CN101276050A - 简化的微镜制造工艺 - Google Patents
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Abstract
一种微镜，包括：衬底上的铰链支撑柱；铰链支撑柱上的铰链连接柱，其中，铰链连接柱包括与铰链支撑柱连接的底层和围绕铰链连接柱中央处的腔体的侧面层；与铰链连接柱的侧面层相连的铰链部件；以及被配置为绕着铰链部件倾斜的镜面。
Description
技术领域
本公开涉及微镜的制造。
背景技术
空间光调制器(SLM)可由具有反射面的倾斜微镜阵列构成。每个镜面可以因静电力绕着轴倾斜到“开”位置和“关”位置。静电力可由镜面与镜面之下的电极之间的电势差产生。在“开”位置，微镜面反射入射光以形成显示图像中的给定像素。在“关”位置，微镜面将入射光引离显示图像。镜面可被机械制动器保持在“开”或“关”位置。
发明内容
在一个总体方面，本发明涉及一种微镜，包括：由衬底支撑的铰链连接柱，其中所述铰链连接柱包括底层和围绕所述铰链连接柱中央处的腔体的侧面层；与所述铰链连接柱的所述侧面层连接的铰链部件；以及被配置为绕着所述铰链部件倾斜的镜面。
在另一总体方面，本发明涉及一种在衬底上制造镜面的方法。所述方法包括：在所述衬底上形成铰链支撑柱；同时形成在所述铰链支撑柱上的铰链连接柱和与所述铰链连接柱连接的铰链层；在所述铰链层上形成反射面；以及有选择地去除部分的所述反射层和所述铰链层，以形成所述镜面和连接到所述铰链连接柱和所述铰链层的铰链部件，其中，所述镜面被配置为绕着所述铰链部件倾斜。
在另一总体方面，本发明涉及一种在衬底层上制造镜面的方法。所述方法包括：在衬底上形成铰链支撑柱；在衬底和铰链支撑柱上设置牺牲材料；在牺牲材料中形成通孔以暴露铰链支撑柱的上表面；淀积导电材料以同时形成在通孔中的铰链连接柱以及在牺牲材料上的铰链层；有选择地去除铰链层中的导电材料来形成铰链层中的开口，以定义铰链层中并且在铰链连接柱上的铰链；在铰链层和铰链上形成隔体层；在隔体层上形成反射层；去除部分的反射层、隔体层和铰链层以暴露牺牲材料；以及去除牺牲材料以形成镜面和与铰链连接柱和铰链层连接的铰链部件，其中镜面被配置为绕着铰链部件倾斜。
实现这个系统可能包括下面中的一个或多个。侧面层可以是圆锥形状的。侧面层和底层可以形成杯状结构。侧面层、底层和铰链部件可以形成整体结构。侧面层、底层和铰链部件基本上可以由同一材料制成。侧面层可以基本上垂直于衬底。镜面可以包括反射层和铰链层。铰链连接柱、铰链部件和铰链层可以形成整体结构。铰链部件和铰链层可以形成共面结构。铰链接连柱、铰链部件和铰链层可以基本上由同一材料组成。铰链连接柱、铰链部件和铰链层可以包括导电材料。
此技术实现可以具有下面优点中的一个或多个。所公开的系统和方法可以提供用于在衬底上制造微镜的简化工艺，微镜的改进的机械完整性和强度。镜面和支撑结构的一些组件可以被形成为整体组件并在在单个步骤中形成。
尽管已经参照多个实施例具体地示出和描述了本发明，但是相关领域的技术人员应该理解在不脱离本发明的精神和范围的情况下在此可以进行形式和细节上的各种改变。
附图说明
下面的附图被并入于此并构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1示出微镜的透视图。
图2是图1的微镜的镜面的底视图。
图3示出图1的微镜中的铰链、铰链连接柱和铰链支撑柱的详细视图。
图4示出制造微镜的工艺流程图。
图5至图8是沿图2的线A-A的截面视图，示出了在衬底上制造微镜的一些步骤。
图9至图12是沿图2的线B-B的截面视图，示出了在衬底上制造微镜的一些步骤。
图13和图14是沿图2的线A-A的截面视图，示出了在衬底上制造微镜的一些步骤。
