CN101308303B - 显示器基板、其制造方法以及具有其的显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示器基板，包括底部基板，有机脊形图案，像素电极和屏蔽电极。在底部基板上形成排列成矩阵形状的多个像素区域。有机脊形图案在相邻像素区域之间突出。像素电极处于每个像素区域中。屏蔽电极设置在有机脊形图案上，与像素电极电连接。

Description

显示器基板、其制造方法以及具有其的显示装置
技术领域
本发明涉及显示器基板，显示器基板的制造方法以及具有显示器基板的显示装置。更具体而言，本发明涉及基本上能防止漏光的显示器基板，显示器基板的制造方法以及具有图像显示质量得到提高的显示器基板的显示装置。
背景技术
平板显示装置具有多种特性，诸如厚度薄，重量轻，尺寸小等，并且应用于多种领域中。
液晶显示(LCD)装置是一种平板显示装置，包括具有阵列基板的LCD面板，与阵列基板相对的对置基板，以及置于阵列基板与对置基板之间的液晶层。液晶层液晶的排列随施加给阵列基板的像素电极与对置基板的公共电极的电场而改变，且液晶层的透光率发生改变，从而显示图像。
当向LCD面板施加压力时，液晶的排列受到干扰，从而光通过受干扰的液晶泄漏。此外，当液晶的排列受到干扰时，会减小液晶的响应速度。
例如，当LCD面板与触摸屏面板形成一体时，压力经常会施加给LCD面板，从而降低了LCD装置的图像显示质量。
发明内容
根据本发明一个实施例的显示器基板，包括底部基板，有机脊形图案，像素电极和屏蔽电极。在底部基板上，多个像素区域排列成矩阵形状。有机脊形图案在相邻像素区域之间突出。在每个像素区域中设置像素电极。屏蔽电极设置在有机脊形图案上，并且与像素电极电连接。
根据本发明另一实施例的显示器基板，包括底部基板，多个滤色器，有机脊形图案以及公共电极。在底部基板上滤色器排列成矩阵形状。有机脊形图案在相邻滤色器之间突出。公共电极设置在底部基板上，覆盖滤色器和有机脊形图案。
如下所述，提供根据本发明又一实施例的显示器基板的制造方法。在底部基板上形成薄膜晶体管，多条栅极线和多条数据线。薄膜晶体管与所述栅极线中的一条和所述数据线中的一条电连接。在形成于底部基板上的相邻像素区域之间形成有机脊形图案。在底部基板上形成透明导电层以覆盖薄膜晶体管、栅极线和数据线以及有机脊形图案。对透明导电层进行构图，以便在每个像素区域中形成像素电极，以及在有机脊形图案上形成与像素电极电连接的屏蔽电极。
根据本发明另一实施例的显示装置包括阵列基板，对置基板以及液晶层。阵列基板包括底部基板，有机脊形图案，像素电极和屏蔽电极。底部基板具有排列成矩阵形状的多个像素区域。有机脊形图案在相邻像素区域之间突出。像素电极设置在每个像素区域中。屏蔽电极设置在有机脊形图案上，与像素电极电连接。对置基板与阵列基板面对，并且包括对置底部基板和处于对置底部基板上的公共电极。液晶层置于阵列基板与对置基板之间。
根据本发明另一实施例的显示装置包括阵列基板，对置基板以及液晶层。阵列基板包括底部基板，薄膜晶体管，有机保护层和像素电极。底部基板具有排列成矩阵形状的多个像素区域。薄膜晶体管处于每个像素区域中。有机保护层设置在底部基板上，与薄膜晶体管电连接。在有机保护层上，像素电极与薄膜晶体管电连接。对置基板与阵列基板面对，并且包括对置底部基板，多个滤色器，有机脊形图案和公共电极。在对置底部基板上，滤色器排列成矩阵形状。有机脊形图案在相邻滤色器之间突出。公共电极设置在对置底部基板上，覆盖滤色器和有机脊形图案。液晶层置于阵列基板与对置基板之间。
显示器基板包括阵列基板，滤色器基板，滤光器涂布于阵列上的(color filter on array，COA)基板等。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施例，本发明将变得更加清楚，其中：
图1是表示根据本发明一个实施例的阵列基板的平面图；
图2为沿图1中所示的线I-I’作出的剖面图；
图3为沿图1中所示的线II-II’作出的剖面图；
图4为表示图1的像素电极和屏蔽电极的平面图；
图5到9为表示图1中所示阵列基板的制造方法的剖面图；
图10为表示根据本发明一个示范性实施例的阵列基板的平面图；
图11为沿10中所示的线III-III’作出的剖面图；
图12为表示图10中所示像素电极和屏蔽电极的平面图；
图13为表示根据本发明一个示范性实施例的阵列基板的剖面图；
