与作为实例，参考标号在整个附图中重复使用，且此重复并不表示必须组合在整体附图的任何特征或步骤。此外，在以下说明中的第二特征上方与上面的第一特征的形成，包括第一与第二特征形成直接接触的实施例，并且也同样地包括形成额外特征插入第一与第二特征的实施例，以使第一特征不直接接触第二特征。
参照图1，显示一种磁性组件100的实施例。磁性组件100包括被固定层102(也为参考层)、阻障层104(也为穿隧阻障物)、与自由层106(也为储存层)。磁性组件100为一磁穿隧接面(MTJ)组件，因为它具有一绝缘体(阻障层104)夹于自由磁性组件(自由层106)与固定磁性组件(被固定层102)之间。磁性组件100架构利用旋转扭矩转移(STT)以切换自由层的磁化。以下应用磁性组件100旋转扭矩转移(STT)(如同以上所包括的概略说明)的说明，仅根据此领域参考的现有状态，并不用以限制现有公开所说明的电流垂直平面(CPP)的架构的范围。
假设自由层106的磁动量最初与被固定层102反向平行。如箭头110b所示，电流可从自由层106朝被固定层102供应，以切换自由层106的磁化与被固定层102的磁化平行。当电流从自由层106驱动至被固定层102时(即，沿箭头110b的方向)，传导电子则会从被固定层102行进至自由层106。从被固定层102行进的大多数电子，沿着与被固定层102磁动量相同的旋转极化方向。这些电子会与靠近自由层106与阻障层104间接口的自由层106磁动量互动。由于此互动，电子会转移旋转角动量至自由层106。此旋转角动量与自由层106的磁化反向平行。若电子转移足够的角动量，则切换自由层106的磁化与被固定层102的磁化平行。
在另一实施例中，电流以相反方向供应，如箭头110a所示，从被固定层102到自由层106。箭头110a方向的电流，切换自由层106的磁化与被固定层102的磁化反向平行。在施加电流以前，自由层106的磁化会被假设平行于被固定层102。当电流从被固定层102驱动到自由层106时(即，在箭头110a的方向上)，传导电子以相反方向行进。大多数电子以与自由层106的磁化方向旋转极化(即，与被固定层102相同的方向)。大多数的这些电子传送经过被固定层102。然而，具有与自由层106及被固定层102反向平行极化的少数电子，将自被固定层102反射，且退回至自由层106。被反射的少数电子与自由层106的磁动量互动，并将一部分旋转角动量转移到自由层106。若有足够角动量转移，则切换自由层106的磁化与被固定层102的磁化反向平行。
因此，阻障层104薄到使电子穿隧通过。阻障层104具有非磁性成分，且可由功能如电绝缘体的任何适当材料形成。在一实施例中，阻障层104包括氧化铝。在另一实施例中，阻障层104包括氧化镁(MgO)。包括于阻障层104的其他介电材料，例如包括铝、镁、硅、铪、锶或钛的氧化物或氮化物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TOx、TiOx、AlNx及/或其组合。阻障层104通过现有制程形成，如光学微影、化学气相沉积(CVD)、电浆增强化学气相沉积(PECVD)、物理气相沉积(PVD)、电化学沈积、分子操纵、氧化、蚀刻、化学机械研磨及/或在此领域中已知的其他制程。阻障层104单独从自由层106电绝缘被固定层102，或结合插入被固定层102与自由层106间的其他层(未显示)。
被固定层102与自由层106为铁磁层。被固定层102与自由层106包括钴、铁、镍、锰、硼及/或其合金，例如包括其他铁磁材料的镍铁合金、铁镍硼合金、钴铁合金、钴铁硼合金、或其化合物。被固定层102及/或自由层106可通过现有制程形成，如光学微影、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、电化学沈积、分子操纵、蚀刻、化学机械研磨及/或其他制程。如图1所示，被固定层102与自由层106为单一层；不过，如在该领域中所已知的，任一层均可为合成层。
现在参照图2，表示磁性组件200。磁性组件200可被包括于含有单元阵列的磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置。磁性组件200使用旋转扭矩转移(STT)程序化。磁性组件200包括磁穿隧接面组件202与电极204。电极204为一旋转极化电极。磁穿隧接面组件202实质与磁性组件100相似，且包括具有实质与磁性组件100相似成分与制造方法的层，以上上参照图1所述。
