CN101290962B

CN101290962B - 光器件

Info

Publication number: CN101290962B
Application number: CN200810087938.6A
Authority: CN
Inventors: 东海林巌
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2007-04-19
Filing date: 2008-03-25
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2028-03-25
Also published as: TWI458118B; US20080290439A1; TW200908387A; JP2008270462A; US7781855B2; CN101290962A; JP5242939B2

Abstract

本发明提供一种光器件，该光器件能够在斜方向上设置光半导体芯片，这种情况下，不会产生回弹等，能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，该光器件能够小型化。该光器件(1)具有：金属膜(2)，其具有第1面(2a)和与第1面(2a)形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面(2a)电连接(例如与第1面(2a)一体形成)的第2面(2b)；光半导体芯片(3)，其安装在所述金属膜(2)的第2面(2b)上；以及具有透光性的密封材料(4)，所述金属膜(2)形成在该密封材料(4)的表面上，并且该密封材料(4)对所述光半导体芯片(3)进行密封。

Description

光器件

技术领域

本发明涉及光器件。

背景技术

以往，在专利文献1中示出了在斜方向上设置有LED的发光装置(下文中称为斜方向LED)。图1是专利文献1中示出的发光装置的构成图，图1的发光装置为PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier：带引线的塑料芯片载体)型的结构。对于该结构，在利用嵌入模压而形成于引线框中的封装的凹部中，通过芯片键合(die bonding)来固定LED芯片，通过利用Au线的引线键合来进行电连接。并且，通过在该凹部中注入密封树脂来进行LED芯片和Au线的保护，同时将引线框和封装模压树脂粘接起来。

专利文献1：日本特开2006-93359号公报

对于图1所示的PLCC型的装置，为了在图2所示的引线框中进行嵌入模压，并将LED芯片在平坦化后的引线框中进行芯片键合，需要对引线框进行切割并进行成形(forming)的工序。

并且，需要在嵌入模压后的封装的凹部中注入密封树脂，有时会在封装的模压树脂和密封树脂之间产生剥离。

另外，从整版(面付け)进行个体化时，在切割时会产生毛刺，从而在安装时有时会产生浮起，进而，在引线框的成形时(将引线框在多处弯折而成为三角形时)有时会发生回弹，因此有可能在LED的安装位置上发生异常。

在该图1的形状中，要根据模压成型的需要而进行小型化，就必须缩小该树脂的厚度，但在焊锡反流工序中，要向外壳施加260度以上的温度。能够在这样的高温下以薄型承受的树脂为LCP或PEEK等特殊的树脂，需要成形温度、压力等与一般的树脂成形不同的条件。对于PPA或尼龙9T等尤其在可见光范围中反射率高的树脂，由于会超过热变形温度从而使用困难。也存在将填料混合在树脂中来提高耐热温度的方法，但这种情况下，会降低树脂的反射率，与通常的树脂相比，作为成形条件的温度、注射速度、注射压力等的调整困难，由于流动性降低，在需要小型且形成薄壁的斜方向LED中使用时会存在问题。

进而，若形状小型化且LED的输出提高、LED短波长化，则构成外壳的树脂所受到的辐射度、光子能量上升得超过此前的程度，会由于光劣化而导致反射率的降低。这作为时效变化会导致输出的降低程度大于长波长的发光二极管，从而助长了使用同一封装制作出的不同波长的输出不均。

并且，作为密封树脂，使用对短波长具有耐性的硅树脂或改性硅-环氧树脂，但尽管其具有耐性，也会由于外壳的劣化而产生剥离，形成用于吸湿的路径，通过该路径，导致在引线框上实施的镀银的氧化和硫化。该氧化、硫化导致反射率降低，并导致光量的降低。这进一步引起与灯罩和引线框的密合力的减小，产生耐湿性、耐反流性的问题。

如上所述，在图1的PLCC型的斜方向LED中，无法解决引线框的切割、成形的回弹等问题和模压树脂的小型化极限的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光器件，该光器件能够在斜方向上设置光半导体芯片(发光元件和/或受光元件)，在这种情况下，不会产生回弹等而能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，该光器件能够小型化。

为了实现上述目的，本发明第1方面所述的光器件的特征在于，该光器件具有：金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密封材料的表面，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封。