图14为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图15为沿图14中所示的线IV-IV’作出的剖面图；
图16为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图17为沿图16中所示的线V-V’作出的剖面图；
图18为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图19为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图20为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图21为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图22为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图；
图23为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图；
图24为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图；
图25为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图；
图26为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的平面图；以及
图27为沿图26中所示的线VI-VI’作出的剖面图。
具体实施方式
下面将参照附图更充分地描述本发明，在附图中表示出本发明的示范性实施例。不过，本发明可以通过多种不同方式来实现，不应当理解为局限于此处给出的实施例。实际上，提供实施例是为了使公开充分和完全，并且向本领域技术人员完全表示出本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。
相同附图标记始终表示相同元件。正如此处所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列出项的任意和所有组合。
下面，将参照附图详细描述本发明。
图1为表示根据本发明一个示范性实施例的阵列基板的平面图。图2为沿图1中所示的线I-I’作出的剖面图。图3为沿图1中所示的线II-II’作出的剖面图。
参照图1到3，阵列基板包括下底部基板120，遮光图案122，栅极线(gate line)128，数据线127，薄膜晶体管119，半导体图案117，栅极绝缘层126，钝化层116，有机脊形图案130，像素电极112和屏蔽电极113。或者，阵列基板可包括多条栅极线128，多条数据线127，多个薄膜晶体管119，多个有机脊形图案130，多个像素电极112和多个屏蔽电极113。
下底部基板120包括排列成矩阵形状的多个像素区域140，和置于像素区域140之间的信号传输区域150。
下底部基板120包括透光玻璃基板。在图1到3中，玻璃基板不包含碱离子，从而改善了薄膜晶体管119的电学性质。或者，下底部基板120可包括透明合成树脂。可用于下底部基板120的透明合成树脂的例子包括三乙酰纤维素(TAC)，聚碳酸酯(PC)，聚醚砜(PES)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)，聚乙烯醇(PVA)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，环烯聚合物(COP)等。
栅极线128在底部基板120上沿第一方向延伸，并且基本上彼此平行。第一方向为底部基板120的纵向方向。
遮光图案122在下底部基板120上在相邻栅极线128之间基本上沿第二方向排列，并且与栅极线128电绝缘。第二方向为底部基板120的水平方向。遮光图案122阻挡入射光穿过相邻屏蔽电极113之间的空间，以增大显示装置的对比度。
阵列基板可以进一步包括置于下底部基板120上相邻栅极线128之间的多个存储电容线(未示出)，并且存储电容线可以与像素电极112重叠(overlap)以形成存储电容器(未示出)。
栅极绝缘层126设置在下底部基板120上，覆盖栅极线128以及每个薄膜晶体管119的栅极118b。栅极118b与每条栅极线128电连接。
