CN101295703B - 用于电子迁移编程模式的熔丝结构 - Google Patents

用于电子迁移编程模式的熔丝结构 Download PDF

Info

Publication number
CN101295703B
CN101295703B CN200710196914XA CN200710196914A CN101295703B CN 101295703 B CN101295703 B CN 101295703B CN 200710196914X A CN200710196914X A CN 200710196914XA CN 200710196914 A CN200710196914 A CN 200710196914A CN 101295703 B CN101295703 B CN 101295703B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fuse
electron transfer
contact hole
wires structure
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200710196914XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101295703A (zh
Inventor
柯博尧
庄建祥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN101295703A publication Critical patent/CN101295703A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101295703B publication Critical patent/CN101295703B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：阳极区位于第一多个接触窗之上，该第一多个接触窗在该熔丝结构的编程中与正高电压耦接；阴极区位于第二多个接触窗之上，该第二多个接触窗在该熔丝结构的编程中与互补低电压耦接；以及熔丝连接区，其具有第一与第二端，其中该第一端在离该第一多个接触窗最近的预定距离处与该阳极区接触，且该第二端在离该第二多个接触窗最近的预定距离处与该阴极区接触，又其中该阴极区小于该阳极区以增强该电子迁移作用。

Description

用于电子迁移编程模式的熔丝结构
技术领域
本发明涉及一种集成电路中的熔丝结构，且特别涉及一种电子熔丝结构。
背景技术
熔丝在一种简便的非易失性存储器(nonvolatile memory)可用于永久性储存数据，例如“识别芯片(chip-ID)。电子熔丝可通过过度电流或长应力时间来编程。用来制造此种电子熔丝的半导体材料为硅化多晶硅。通过施加适当的高电流密度(一般为600mA/μm2，持续一段特定时间)来对硅化多晶硅材料施加应力后，由于电子迁移(electromigration，EM)而导致其电阻提高。电子迁移为电场中的电子碰撞位于熔丝中的固定离子的现象，其产生空隙且最后在长时间的应力后形成开路。起始的低电阻与施加应力后的高电阻可用来表示高(HIGH)与低(LOW)两种不同的逻辑状态(logic states)。
除了电子迁移外，尚有其他两种的熔丝编程机制，即硅化物堆叠(agglomeration)与破裂(rupture)。硅化物堆叠发生在当熔丝温度高于850℃时，此温度超出硅化物的形成温度。而破裂则为物力性破坏熔丝，当温度梯度在熔丝的不同部分造成不同的热膨胀时，会导致破裂。
电子熔丝的起始电阻为100ohm，在电子迁移后，其施加应力后的电阻为500-10K ohm。若相同的熔丝通过硅化物堆叠来编程，其最终电阻可达100K-1M ohm。若熔丝在编程后完全破裂，其最终电阻可大于10M ohm。
电子熔丝的结构也会影响其编程效率。图1A与图1B分别显示两个传统电子熔丝结构100与150。在图1A中，电子熔丝结构100具有矩形阳极102与矩形阴极112，矩形阴极112通过熔丝连接122与阳极102连接。阳极102与阴极112实质上皆位于其个别的接触窗134上，以利用接触电流密度容量。阳极102与阴极112在尺寸上对称。在图1B中，相似地，电子熔丝结构150也具有阳极152与通过熔丝连接172连接的阴极162。电子熔丝结构150的顶部与底部部分也呈对称。对称结构与大尺寸阴极结构的问题为，当阴极具有足够的电子供应时则无法提高电子迁移作用。激光电子迁移作用指介于编程前后的激光电阻变异(1aser resistance differentiation)。虽然电子熔丝结构150的熔丝连接172为朝向中央逐渐变细，但尖细端也无法促进电子迁移作用。
Kothandaraman  等人在“Electrically Programmable Fuse UsingElectromigration in Silicides，”，IEEE Elec.Dev.Lett.Vol.23，No.9，Sept.2002，pp.523-525中提出使用小尺寸阳极与大尺寸阴极的结构。此结构确实抵抗了电子迁移作用。此结构的原理为抑制电子迁移作用，以在较高的编程电压时可发生破裂，而产生较高的电阻状态。Aiavi等人在“A PROM Element Basedon Salicide Agglomeration of Poly Fuses in a CMOS Logic Process，”IEDM1997，pp.855-858中，设计了对称的熔丝结构作为电子熔丝，其并没有加剧电子迁移作用。Kalnitsky等人在“CoSi2 integrated fuses on poly silicon for low voltage0.18μm CMOS application，”IEEE IEDM 1999，pp.765-768中报导其他使用电子迁移作用的电子熔丝，但其仍然为对称结构。
