CN101276150A - 一种步进重复曝光装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种步进重复曝光装置，其依次包含如下曝光元件：大剂量曝光光源、照明系统、掩模承载装置、对准系统、投影物镜、硅片承载装置，以及设置在投影物镜下半部两侧的调焦调平系统；还包含密封前述曝光元件的光刻机密封腔体。本发明采用单独的温控系统来控制掩模，投影物镜和照明系统的温度，同时对于密封腔体内的整个曝光装置采用整体送风方式控温度。本发明的步进重复曝光装置，可实现大剂量、大视场的曝光，极大的提高曝光产率；同时利用逐场调焦调平技术，极大的提高曝光质量；满足低成本，高产量的生产需要。

Description

一种步进重复曝光装置

技术领域

本发明涉及一种步进重复曝光装置，具体涉及一种应用于光刻机的、大剂量、高产率的步进重复曝光装置。

背景技术

在美国专利US 006747732中描述了一种光刻机的基本结构和功能，该发明中的光刻机主要针对前道曝光工艺要求。但是该专利相对而言，光源的曝光剂量不够大，曝光产率较小。

而其它的一些现有的后道曝光装置，包括接近式曝光装置，由于衍射等原因，难以将整体的曝光分辨率提高，且耗材成本较高。除接近式曝光装置之外，还有采用了折返式的投影物镜设计的后道光刻机，且该投影物镜采用了非对称设计。此外，这种光刻机采用磁浮式工件台和气动调焦的方式。这种结构的后道曝光装置，相对而言，曝光视场不够，畸变较大，并存在因热效应带来的焦面漂移的问题；同时曝光剂量较小(1000mJ左右)，且采用同轴对准加离轴对准的方式，不仅对准过程比较复杂，同时不得不在光路上增加可动光学部件，使得对准的精度降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种步进重复曝光装置，其可实现大剂量、大视场的曝光，极大的提高曝光产率；同时利用逐场调焦调平技术，极大地提高曝光质量；满足低成本，高产量的生产需要。

为了达到上述目的，本发明提供了一种步进重复曝光装置，其依次包含如下曝光元件：照明系统、掩模承载装置、对准系统、投影物镜、硅片承载装置，以及设置在投影物镜下半部两侧的调焦调平系统；特点是，还包含：

一光刻机密封腔体，前述的曝光元件均设置在该光刻机密封腔体内；

一围绕光刻机密封腔体设置的腔体循环温度控制系统，采用对光刻机密封腔体内部整体送风方式控制曝光环境温度；

一大剂量宽波带曝光光源；

所述的照明系统采用像方远心光路，其包含一包围设置在外部的照明系统冷却降温装置；

所述的投影物镜具有大共扼距，采用全折射、全对称结构，其包含一设置在外壁外侧的投影物镜冷却降温装置；

所述的掩模承载装置包含一掩模冷却装置。

所述的腔体循环温度控制系统包含温度控制器和气体颗粒控制器；该温度控制器包含制冷机组和加热器装置，以及设置在密封腔体内部的，并与制冷机组和加热器装置连接的温度反馈装置。

所述的照明系统为采用石英棒导光的照明系统，还包含一设置在照明系统前端的较长的隔离石英棒。

所述的照明系统冷却降温装置为内部通循环冷却水的水套。

所述的照明系统还包含一设置在隔离石英棒之前的光热分离装置；该光热分离装置为隔热玻璃。

所述的投影物镜采用倍率为-1的立式全折射、全对称结构。

所述的投影物镜冷却降温装置为内部通入冷却水的水套。

在所述的投影物镜中设置有可消除焦面漂移及像差的可动镜片。

在所述的投影物镜的下方还安装有保护膜。

所述的掩模承载装置还包含掩模版和放置该掩模的掩模台。

所述的掩模上平行设置两个相同大小的方形曝光图形，该方形曝光图形的尺寸为44mm*44mm。

所述的掩模台包含大行程驱动装置和精确定位微动台，进行4自由度的精确定位运动；该大行程驱动装置位于精确定位微动台的上方，掩模的下方，携掩模在两个对应曝光图形的曝光工位之间移动切换；该精确定位微动台分别由电机驱动其在X，Y和Rz方向精确定位。