半导体图案117设置在栅极绝缘层126上，并且包括非晶硅图案117a和处于非晶硅图案117a上的N+非晶硅图案117b。在图1到3中，非晶硅图案117a设置在数据线127，薄膜晶体管119的源极118a以及薄膜晶体管119的漏极118c，以及源极118a与漏极118c之间的空间的下面。此外，N+非晶硅图案117b设置在数据线127，源极118a以及漏极118c的下面。
源极118a设置在半导体图案117的与栅极118b相应的一部分上。漏极118c与源极118a分隔开，并且设置在半导体图案117的与栅极118b相应的一部分上。
数据线127在半导体图案117上沿第二方向延伸，并且基本上彼此平行排列。
钝化层116设置在栅极绝缘层126上，并且覆盖数据线127和薄膜晶体管119。例如，钝化层116具有接触孔116a，通过其使漏极118c部分露出。
有机脊形图案130沿栅极线128和数据线127延伸，并且处于信号传输区域150中。例如，有机脊形图案130设置在钝化层116上。
有机脊形图案130具有沿第一方向或第二方向延伸的脊形形状。有机脊形图案130的横截面可以具有多边形形状，半圆形形状，半椭圆形形状等。在图1到3中，有机脊形图案130具有梯形横截面。
图4为表示图1的像素电极和屏蔽电极的平面图。
参照图1到4，像素电极112设置在像素区域140中，并且通过接触孔116a与漏极118c电连接。
屏蔽电极113设置在有机脊形图案130之上，并且与像素电极112电连接。在图1到4中，屏蔽电极113围绕像素电极112，并且屏蔽电极113与像素电极112之间的边界111同信号传输区域150与像素区域140之间的边界相重叠。
屏蔽电极113与栅极线128和数据线127部分重叠。通过设置在栅极线128上的有机脊形图案130，增大了屏蔽电极113与栅极线128之间的距离，从而减小了屏蔽电极113与栅极线128之间的寄生电容。此外，数据线127上的有机脊形图案130增大了屏蔽电极113与数据线127之间的距离，从而减小了屏蔽电极113与数据线127之间的寄生电容。
屏蔽电极113相对于像素电极112突出，以在屏蔽电极113与对置基板(opposite substrate)的公共电极之间产生强电场。从而，相邻像素电极112之间的液晶不会受到干扰。
在图1到4中，屏蔽电极113覆盖薄膜晶体管119。像素电极112可覆盖薄膜晶体管119，并且像素电极112与像素区域140可具有大体上矩形形状。
根据图1到4的阵列基板，屏蔽电极113形成在有机脊形图案130上，从而屏蔽电极113相对于像素电极112突出。因此，减小了屏蔽电极113与公共电极之间的距离，因此增大了屏蔽电极113与公共电极之间形成的电场的强度，从而基本上防止了置于相邻像素电极112之间的液晶发生扭曲。
图5到9为表示图1中所示阵列基板的制造方法的剖面图。
参照图1和5，在下底部基板120上沉积栅极金属层(未示出)。对栅极金属层进行构图，以形成栅极118b，栅极线128和遮光图案122。
在下底部基板120上形成覆盖栅极118b，栅极线128和遮光图案122的栅极绝缘层126。参照图1和6，在栅极绝缘层126上形成包括非晶硅层(未示出)和N+非晶硅层(未示出)的半导体层(未示出)。在图1和6中，为了形成半导体层，在栅极绝缘层126上沉积原始非晶硅层(未示出)，并且将N+离子注入原始非晶硅层的上部中，以形成非晶硅层和N+非晶硅层。
在半导体层上沉积数据金属层(未示出)。对数据金属层进行构图，以形成数据线127，源极118a和漏极118c。使用数据线127、源极118a和漏极118c作为蚀刻掩模，将非晶硅层和N+非晶硅层部分蚀刻，以形成包括非晶硅图案117a和N+非晶硅图案117b的半导体图案117。在图1和6中，使用半色调掩模通过光刻处理对数据金属层和半导体层进行构图。
在栅极绝缘层126上沉积覆盖数据线127，源极118a和漏极118c的钝化层116。
将钝化层116部分蚀刻，以形成接触孔116a，通过其使漏极118c部分暴露出。
参照图7，在钝化层116上形成光致抗蚀剂膜130a。光致抗蚀剂膜130a使包括栅极线128，数据线127和薄膜晶体管119的下基板120的表面平坦化。在图7中，光致抗蚀剂膜130a的厚度T不小于钝化层116的高度，且不大于液晶层(未示出)厚度的大约一半。
参照图8，去除处于像素区域140中的光致抗蚀剂膜130a。在图8中，去除处于像素区域140中的光致抗蚀剂膜130a，从而在信号传输区域150中形成有机脊形图案130，并且露出像素区域140中的钝化层160和接触孔116a。或者，可以部分去除像素区域140中的光致抗蚀剂膜130a，使得光致抗蚀剂膜130a在像素区域140中保留恒定的厚度。当在像素区域140中保留光致抗蚀剂膜130a时，可以在形成有机脊形图案130之后形成接触孔116a。