如上所述，业界目前亟需电子熔丝结构，其可加强电子迁移作用，使编程更为容易，且在编程前后间具有较大的电阻变异。
发明内容
本发明提供一种具有增加的电子迁移作用的熔丝结构。在一方面，此结构包括：阳极区，位于第一多个接触窗之上，该第一多个接触窗在该熔丝结构的编程中与正高电压耦接；阴极区，位于第二多个接触窗之上，该第二多个接触窗在该熔丝结构的编程中与互补低电压耦接；以及熔丝连接区，其具有第一与第二端，其中该第一端在离该第一多个接触窗最近的预定距离处与该阳极区接触，且该第二端在离该第二多个接触窗最近的预定距离处与该阴极区接触，其中该阴极区小于该阳极区以增强该电子迁移作用。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述阳极、阴极与熔丝连接区包括相同的第一材料。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述第一材料包括多晶硅、扩散有源区、硅化物与硅化多晶硅。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第一端的熔丝连接区的宽度等于或小于在约相同位置的阳极区的宽度。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第二端的熔丝连接区的宽度大于或等于在约相同位置的阴极区的宽度。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述熔丝连接区包括逆向偏压PN结。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述逆向偏压PN结位于约所述第二端。
根据本发明的一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：阳极区位于第一多个接触窗之上，所述第一多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与正高电压耦接；阴极区位于第二多个接触窗之上，所述第二多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与互补低电压耦接；以及熔丝连接区，其具有第一与第二端，且具有堆叠的第一与第二层，其中所述第一层遭受电子迁移影响，且所述第二层包括逆向偏压PN结于所述编程中，其中所述第一端在离所述第一多个接触窗最近的预定距离处与所述阳极区接触，且所述第二端在离所述第二多个接触窗最近的预定距离处与所述阴极区接触，其中所述阴极区小于所述阳极区以增强所述电子迁移作用。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第一端的熔丝连接区的宽度等于或小于在约相同位置的阳极区的宽度。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第二端的熔丝连接区的宽度大于或等于在约相同位置的阴极区的宽度。
根据本发明的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述逆向偏压PN结位于约所述第二端。
本发明另一方面，为了更增加电子迁移作用，可形成逆向偏压PN结在熔丝连接区的主要部分中以避开流至熔丝结构表面的电流。
又本发明另一方面，为了限制在该第二多个接触窗上的电流密度且因此同时增强电子迁移作用，该阴极区以一距离位于该第二多个接触窗之上，且该距离小于由预定的设计规则所规范的距离。
为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图示，作详细说明如下：
附图说明
图1A与图1B显示传统电子熔丝结构。
图2显示本发明第一实施例的电子熔丝结构。
图3显示本发明第二实施例的电子熔丝结构的剖面图，其具有逆向偏压PN结。
图4A本发明第二实施例的电子熔丝结构的上视图，其具有逆向偏压PN结位于约熔丝连接区的中央部分。
图4B本发明第二实施例的电子熔丝结构的上视图，其具有逆向偏压PN结约位于熔丝连接区与阴极的接合部。
图5A显示本发明第三实施例的简洁的电子熔丝结构。
图5B显示本发明结合第二与三实施例的简洁的电子熔丝结构，其具有接近阴极区的逆向偏压PN结。
图5C显示本发明结合第二与三实施例的简洁的电子熔丝结构，其具有逆向偏压PN结位于约熔丝连接区的中央部分。
其中，附图标记说明如下：
100、150～传统电子熔丝结构
102、152～阳极
112、162～阴极
122、172～熔丝连接
134、184～接触窗
200、300、400、450、500、550、580～电子熔丝结构
202、302、402、502、552～阳极区
212、312、412、512、562～阴极区
224～电流
222、422、452、522、572、582～熔丝连接区
234、244、504、514～接触窗
320～多晶硅层
330～硅化层
323、327～多晶硅层320的一部分
424～接近熔丝连接区422的中央区域
454～约熔丝连接区422与阴极区412的接合部
532、542～虚线区
576～接近阴极区562的接合部位置
586～约在熔丝连接区582的中央部分