磁穿隧接面组件202包括自由层202a、阻障层202b、与被固定层202c。自由层202a实质与自由层106相似，如以上参照图1所述。阻障层202b实质与阻障层104相似，如以上参照图1所述。自由层202c实质与自由层102相似，同样如以上参照图1所述。被固定层202c与自由层202a显示为单一铁磁层。然而，在该领域中已知，任何部分的层202a与202c可为合成层。磁穿隧接面组件202可包括或可被耦合至额外层，如额外被固定层、间隔层、反铁磁层(或固定层)、晶种层、覆盖层及/或在此领域中已知的其他层。一或更多层可为合成层。在一实施例中，反铁磁层被耦合至被固定层202c。反铁磁层可通过交换耦合固定相邻磁性层的磁化。因此，反铁磁层可设定或“固定”被固定层202c的磁化方向。
电极204包括固定层204a、被固定层204b与非磁性传导层204c。传导层240c插入磁穿隧接面组件202的被固定层204b与自由层202a间。传导层204c可避免被固定层204b与自由层202a间的电耦合及/或磁耦合(与磁化隔离)。因此，传导层204c为被固定层204b与自由层202a间的“绝缘体”层。在一实施例中，传导层204c包含钽及/或氮化钽。被包括在非磁性传导层204c中其他范例的材料，包括钛、氮化钛、钨、氮化钨、铂、金属硅化物、金属氮化物及/或传导氧化物。金属硅化物的实例包括硅化镍、硅化钴、硅化钨、硅化钽、硅化钛、硅化铂、硅化铒、硅化钯及/或其组合。传导氧化物的实例包括氧化铌、氧化锌及/或其组合。传导层204c的厚度与层204c的成分较佳为，以能增加自由层的磁化，且提供磁性组件200较低的Jc。传导层204c的厚度约不大于600埃。在一实施例中，传导层204c的厚度约500埃。传导层204c可通过现有制程形成，如光学微影、沉积、退火、氧化、蚀刻、化学机械研磨，及/或与此领域中已知的其他制程。
被固定层204b为类似于被固定层102的铁磁层，如以上参考图1所述。被固定层204b，包括钴、铁、镍、锰及/或其合金，例如包括镍铁合金镍铁合金、钴铁合金或包括其他铁磁材料的化合物。被固定层104b可由现有制程所形成，如光学微影、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、电化学沈积、分子操纵、蚀刻及/或在此领域已知的其他制程。
固定层204a耦合至被固定层204b。固定层204a为反铁磁层。在一实施例中，固定层204a包括锰化铂(PtMn)。被包括在固定层204a中的其他反铁磁材料实例包括镍锰合金、钯锰合金与铱锰合金。固定层204a设定或“定住”被固定层204b的磁化方向。固定层204a可通过现有制程来形成，如光学微影、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、电化学沉积、分子操纵、蚀刻及/或于此领域已知的其他制程。
在所示实施例中，电极204耦合至磁穿隧接面组件202，以产生接口区域206。接口区域206，为电极204与磁穿隧接面组件202间(或匹配区域、或直接耦合区域、或接触区域)的实体接触区域。在所示的实施例中，接口区域206包括电极204的传导层204c与磁穿隧接面组件202的自由层202a间的接触区域。在另一实施例中，接口区域206可能包括在电极其他层与磁穿隧接面组件间的接触区域。
电极204包括一表面，以下称为一耦合表面。电极204的至少一部分耦合表面，实体耦合至磁穿隧接面组件204。电极204的耦合表面，具有一表面区域S2。在所示的实施例中，电极204耦合表面为传导层204c的表面。磁穿隧接面组件202也包括一表面，以下称为一耦合表面。磁穿隧接面组件202的至少一部分耦合表面实体上耦合至电极204。磁穿隧接面组件202的耦合表面具有一表面区域S1。在所示的实施例中，磁穿隧接面组件202的耦合表面为自由层204a的表面。