参照图9，在形成有有机脊形图案130的钝化层116上形成透明导电层(未示出)。将透明导电层部分蚀刻，以形成像素电极112和屏蔽电极113。像素电极112通过接触孔116a与漏极118c电连接。
根据图1到9中所示的显示器基板的制造方法的一个示范性实施例，阵列基板包括屏蔽电极113，从而增大了显示装置的孔径比。
此外，在有机脊形图案130上形成屏蔽电极113，从而增大了屏蔽电极113与公共电极之间所形成的电场的强度。因此，增大了与像素电极112侧相邻的液晶的响应速度，并且基本上防止相邻像素电极112之间的液晶发生扭曲。
此外，处于有机脊形图案130侧面上的液晶，基本上朝向像素区域112排列，从而增大了液晶的回复力。
图10为表示根据本发明一个示范性实施例的阵列基板的平面图。图11为沿图10中所示的线III-III’作出的剖面图。图12为表示图10中所示像素电极和屏蔽电极的平面图。除屏蔽电极以外，图10到12的阵列基板与图1到4基本相同。因此，将使用相同附图标记表示与图1到4中所述相同或相似的元件，并将省略对上述元件的进一步说明。
参照图10到12，屏蔽电极213包括屏蔽部分213a和连接部分213b，并且围绕像素电极212。屏蔽部分213a与像素电极212分隔开，以形成开口216。屏蔽部分213a设置在有机脊形图案130上，并且有机脊形图案130的侧面通过开口216暴露出。当有机脊形图案130的侧面被屏蔽电极覆盖时，沿着有机脊形图案130的侧面可以形成电场，从而处于有机脊形图案130侧面上的液晶有可能发生扭曲。不过，在图10到12中，有机脊形图案130的侧面被暴露出，从而液晶基本上沿着屏蔽部分213a与像素电极112之间所形成的电场排列。
连接部分213b形成于有机脊形图案130的侧面上，将像素电极212与屏蔽部分213a电连接。在图10到12中，连接部分213b可以形成在有机脊形图案130的下面。
根据图10到12的阵列基板，改善了有机脊形图案130的侧面上液晶排列的均匀性，从而减小了光泄漏。
图13为表示根据本发明一个示范性实施例的阵列基板的剖面图。除屏蔽电极之外，图13的阵列基板与图1到4基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图1到4中所述部件相同或相似的部件，并将省略对上述元件的进一步解释。
参照图1和13，在钝化层116上形成有机保护层235。有机保护层235使下底部基板120的上面形成有数据线127，栅极线128和薄膜晶体管119的表面平坦化。有机保护层235和钝化层116具有接触孔216a，通过接触孔使薄膜晶体管119的漏极部分暴露出。
在有机保护层235上设置有机脊形图案230。
像素电极112设置在有机保护层235上，通过接触孔216a与漏极118c电连接。
屏蔽电极113设置在有机脊形图案230上，与像素电极112电连接。
在图13中，使用单个掩模形成有机保护层235和有机脊形图案230。例如，调整曝光量，以改变有机保护层235的厚度。在形成有机保护层235之后形成接触孔216a。
图14为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。图15为沿图14中所示的线IV-IV’作出的剖面图。
参照图14和15，对置基板包括上底部基板320，滤色器304，对置(opposite)有机脊形图案332以及公共电极306。或者，对置基板可进一步包括多个滤色器304和多个对置有机脊形图案332。
在图14和15中，上底部基板320包含的材料实质上与图1中所示的下底部基板相同。从而，将省略对上述元件的任何进一步解释。
在上底部基板320上，滤色器304被设置成矩阵形状。例如，滤色器304包括红滤色器，绿滤色器和蓝滤色器。
在上底部基板320上，黑色矩阵(未示出)可置于相邻滤色器304之间。
对置有机脊形图案332在相邻滤色器304之间突出。在图14和15中，对置有机脊形图案332面对阵列基板的栅极线和数据线。
将公共电极306设置在滤色器304上，以覆盖对置有机脊形图案332。
根据图14和15的对置基板，该对置基板包括对置有机脊形图案332，从而减小了相邻滤色器304之间的公共电极306与阵列基板的像素电极(或屏蔽电极)之间的距离。因此，增大了相邻滤色器304之间的电场强度，从而改善了相邻滤色器304之间液晶排列的均匀性。