并且，本发明第2方面所述的光器件在第1方面所述的光器件的基础上，其特征在于，所述金属膜在所述第1面和所述第2面的两侧具有与第1面和第2面电连接的侧部。

并且，本发明第3方面所述的光器件在第2方面所述的光器件的基础上，其特征在于，在所述侧部开有切口。

并且，本发明第4方面所述的光器件在第1～3方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述密封材料具有用于对所述光半导体芯片起透镜作用的透镜形状。

并且，本发明第5方面所述的光器件在第1～4方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述光半导体芯片为发光元件，所述光器件起投光器的作用。

并且，本发明第6方面所述的光器件在第5方面所述的光器件的基础上，其特征在于，在所述密封材料中混合有预定的荧光体。

并且，本发明第7方面所述的光器件在第1～4方面中的任一项所述的光器件的基础上，其特征在于，所述光半导体芯片为受光元件，所述光器件起受光器的作用。

根据本发明第1～7方面所述的光器件，由于该光器件具有：金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜形成在该密封材料的表面，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封，所以不会产生回弹等，能够稳定且可靠性良好地在斜方向上设置光半导体芯片，并且，能够使光器件整体小型化。

特别地，在本发明第3方面所述的光器件中，在第2方面所述的光器件的基础上，在所述侧部开有切口，因而在侧部实施填锡时，能够使焊锡中产生的内包性气泡从开有上述切口的侧部逸出，由此不仅能够抑制锡球的出现，还能增加与树脂的粘合面积，增加粘接力。

并且，在本发明第4方面所述的光器件中，在第1～3方面中的任一方面所述的光器件的基础上，所述密封材料具有用于对所述光半导体芯片起透镜作用的透镜形状，因而无需另外设置透镜部件。

并且，在本发明第6方面所述的光器件中，在第5方面所述的光器件的基础上，在所述密封材料中混合有预定的荧光体，因而荧光体被源自发光元件的光激发，源自发光元件的光和源自荧光体的激发光混合，从而能够射出例如白色光等期望颜色的光。

附图说明

图1是现有的发光装置的构成图。

图2是用于说明图1的发光装置的制作工序的图。

图3是示出本发明的光器件的构成例的图。

图4是示出将图3的光器件安装在安装基板上的状态的图。

图5是示出在图3的光器件中在侧部开有切口的情况的图。

图6是示出在图3的光器件中使密封材料具有透镜形状的情况的图。

图7是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图8是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图9是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图10是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图11是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图12是用于说明本发明的光器件的制作工序的图。

图13是示出LED芯片的构成例的图。

图14是用于说明本发明的光器件(受光器)的制作工序的图。

图15是示出PD芯片的构成例的图。

符号说明

1：光器件；2：金属膜；2a：第1面；2b：第2面；2c：侧部；3：光半导体芯片；4：密封材料；5：切口；6：透镜形状；10：安装基板；31：第1凸点；32：第2凸点；35：pn接合部；36、37：两端部；50：Si基体；52：金属模垫块；53：空间。

具体实施方式

下面，根据附图对用于实施本发明的最佳方式进行说明。

图3(a)、(b)是示出本发明的光器件1的构成例的图。另外，图3(a)为正面图，图3(b)为侧面图。参照图3(a)、(b)，该光器件1具有：金属膜2，其具有第1面2a和与第1面2a形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面2a电连接(例如与第1面2a一体形成)的第2面2b；光半导体芯片3，其安装在所述金属膜2的第2面2b上；以及具有透光性的密封材料4，其在表面上形成所述金属膜2，用于密封所述光半导体芯片3。

另外，在图3(a)、(b)的光器件1中，所述金属膜2在所述第1面2a和所述第2面2b的两侧具有与第1面2a和第2面2b电连接的侧部2c。另外，该侧部2c是用于在该侧部2c实施填锡等。

并且，在图3(a)、(b)的光器件1中，光半导体芯片3为发光元件(例如发光二极管(LED)芯片)和/或受光元件(例如光检测器(PD)芯片)，在光半导体芯片3为发光元件(例如LED芯片)的情况下，该光器件1起到发光装置(投光器)的作用。与此相对，在光半导体芯片3为受光元件(例如PD芯片)的情况下，该光器件1起到受光装置(受光器)的作用。

但是，图3(a)、(b)的光器件1中，如图4所示，当例如在金属膜2的与第1面2a形成钝角θ(90°＜θ＜180°)的第2面2b上安装光半导体芯片3，并将金属膜2的第1面2a安装在安装基板10上时，光半导体芯片3的朝向相对于安装基板10为斜方向。因此，根据本发明，能够提供在斜方向设置有光半导体芯片3(投光器(LED)或受光器(PD))的光器件1。