在所示实施例中，接口区域206实质相等于电极204的表面区域S2。电极204耦合至磁穿隧接面组件206，使磁穿隧接面组件202的表面区域S1的区域d1，与区域d2不直接实体耦合与电极204。在一实施例中，区域d1约相等于区域d2。在又一实施例中，由于电极204不均匀耦合至磁穿隧接面组件202的耦合表面，所以区域d1大于或小于区域d2。在一实施例中，区域d1及/或区域d2等于零。电极与磁穿隧接面组件耦合的进一步实施例参照图4a、4b与4c更详细地说明如下。
磁性组件200的架构使其利用旋转扭矩转移程序化组件。电极204被电耦合，以使电流经过电极204提供至磁穿隧接面组件202。电流透过电极204以被固定层204b的方向旋转极化。电流透过电极204提供足够电流密度，以使自由层202a磁动量在接口区域206与附近转动。因为自由层202a的磁动量耦合，所以当在接口区域206上与附近的磁动量开始转动时，实质上该层的所有磁动量将会转动。在电极204中所提供电流的电流密度会比磁穿隧接面组件202更高，因为磁穿隧接面(MTJ)组件202比电极204更大。因为电流仅在接口区域106转动磁动量，如相反的例子，区域S1，切换自由层202a所需电流Jc，比现有磁性组件减少。
参照图3，显示一种磁性组件300的截面图。磁性组件300包括在磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置中的单元。磁性组件300能使用旋转扭矩转移(STT)程序化。磁性组件300形成于基板上，例如包括硅、锗及/或化合物半导体材料的半导体基板上。磁性组件300包括第一互联线302与第二互联线322。互联线302与322可由适合传导电材料形成，如铝、铜、金、银、钽及/或其组合。互联线302可被操作来将电流供应到磁性组件300。在一实施例中，互联线322及/或302包括一阻障层。阻障层材料的包括钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化钨与碳化硅。
一电极耦合至互联线302；电极包括固定层304、被固定层306与非磁性传导层308。固定层304、被固定层306与传导层308包含旋转极化电极，实质上类似电极204，如以上参照图2所述。该电极可使用现有半导体制程来制造，如光学微影、蚀刻、沉积与在此领域已知其他制程。例如，在一实施例中，将一介层蚀刻以提供接点到该薄膜堆栈，其包含以下说明的磁穿隧接面。被蚀刻介层的宽度比磁穿隧接面的宽度更小，以便能够提供经过该介层的更高电流密度。非磁性传导层308、被固定层306、与固定层304会被连续地沉积/生长在该蚀刻介层中。
磁穿隧接面组件耦合至电极。所示的磁穿隧接面组件包括一自由层310、一阻障层312、包括被固定层314a、间隔层314b与被固定层314c的合成被固定层314、以及一固定层316。该固定层316包括一或更多反铁磁层。在一实施例中，反铁磁层系由铂锰合金组成。被包括在反铁磁层中的其他反铁磁材料实例，包括镍锰合金、钯锰合金、铱锰合金及/或其组合。在一实施例中，晶种层被包括在反铁磁层下。
合成被固定层314包括，由间隔层314b分隔的两铁磁层314a与314c。铁磁层314a与314c，包括钴、铁、镍、及/或其铁磁合金，如镍铁合金、钴铁合金或钴铁镍合金。此层也包含半金属铁磁，如二氧化铬、四氧化三铁’镍锰锑及/或铂锰锑。间隔层314b包括非磁性传导材料。在一实施例中，间隔层包含钌。包括于间隔层314b中的其他材料实例包括铱与铼。间隔层的厚度致使铁磁层314a与314c能够反铁磁性地耦合。
邻近合成被固定层314的是阻障层312。阻障层312实质相似于以上参照图2所述的阻障层202b。阻障层314被夹于合成被固定层314与自由层310间。自由层310实质类似以上参照图2所述的自由层202a。
图3也显示磁性组件300磁性层的一实施例(以每一层中的箭头所示)。为固定以上所述邻近层，固定层304与316在两方向上都具有磁动量。利用旋转扭矩转移(STT)切换自由层310的磁性方向。被固定层306的磁化方向平行被固定层314c的磁化方向(由指向左的箭头所任意显示)。被固定层314a具有与被固定层306以及314c磁化相反的磁化(由指向右的箭头所任意显示)。在一实施例中，被固定层306会受到磁退火制程，以设定被固定层306的磁化方向。在磁退火制程中，存在于磁场的被固定层306的热化与缓冷却，可产生与所施加磁场平行的简单磁性轴。