图16为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。图17为沿图16中的线V-V’作出的剖面图。除对置有机脊形图案以外，图16和17的对置基板与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15中所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图16和17，对置有机脊形图案334围绕三个滤色器304。例如，将该基板与阵列基板组合，以插入扭曲向列模式的(twisted nematicmode)液晶层。
在图16和17中，对置有机脊形图案334围绕沿第三方向排列的三个滤色器304。对置有机脊形图案334可以相应于具有触感电路(未示出)的阵列基板的压力检测电极。或者，对置有机脊形图案334可以相应于具有光感电路(未示出)的阵列基板的光检测电极。对置有机脊形图案可围绕两个滤色器，或者不少于四个滤色器。或者，对置有机脊形图案334可围绕沿基本垂直于第三方向的第四方向排列的三个滤色器。
公共电极306设置于对置有机脊形图案334和被对置有机脊形图案334覆盖的滤色器304上面。
根据图16和17的对置基板，根据液晶层的模式，对置有机脊形图案334可具有多种形状，从而改善显示装置的图像显示质量。
图18为根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。除对置有机脊形图案以外，图18的对置基板与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图18，对置有机脊形图案336仅沿第三方向延伸。在图18中，对置有机脊形图案336没有沿第四方向延伸。
公共电极306(图15中所示)沿着在第三方向延伸的对置有机脊形图案336，在第三方向突出。
根据图18的对置基板，在第三方向突出的对置有机脊形图案336基本上防止了光在第三方向泄漏。
图19为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。除对置有机脊形图案以外，图19的对置基板与图18基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图18所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图19，对置基板可进一步包括辅助有机脊形图案337。辅助有机脊形图案337由与对置有机脊形图案336基本相同的层形成，并且在第三方向与多个滤色器304交叉。
根据图19的对置基板，辅助有机脊形图案337在第三方向与滤色器304交叉，以增大与辅助有机脊形图案337相邻的液晶的响应速度。
图20为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。除对置有机脊形图案以外，图20的对置基板与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图20，对置有机脊形图案338仅沿第四方向延伸。在图20中，对置有机脊形图案338没有沿基本垂直于第四方向的第三方向延伸。
公共电极306(图15中所示)沿着在第四方向延伸的对置有机脊形图案338，在第四方向突出。
根据图20的对置基板，在第四方向突出的对置有机脊形图案338基本防止了光在第四方向的泄漏。
图21为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。除对置有机脊形图案以外，图21的对置基板与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图21，对置有机脊形图案339沿第三方向设置在每三个滤色器304(图15中所示)的一侧。
当与对置基板相对的阵列基板包括光检测电极或压力检测电极时，对置有机脊形图案339与光检测电极或压力检测电极相应。
图22为表示根据本发明一个示范性实施例的对置基板的平面图。除对置有机脊形图案以外，图22的对置基板与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图22，对置基板可进一步包括辅助有机脊形图案337。辅助有机脊形图案337由与对置有机脊形图案332基本相同的层形成，并且在第三方向与多个滤色器304交叉。