所述的掩模台还包含一固定设置在大行程驱动装置上方的掩模吸附台。

所述的掩模冷却装置包含掩模冷却控制器，采集掩模温度信息的非接触热敏元件和对掩模进行冷却的气冷元件。

所述的掩模冷却控制器是PLC控制器(可编程序逻辑控制器)，所述的热敏元件是热象仪；所述的气冷元件是涡流管。

所述的硅片装置包含硅片和放置该硅片的工件台，该工件台携硅片进行定位运动。

所述的调焦调平系统测量硅片上表面与投影物镜下表面的相对高度；其包含对称设置在投影物镜的下半部两侧的光发射端和光接收端，该光发射端和光接收端处均设置光电自动调焦传感器。

所述的对准系统进行掩模对准和硅片对准，其包含轴对称于掩模承载装置设置的两个对准装置；该对准装置包含依次设置在掩模上方的独立光源和对准成像光学系统，在该对准成像光学系统中设置CCD。

所述的对准系统还设置有用于硅片对准的色差校准装置。

所述的大剂量曝光光源设置在密封腔体外部，其为4000W以上的宽波带光源。

所述的曝光装置还包含一放置大剂量曝光光源的灯室。

所述的灯室内部设置独立的温度控制系统；该灯室温度控制系统采用对灯室送风的方式降温。

所述的曝光装置还包含一物料传输装置，该物料传输装置包含硅片传输装置和掩模传输装置。

所述的掩模传输装置包含掩模存储盒，以及将该掩模存储盒中的掩模传输到掩模台上的掩模传输器。

所述的硅片传输装置包含硅片存储盒，以及将该硅片存储盒中的硅片传输到工件台上的硅片传输器。

所述的硅片存储盒兼容不同尺寸大小的硅片。

所述的曝光装置还包含一隔振系统，其由若干隔振器组成，支撑整个曝光装置的核心部分。

本发明提供的步进重复曝光装置，具有以下优点：

1、采用宽波带曝光光源，使得曝光剂量大大提高，最高能达到20000mJ/cm2，由此使得曝光产率大大提高。

2、采用全折射、对称式结构的投影物镜，增大曝光装置的最大曝光视场，同时减小畸变，也大大提高了曝光装置的产率并且降低用户成本；同时利用可动镜片来调节焦平面来减少因为热效应带来的焦面漂移的问题；

3、对准系统的对准精度高，使得本发明的曝光装置更加适合后道曝光要求。

4、调焦调平系统实现针对每个曝光场的调焦调平功能，提高调节精度和曝光质量。

5、对大剂量曝光所造成的热量问题，采用了整体送风冷却配合局部温度控制的方法保证曝光装置的工作环境。

6、采用设置有2个曝光图像的掩模，且掩模台可实现在2个曝光工位间切换，提高掩模的利用效率。

7、本曝光装置兼容不同尺寸的硅片曝光，提高加工产品使用范围，节约生产成本。

附图说明

图1为本发明提供的曝光装置的基本结构示意图；

图2为本发明中的腔体循环温度控制系统的结构示意图；

图3为本发明中的照明系统和曝光光源的结构示意图；

图4为本发明中的掩模冷却装置的结构示意图；

图5为本发明中的调焦调平系统的结构示意图；

图6为本发明中的掩模台的结构示意图；

图7为本发明中的对准系统的结构示意图；

图8为本发明提供的曝光装置的整体控制架构图；

图9为本发明提供的曝光装置的工作流程图。

具体实施方式

下面结合图1～图9，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

图1为本发明提供的曝光装置的基本结构示意图，该曝光装置包含依次设置的曝光光源101、照明系统102、掩模承载装置、对准系统109、投影物镜105、硅片承载装置，以及设置在投影物镜105下半部两侧的调焦调平系统107；其中，所述的曝光光源101为大功率宽波带汞灯；所述的掩模装置包含掩模版103和放置该掩模版103的掩模台104，并且掩模台104能够携带掩模版103作必要的运动；所述的硅片装置包含硅片106和放置该硅片106的工件台108，并且工件台108能够携带硅片106做必要的运动。