磁性组件300及/或磁性组件200可包括其他层，及/或可移除所示各层。例如，未显示的额外晶种层或覆盖层可存在于磁组件300、200。更优选的实施例中，提供一电极与耦合磁性组件，可与其他磁性架构组合，如双字旋过滤器(DSF)架构。此外，被披露的一电极与磁性组件耦合可包括除了MTJ以外的架构，如巨磁阻抗(GMR)磁性组件。
现在参照图4a、4b与4c，显示多个存储器组件。存储器组件400、410与420显示一电极与一磁性组件耦合的实例架构。该些图式仅为实例，并不用以限制。存储器组件400包括一磁性组件402与一电极404；存储器组件410包括磁性组件412与电极414；存储器组件420包括磁性组件422与电极424。如以上分别参照图2与图3所述，磁性组件402、412及/或422实质与磁穿隧接面组件202相似，及/或与磁性组件300的磁穿隧接面组件相似。如以上分别参照图2与图3所述，电极404、414、及/或424实质与电极204及/或磁性组件300的电极相似。磁性组件402、412与422各包括一表面，下文所述为一耦合表面，其中一部分系分别实体地耦合(或直接耦合、匹配、提供实体接点)至电极404、414与424。电极404、414与424各包括一表面，以下称一耦合表面，其中一部分分别实体耦合至磁性组件402、412与422。
图4a显示电极404耦合至磁性组件402，以便形成接口区域406。更具体地，磁性组件402的耦合表面会匹配到电极404的耦合表面，以便形成接口区域416。电极404的耦合表面具有表面区域(Wele)。磁性组件402的耦合表面具有表面区域(Wmtj)。在所示的实施例中，接口区域406包括表面区域(Wele)。磁性组件402的耦合表面的表面区域(Wmtj)包括没有实体耦合至电极404的区域x1与x2。在各种实施例中，区域x1与x2可彼此相同、彼此不同及/或等于零。
图4b显示磁性组件412与电极414耦合，其中电极414与磁性组件412以非对称耦合。磁性组件412包括表面区域(W2mtj)，其为磁性组件412耦合表面的表面区域。电极414包括表面区域(W2ele)，为电极414耦合表面的表面区域。磁性组件412的耦合表面匹配于电极414的耦合表面，以形成接口区域416。因为一部分的表面区域(W2ele)没有实体地耦合至磁性组件412，以区域y1显示，所以接口区域416会小于电极412的耦合表面的表面区域(W2ele)。接口区域416小于磁性组件412的表面区域(W3mtj)。
图4c显示磁性组件422与电极424耦合。电极424为一锥形电极，具有表面区域(W3ele的第一表面，及具有表面区域(W4ele)的第二表面，第二表面平行第一表面。表面区域(W4ele)小于表面区域(W3ele)。表面区域(W4ele)也同样为电极424的耦合表面的表面区域。磁性组件422的耦合表面与电极424的耦合表面匹配，以形成接口区域426。接口区域426与电极424的表面区域(W3ele)约相等。在又一实施例中，接口区域426会比表面区域(W3mtj)小，如假如电极424非对称性地耦合，如图4b所示。因为一部分的表面区域(W3mtj)没有实体地耦合至磁性组件422，显示为区域z1与z2，所以接口区域426会小于磁性组件422的耦合表面区域(W3mtj)。于不同实施例中，区域z1与z2彼此相同、彼此不同及/或等于零。
参照图5，显示一种程序化磁性组件的方法500的实施例。该方法500起始于步骤502，在此提供一磁性组件。磁性组件包括耦合至电极的一磁穿隧接面组件。提供的磁性组件可为磁性组件200、300、400、410及/或420，分别参照上述说明图2、3、4a、4b与4c。磁性组件为包括在磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置中一阵列组件的一组件。接着，方法500进行至步骤504，电流供应至磁性组件的电极。随后，方法进行到步骤506，在此电流被电极旋转极化。电极也包括一固定层与一被固定层，以极化电流。电极也包括耦合至磁穿隧接面组件的一传导层。随后方法至步骤508，在此，此时的旋转极化电流供应至磁穿隧接面组件。电流经由一接口区域供应至磁穿隧接面组件。接口区域包括在电极耦合表面与磁穿隧接面组件耦合表面间，实体耦合或匹配的区域。接口区域具有比磁穿隧接面组件的耦合表面小的表面区域。在一实施例中，电极的宽度比磁穿隧接面组件小，以在电极中提供比磁穿隧接面组件更高的电流密度。提供比剩下的磁穿隧接面组件更高的电流密度在接口区域上。在步骤510中，在接口区域上的电流具有比Jc更大的电流密度，且就其本身而论，使用旋转扭矩转移来切换磁穿隧接面组件的自由层的磁化。