图15、16、17A、18A、19A和20A是沿图2的线C-C的截面视图，示出了在衬底上制造微镜的一些步骤。
图17B、18B、19B和20B是沿图2的线A-A的截面视图，示出了在衬底上制造微镜的一些步骤。
图21和22分别是沿图2的线C-C和A-A的截面视图，示出了在衬底上形成的微镜。
具体实施方式
参照图1至图3，镜面110可以包括反射层111、隔体层113和铰链层114。在一些实施例中，隔体层113包括一对孔112a和112b以及一对开口108a和108b。在一些实施例中铰链层114包括两个铰链部件120a和120b。每个铰链部件120a或120b在中央处包括腔体125a或125b。铰链部件120a和120b分别通过伸长的铰链163a和163b与铰链层114的主体部分相连。伸长的铰链163a和163b通过间隙162a和162b与铰链层114的主体部分相分离。铰链部件120a和120b通过间隙161与铰链层114的主体部分相分离。镜面110可以关于由所述两铰链部件120a和120b所限定的轴倾斜。在一些实施例中，铰链层114还包括两对孔109a和109b，它们分别在隔体层中的孔112a和112b的下面。每对孔109a或109b在铰链层114中限定桥107a或107b。桥107a或107b位于隔体层113中的孔112a或112b的下面。如图17至图21所示，每个桥107a或107b位于衬底上的着落挡块(landingstop)140a和140b的上面。图2中的线A-A、B-B和C-C示出了对于图5至图20中的截面视图的截面。
铰链部件120a(或120b)与铰链部件120a下面的铰链连接柱122a相连。如图22所示，铰链连接柱122a包括底层312和侧面层315，侧面层315限定了铰链连接柱122a中央的腔体125a。腔体125可以具有如图1至图3所示的圆形开口，或者矩形开口，如正方形开口。在一些实施例中，侧面层315可以基本上垂直于衬底。在实施例中，侧面层315具有锥形壁。侧面层315可以与底层312相结合，形成杯状结构。在具有圆形开口的腔体中，侧面层315可以是圆锥状的或者具有平行壁。在具有矩形开口的腔体中，侧面层315可以具有一个锥形壁或者相互平行的多个锥形壁。在实施例中，铰链连接柱具有与铰链部件中的开口相同的形状或者截面。
铰链连接柱122a的底面与铰链支撑柱121a在衬底上连接。侧面层315和底层312可以基本上由相同材料组成并形成整体结构。侧面层315和铰链层114可以基本上具有相同厚度。在一些实施例中，侧面层315比底层312薄。铰链部件120a、120b和铰链层可以由同一平面层(铰链层114)形成。铰链支撑柱121a可以包括上部123a和下部124b，它们可以在另外的淀积步骤中形成。
参照图1、图4和图5，铰链支撑柱121a、121b，台阶式电极130a、130b、131a和131b，以及着落挡块140a和140b形成在衬底150上(步骤410-435)。衬底150可以包括连接到铰链支撑柱121a、121b，台阶式电极130a、130b、131a、131b以及着落挡块140a、140b的电路。铰链层114，铰链连接柱122a、122b和支撑柱121a、121b由导电材料形成。由此，铰链层114通过铰链连接柱122a和122b与铰链支撑柱121a、121b电连接。可以控制铰链层114和台阶式电极130a、130b、131a、131b的电势，来产生在铰链层114与台阶式电极130a、131a或台阶式130b、131b间的电势差。产生的静电力可以使镜面110绕着由两个铰链部件120a和120b所限定的轴倾斜。步骤410-435的详细信息在2006年5月10日提交的题为“Method for Fabricatinga Micro Structure”的序列号为11/382,630的美国专利申请中公开，为了所有目的，通过引用将该申请并入于此。
