CN101304634A - 挠性叠层板及挠性叠层板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的挠性叠层板具有基膜、叠层在该基膜上的中间层和叠层在该中间层上的导电层，在所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有55重量％以上的Ni、4重量％以上的Cr，同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素，该易氧化元素的浓度在叠层方向上的所述基膜侧被设定为较高。

Description

挠性叠层板及挠性叠层板的制造方法

技术领域

本发明涉及在由聚酰亚胺树脂等形成的基膜(basefilm)的表面利用铜等形成了导电层的挠性叠层板，特别涉及被用作TAB带(TABtape)、柔性电路基板或柔性布线板等的挠性叠层板及该挠性叠层板的制造方法。

本申请要求享有基于2007年5月8日在日本申请的日本专利申请2007-123418号的优先权，并将其内容引用于此。

背景技术

近年来，作为对电子器械的小型化、轻量化、结构柔软化有利的电路基板，对使用了TAB(Tape Automated Bonding)和FPC(FlexiblePrint Circuit)等的电路基板的需求日益增高。

作为被用作上述电路基板的挠性叠层板，例如提出以下方案：利用真空蒸镀、溅射、离子镀等薄膜形成技术直接在由聚酰亚胺等形成的基膜(basefilm)上按照电路图案形成金属薄膜，然后，利用电解镀覆等在该金属薄膜上堆积金属镀层，形成电路图案状的导电层；或在基膜的表面形成金属薄膜，利用电解镀覆等在该金属薄膜上堆积金属形成导电层，蚀刻该导电层形成电路图案等。但是，上述结构的挠性叠层板在利用蚀刻形成电路图案的工序或电解镀覆工序等中，存在基膜和导电层间的接合强度下降、容易剥离的问题。

所以，例如在专利文献1～6中提出一种挠性叠层板，通过在导电层和基膜之间设置中间层，提高基膜和导电层之间的接合强度。

特别是在专利文献6中公开的挠性叠层板中，配置含有Cr的中间层作为中间层，通过使Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子形成共价键，能提高中间层和导电层与基膜的接合强度。

近年来，使用了上述挠性叠层板的柔性电路基板逐渐被用于汽车或飞机等电气安装部件，在高温环境下使用，所以要求高温环境下可靠性高的挠性叠层板。

但是，已知现有的挠性叠层板在高温环境下的接合强度降低。本发明人等进行了研究，发现该接合强度降低是由于作为中间层的合金与聚酰亚胺树脂的粘合力降低。

一般认为，作为中间层的合金与聚酰亚胺树脂的粘合力降低的机理是合金氧化引起界面劣化。

具体而言，构成基膜的聚酰亚胺树脂具有容易扩散氧或水蒸气的性质，所以气氛中的氧或水蒸气从基膜的背面(没有设置中间层侧的面)透过，到达中间层和基膜的界面，在该界面中间层发生氧化。特别是在高温环境下，氧或水蒸气的扩散被促进，所以导致与常温环境下相比，中间层和基膜的接合强度更大幅度地下降。

[专利文献1]特开平01-133729号公报

[专利文献2]特开平03-274261号公报

[专利文献3]特开平05-183012号公报

[专利文献4]特开平07-197239号公报

[专利文献5]特开平08-330695号公报

[专利文献6]特开2005-26378号公报

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种挠性叠层板及该挠性叠层板的制造方法，所述挠性叠层板即使在高温环境下，基膜和中间层的接合强度也不降低，可靠性高。

为了解决该课题，本发明的挠性叠层板具有基膜、被叠层在该基膜上的中间层和被叠层在该中间层上的导电层，所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，所述中间层含有55重量％以上的Ni、4重量％以上的Cr，同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素，并且在叠层方向上，所述基膜侧的该易氧化元素的浓度被设定为较高。

本发明的挠性叠层板由于在基膜和导电层之间设置有含有55重量％以上的Ni、4重量％以上的Cr，同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素的中间层，所以，存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先氧化易氧化元素，从而能够抑制Cr的氧化。所以，Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子之间的共价键不被破坏，即使在高温环境下也能抑制接合强度的降低。另外，由于导电层侧的易氧化元素的浓度被设定为较低，所以能够抑制易氧化元素引起的中间层性质的变化。