如图1所示，曝光光源101产生一束光，该光束照入照明系统102，并在该照明系统102中被扩束、整形、调整方向和匀光，最终以一定的面积和均匀性照射到放置于掩模台104上的掩模版103上，当光束穿过掩模版103的时候会发生一定程度的衍射，经过精密成像系统投影物镜105，将掩模版103上的图形成像在放置于工件台108上的硅片106上。

如图1所示，本曝光装置还包含一物料传输装置，该物料传输装置包含硅片传输装置和掩模传输装置，其在曝光过程中，分别把曝光物料掩模和硅片传输进曝光装置；所述的掩模传输装置包含掩模存储盒113和掩模传输器112，通过掩模传输器112将其中的掩模103传输到掩模台104上；所述的硅片传输装置包含硅片存储盒111和硅片传输器110，该硅片存储盒111可同时兼容200mm硅片和300mm硅片，通过硅片传输器110将硅片106传输到工件台108上，由此可提高加工产品的使用范围，节约生产成本，满足不断发展的先进封装技术的需要。

本曝光装置还包含一隔振系统114，其由3个或4个隔振器支撑整个曝光装置的核心部分，能屏蔽外部振动(如地基振动)和平衡内部部件运动对整个曝光装置的工作造成的影响。

如图2所示，保障本发明提供的曝光装置的精确大剂量曝光需要对图1中所述的曝光元件进行密封，并在相对密闭空间内进行精确的曝光环境温度控制，以降低曝光装置工作对于外界环境的依赖；故本发明中，还包含一光刻机密封腔体204，上述的曝光元件，包括照明系统102、掩模承载装置、对准系统109、投影物镜105、硅片承载装置和调焦调平系统107均设置在该光刻机密封腔体104内；同时，本发明还包含一围绕整个密封腔体204设置的腔体循环温度控制系统，采用对整个密封腔体204内部通过整体送风的方式来精确控制曝光环境温度。

所述的腔体循环温度控制系统包含温度控制器和气体颗粒控制器，该温度控制器包含制冷机组和加热器装置201，以及设置在密封腔体204内部的温度反馈装置202；该气体颗粒控制器为高效过滤网203。

所述的腔体循环温度控制系统对密封腔体204内部整体采用风冷的方式，即通过进风口从外部吸收空气，通过制冷机组和加热器装置201，并根据设置在腔体204内部的温度反馈装置202对空气温度进行精确控制，依靠气体压力控制使空气循环，首先使空气通过高效过滤网203进行控制颗粒，在保证空气的一定温度控制精度和颗粒度等级的情况下，向密封腔体204内送风。空气在密封腔体204内是水平层流，这样有利于污染控制，同时不会给硅片106和掩模103等增加额外压力；另外，同时保证腔体204内部相对于其外部要保持一定的正压，以减少腔体204外部的非洁净和非精确控温的空气因为腔体204的密封不完全而进入腔体204内；此外，由于密封腔体204的过压处理，会导致一部分回风泄露出来，其通过新风进口，向该腔体循环温度控制系统内补充新空气，与大部分回风在空气混合室内混合，进入下一个循环控制过程。