具体实施方式
以下将提供熔丝结构的详细说明，此熔丝结构通过在熔丝结构中增强电子迁移作用，以在编程前后间提供较大的电阻变异。由于电子迁移作用，本发明的优点包括阴极耗尽作用(cathode depletion effect)与储存作用(reservoireffect)。阴极耗尽作用指在编程中阴极区比阳极区更易形成空隙的现象。而储存作用意指阴极区越大，熔丝结构越能抵抗电子迁移应力。
图2显示本发明第一实施例的电子熔丝结构200。电子熔丝结构200包括阳极区202、阴极区212与熔丝连接222连接阳极区202与阴极区212。接触窗234与244分别连接阳极区202与阴极区212。在熔丝结构200的编程中，电流224从阳极区202流至阴极区212，由于电子迁移作用，导致熔丝结构200的电阻增加。在电流224与特定的施压时间下，电子迁移作用越剧烈，在编程前后之间的电阻变异越大。因此于图2中，根据本发明第一实施例，将阴极区212做得小于阳极区202以增强电子迁移作用。
虽然电子熔丝结构200一般由多晶硅材料制成，但本领域技术人员可了解也可使用其他材料，例如硅化多晶硅与扩散区或上述的组合。此外，电子熔丝结构200不限定在场区氧化层(field oxide)的顶部上方。在下方的材料可为薄栅极氧化物，而此种电子熔丝结构200的编程电压够低，不会对栅极氧化物造成损害。
图3为电子熔丝结构300的剖面图，根据本发明的第二实施例，其在熔丝连接区具有逆向偏压(reverse biased)PN结。在此电子熔丝结构300是由硅化多晶硅所制成，即硅化层330形成于多晶硅层320的顶部上。在硅化工艺之前，以N型离子，例如砷(As)在区域323中来注入多晶硅320，其中区域323与阳极302耦接。且以P型离子，例如硼(B)在区域327中注入多晶硅320，其中区域327与阴极312耦接。因此多晶硅320在编程中具有逆向偏压PN结，其可避开至硅化层330大部分的编程电流。大电流会更剧烈地对熔丝结构300施压，且其导致电子迁移作用会让熔丝结构300的电阻更加提高。
虽然本发明的第二实施例是以硅化多晶硅为例来说明，但本领域技术人员可了解，只要逆向偏压PN结可形成为位于下方受到电子迁移作用的一层，本发明的原理就可应用于其他结构上，例如硅化物在硅之上(silicide oversilicon)或反熔丝(anti-fuse)结构。
图4A与图4B为电子熔丝结构400与450的上视图，其根据本发明的第二实施例，各具有逆向偏压PN结。熔丝结构400与450皆具有阳极区402、阴极区412与熔丝连接区422。如同本发明的第一实施例，阴极412小于阳极402。图4A中逆向偏压PN结形成在位置424，其接近熔丝连接区422的中央区域，可对照至图3的熔丝结构300。在图4B中，逆向偏压PN结则是形成在位置454，其约是熔丝连接区422与阴极区412的接合部。在此方式中，熔丝结构450也由阴极耗尽作用获得好处，其比逆向偏压PN结位于熔丝连接区中央的实施例更容易产生熔丝编程。
图5A显示根据本发明第三实施例的简洁的电子熔丝结构500。熔丝结构越简洁越好。但在某些设计法则中，例如阳极区502或阴极区512应在其分别所对应的接触窗504与514之上有足够的重叠以充分利用接触窗504与514的电流密度。此时阳极502与阴极512应分别成为虚线区532与542，其分别大于图中斜线部分的阳极区502与阴极区512。根据本发明的第三实施例，熔丝结构500为狭窄条状物，其比传统所设计的熔丝结构不占空间。通过缩小末端，即位于接触窗504或514上的阳极502或阴极512，可限制位于接触窗504或514的电流密度，也使接触窗504或514倾向于电子迁移作用。上述情况虽然在一般电路中应予避免，但却在熔丝应用中为必须，电子迁移作用越激烈，越容易将熔丝编程且在编程前后之间的电阻变异越大。在此实施例中，接触窗的电子迁移作用增加了熔丝连接区的电子迁移作用。因此该熔丝结构500可达到大的电阻变异。
图5B显示根据本发明结合第二与第三实施例的另一简洁的电子熔丝结构550，其具有逆偏压PN结。若熔丝结构550是由硅化多晶硅所形成，则PN结可形成在多晶硅中。在图5B中，以N型离子注入阳极区552与熔丝连接区572，且以P型离子注入阴极区562，之后逆向偏压PN结形成在接合部位置576，位置576接近阴极区562。因此将逆向偏压PN结用来避免至硅化物的电流，也产生阴极消耗作用，而上述两者皆在熔丝结构中增强电子迁移作用。
图5C显示根据本发明结合第二与第三实施例的又另一简洁的电子熔丝结构550，其具有一逆偏压PN结。熔丝结构580与550的不同处仅在于熔丝结构580的逆向偏压PN结位于位置586，而位置586约在熔丝连接区582的中央部分。同样地，逆向偏压PN结避免至硅化物的电流，其增强了电子熔丝结构580的电子迁移作用。
除了上述的功能优势外，对于任何需要熔丝的集成电路而言，本发明也可作为降低成本的方法，例如多熔丝结构可在一般逻辑工艺(logic process)中制造而不需提供任何额外的掩模。
虽然在本发明实施例中叙述了硅化物位于多晶硅的顶部上，但本领域技术人员可了解，底部的多晶硅层可置换成其他材料，例如扩散区，只要其上可形成PN结。只要顶部层受到电子迁移作用，就可通过其他工艺取代形成顶部硅化层。在另一方面，受到电子迁移作用的层别可位于底部，而具有逆向偏压PN结的层别可位于顶部。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变化与修改，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (11)