需要说明的是，所谓比Cr容易氧化的元素，是指在该挠性叠层板被使用的温度范围(例如-20℃～200℃)，氧化物生成自由能小于Cr的元素。

此处，所述中间层含有的所述易氧化元素可以是Mo。

此种情况下，由于中间层的基膜侧的Mo浓度被设定得较高，所以存在于基膜和中间层的界面的氧或水蒸气优先氧化Mo，进而能够确实地抑制Cr的氧化。另外，Mo的耐腐蚀性高，蚀刻性差，但由于导电层侧的Mo浓度低于基膜侧，所以能够通过蚀刻容易地形成电路图案。

另外，可以使所述中间层为在叠层方向上Cr的浓度为固定值的结构。

此种情况下，即使提高基膜侧的易氧化元素的浓度，基膜侧的Cr的浓度也不减少，从而能够通过Cr的d电子与聚酰亚胺树脂的π电子之间的共价键提高中间层和基膜的接合强度。

所述中间层可以含有选自Al、Fe、Nb及Co中的一种或二种以上，并使上述Al、Fe、Nb及Co的含量总计为10重量％以下。

此种情况下，通过含有Al、Fe、Nb及Co，使Ni相的固溶范围较宽，进而Ni相稳定，能够稳定地形成致密的钝态被膜。

所述中间层还可以含有选自W、Ta、Nb及Ti中的一种或二种以上，并使上述W、Ta、Nb及Ti的含量总计为6重量％以下。

此种情况下，利用W、Ti、Nb及Ta能形成致密的钝态被膜，进而能够防止点状腐蚀(pitting)的发生，提高该挠性叠层板的可靠性。

本发明的挠性叠层板的制造方法是上述挠性叠层板的制造方法，包括在所述基膜的表面叠层所述中间层的叠层工序，该叠层工序具有在所述基膜的表面利用含有所述易氧化元素的基靶(base target)进行溅射的基底溅射(base sputtering)工序；和至少一个在所述基底溅射工序之后利用所述易氧化元素的浓度低于所述基靶的低浓度靶进行溅射的溅射工序。

本发明的挠性叠层板的制造方法具有在基膜的表面利用所述含有易氧化元素的基靶进行溅射的基底溅射工序和在所述基底溅射工序之后，利用所述易氧化元素的浓度低于所述基靶的低浓度靶进行溅射的溅射工序，由此能够将中间层中的基膜侧的易氧化元素的浓度设定为较高。

此处，将所述基膜从上游侧输送至下游侧，所述基靶被配置在上游侧，所述低浓度靶被配置在下游侧，连续进行所述基底溅射工序和所述溅射工序，同时通过改变所述基靶及所述低浓度靶的输送方向长度，可以调整所述易氧化元素的浓度分布。

此种情况下，通过连续进行所述基底溅射工序和所述溅射工序，能效率良好地成型中间层，进而能够以低成本制造该挠性叠层板。另外，通过改变基靶及所述低浓度靶的输送方向长度，能够在基膜的输送速度固定的状态下调整基底溅射工序及所述溅射工序的时间，进而能够以良好的精度调整中间层中的易氧化元素的浓度分布。

根据本发明，能够提供一种可靠性高的挠性叠层板及该挠性叠层板的制造方法，所述挠性叠层板即使在高温环境下，基膜和中间层的接合强度降低也小。

附图说明

[图1]表示作为本发明实施方案的挠性叠层板的剖面图。

[图2]表示图1所示的挠性叠层板的中间层中的浓度分布的说明图。

[图3]表示作为本发明实施方案的挠性叠层板的制造方法的说明图。

[图4]表示作为本发明实施方案的挠性叠层板的制造方法的其他例子的说明图。

[图5]表示作为本发明的其他实施方案的挠性叠层板的中间层中的浓度分布的说明图。

[图6]表示作为本发明的其他实施方案的挠性叠层板的中间层中的浓度分布的说明图。

[图7]表示实施例2的挠性叠层板的俄歇(Auger)电子分光分析结果。

[图8]表示比较例1的挠性叠层板的俄歇电子分光分析结果。

符号说明

1…基膜、2…中间层、3…导电层、10…输送辊、11…基靶、12…低浓度靶

具体实施方式

下面参照附图说明作为本发明实施方案之一的挠性叠层板。

如图1所示，该挠性叠层板具有基膜1、形成于基膜1的表面上的中间层2和形成于该中间层2上的导电层3。

基膜1由所谓的聚酰亚胺树脂构成。此处，作为构成基膜1的聚酰亚胺树脂可以是BPDA类聚酰亚胺树脂或PMDA类聚酰亚胺树脂。通常情况下，以BPDA(联苯四羧酸)为原料的聚酰亚胺膜(宇部兴产制，商品名“UPILEX”等)热尺寸稳定性及吸湿尺寸稳定性、刚性良好，主要用于TAB用途，但具有与金属薄膜的接合强度低的特征。而以PMDA(苯均四酸二酐)为原料的聚酰亚胺膜(东丽·杜邦制，商品名“KAPTON”、钟渊化学工业制，商品名“Apical”等)与金属薄膜的接合强度高。优选考虑上述特性进行适当选择。

基膜1可以为单层，也可以是叠层了多种聚酰亚胺树脂的叠层膜，还可以是仅形成有中间层2的表面由聚酰亚胺树脂构成。

基膜1的厚度没有特别限定，但从确保基膜1的刚性的观点考虑，优选为12μm以上，从确保挠性叠层板容易变形的观点考虑，优选为125μm以下。

中间层2由合金构成，所述合金含有55重量％以上的Ni、4重量％以上的Cr、并同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素。需要说明的是，所谓比Cr容易氧化的元素是指在使用该挠性叠层板的温度范围(例如-20℃～200℃)，氧化物生成自由能小于Cr的元素。例如可以举出Mo、Si、Ti、Al、Mg、Ca、W、Ta等。

该实施方案中，中间层2含有Mo作为易氧化元素，中间层2整体的成分为Ni：67.5重量％、Cr：20重量％、Mo：12.5重量％。需要说明的是，中间层2整体中各成分的含量并不限定于上述值，可以在不脱离本发明技术构思的范围内适当设定。另外，Ni、Cr及易氧化元素的含量的上限值能够根据与其他成分的平衡自然确定，所以本发明中不作特别限定。

中间层2中Mo的浓度在叠层方向上发生变化。如图2所示，形成基膜1侧的Mo浓度高、随着向导电层3侧靠近Mo浓度逐渐降低的结构。此处，Cr的浓度在所述叠层方向上大致一定，使Ni的浓度根据Mo浓度的变化而变化。例如，中间层2中在与基膜1的界面附近，Ni：60重量％、Cr：20重量％、Mo：20重量％，在与导电层3的界面附近，Ni：75重量％、Cr：20重量％、Mo：5重量％。

需要说明的是，中间层2的厚度没有特别限定，从提高耐腐蚀性的观点考虑，优先为10nm以上，从确保叠层中间层2后利用蚀刻形成电路图案时的蚀刻速度方面考虑，优选为30nm以下。

导电层3由具有导电性的材质构成，具体而言，由选自铜、铜合金、铝、铝合金、银、金、铂等中的一种或二种以上构成，特别优选由纯铜或含有镍、锌或铁等的铜合金构成。

导电层3的厚度没有特别限定，可以为10nm以上，较优选为30nm以上。另外，导电层3的厚度优选为300nm以下。如果导电层3的厚度大于300nm，则成本过高，如果小于10nm，则电镀工序中容易发生烧断等不良情况。

接下来对上述结构的挠性叠层板的制造方法进行说明。

在由聚酰亚胺树脂构成的基膜1的表面叠层中间层2(叠层工序)。首先，在基膜1的表面利用含有易氧化元素Mo的基靶11进行基底溅射。然后，利用Mo浓度低于基靶11的低浓度靶12进行二次溅射。由此形成基膜1侧的Mo浓度高、导电层侧3的Mo浓度低的中间层2。

在该实施方案中，如图3所示，利用输送辊10将基膜1向箭头X方向输送，在与基膜1的表面相对的一侧，在输送方向上以留出间隔的方式配置基靶11及低浓度靶12。基靶11位于输送方向的上游侧，低浓度靶12位于输送方向的下游侧，连续进行基底溅射和二次溅射。此处，通过改变基靶11的输送方向长度L1和低浓度靶12的输送方向长度L2，能够调整溅射时间，进而控制叠层厚度。

需要说明的是，作为基靶11和低浓度靶12，可以使用市售的耐腐蚀合金(例如，三菱综合材料株式会社制，商品名“MAT21”，Ni：60重量％、Mo：19重量％、Cr：19重量％)。

接下来，在中间层2的上面形成导电层3。形成导电层3时，可以利用真空蒸镀、溅射、离子镀等薄膜形成技术使金属成膜。另外，利用上述各方法形成某种程度的薄膜之后，可以在该金属薄膜上利用电解镀覆法或非电解镀覆法等沉积金属镀层，形成规定厚度的导电层3。

上述结构的挠性叠层板通过蚀刻导电层3及中间层2形成电路图案，进而用作柔性电路基板。作为蚀刻液，可以使用通常使用的氯化铁溶液或在氯化铁溶液中加入过氧化氢或硫酸铁溶液提高了蚀刻性的蚀刻液。

该实施方案的挠性叠层板在基膜1和导电层3之间设置了中间层2，所述中间层2含有Ni：55重量％以上、Cr：4重量％以上以及比Cr容易氧化的Mo，由于基膜1侧的Mo浓度设定得较高，所以存在于基膜1和中间层2的界面的氧或水蒸气优先氧化Mo，进而能够抑制Cr的氧化。因此，Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子之间的共价键不被破坏，即使在高温环境下，也能抑制接合强度的下降。另外，由于导电层3侧的Mo浓度被设定为较低，所以，导电层3侧的耐腐蚀性没有提高到所需以上，进而能够容易地通过蚀刻形成电路图案。

另外，由于中间层2形成在其叠层方向上的Cr浓度固定为20重量％的结构，所以，即使基膜1侧的Mo浓度高，基膜1侧的Cr浓度也不减少，进而Cr的d电子和聚酰亚胺树脂的π电子之间的共价键能够确实地提高中间层2和基膜1的接合强度。

该挠性叠层板在基膜1的表面利用含有Mo的基靶11进行基底溅射，同时，在基底溅射之后，利用Mo浓度低于基靶11的低浓度靶12进行二次溅射，由此能够确实地将中间层2在基膜1侧的Mo浓度设定得较高。

该实施方案中，利用输送辊10将基膜1从上游侧输送至下游侧，在与该基膜1的表面相对的一侧，沿输送方向以留出间隔的方式配置基靶11及低浓度靶12，并使基靶11位于输送方向的上游侧，低浓度靶12位于输送方向的下游侧，所以，能够通过连续地进行基底溅射和二次溅射，效率良好地形成中间层2，进而能以低成本制造该挠性叠层板。

通过改变基靶11的输送方向长度L1和低浓度靶12的输送方向长度L2，能够调整溅射时间，控制叠层厚度，因此能够以良好的精度调整中间层2中Mo的浓度。

通过使用作为结构材料出售的耐腐蚀合金作为基靶11，在基膜1的表面叠层中间层2，能够以低成本制造该挠性叠层板。

以上对本发明的实施方案挠性叠层板进行了说明，但本发明并不限定于此，可以在不脱离本发明技术构思的范围进行适当改变。

例如，列举Mo作为易氧化元素进行了说明，但并不限定于此，可以为Ta、W等在挠性叠层板被使用的温度范围内氧化物生成自由能小于Cr的元素。

另外，中间层中可以含有选自Al、Fe及Co中的一种或二种以上，并使上述Al、Fe及Co的含量总计为10重量％以下。通过含有上述Al、Fe及Co，使Ni相的固溶范围较宽，Ni相稳定，能够稳定地形成致密的钝态被膜。

中间层中还可以含有选自W、Ta、Nb及Ti中的一种或二种以上，并使上述W、Ta、Nb及Ti的含量总计为6重量％以下。通过含有上述W、Ta、Nb及Ti，能够形成致密的钝态被膜，进而防止点状腐蚀的发生，提高该挠性叠层板的可靠性。