在此，与图1所示的现有的构成相比，由于本发明中没有使用引线框而是使用了至少具有第1面2a和第2面2b的金属膜2(如后述那样，该金属膜2是在预定的模具上通过蒸镀或溅射而成膜的)，所以不会产生回弹等，能够稳定且可靠性良好地在金属膜2上设置光半导体芯片3。并且，在本发明中，透光性的密封材料(密封树脂)4用于密封光半导体芯片3，并且在表面上形成有上述金属膜2，因而与现有技术相比(例如与PLCC型相比)能够实现光器件的小型化和薄型化。

进而，在图3的光器件中，如图5所示，可以在侧部2c上开有切口5。另外，图5为概略俯视图。

如图5所示，在侧部2c上开有切口5的情况下，当对侧部2c实施填锡时，由焊锡产生的内包性气泡能够从开有上述切口5的侧部2c逸出，由此不仅能够抑制锡球的产生，还能够增大与树脂的接合面积，增加粘接力。

并且，在图3的光器件中，如图6所示，可以使密封材料4具有用于对光半导体芯片3起到透镜的作用的透镜形状6。

这样，在使密封材料4具有用于对光半导体芯片3起透镜作用的透镜形状6的情况下，可以不用另外设置透镜部件。

另外，在本发明的光器件1中，当在金属膜2的第2面2b上安装光半导体芯片3(发光元件或受光元件)时，光半导体芯片3以倒装片式安装为好(芯片键合为好)。这种情况下，在光半导体芯片3为受光元件(例如PD芯片)时，PD芯片需要形成为光线向PD芯片的背面入射的背面入射型。

下面，对如图3(a)、(b)所示的本发明的光器件的制作工序进行说明。

首先，在Si晶片的(100)面上形成热氧化膜。接着，在旋转涂敷(SpinCoat)抗蚀剂后，进行预烘(prebake)、掩模曝光、显影，由此留下用于蚀刻的面，用抗蚀剂进行覆盖。进行后烘后，以抗蚀剂为掩模，用混合有氢氟酸(HF)和氟化铵(NH₄F)的氢氟酸缓冲液(BFH)来蚀刻氧化膜，除去抗蚀剂。然后，进行RCA1(1pNH₃(25％)+5pH₂O+1pH₂O₂)清洗、RCA2(1pHCl+6pH₂O+1pH₂O₂)清洗和HF浸渍。

然后，以留下的氧化膜为掩模，通过KOH系的碱性蚀刻液(alkali wetetching)制作出以(111)面为斜面的具有图7所示的凹部51的Si基体50。

进而，以混合有氢氟酸(HF)和氟化铵(NH₄F)的氢氟酸缓冲液(BFH)对氧化膜进行蚀刻。沿着表面涂敷抗蚀剂并进行预烘、掩模曝光和显影，由此用抗蚀剂覆盖制作金属膜(电极)的部分以外的部分。然后，通过蒸镀或溅射对Au/Ni/Ag进行成膜来作为金属膜(电极)，利用剥离液去除抗蚀剂，由此在Si基体50的预定部位制作金属膜(电极)2的图案。图8示出了图7所示的Si基体50的凹部51中成膜有金属膜(电极)2的图案的状态。

接着，如图9所示，在图8的金属膜2的图案上(具体地说，在金属膜2的第2面2b上)，利用Au(金)凸点安装(芯片键合)光半导体芯片3(发光元件或受光元件)。

接下来，如图10所示，在芯片键合有光半导体芯片的Si基体50的凹部51内，沿着斜面插入用于划定光器件整体形状的金属模垫块(金型コマ)52。图11为在Si基体50的凹部51中插入金属模垫块52时的概略剖面图，插入金属模垫块52后，在Si基体50与金属模垫块52之间形成有规定光器件的整体形状的空间53。

这样，在利用金属模垫块52形成的空间53中注入密封材料(密封树脂)4来进行密封。图12示出将利用金属模垫块52形成的空间53通过密封材料4密封之后拔出金属模垫块52后的状态。