对置有机脊形图案332和辅助有机脊形图案337将滤色器304分成网状。
根据图22的对置基板，液晶被对置有机脊形图案332和辅助有机脊形图案337包围，以沿对置有机脊形图案332和辅助有机脊形图案337的侧面排列。从而，改善了具有对置基板的显示器基板的视角以及液晶的响应速度。
图23为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图。
参照图23，显示装置包括阵列基板100，对置基板200’以及液晶层300。
图23的阵列基板100与图1到4基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图1到4所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
此外，图23的对置基板200’与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
对置基板200’包括上底部基板320，滤色器304以及公共电极306。滤色器304设置在上底部基板320上。公共电极306处于上底部基板320上，覆盖滤色器304。
将液晶层300置于阵列基板100与对置基板200’之间。液晶层300可具有扭曲向列(TN)模式，超扭曲向列(STN)模式，水平取向模式，电控双折射(electrically controlled birefringence(ECB)：或称为利用电场控制的双折射)模式，垂直取向模式等。
在图23中，有机脊形图案130的厚度H1大于钝化层116相对于下底部基板120的上表面的高度h，且小于液晶层300的厚度L的一半。当有机脊形图案130的厚度H1小于钝化层116的高度h时，屏蔽电极113与数据线127之间的寄生电容增大，而使图像显示质量下降。此外，当有机脊形图案130的厚度H1大于液晶层300的厚度L的大约一半时，液晶在有机脊形图案130上的运动受到限制，使图像显示质量下降。
根据图23的显示装置，减小了在有机脊形图案130上光的泄漏，增大了液晶的响应速度。此外，有机脊形图案130的侧面增大了视角。
图24为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图。
参照图24，显示装置包括阵列基板100’，对置基板200和液晶层300。
除平坦化层以外，图24的阵列基板100’与图1到4基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图1到4所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
阵列基板100’包括下底部基板120，栅极线128，遮光图案122，栅极绝缘层126，薄膜晶体管119，数据线127，钝化层116，平坦化层410，像素电极412以及屏蔽电极413。
在钝化层116上设置平坦化层410，使下底部基板120的上面形成有栅极线128，遮光图案122，栅极绝缘层126，薄膜晶体管119，数据线127和钝化层116的表面平坦化。此外，平坦化层410增加了屏蔽电极413与数据线127之间的距离，从而减小了屏蔽电极413与数据线127之间的寄生电容。
图24的对置基板200与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
液晶层300置于阵列基板100’与对置基板200之间。
在图24中，对置有机脊形图案332的厚度H2小于液晶层300的厚度L的大约一半。当对置有机脊形图案332的厚度H2大于液晶层300的厚度L的大约一半时，对置有机脊形图案332会限制液晶在对置有机脊形图案332上的运动，从而使显示装置的图像显示质量下降。例如，对置有机脊形图案332的厚度H2可大于覆盖数据线127的钝化层116相对于下底部基板120的上表面的高度h。
图25为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的剖面图。
参照图25，显示装置包括阵列基板100，对置基板200和液晶层300。
除有机脊形图案的高度以外，图25的阵列基板100与图1到4基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图1到4所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
此外，除对置有机脊形图案的高度以外，图25的对置基板200与图14和15基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图14和15所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
液晶层300置于在阵列基板100与对置基板200之间。
在图25中，有机脊形图案131的高度H3与对置有机脊形图案332的高度H4之和，小于液晶层300的厚度L的大约一半。当有机脊形图案131的高度H3与对置有机脊形图案332的高度H4之和大于液晶层300的厚度L的大约一半时，置于有机脊形图案131与对置有机脊形图案333之间的液晶的运动会受到限制，使显示装置的图像显示质量下降。此外，有机脊形图案131的厚度H3大于钝化层116相对于下底部基板120的上表面的高度h。当有机脊形图案131的厚度小于钝化层116的高度时，屏蔽电极与数据线127之间的寄生电容增大，从而图像显示质量下降。
图26为表示根据本发明一个示范性实施例的显示装置的平面图。图27为沿图26中所示的线VI-VI’作出的剖面图。除阵列基板以外，图26和27的显示装置与图23基本相同。从而，将使用相同附图标记表示与图23所示相同或相似的部件，并将省略对上述元件的任何进一步解释。
参照图26和27，显示装置包括阵列基板400，对置基板200’以及液晶层301。
阵列基板400包括下底部基板120，栅极线128，数据线127，薄膜晶体管119，第一检测线510，第二检测线520，检测部分550，栅极绝缘层126，钝化层116，有机脊形图案430，像素电极112以及屏蔽电极113。
检测部分550置于相邻屏蔽电极113之间，并且包括第一检测电极512，第二检测电极522，第一连接电极516，第二连接电极526，第一接触孔5 14和第二接触孔524。在图26和27中，第一和第二检测电极512和522中的每一个都是压力检测电极。
第一检测电极512设置在有机脊形图案430上，并且通过第一接触孔514与第一连接电极516电连接。第一检测电极512由与像素电极112和屏蔽电极113基本相同的层形成。
第一接触孔514形成通过有机脊形图案430和钝化层116，通过第一接触孔514使第一连接电极516部分暴露出。
第一连接电极516与第一检测线510电连接，并且被置于栅极绝缘层126与钝化层116之间。在图26和27中，第一连接电极516由与第一检测线510基本相同的层形成。
第二检测电极522设置在有机脊形图案430上，并且通过第二接触孔524与第二连接电极526电连接。第二检测电极522由与像素电极112和屏蔽电极113基本相同的层形成。
第二接触孔524形成通过有机脊形图案430，钝化层116和栅极绝缘层126，并且通过第二接触孔524将第二连接电极516部分暴露出。
第二连接电极526与第二检测线520电连接，并且被置于下底部基板120与栅极绝缘层126之间。在图26和27中，第二连接电极526由与第二检测线520基本相同的层形成。
当外部提供的压力被施加给对置基板200’时，减小了公共电极与第一和第二检测电极512和522中每一个之间的距离G。从而，增大了公共电极306与第一和第二检测电极512和522中每一个之间的电容，因此，产生第一压力检测信号或第二压力检测信号。第一压力检测信号与受压点在第一方向的位置有关。第二压力检测信号与受压点在第二方向的位置有关。
第一检测线510设置在栅极绝缘层126上，并且由与数据线127基本相同的层形成。在图26和27中，第一检测线510沿第二方向延伸，并且传输第一压力检测信号。
第二检测线520置于下底部基板120与栅极绝缘层126之间，并且由与栅极线128和遮光图案122基本相同的层形成。在图26和27中，第二检测线520沿第一方向延伸，并传输第二压力检测信号。
检测部分550在第一方向与每三条数据线127相邻。
有机脊形图案430沿第一和第二方向延伸。
在图26和27中，检测部分550检测压力，以确定受压点的位置，从而检测物体在对置基板200’上的位置。或者，检测部分可检测光，从而检测物体的位置。
根据图26和27的显示装置，检测部分550被集成到下底部基板120上，以检测物体在对置基板200’上的位置。
此外，有机脊形图案430减小了屏蔽电极113与公共电极306之间的距离G，从而增大了在屏蔽电极113与公共电极306之间施加的电场强度。从而，尽管向液晶层301施加压力，液晶层301的液晶的回复力增大。根据显示器基板，该显示器基板的制造方法以及具有本发明显示器基板的显示装置，基本防止了置于相邻像素电极之间的液晶发生扭曲，并且增大了液晶的响应速度以及回复力。此外，改善了显示装置的视角和孔径比。
此外，与有机脊形图案的侧面相邻的液晶朝向像素区域取向，从而改善了液晶的回复力以及显示装置的视角。
此外，有机脊形图案的侧面可以暴露于液晶，从而增大了液晶在有机脊形图案上排列的均匀性，从而减少漏光。
而且，在滤色器上可形成辅助有机脊形图案，以增大滤色器上液晶的响应速度。
此外，可以将检测部分集成到下底部基板上，从而可改变元件在对置基板上的位置。
已经参照示范性实施例描述了本发明。不过，显而易见，本领域技术人员在上述描述的教导下可明显得出多种可选择的变型和改变。因而，本发明包含落入所附权利要求的精神和范围之内的所有可选择的变型和改变。

Claims (12)

1.一种显示装置，包括：
阵列基板，该阵列基板包括：
具有排列成矩阵形状的多个像素区域、和置于像素区域之间的信号传输区域的底部基板；
在相邻像素区域之间突出的有机脊形图案；
处于每个像素区域中的像素电极；以及
屏蔽电极，该屏蔽电极设置在信号传输区域内的有机脊形图案上，该屏蔽电极与像素电极电连接；
面对该阵列基板的对置基板，所述对置基板包括对置底部基板和在对置底部基板上的公共电极；以及
置于阵列基板与对置基板之间的液晶层，
其中
所述屏蔽电极包括屏蔽部分和连接部分，所述连接部分将像素电极电连接到屏蔽部分，且所述屏蔽电极围绕像素电极；
所述屏蔽部分与所述像素电极间隔开以形成开口；
所述屏蔽部分设置在有机脊形图案上且所述有机脊形图案的侧面通过所述开口暴露出。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，信号传输线设置在有机脊形图案下面并与屏蔽电极重叠。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括置于相邻像素区域之间的检测部分，所述检测部分基于外部提供的压力产生检测信号。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述检测部分包括：
在底部基板上的检测线；以及
在有机脊形图案上的检测电极，所述检测电极与检测线电连接。
5.如权利要求1所述的显示装置，还包括在底部基板上与像素电极电连接的薄膜晶体管，
其中，所述薄膜晶体管被有机脊形图案覆盖。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机脊形图案的高度小于液晶层的厚度的一半。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述对置基板进一步包括在对置底部基板上的与相邻的像素区域之间的区域相应的对置有机脊形图案，所述公共电极覆盖所述对置有机脊形图案。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述有机脊形图案的高度与对置有机脊形图案的高度之和小于液晶层的厚度的一半。
9.一种显示器基板的制造方法，包括步骤：
在底部基板上形成薄膜晶体管，多条栅极线和多条数据线，该薄膜晶体管与所述栅极线中的一条和所述数据线中的一条电连接；
在设置在底部基板上的相邻像素区域之间形成有机脊形图案；
在底部基板上形成覆盖薄膜晶体管、栅极线和数据线以及有机脊形图案的透明导电层；以及
对透明导电层进行构图，以在每个像素区域中形成像素电极，以及在信号传输区域内的有机脊形图案上形成屏蔽电极，所述屏蔽电极与像素电极电连接，
其中
所述屏蔽电极包括屏蔽部分和连接部分，所述连接部分将像素电极电连接到屏蔽部分，且所述屏蔽电极围绕像素电极；
所述屏蔽部分与所述像素电极间隔开以形成开口；
所述屏蔽部分设置在有机脊形图案上且所述有机脊形图案的侧面通过所述开口暴露出。
10.如权利要求9所述的方法，其中对透明导电层进行构图的步骤包括去除与像素电极和屏蔽电极相应的区域之间的透明导电层的一部分。
11.如权利要求9所述的方法，还包括在底部基板上形成覆盖薄膜晶体管和栅极线及数据线的钝化层的步骤。
12.如权利要求11所述的方法，还包括对钝化层进行构图以形成接触孔的步骤，通过所述接触孔使薄膜晶体管的电极部分暴露出。
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