所述的照明系统102为科勒照明系统，考虑与物镜远心光路的衔接，采用像方远心光路，如图3所示，本照明系统102为采用石英棒导光的照明系统，其还包含设置在曝光光源101和照明系统102以及投影物镜105之间的较长的隔离石英棒304；由于隔离石英棒304较长，其拉开了曝光光源101与照明系统102以及投影物镜105之间的间隔距离，由此可减少大剂量光源的热效应对于曝光光刻机的影响；另外，由于隔离石英棒304具有匀光作用，故也增强了照明系统102的匀光性能。

另外，在所述的照明系统102的外部包围设置独立的局部冷却降温装置，以防止大剂量曝光所导致光能转化成大量的热量，使得照明系统102的元器件温度升高的情况；本实施例中，该照明系统冷却降温装置为内部通循环冷却水的水套，通过热对流的方式控制照明系统的工作温度不会过高。

进一步，所述的照明系统102还包含一设置在曝光光源101接口处的光热分离装置303，其能在透射紫外和可见光同时阻隔红外，减少光源的热量进入照明系统102；在本实例中，该光热分离装置303采用隔热玻璃。

如图3所示，本发明还包含一放置曝光光源101的灯室302，该曝光光源101的出射光通过灯室302上的光学窗口射入照明系统102。由于曝光光源101和灯室302设置在密封腔体204的外部，故可减小光源热效应对于光刻机曝光的影响。

进一步，在所述的灯室302的内部设置独立的温度控制系统，使得尽量快地将曝光光源101产生的热效应排出；在本实例中，所述的灯室温度控制系统采用对灯室送风的方式进行降温，并利用风管将回风排出。

如图1所示，所述的投影物镜105为倍率为-1的立式全折射、全对称的结构，可实现大视场(44mm×44mm)曝光的功能，同时该全对称结构可最小化畸变误差；由于大曝光视场的实现，故大大增强了本发明的曝光装置的适用范围，并从另一个方面提高了用户的生产率，为用户节约成本。

所述的投影物镜105的共扼距足够大，以保证掩模103和硅片106的空间热隔离，这样不但降低了对于工件台108在垂直方向的定位精度的要求，同时由于后工作距比较大，也非常利于硅片106的散热。

在所述的投影物镜105下方安装保护膜，防止大剂量光化学反应产生化学气体损伤投影物镜105，同时定期更换该保护膜以保证投影物镜105的曝光质量。

另外，由于大剂量曝光会导致光能转化成大量的热量，使得投影物镜105的温度升高，故在所述的投影物镜105的外壁外侧还设置有冷却降温装置，本实施例中，该投影物镜冷却降温装置为内部通入冷却水的水套，对投影物镜进行被动冷却；

其次，在投影物镜105中设置可动镜片，通过调节该可动镜片来消除残留热量造成投影物镜105的焦面漂移及像差问题；具体方法为：首先通过投影物镜105内部的温度传感器读出温度变化，并计算得到这一时刻其焦面位置的漂移情况和像差变化情况，之后在曝光的间歇时间内通过调节所述的可动镜片把焦面漂移的部分补偿回来。

由于前述的投影物镜105的结构设计，使得掩模103上的曝光视场为44mm×44mm，而实际掩模103的尺寸为152mm×152mm，故可在所述的掩模103上平行设置两个相同大小的曝光图形，这样可以减少更换掩模的次数，为用户节省掩模成本。

在曝光过程中，掩模台104携带掩模103做4自由度的精确定位运动。如图6所示，该掩模台103包含大行程驱动装置601和精确定位微动台602；所述的大行程驱动装置601位于精确定位微动台602的上方，掩模103的下方，其携带掩模103在两个曝光工位之间移动切换，所述的两个曝光工位对应掩模上设置的两个曝光图形；本实施例中，所述的大行程驱动装置601为气缸。所述的精确定位微动台602由三个电机604，605A和605B分别驱动其进行X，Y和Rz方向的精确定位，实现在X，Y方向上各1mm的定位移动和在Rz方向上的旋转。