此后，可以通过KOH系的碱性蚀刻液除去Si基体50，来制成图3(a)、(b)所示的本发明的光器件。

此外，作为密封材料(密封树脂)4，可以使用硅树脂、环氧树脂、PVA树脂、氟类树脂等。

并且，作为图5所示的光器件的制造方法，在制作具有凹部51的Si基体50时，对成为金属膜的侧部的部分进行选择性的蚀刻，以制作阶梯差(未图示)。对在该侧部的部分具有阶梯差的Si基体50的表面成膜出金属膜2，在金属膜2的第2面2b上安装光半导体芯片3后，用密封材料(密封树脂)4进行模压，并对Si基体50进行蚀刻，从而可以制作出如图5所示那样的在金属膜2的侧部2c开有切口5的光器件。

另外，在上述的制造工序例中，作为金属膜2使用了Au/Ni/Ag，但作为金属膜2还可以使用表1所示的组合。

[表1]

①	②	③	④	⑤
					AgBiAgBiNdAgNdCuAgBiAuAgAuSnAgAuSnCuAgAuCuAgPd	NiPt	TiCrCu	NiPtNi/PdW	AgBiAgBiNdAgNdCuAgBiAuAgAuSnAgAuSnCuAuAg

此外，在表1中，(1)侧为靠近Si基体50的一侧，光半导体芯片3的安装侧为(5)侧。另外，(2)～(4)为根据需要使用的金属层。

或者，作为金属膜2，可以通过非电解镀在图7所示的具有凹部51的Si基体50上成膜出Cu，然后电解镀Au，将非电解镀部分的Cu蚀刻后，通过电铸成膜出Cu的厚膜，用抗蚀剂覆盖用于制作电极的部分以外的部分，利用氯化铁进行蚀刻，由此能够在所期望的部位制作出金属膜2的图案。进而，通过电解镀在该Cu上成膜出Au、AgBi、Pd、AgPd、Ag/Re、Ag/Rh等，从而能够制作出可以接合的金属膜2的图案。

此外，作为Cu的蚀刻液，可以是以氯化铜、过硫化铵为主体的蚀刻液；将过硫化铵氨络合化的产物；以硫酸-过氧化氢为主体的蚀刻液；将硫酸-过氧化氢氨络合化的产物；以氯酸盐系为主体的蚀刻液。

并且，在上述示例中，将KOH用于Si基体50的蚀刻，但在Si基体50的蚀刻中，除了KOH以外，也可以使用TMAH(四甲基氢氧化铵)或EDP(ethylene diamine pyrocatechol：乙二胺邻苯二酚)、N₂H₄+H₂O。并且，还可以进行XeF₂、SF₆+C₄H₈博施法(bosch process)等基于干法制备的蚀刻、通过将切割刀形状制作成斜面状来进行基于切割法的制作以及基于喷射法的制作。并且，可以通过蚀刻方法改变面方位从而改变斜面角度。

下面，说明本发明的具体例。

本发明的第1具体例为斜方向的投光器(LED)。在该第1的具体例中，在图3(a)、(b)所示的构成中，作为金属膜2使用在铜基体上实施镀Ni并在其上实施镀Au的膜，在该金属膜2的第2面2b上通过金凸点接合(芯片键合)LED芯片3，将其制成由密封树脂4保护起来的形状。在此，如图4所示，通过使金属膜2的第1面2a与安装基板10侧一致，可以制成向斜方向放射光的LED投光器。

图13是示出如上那样在金属膜2的第2面2b上芯片键合的LED芯片3的构成例的图，在图13的例子中，LED芯片3构成为倒装片型LED，在一个侧面设有起正电极作用的第1凸点31和起负电极作用的第2凸点32。这种情况下，使第1凸点31与金属膜2的正电极的图案接合，使第2凸点32与金属膜2的负电极的图案接合，由此能够使LED芯片3在金属膜2(金属膜2的预定的电极图案)上芯片键合。

作为此时使用的LED芯片3的LED本体的材料，可以使用III族氮化物系化合物半导体(在发光层中例如使用GaN的半导体)，但不限于III族氮化物系化合物半导体，只要是倒装片型LED芯片，也可以使用ZnO系的氧化物系半导体、AlGaInP系的化合物半导体、AlGaAs系的化合物半导体。

并且，也可以使用多个这些LED，以实现多色化。

对于上述那样的本发明的第1具体例的斜方向投光器，通过与其他的面安装器件同样地相对于安装基板10进行安装，从而可以在斜方向上照射预定的对象物。并且，不会产生PLCC型中的回弹的问题，此外，还能够实现对于PLCC型较为困难的小型化和薄型化。进而，由于没有外壳的劣化，所以不会形成由剥离引起的吸湿路径，可抑制输出降低。