随后，方法500进行至步骤512，读取磁性组件。磁性组件通过提供一读取电流以读取并测量磁性组件的阻抗。在一实施例中，电流(在步骤504中所提供)会切换自由层的磁化，以与于步骤510中的磁穿隧接面组件的被固定层磁化平行，且被测到很低的阻抗。在一实施例中，电流(提供在步骤504中)切换自由层的磁化与在步骤510的磁穿隧接面组件被固定层的磁化反向平行，且所测的阻抗值很高。在步骤512中所测到的阻抗会对应通过磁性组件所储存的数据型态，例如，低阻抗标示为″0″储存，高阻抗标示为″1″储存。
虽然以上只有本发明的少数实施例被详细说明，但是那些熟谙该领域者将轻易理解，在不背离本揭露教理与优点的材料下，在示范性实施例中的许多变更是可能的。
因此，本发明公开了一种磁性存储器组件。此磁性组件包括一磁穿隧接面组件与电极。该电极包括一被固定层、一固定层与一非磁性传导层。
还提供一种形成磁性存储器组件的方法。此方法提供一基板。一磁穿隧接面组件形成于基板上。一电极形成在基板上，耦合至磁穿隧接面组件。电极包括形成一固定层、一被固定层与一非磁性传导层。
也提供一种程序化磁性存储器组件的方法。提供一种存储器组件。该存储器组件包括耦合至磁穿隧接面组件的一电极。磁穿隧接面组件包括一自由层。将一电流供应到电极。电极被使用来旋转极化电流。来自电极的旋转极化电流会经由电极与磁穿隧接面组件的间的接口区域，供应到磁穿隧接面组件。所供应的电流足以切换自由层的磁化方向。

Claims (10)

1.一种磁性存储器组件，包含：
一磁穿隧接面(MTJ)组件，包括至少一自由层；以及
一电极，包含一固定层、一被固定层、与一非磁性传导层；
其中，所述电极的所述非磁性传导层插入在所述电极的
所述被固定层与所述磁穿隧接面组件的所述自由层之间。
2.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述非磁性传导层厚度小于600埃。
3.根据权利要求1所述的存储器组件，其中，所述磁穿隧接面组件包括具有一第一表面区域的一第一表面，且所述电极包括一第二表面，所述电极的所述第二表面耦合至所述磁穿隧接面组件的所述第一表面，以形成一接口区域，其中所述接口区域小于第一表面区域。
4.根据权利要求3所述的存储器组件，其中，所述自由层的一磁化可通过旋转扭矩转移来切换。
5.根据权利要求3所述的存储器组件，其中，所述第二表面包括一非磁性、传导层表面。
6.根据权利要求3所述的存储器组件，其中，所述电极的所述第二表面的一部分没有直接耦合至所述第一表面区域。
7.根据权利要求3所述的存储器组件，其中，所述第一表面包括一自由层的一表面。
8.一种形成磁性存储器组件的方法，包含：
提供一基板；
在所述基板上形成一磁穿隧接面(MTJ)组件；以及
在所述基板上形成一电极，耦合至所述磁穿隧接面组件，其中，形成所述电极包含至少形成一固定层、一被固定层与一非磁性层传导层中的各一个。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述磁穿隧接面组件包括形成一自由层，且其中形成所述非磁性传导层是使得形成的非磁性传导层避免与所述被固定层及所述自由层磁性耦合。
10.一种程序化磁性存储器组件的方法，包含：
提供一存储器组件，包含耦合至一磁穿隧接面(MTJ)组件的一电极，所述磁穿隧接面组件包括一自由层；
供应一电流至所述电极；
使用所述电极以旋转极化所述电流；以及
经由所述电极与所述磁穿隧接面组件间的一接口区域，将所述旋转极化电流从所述电极供应至所述磁穿隧接面组件，其中，所供应的所述电流足以切换所述自由层的磁化方向。
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