进一步，所述的掩模台104还包含一固定设置在大行程驱动装置601上方的掩模吸附台605，用于尽可能消除掩模台104的垂向误差。

由于大剂量曝光会导致光能转化成大量的热量，会使得掩模承载装置的温度升高，故所述的掩模承载装置还包含一掩模冷却装置(如图4所示)。该掩模冷却装置包含掩模冷却控制器401，采集掩模温度信息的非接触热敏元件402和对掩模进行冷却的气冷元件407。本实施例中，所述的掩模冷却控制器401是PLC控制器，热敏元件402是热象仪，气冷元件407是涡流管。如图4所示，该掩模冷却装置由PLC控制器401进行反馈控制，其从非接触的热敏元件402中采集掩模的温度变化信息，并控制气冷元件涡流管407进行冷却；根据涡流管的工作原理，涡流管407的进气口与压缩气源404连接，并且通过调节涡流管407的热端和冷端的出气量比例来调节掩模冷却装置的制冷量。

如图5所示，所述的调焦调平系统107对硅片106上表面与投影物镜105下表面的相对高度进行测量；在本发明中，该调焦调平系统107的特点是，其包含对称设置在投影物镜105的下半部两侧的光发射端501A和光接收端501B，该光发射端501A和光接收端501B处均设置光电自动调焦传感器。由于调焦调平系统107拥有独立的光源，本实施例中，为卤素灯，故光通过光纤引入到调焦调平系统107中，其在发射端501A处被匀光并通过投影光阑形成一定的像，之后光线在硅片106表面反射；调焦调平系统107的接收端501B通过探测硅片面反射的像的位置来检测硅片表面所处的实际高度和其平整度。

在本发明中，调焦调平系统107将所测量出的信号传输给工件台108，并通过工件台108的移动，实现对硅片106的高度调整。调焦调平系统107的发射端501A和接收端501B采用与工件台108成45度角的设置方式，尽量与工件台108的接片位和维修位置错开。

如图7所示，所述的对准系统109包含轴对称于掩模承载装置设置的两个适用于不同对准工况，但具有相同对准功能的对准装置；其分别包含依次设置在掩模103上方的独立光源701A，701B和对准成像光学系统702A，702B；该对准成像光学系统702A，702B分别包含一CCD。

本实施例中，所述的独立光源701A，701B为卤素灯，之所以该对准光源与整个曝光装置不采用同一个光源，而采用独立光源的原因是，这样设置使得对准系统109既能通过硅片106上的前道曝光图形进行识别达到对准的目的，同时又不会使硅片106表面已经涂好的光刻胶曝光。

所述的对准系统109的光源701A，701B发出的光线通过光纤引入，在掩模103对准时，使其均匀照射到设置在掩模103上的掩模标记704上，然后，从掩模标记704上产生的反射光进入对准成像光学系统702A，702B，并在该对准成像光学系统702A，702B的CCD上成像，通过确认掩模标记在该CCD上相对对准位置的偏差，计算出掩模103的平移量和旋转量。在硅片106对准时，从对准系统109的光源701A，701B产生的照明光束通过掩模版103和投影物镜105均匀照射到硅片对准标记706所在区域，该硅片对准标记706设置在硅片106上，然后从硅片对准标记706上产生的反射照明光束先后通过投影物镜105和掩模版103，进入对准成像系统702A，702B，并在其CCD上成像；根据CCD上的硅片对准标记像相对掩模对准标记像的位置偏差，建立硅片106上各个曝光场相对掩模图案的位置关系，判断对准位置。

根据上述的对准步骤，所述的掩模103上需要至少设置边长为1mm的方形掩模窗口，以便在进行硅片对准时，对准光线能通过掩模103。

基于上述的本发明对准系统109，其能实现100nm的对准精度，使曝光装置尤其适应后道封装曝光的要求。

当对准系统109对掩模进行对准的时候，由于对准光线不经过成像镜头，故对准成像光学系统702A，702B能够直接看到并对准掩模103上的掩模标记704。但是在进行硅片对准的时候，对准光线不但经过掩模103而且经过投影物镜105，且由于对准系统109的光源波长与曝光装置的曝光光源101的波长不同，所以在硅片对准时会存在色差。故在本发明中，对准系统109还设置有专门用于硅片对准的色差校准装置。

如图8所示，为本发明曝光装置的整体控制架构图，其中，曝光装置的主控制单元通过网络(如以太网或RS232)控制整个曝光装置各个曝光元件之间的通讯和工作流程，包括控制：照明系统/投影物镜成像系统，曝光环境温度控制系统(包括腔体循环温度控制系统，以及照明系统、投影物镜和掩模承载装置的冷却降温装置)，掩模/硅片承载装置，物料(硅片/掩模)传输装置，对准系统和调焦调平系统。

如图9所示，简单说明一下本发明曝光装置的工作流程：

步骤901、进行相关的曝光前的曝光装置的工艺准备，至少应该包括由用户根据曝光数据指定硅片上的对准标记，以及指定曝光的物料(硅片和掩模)，曝光剂量等；

接下来进入循环曝光的过程，即不断地重复下述的硅片传输、调焦调平、对准和曝光的步骤；

步骤902、当工艺条件准备好后，曝光装置自动进行物料传输902；包括：

对应每个批次进行一次掩模传输，将掩模由掩模存储盒传输至掩模台；

对应每个批次，循环多次进行硅片传输，将硅片由硅片存储盒传输至工件台。

步骤903、当硅片传输到曝光装置内部的工件台上后，由主控制单元控制进行调焦调平：自动在硅片上选定若干点，然后控制工件台运动使这些点先后运动到调焦调平的测量点，并由调焦调平系统读出这些点的高度，通过这些读值可以计算硅片的整体高度以及硅片的倾斜量，这些计算结果将发送给工件台，并由工件台进行补偿调整。

步骤904、调焦调平完成后，由主控制单元控制曝光装置的对准，如前所述，分别进行掩模对准和硅片对准。

步骤905、对准完成后，由主控制单元控制进行步进曝光，在曝光过程中：工件台由步进到稳定直至静止，照明系统打开快门并控制曝光剂量，随后关闭快门，完成一次曝光；之后工件台进行下一次步进过程，如此直至所有的曝光场均曝光完成。

在上述的曝光过程中，同步进行的其他过程包括：根据曝光剂量的实际数据，以及实际测得的曝光装置内的温度数值，对曝光装置的各个曝光元件进行实时的降温冷却处理。

本发明上述的曝光装置的实例，其能实现小于3微米的线条的曝光，以及实现低于600纳米的曝光套刻精度。并且由于实现了大视场(44mm×44mm)和大曝光剂量(最大剂量达到20000mJ/cm2)，所以该曝光装置可实现大于80片的曝光产率。这种配置能够大大降低生产成本和提高生产效率。但是需要解决的问题是积累的热效应的消除。

Claims (32)

1、一种步进重复曝光装置，依次包含如下曝光元件：照明系统、掩模承载装置、对准系统、投影物镜、硅片承载装置，以及设置在投影物镜下半部两侧的调焦调平系统；其特征在于，还包括曝光光源和光刻机密封温控腔体；

所述的曝光元件均设置在该光刻机密封腔体内；

所述的光刻机密封腔体的外部围绕设置一腔体循环温度控制系统，其采用整体送风方式控制密封腔体内的曝光环境温度；

所述曝光光源是大剂量宽波带曝光光源；

所述的照明系统采用像方远心光路，其包含一包围设置在外部的照明系统冷却降温装置；

所述的投影物镜具有大共扼距，采用全折射、全对称结构，其包含一设置在外壁外侧的投影物镜冷却降温装置；

所述的掩模承载装置包含一掩模冷却装置。

2、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的腔体循环温度控制系统包含温度控制器和气体颗粒控制器。