并且，本发明的第2具体例是在第1具体例的基础上，在密封树脂中混合有预定的荧光体的例子。即，对于本发明的第2具体例，作为第1具体例示出的LED芯片具体而言是具有发出480nm以下波长的光的活性层、即氮化物系半导体层的倒装片型LED芯片(例如具有发光色(例如峰值波长463nm)的LED芯片)，将具有由来自该LED芯片的上述波长的光激发的荧光(峰值波长563nm)的硅酸盐荧光体与密封树脂4混合使用，由此使LED光混色，从而能够制成对应于白色或灯泡色的斜方向投光器。

并且，作为向密封材料(密封树脂)4中注入的荧光体，在上述例子中使用了硅酸盐荧光体，但也可以使用黄色荧光体、绿色荧光体、红色荧光体等。

在此，作为黄色荧光体，可以是以R₃M₅O₁₂:Ce，Pr的通式表示的荧光体中R为钇(Y)和钆(Gd)之中至少一种元素、M为铝(Al)和镓(Ga)之中至少一种元素的荧光体；或以氧氮化物玻璃为母体材料的荧光体；或是硫代镓酸盐CaGa₂S₄:Eu。

并且，作为绿色荧光体，可以使用以Y₃M₅O₁₂:Ce的通式表示的荧光体中M为铝(Al)和镓(Ga)之中至少一种元素的荧光体；硫代镓酸盐SrGa₂S₄:Eu；硅酸盐荧光体Ca₃Sr(SiO₄)₃:Ce；氧化物荧光体CaSr₂O₄:Ce；氧氮化物系荧光体SrSi₂O₂N₂:Eu等。

并且，在红色荧光体中，可以是以硫化物系荧光体M₅S:Eu的通式表示的荧光体中M为氮化物系荧光体CaSiN₂:Eu、CaAlSiN₂:Eu。

并且，使用紫外光通过荧光进行白色化等混色的情况下，可以混合使用发蓝色光的荧光体的铝酸盐荧光体BaMg₂Al₁₆O₂₇:Eu、BaMgAl₁₀O₁₇:Eu、卤代磷酸盐荧光体(Sr，Ca，Ba)₅(PO₄)₃Cl:Eu；发绿色光的荧光体的铝酸盐荧光体BaMg₂Al₁₆O₂₇:Eu，Mn、卤硅酸盐荧光体Ca₈Mg(SiO₄)₄Cl:Eu，Mn、硅酸盐荧光体((Ba，Sr，Ca，Mg)_1-xEu_x)₂SiO₄、Zn₂GeO₄:Mn；以及发红色光的荧光体的氧硫化物荧光体Y₂O₂S:Eu、Y₂O₃:Eu，Bi、硫代镓酸盐(Sr，Ca，B a)(Al，Ga)₂S₄:Eu等。

并且，作为发红色光的荧光体，在能够吸收来自LED光源的发光的位置上还具有组成为A(Eu_1-x-yM_xSm_y)(W_1-zMo_z)₂O₈(其中，所述式中，A为Li、Na、K、Rb、Cs元素中的至少一种以上，M为B、Al、Sc、Ga、In、Tl、Sb、Bi、Y、La、Gd、Lu、Nb、Ta、Hf、P元素中的至少一种以上，x为0≤x≤0.3，y为0＜y≤0.1，z为0≤z≤1)的荧光体。并且，在以AEu_xLn_1-xM₂O₈表示的受由蓝色至长紫外领域LED光源的激发而发光的荧光体中，存在将Eu₃+离子二维或一维地排列的红色发光荧光体(其中，0＜x≤1，组成中的A为选自由Li、Na、K、Rb和Cs组成的组中的至少一种，Ln为选自由Y、La、Gd和Lu组成的组中的至少1种，M为选自由W或Mo组成的组中的至少1种)。

并且，作为向RGB补充作为连续光而不足的黄色发光的荧光体，可以使用以(2-x-y)SrO·x(Ba，Ca)O·(1-a-b-c-d)SiO₂·aP₂O₅ bAl₂O₃ cB₂O₃dGeO₂:y Eu₂+(其中，0＜x＜1.6、0.005＜y＜0.5、0＜a、b、c、d＜0.5)表示的由2价的铕活化的碱土金属正硅酸盐；以(2-x-y)BaO·x(Sr，Ca)O·(1-a-b-c-d)SiO₂·aP₂O₅ bAl₂O₃ cB₂O₃ dGeO₂:y Eu₂+(其中，0.01＜x＜1.6、0.005＜y＜0.5、0＜a、b、c、d＜0.5)表示的碱土金属正硅酸盐；作为结构稳定且能够使激发光或发光向长波长侧偏移的物质的氧氮化物玻璃、β-硅铝氧氮耐热陶瓷、α-硅铝氧氮耐热陶瓷等结构中含有氮的氧氮化物荧光体等。