1.一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：
阳极区，位于第一多个接触窗之上，所述第一多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与正高电压耦接；
阴极区，位于第二多个接触窗之上，所述第二多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与互补低电压耦接，其中所述阴极区以一距离位于所述第二多个接触窗之上，且所述距离小于由预定的设计规则所规范的距离；以及
熔丝连接区，其具有第一与第二端，
其中所述第一端在离所述第一多个接触窗最近的预定距离处与所述阳极区接触，且所述第二端在离所述第二多个接触窗最近的预定距离处与所述阴极区接触，
其中所述阴极区小于所述阳极区以增强所述电子迁移作用。
2.如权利要求1所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述阳极、阴极与熔丝连接区包括相同的第一材料。
3.如权利要求2所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述第一材料包括多晶硅、硅化物与硅化多晶硅。
4.如权利要求1所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第一端的熔丝连接区的宽度等于或小于在相同位置的阳极区的宽度。
5.如权利要求1所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第二端的熔丝连接区的宽度大于或等于在相同位置的阴极区的宽度。
6.如权利要求1所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述熔丝连接区包括逆向偏压PN结。
7.如权利要求6所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述逆向偏压PN结位于所述第二端。
8.一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：
阳极区，位于第一多个接触窗之上，所述第一多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与正高电压耦接；
阴极区，位于第二多个接触窗之上，所述第二多个接触窗在所述熔丝结构的编程中与互补低电压耦接，所述阴极区以一距离位于所述第二多个接触窗之上，且所述距离小于由预定的设计规则所规范的距离；以及
熔丝连接区，其具有第一与第二端，且具有堆叠的第一与第二层，
其中所述第一层遭受电子迁移影响，且所述第二层包括逆向偏压PN结于所述编程中，
其中所述第一端在离所述第一多个接触窗最近的预定距离处与所述阳极区接触，且所述第二端在离所述第二多个接触窗最近的预定距离处与所述阴极区接触，
其中所述阴极区小于所述阳极区以增强所述电子迁移作用。
9.如权利要求8所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第一端的熔丝连接区的宽度等于或小于在相同位置的阳极区的宽度。
10.如权利要求8所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中在所述第二端的熔丝连接区的宽度大于或等于在相同位置的阴极区的宽度。
11.如权利要求8所述的用于电子迁移编程模式的熔丝结构，其中所述逆向偏压PN结位于所述第二端。
CN200710196914XA 2007-04-23 2007-12-06 用于电子迁移编程模式的熔丝结构 Active CN101295703B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/738,868 2007-04-23
US11/738,868 US20080258255A1 (en) 2007-04-23 2007-04-23 Electromigration Aggravated Electrical Fuse Structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101295703A CN101295703A (zh) 2008-10-29
CN101295703B true CN101295703B (zh) 2011-04-06