3、如权利要求2所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的温度控制器包含制冷机组和加热器装置，以及设置在密封腔体内部的、与制冷机组和加热器装置连接的温度反馈装置。

4、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的照明系统冷却降温装置为内部通循环冷却水的水套。

5、如权利要求4所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的照明系统还包含一设置在其前端的较长的隔离石英棒，其是采用石英棒导光的照明系统。

6、如权利要求5所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的照明系统还包含一设置在隔离石英棒之前的光热分离装置。

7、如权利要求6所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的光热分离装置为隔热玻璃。

8、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的投影物镜采用倍率为-1的立式全折射、全对称结构。

9、如权利要求8所述的步进重复曝光装置，其特征在于，在所述的投影物镜中还设置有用于消除焦面漂移及像差的可动镜片。

10、如权利要求9所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的投影物镜的下方还安装有保护膜。

11、如权利要求10所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的投影物镜冷却降温装置为内部通入冷却水的水套。

12、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模承载装置包括掩模版和放置该掩模的掩模台。

13、如权利要求12所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模上平行设置两个大小相同的方形曝光图形。

14、如权利要求13所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的方形曝光图形的尺寸为44mm*44mm。

15、如权利要求13所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模台包含大行程驱动装置和精确定位微动台，进行4自由度的精确定位运动；

所述的大行程驱动装置位于精确定位微动台的上方，掩模的下方，携掩模在两个对应曝光图形的曝光工位之间移动切换；

所述的精确定位微动台分别由电机驱动其在X，Y和Rz方向精确定位。

16、如权利要求15所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模台还包含一固定设置在大行程驱动装置上方的掩模吸附台。

17、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模冷却装置包含掩模冷却控制器，采集掩模温度信息的非接触热敏元件和对掩模进行冷却的气冷元件。

18、如权利要求17所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的掩模冷却控制器是可编程序逻辑控制器。

19、如权利要求17所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的热敏元件是热象仪。

20、如权利要求17所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的气冷元件是涡流管。

21、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的硅片装置包含硅片和放置该硅片的工件台，该工件台携硅片进行定位运动。

22、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的调焦调平系统测量硅片上表面与投影物镜下表面的相对高度，其包含对称设置在投影物镜的下半部两侧的光发射端和光接收端。

23、如权利要求22所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的光发射端和光接收端处均设置光电自动调焦传感器。

24、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的对准系统进行掩模对准和硅片对准，其包含轴对称于掩模承载装置设置的两个对准装置；所述的对准装置包含依次设置在掩模上方的独立光源和对准成像光学系统。

25、如权利要求24所述的步进重复曝光装置，其特征在于，在所述的对准成像光学系统中设置有CCD。

26、如权利要求25所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的对准系统还设置一用于硅片对准的色差校准装置。

27、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的大剂量曝光光源设置在密封腔体外部，其为4000W以上的宽波带光源。

28、如权利要求27所述的步进重复曝光装置，其特征在于，该曝光装置还包含一放置大剂量曝光光源的灯室。

29、如权利要求28所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的灯室内部采用独立的、送风方式的温度控制系统。

30、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，该曝光装置还包含一物料传输装置，该物料传输装置包含硅片传输装置和掩模传输装置；

所述的掩模传输装置包含掩模存储盒，以及将该掩模存储盒中的掩模传输到掩模台上的掩模传输器；

所述的硅片传输装置包含硅片存储盒，以及将该硅片存储盒中的硅片传输到工件台上的硅片传输器。

31、如权利要求30所述的步进重复曝光装置，其特征在于，所述的硅片存储盒兼容不同尺寸的硅片。

32、如权利要求1所述的步进重复曝光装置，其特征在于，该曝光装置还包含一由若干隔振器组成的隔振系统，支撑整个曝光装置的核心部分。

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