另外，本发明的第3具体例为斜方向的受光器(PD)。在该第3具体例中，也与第1具体例同样，在图3(a)、(b)所示的构成中，作为金属膜2使用在铜基体上实施镀Ni后又在其上镀Au的膜，如图14所示那样在该金属膜2的第2面2b上通过金凸点接合(芯片键合)背面入射型的PD芯片3，从而使其成为由密封树脂4进行保护的形状。在此，如图4所示，通过使金属膜2的第1面2a与安装基板10侧一致，能够制成朝着斜方向受光的PD受光器。

图15是示出如图14所示那样芯片键合在金属膜2的第2面2b上的背面入射型PD芯片3的构成例的图，在图15的例子中，背面入射型PD芯片3构成为倒装片型PD，在一个侧面设有起正电极作用的第1凸点31和起负电极作用的第2凸点32。这种情况下，通过使第1凸点31与金属膜2的正电极的图案接合，使第2的凸点32与金属膜2的负电极的图案接合，从而能够使PD芯片3芯片键合在金属膜2(金属膜的预定的电极图案)上。此外，在图15所示的背面入射型PD芯片3中，由于用于光电转换的pn接合部35位于与光入射侧相反的一侧，向PD芯片3入射的入射光容易入射到pn接合部35，因而PD芯片3的光入射侧的面除了两端部36、37(两端部36、37对维持PD芯片3的结构上的强度是必要的)以外，一直蚀刻至pn接合部35的附近。通过利用环氧树脂等密封树脂将其保护起来，可以制成斜方向受光器。

此外，作为使用的PD，也可以是APD、光敏晶体管等。

对于上述那样的本发明的第3具体例的斜方向投光器，通过与其他的面安装器件同样地相对于安装基板10进行安装，从而可以从斜方向受光。并且，相对于斜方向入光无需成形。此外，通过一次性蚀刻进行制作，以反流进行共晶，能够简单地制作大量制品。

产业上的可利用性

本发明可用于背后照明用光源、车载用指示器、闪光仪用光源、间接照明用光源、应急灯、温度传感器用光源、气体传感器用光源、花卉成长控制用光源、集鱼用光源、无影灯用光源、光CT用光源、白血病细胞破坏用光源、诱虫用光源、光催化剂激发用光源、人检测传感器用受光器、纸张检测传感器用受光器等。

Claims

1.一种光器件，其特征在于，该光器件具有：

金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；

光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和

具有透光性的密封材料，所述金属膜以所述第1面露出的方式形成在该密封材料的表面上，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封。

2.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述金属膜包括经由所述光半导体芯片而电连接的两个金属膜。

3.如权利要求2所述的光器件，其特征在于，两个所述金属膜分别在所述第1面和所述第2面的不同的侧面具有与第1面和第2面电连接的侧部。

4.如权利要求3所述的光器件，其特征在于，在所述侧部开有切口。

5.如权利要求1或2所述的光器件，其特征在于，剖面为由所述第1面、所述第2面、与所述第1面平行的面、以及与所述第2面平行的面构成的平行四边形。

6.如权利要求1～4中的任一项所述的光器件，其特征在于，所述密封材料具有用于对所述光半导体芯片起透镜作用的透镜形状。

7.如权利要求1～4中的任一项所述的光器件，其特征在于，所述光半导体芯片为发光元件，所述光器件起投光器的作用。

8.如权利要求7所述的光器件，其特征在于，在所述密封材料中混合有预定的荧光体。

9.如权利要求1～4中的任一项所述的光器件，其特征在于，所述光半导体芯片为受光元件，所述光器件起受光器的作用。

10.一种光模块，其特征在于，该光模块具有：

光器件，该光器件具有：金属膜，其具有第1面和与第1面形成钝角θ(90°＜θ＜180°)并与第1面电连接的第2面；光半导体芯片，其安装在所述金属膜的第2面上；和具有透光性的密封材料，所述金属膜以所述第1面露出的方式形成在该密封材料的表面上，并且该密封材料对所述光半导体芯片进行密封，

安装基板，该安装基板供所述光器件以所述光器件的所述第1面安装。