另外，中间层中可以含有Ni、Cr、易氧化元素以外的元素作为不可避免的杂质。此处，不可避免的杂质的总量优选控制在2重量％以下。

需要说明的是，中间层含有多种易氧化元素的情况下，可以将多种易氧化元素中的至少一种在中间层叠层方向的基膜侧的浓度设定得较高。

以上对配置一个基靶和一个低浓度靶形成中间层的方案进行了说明，但并不限定于此，如图4所示，可以配置一个基靶、二个以上低浓度靶形成中间层。

另外，叠层中间层时，除溅射法以外，还可以使用真空蒸镀法、离子镀法等干式薄膜形成技术。

以上对如图2所示的使中间层的Mo浓度在叠层方向上连续变化的方案进行了说明，但并不限定于此，例如，可以如图5所示，使Mo浓度发生阶梯状变化，也可以如图6所示，使Mo浓度发生不连续变化。

以上对利用蚀刻形成电路图案的方案进行了说明，但并不限定于此，可以在基膜的表面形成电路图案形状的中间层及导电层。

挠性叠层板不仅可以构成柔性电路基板，还可以构成TAB带、柔性布线板等。

以上对在基膜的单面上形成中间层及导电层的方案进行了说明，但并不限定于此，可以在基膜的两面上形成中间层及导电层。

[实施例]

以下列举实施例证实本发明的效果。

如图3所示，利用输送辊输送基膜，在输送方向上排列第1靶和第2靶，使其与基膜的表面相对，通过连续进行溅射，形成中间层。此时，改变了第1靶和第2靶的材质及其输送方向长度。进而在中间层上形成了由纯铜构成的导电层。

(实施例1～5)

作为基膜，使用由BPDA类聚酰亚胺树脂构成的宇部兴产株式会社制商品名为“UPILEX S”(厚度38μm)的产品。

作为第1靶，使用三菱综合材料株式会社制商品名为MAT21(Ni-19重量％Mo-19重量％Cr-2重量％Ta合金)的产品，其输送方向长度为1cm。

作为第2靶，使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金。以第1靶的输送方向长度作为1时，第2靶的输送方向长度为12、9、4、1、0.1。

(实施例6)

基膜与实施例1～5相同。

使用三菱综合材料株式会社制商品名为MA22(Ni-13重量％Mo-22重量％Cr-4重量％Fe-3重量％W合金)的产品作为第1靶，其输送方向长度为1。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第2靶，其输送方向长度为1。

(实施例7)

基膜与实施例1～6相同。

使用三菱综合材料株式会社制商品名为MC alloy(Ni-1重量％Mo-45重量％Cr合金)的产品作为第1靶，其输送方向长度为1。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第2靶，其输送方向长度为1。

(比较例1～5)

基膜与实施例1～7相同。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第1靶，以后述的第2靶的输送方向长度为1时，第1靶的输送方向长度为12、9、4、1、0.1。

使用三菱综合材料株式会社制商品名为MAT21(Ni-19重量％Mo-19重量％Cr-2重量％Ta合金)的产品作为第2靶，其输送方向长度为1。

也就是将实施例1～5的第1靶和第2靶相反配置形成中间层。

(比较例6)

基膜与实施例1～7相同。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第1靶，其输送方向长度为1。

使用三菱综合材料株式会社制商品名为MA22(Ni-13重量％Mo-22重量％Cr-4重量％Fe-3重量％W合金)的产品作为第2靶，其输送方向长度为1。

也就是将实施例6的第1靶和第2靶相反配置形成中间层。

(比较例7)

基膜与实施例1～7相同。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第1靶，其输送方向长度为1。

使用三菱综合材料株式会社制商品名为MC alloy(Ni-1重量％Mo-45重量％Cr合金)的产品作为第2靶，其输送方向长度为1。

也就是将实施例7的第1靶和第2靶相反配置形成中间层。

(比较例8)

基膜与实施例1～7相同。

使用不含有易氧化元素的Ni-20重量％Cr合金作为第1靶，其输送方向长度为1。不配置第2靶，仅用第1靶形成中间层。也就是说，比较例8中，中间层完全不含有易氧化元素。

(成分分析)

仅中间层进行酸溶解，然后通过ICP(电感耦合等离子体)分析进行成分分析，以评价上述挠性叠层板。由此测定中间层整体的Ni、Cr、Mo的浓度。测定结果示于表1。

(叠层方向的浓度分布)