Family

ID=39871358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710196914XA Active CN101295703B (zh) 2007-04-23 2007-12-06 用于电子迁移编程模式的熔丝结构

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080258255A1 (zh)
CN (1) CN101295703B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8102019B1 (en) 2009-06-19 2012-01-24 Xilinx, Inc. Electrically programmable diffusion fuse
US8519507B2 (en) * 2009-06-29 2013-08-27 International Business Machines Corporation Electrically programmable fuse using anisometric contacts and fabrication method
US8143695B1 (en) 2009-07-24 2012-03-27 Xilinx, Inc. Contact fuse one time programmable memory
US8209654B2 (en) * 2010-01-22 2012-06-26 Exar Corporation Methodology for storing and updating on-chip revision level
US8462575B2 (en) * 2010-07-14 2013-06-11 Broadcom Corporation Multi-time programmable memory
CN103107159A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 上海华虹Nec电子有限公司 可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法
US8889491B2 (en) 2013-01-28 2014-11-18 International Business Machines Corporation Method of forming electronic fuse line with modified cap
CN104319255B (zh) * 2014-10-30 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 低温度系数多晶硅电阻的制造方法
CN105826238A (zh) * 2015-01-06 2016-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电可编程熔丝结构及其形成方法
FR3063573B1 (fr) * 2017-03-01 2019-05-03 Stmicroelectronics (Rousset) Sas Dispositif fusible integre
CN108493182B (zh) * 2018-03-08 2019-05-07 长鑫存储技术有限公司 电可编程熔丝结构以及半导体器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202277A (zh) * 1995-09-29 1998-12-16 英特尔公司 硅化物块熔丝器件
US6933591B1 (en) * 2003-10-16 2005-08-23 Altera Corporation Electrically-programmable integrated circuit fuses and sensing circuits
CN1905184A (zh) * 2005-07-29 2007-01-31 国际商业机器公司 掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法
CN1929125A (zh) * 2005-09-05 2007-03-14 富士通株式会社 保险丝及断开保险丝的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323535B1 (en) * 2000-06-16 2001-11-27 Infineon Technologies North America Corp. Electrical fuses employing reverse biasing to enhance programming
AU2003304110A1 (en) * 2003-04-11 2004-11-26 International Business Machines Corporation Programmable semiconductor device
JP4127678B2 (ja) * 2004-02-27 2008-07-30 株式会社東芝 半導体装置及びそのプログラミング方法
US6956277B1 (en) * 2004-03-23 2005-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode junction poly fuse

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1202277A (zh) * 1995-09-29 1998-12-16 英特尔公司 硅化物块熔丝器件
US6933591B1 (en) * 2003-10-16 2005-08-23 Altera Corporation Electrically-programmable integrated circuit fuses and sensing circuits
CN1905184A (zh) * 2005-07-29 2007-01-31 国际商业机器公司 掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法
CN1929125A (zh) * 2005-09-05 2007-03-14 富士通株式会社 保险丝及断开保险丝的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101295703A (zh) 2008-10-29
US20080258255A1 (en) 2008-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101295703B (zh) 用于电子迁移编程模式的熔丝结构
US4543594A (en) Fusible link employing capacitor structure
US7880266B2 (en) Four-terminal antifuse structure having integrated heating elements for a programmable circuit
US7256471B2 (en) Antifuse element and electrically redundant antifuse array for controlled rupture location
US7732892B2 (en) Fuse structures and integrated circuit devices
US6337507B1 (en) Silicide agglomeration fuse device with notches to enhance programmability
US7872897B2 (en) Programmable semiconductor device
KR100777858B1 (ko) Ｍｏｓ 트랜지스터형 전기 퓨즈와 그 프로그램 방법,이것을 이용한 반도체 장치
US6913954B2 (en) Programmable fuse device
US20020060350A1 (en) Thinfilm Fuse/ Antifuse Device and Use of Same in Printhead
TWI399847B (zh) 可調諧反熔絲元件及其製造方法
US8796739B2 (en) Ballasted polycrystalline fuse
US20090102014A1 (en) Anti-Fuse Cell and Its Manufacturing Process
US5936880A (en) Bi-layer programmable resistor memory
WO2006039669A2 (en) E-fuse with reverse bias p-n junction
JP4937316B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
CN112951831B (zh) 反熔丝一次性可编程存储器单元以及相关阵列结构
US11843030B2 (en) Fuse elements and semiconductor devices
US11876044B2 (en) Method for activating backup unit through fuse element
TWI817545B (zh) 熔絲元件以及半導體元件
US20100187638A1 (en) Anti-fuse cell and its manufacturing process
Son et al. An Area-Efficient, Low-VDD, Highly Reliable Multi-Cell Antifuse System Fully Operative in DRAMs
JPH0376099A (ja) 半導体集積回路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant