CN101295717A - 薄膜晶体管面板及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管面板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管面板及其制造方法,薄膜晶体管面板包括:至少两块显示区域以及检测区域,其中,一条所述栅极检测线至少对应连接一块所述显示区域引出的所有栅极线。制造方法包括:形成像素电极、栅极线、公共电极线、栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;沉积栅极绝缘层;形成数据线;形成具有暴露出所述栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。通过上述技术方案,提高了检测区域电路的安全性,简化了薄膜晶体管面板的掩膜工艺流程以及薄膜晶体管显示区域的检测流程,从而提高了薄膜晶体管的生产效率,节约了生产成本。

Description

薄膜晶体管面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种薄膜晶体管面板及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的薄膜晶体管面板通过在玻璃基板上多次成膜、曝光形成。薄膜晶体管面板在成形初期包括由栅极线(GateLine)与数据线(Data Line)交叉限定形成于绝缘衬底上的显示区域(Panel)、及用于检测显示区域电路的外围检测区域,通过在外围检测区域加载检测信号,检查显示区域电路工作是否正常后,若正常,则去掉检测区域,完成薄膜晶体管面板的制造。
其中,成形初期的薄膜晶体管面板如图8A所示,从显示区域10引出栅极线621、数据线622,由于显示区域中像素的存储电容设在相邻栅极线上,如图8B所示,各个像素5中的存储电容Cs设在41、42、43等栅极线上,为了获得足够的电容存储量,实现对像素点优劣的检测,在外围检测区域将栅极线区分为奇数栅极线、偶数栅极线,对应连接在奇数栅极检测线6211、偶数栅极检测线6212上;每组显示区域的奇数栅极线连接一条奇数栅极检测线6211,偶数栅极线连接一条偶数栅极检测线6212,在奇数栅极检测线6211的两端连接奇数栅极检测触点(Pad)62111,在偶数栅极检测线6212的两端连接偶数栅极检测触点62121;同样,数据线在检测区域区分为奇数数据线、偶数数据线,每组显示区域的奇数数据线连接一条奇数数据检测线6221,偶数数据线连接一条偶数数据检测线6222,在奇数栅极检测线6221的两端连接奇数数据检测触点62211,在偶数数据检测线6222的两端连接偶数数据检测触点62221。检测时,通过数据线的奇、偶数检测线两端的触点在数据线上加载检测信号,并且,通过奇数栅极检测线6211两端的触点62111在41、43等奇数栅极线上加载检测信号时,通过偶数栅极检测线6212两端的触点62121在42等偶数栅极线上加载与数据线3的驱动信号电压相反的电压,为奇数栅极线控制的像素充电;或者在偶数栅极线上加载检测信号,奇数栅极线上加载与数据线上信号电压相反的电压,为偶数栅极线控制的像素充电,实现对显示区域10的电路检测,判断显示区域10是否存在断路、短路、像素坏点等问题。
现有技术中,栅极线直接形成于绝缘衬底上,处于薄膜晶体管所有薄膜的最底层,而在同一层膜中,无法实现在面板的检测区域将栅极线区分为奇数栅极线、偶数栅极线并对应连接到奇、偶数栅极检测线上,因此,奇数栅极检测线与偶数栅极检测线设置在不同层上,层间加入绝缘层薄膜,避免交叉区域的导通,并通过过孔与导通电路将处于不同层的奇、偶数栅极检测线与对应的栅极线进行连接,将奇数栅极线与偶数栅极线分开,但是过多的交叉区域的存在,导致工艺流程复杂,并且使得检测区域存在较大的安全隐患,如,静电击穿、信号串扰、工艺不良生产等;此外,检测时需要为每个显示区域配置两组探针(Pin),用于在栅极线的奇数线触点上加载栅极奇数检测信号,在栅极线的偶数线触点上加载栅极偶数检测信号,通过调整这两组栅极检测信号参数进行检测,加大了检测的复杂程度,从而导致了薄膜晶体管的生产时间长,效率低,生产成本高。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足提出一种薄膜晶体管面板及其制造方法,以提高检测区域电路的安全,简化薄膜晶体管面板的掩膜工艺流程以及薄膜晶体管显示区域的检测流程,从而提高薄膜晶体管的生产效率,节约生产成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种薄膜晶体管面板,包括:至少两块显示区域以及检测区域,其中,所述显示区域形成于绝缘衬底上,包括栅极线、数据线及设置在相邻所述栅极线之间的公共电极线;检测区域形成于所述绝缘衬底上,包括所述显示区域引出的栅极线、与所述引出的栅极线相连的用于检测的栅极检测线、与所述栅极检测线相连的栅极检测触点、所述显示区域引出的数据线、与所述引出的数据线相连的用于检测的奇、偶数数据检测线、与所述奇、偶数据检测线对应相连的奇、偶数据线检测触点、以及所述显示区域引出的公共电极线、与所述引出的公共电极线相连的公共电极检测线、与所述公共电极检测线相连的公共电极检测触点;一条所述栅极检测线至少对应连接一块所述显示区域引出的所有栅极线。
为实现上述目的,本发明还提供了一种制造薄膜晶体管面板的方法,包括:
形成像素电极、栅极线、公共电极线、栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;
沉积栅极绝缘层;
形成数据线;
形成具有暴露出所述栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
为实现上述目的,本发明又提供了一种制造薄膜晶体管面板的方法,包括:
形成像素电极、栅极线、公共电极线、栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;其中,形成所述栅极检测线时,在交叉区域仅形成一条完整的栅极检测线,将另一条栅极检测线分割为两部分;
沉积栅极绝缘层;
形成数据线,同时,在所述交叉区域的数据金属膜层形成连接所述另一条栅极检测线的数据层栅极连接线,连接所述另一条栅极检测线;
形成具有暴露出所述栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
通过上述技术方案,提高了检测区域电路的安全性,简化了薄膜晶体管面板的掩膜工艺流程以及薄膜晶体管显示区域的检测流程,从而提高了薄膜晶体管的生产效率,节约了生产成本。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1A为本发明薄膜晶体管面板一实施例的结构示意图;
图1B为图1A中部分显示区域放大后的示意图;
图2为本发明薄膜晶体管面板另一实施例的结构示意图;
图3为本发明薄膜晶体管面板又一实施例的结构示意图;
图4为本发明薄膜晶体管面板再一实施例的结构示意图;
图5为本发明制造薄膜晶体管面板的方法一实施例的流程图;
图6为本发明制造薄膜晶体管面板的方法另一实施例的流程图;
图7A为图6实施例中栅极检测线交叉区域在栅极金属膜层实施例的示意图;
图7B为图7A中交叉区域沉积栅极绝缘层后的示意图;
图7C为图7B中交叉区域在数据金属膜层实施例的示意图;
图8A为现有技术中薄膜晶体管面板的示意图;
图8B为现有技术中薄膜晶体管面板上部分显示区域的放大示意图。
具体实施方式
图1A为本发明薄膜晶体管面板一实施例的结构示意图,薄膜晶体管面板00包括:两块显示区域10及检测区域;其中,显示区域10与检测区域均形成于同一块绝缘衬底上,显示区域10包括栅极线21、数据线22及公共电极线23;如图1B所示,由栅极线21与数据线22将显示区域10划分为像素显示区11,公共电极线23设在相邻栅极线21之间,像素显示区11中存储电容Cs设在公共电极线23上,这样,检测时,通过公共电极检测触点可在公共电极线23上加载与数据线上驱动信号电压相反的电压信号,保证了存储电容Cs具有足够的电容存储量,实现对显示区域的检测,从而无需在检测区域将栅极线21区分为奇数线和偶数线,进而避免了检测区域栅极线部分存在交叉点;检测区域为薄膜晶体管面板00上显示区域10以外的部分,包括显示区域10引出的栅极线211、与引出的栅极线211相连的用于检测的栅极检测线212、与栅极检测线212相连的栅极检测触点213、显示区域10引出的奇、偶数据线221、222、与奇、偶数据线221、222对应相连的用于检测的奇、偶数数据检测线2211、2221、与奇、偶数据检测线2211、2221对应相连的奇、偶数据线检测触点2212、2222、以及显示区域10引出的公共电极线231、与引出的公共电极线231相连的公共电极检测线232、与公共电极检测线232相连的公共电极检测触点233;栅极检测触点213设置在栅极检测线212的一端,奇数据检测触点2212设置在奇数据检测线2211的一端,偶数据检测触点2222设置在偶数据检测线2221的一端,公共电极检测触点233设置在公共电极检测线232的一端,通过在触点213、2212、2222、233加载检测信号检测显示区域10的电路是否能正常工作,若正常,经过后续工序的加工后,将会沿此虚线C把检测区域切除,完成薄膜晶体管面板的制造。
其中,一条栅极检测线212对应连接一块显示区域10引出的所有栅极线211,栅极线211与两条栅极检测线212均不存在交叉点,避免了大量的电路重叠,保证了在栅极金属膜层即可形成栅极检测的所有电路,从而简化了检测区域的掩膜工艺流程,降低了电路安全风险,大大降低了检测时静电击穿、信号串扰、工艺不良的机率;并且,检测显示电路时,仅需在栅极检测触点加入一种栅极检测信号,便可实现对显示电路的检测,从而减少了影响检测结果的因素,提高了信号输入的可靠性;此外,掩膜工艺流程以及检测过程的简化及可靠性的提高,也大大降低了薄膜晶体管面的生产时间,提高了生产效率,节约了生产成本。
上述实施例中,栅极检测触点亦可与奇、偶数数据检测触点设置在同一侧,这里不再赘述。
图2为本发明薄膜晶体管面板另一实施例的结构示意图,本实施例中检测区域的数据线检测部分同图1实施例,这里不再赘述;一条栅极检测线212对应连接一块显示区域10引出的所有栅极线211,在栅极检测线212两端均设置栅极检测触点213,在绝缘衬底面积较大的情况下,面板上下均可加载检测信号进行检测,从而进一步节约了检测时间,提高了薄膜晶体管面板的生产效率,降低了生产成本。
图3为本发明薄膜晶体管面板又一实施例的结构示意图,本实施例中检测区域的数据线检测部分同图1实施例,这里不再赘述;一条栅极检测线212连接两块显示区域10引出的所有栅极线211,栅极检测触点213设置于栅极检测线212的一端,仅需加载一个栅极检测信号便可对显示区域的电路进行检测,进一步简化了检测区域的掩膜工艺流程,提高了检测效率;并且,每块显示区域对应一组奇数数据检测线、偶数数据检测线、公共电极检测线,保证了检测设备在栅极检测触点或奇、偶数据检测触点加入栅极检测信号时,如果显示区域内部发生栅极或数据电路的短路,即可根据奇、偶数据检测线或栅极检测线接收到的检测信号确定发生短路的显示区域,从而进一步提高了检测效率。
图4为本发明薄膜晶体管面板再一实施例的结构示意图,本实施例中检测区域的数据线检测部分同图1实施例,这里不再赘述;一条栅极检测线212连接两块显示区域10引出的所有栅极线211,栅极检测线212的两端均设置栅极检测触点213,在绝缘衬底面积较大的情况下,面板上下均可加载检测信号进行检测,从而进一步节约了检测时间,提高了薄膜晶体管面板的生产效率,降低了生产成本。并且,每块显示区域对应一组奇数数据检测线、偶数数据检测线、公共电极检测线,保证了检测设备在栅极检测触点或奇、偶数据检测触点加入栅极检测信号时,如果显示区域内部发生栅极或数据电路的短路,即可根据奇、偶数据检测线接收到的检测信号确定发生短路的显示区域,从而进一步提高了检测效率。
上述实施例中,多个显示区域可共用一条奇数据检测线、一条偶数据检测线、一条公共电极检测线,这里不再赘述。
图5为本发明制造薄膜晶体管面板的方法一实施例的流程图,本实施例用于制造检测区域中栅极检测线无需交叉的薄膜晶体管面板,具体包括:
步骤101、形成显示区域中的像素电极、栅极线、公共电极线,以及检测区域中的栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;
步骤102、沉积栅极绝缘层;
步骤103、形成显示区域的数据线,连接相应的奇、偶数据检测线;
步骤104、形成具有暴露出栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
上述方法实施例中,仅在栅极金属膜层便完成了栅极薄膜电路:栅极、栅极线、栅极检测线、栅极触点,大大简化了薄膜晶体管面板的掩膜工艺,从而进一步提高了薄膜晶体管面板的生产效率,节约了生产成本。
图6为本发明制造薄膜晶体管面板的方法另一实施例的流程图,本实施例用于制造检测区域中栅极检测线存在交叉情况的薄膜晶体管面板,具体包括:
步骤201、形成显示区域的像素电极、栅极线、公共电极线,以及检测区域的栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;其中,形成栅极检测线时,在交叉区域仅形成一条完整的栅极检测线,将另一条栅极检测线分割为两部分,如图7A所示,一条栅极检测线212将另一条栅极检测线分割为2121、2122两部分;
步骤202、沉积栅极绝缘层,栅极检测线212与栅极检测线2121、2122经沉积栅极绝缘层后如图7B所示;
步骤203、形成数据线,同时,在交叉区域的数据金属膜层形成连接另一条栅极检测线的数据层栅极连接线,连接另一条栅极检测线;如图7C所示,形成的数据层栅极连接线2123两端,与栅极检测线2121、2122对应重叠,在重叠部分形成过孔,并在过孔区域形成导电材料膜如ITO膜,导通栅极金属膜层的栅极检测线2121与数据金属膜层的栅极连接线2123,以及栅极金属膜层的栅极检测线2122与数据金属膜层的栅极连接线2123,形成另一条整体的栅极检测线212;
步骤204、形成具有暴露出栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
本实施例中,在数据金属膜层仅需很小的一块薄膜区域,便实现了栅极检测区域的交叉连接,大大简化了薄膜晶体管面板的掩膜工艺,从而进一步提高了薄膜晶体管面板的生产效率,节约了生产成本。
最后所应说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1、一种薄膜晶体管面板,其特征在于,包括:
至少两块显示区域,所述显示区域形成于绝缘衬底上,包括栅极线、数据线及设置在相邻所述栅极线之间的公共电极线;
检测区域,形成于所述绝缘衬底上,包括所述显示区域引出的栅极线、与所述引出的栅极线相连的用于检测的栅极检测线、与所述栅极检测线相连的栅极检测触点、所述显示区域引出的数据线、与所述引出的数据线相连的用于检测的奇、偶数数据检测线、与所述奇、偶数据检测线对应相连的奇、偶数据线检测触点、以及所述显示区域引出的公共电极线、与所述引出的公共电极线相连的公共电极检测线、与所述公共电极检测线相连的公共电极检测触点;
其中,一条所述栅极检测线至少对应连接一块所述显示区域引出的所有栅极线。
2、根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,一条所述栅极检测线对应连接一块所述显示区域引出的所有栅极线。
3、根据权利要求2所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,所述栅极检测触点设置于所述栅极检测线的一端。
4、根据权利要求2所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,所述栅极检测触点设置于所述栅极检测线的两端。
5、根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,一条所述栅极检测线对应连接两块所述显示区域引出的所有栅极线。
6、根据权利要求5所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,所述栅极检测触点设置于所述栅极检测线的一端。
7、根据权利要求5所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,所述栅极检测触点设置于所述栅极检测线的两端。
8、根据权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管面板,其特征在于,每条所述奇、偶数据检测线、公共电极检测线对应连接一块所述显示区域引出的奇、偶数数据线、公共电极线,所述奇、偶数据线检测触点、公共电极检测触点对应设置于所述奇、偶数据检测线、公共电极检测线的一端。
9、一种制造薄膜晶体管面板的方法,其特征在于,包括:
形成像素电极、栅极线、公共电极线、栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;
沉积栅极绝缘层;
形成数据线;
形成具有暴露出所述栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
10、一种制造薄膜晶体管面板的方法,其特征在于,包括:
形成像素电极、栅极线、公共电极线、栅极检测线、奇、偶数据检测线、公共电极检测线、栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点;其中,形成所述栅极检测线时,在交叉区域仅形成一条完整的栅极检测线,将另一条栅极检测线分割为两部分;
沉积栅极绝缘层;
形成数据线,同时,在所述交叉区域的数据金属膜层形成连接所述另一条栅极检测线的数据层栅极连接线,连接所述另一条栅极检测线;
形成具有暴露出所述栅极检测触点、奇、偶数据检测触点及公共电极检测触点的钝化层。
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