利用俄歇电子分光分析法测定实施例2及比较例1的挠性叠层板在叠层方向上的Ni、Cr、Mo、Cu、C的浓度分布。分析条件为电子枪的加速电压5kV，照射电流5nA，离子枪的加速电压500V、时间间隔(InterVal)5分钟、2分钟。上述俄歇电子分光分析结果示于图7(实施例2)及图8(比较例1)。

(比较试验)

从实施例1～7及比较例1～8的挠性叠层板切出宽10mm×长150mm的长方形试验片，利用IPC-TM-650(美国印刷电路工业协会标准试验法)规定的方法测定基膜和中间层间的剥离强度。此试验法为：将上述长方形试验片以基膜侧朝向圆周方向的方式粘合固定在直径6英寸的鼓的外周，然后用夹具将导电层的一端以50mm/分钟的速度边从基膜上剥离边牵拉，测定所需要的负重。

对各试验片进行耐热试验(150℃、168小时)，并对耐热试验后的挠性叠层板进行与上述相同的接合强度试验，由此测定耐热试验后的接合强度(高温剥离强度)。

进而比较常温剥离强度A和高温剥离强度B，通过下式(1)计算出剥离强度保持率C。

C＝(A-B)/A×100…(1)

该比较实验结果一并示于表1。

[表1]

(评价结果)

在图7所示的实施例2的挠性叠层板的俄歇分光分析结果中，基膜(存在C的强度峰的部分)侧可观察到Mo的强度峰，导电层(存在Cu的强度峰的部分)侧可观察到Ni、Cr的强度峰。由此可以确认在中间层中，基膜侧的Mo浓度高。

另一方面，在比较例1的挠性叠层板的俄歇分光分析结果中，基膜(存在C的强度峰的部分)侧可观察到Ni、Cr的强度峰，导电层(存在Cu的强度峰的部分)侧可观察到Mo的强度峰。由此可以确认在中间层中，导电层侧的Mo浓度高。

由该结果可以确认，通过改变用于叠层中间层的第1靶及第2靶的Mo浓度，能够控制中间层内部的Mo浓度分布。

另外，在实施例1～7中，可以确认剥离强度保持率为92～97％，较高，即使在高温环境下，基膜和中间层的接合强度的下降也小。另一方面，在比较例1～7中，剥离强度保持率为82～89％，在不含有Mo的比较例8中为76％。

由上述比较试验的结果可以确认，本发明能够提供一种可靠性高的挠性叠层板，该挠性叠层板即使在高温环境下使用，也能维持基膜和中间层的接合强度。

Claims (7)

1、一种挠性叠层板，具有基膜、叠层在所述基膜上的中间层和叠层在所述中间层上的导电层，

在所述基膜中，至少叠层所述中间层的表面由聚酰亚胺树脂构成，

所述中间层含有55重量％以上的Ni、4重量％以上的Cr，同时含有比Cr容易氧化的易氧化元素，

所述易氧化元素的浓度在叠层方向上的所述基膜侧被设定为较高。

2、如权利要求1所述的挠性叠层板，其中，所述中间层中含有的所述易氧化元素为Mo。

3、如权利要求1所述的挠性叠层板，其中，所述中间层在叠层方向上的Cr浓度是固定的。

4、如权利要求1所述的挠性叠层板，其中，所述中间层含有选自Al、Fe及Co中的一种或二种以上，并且所述Al、Fe及Co的含量总计为10重量％以下。

5、如权利要求1所述的挠性叠层板，其中，所述中间层含有选自W、Ta、Nb及Ti中的一种或二种以上，并且所述W、Ta、Nb及Ti的含量总计为6重量％以下。

6、挠性叠层板的制造方法，是权利要求1～5中任一项所述的挠性叠层板的制造方法，具有在所述基膜的表面叠层所述中间层的叠层工序，所述叠层工序具有在所述基膜的表面利用含有所述易氧化元素的基靶进行溅射的基底溅射工序、和至少一个在所述基底溅射工序之后利用所述易氧化元素的浓度低于所述基靶的低浓度靶进行溅射的溅射工序。

7、如权利要求6所述的挠性叠层板的制造方法，其中，将所述基膜从上游侧输送至下游侧，所述基靶被配置在上游侧，所述低浓度靶被配置在下游侧，连续进行所述基底溅射工序和所述溅射工序，同时通过改变所述基靶及所述低浓度靶的输送方向长度来调整所述易氧化元素的浓度分布。

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