参照图6，牺牲材料305被设置于，例如旋涂于，衬底150、铰链支撑柱121a、121b、台阶式电极130a、130b、131a、131b以及着落挡块140a、140b上(步骤440)。该牺牲材料可以包括光刻胶材料、非晶碳、聚芳(polyarylene)、聚芳醚(polyarylene ether，也可称为SILK)和氢倍半硅氧烷(hydrogen silsesquioxane HSQ)。在硬化后，如果需要，牺牲材料305可以通过化学机械抛光(CMP)将其平面化到一个预定高度，这个高度限定了在镜面110中的铰链层114的下表面与衬底150之间的距离(参见图8至图22)。在位于铰链支撑柱121a上的牺牲材料305中形成通孔310，以暴露铰链支撑柱121a的上表面(如图7A所示)。通孔310可以具有圆形或者矩形的开口。
通孔310最初包括基本上垂直于衬底150的侧壁316。随后对衬底150和铰链支撑柱121a、121b以及牺牲材料305进行高温处理，使得光刻胶溢出以形成相对于衬底150倾斜的侧壁317，如图7B所示。在一些实施例中，倾斜的侧壁317可以通过各向异性的蚀刻形成在通孔310中。
接下来，例如通过物理气相淀积(physical vapor deposition)，将导电材料淀积在牺牲材料305和铰链支撑柱121a的上表面上，以形成铰链层114，如图8所示。被淀积的导电材料还同时在通孔310中形成一个或者多个侧面层315和底层312(步骤445)。侧面层315和底层312限定腔体125a。铰链连接柱122a由侧面层315和底层312形成。导电材料的示例包括钛、钛铝合金、钛镍合金和铝铜合金。同时形成铰链层114、侧面层315和底层312将其它设备的几个制造步骤合并成为一个步骤，由此简化了微镜的制造。因为铰链层114、侧面层315和底层312被形成为整体层的，所以镜面110的机械完整性和强度得到了改进。
接下来介绍光刻胶层318，其在铰链层114、侧面层315和底层312的上面，如图9所示(步骤450)。光刻胶层318被构图以形成两个开口320来暴露铰链层114。光刻胶层318还包括凹槽用以形成两对孔109a和109b(在图9中没有示出)。然后，蚀刻铰链层114以在铰链层114中并在开口320的下面形成间隙162a和两对孔109a和109b，如图11所示。这样，牺牲材料305在孔109a和109b中被暴露。随后去除光刻胶层318，来限定在铰链层114中的延长的连接部分163a，如图12所示。
参照图13，设置牺牲材料325，如光刻胶，来填充腔体125a(步骤455)。在随后步骤中，牺牲材料325允许在腔体125a和铰链层114上形成隔体层113。牺牲材料325也经由孔109a和109b设置在牺牲材料305上，并填充孔109a和109b。牺牲材料325可以被旋涂在铰链层和通孔310上。接下来将铰链层114上的牺牲材料325去除。由于单个的旋涂不可能设置足够的牺牲材料325以填充腔体125a，因此可以进行牺牲材料325的多次旋涂，每次旋转涂抹后紧接着将牺牲材料325从铰链层114的顶部去除。平面化牺牲材料325的上表面以形成平坦的表面，即，处于与铰链层114的上表面相同的高度。
接下来，隔体层113被淀积在铰链层114上，如图14所示(步骤460)。隔体层113可以由例如非晶硅材料形成。接下来，光刻胶层127被旋涂在隔体层113上，如图15所示(步骤465)。然后光刻胶层127被构图以形成凹槽126a和126b来暴露着落挡块140a、140b上的隔体层113的上表面，如图16所示。在铰链113上的光刻胶层127形成凹槽。然后在凹槽126a和126b的暴露区域中蚀刻隔体层113，以形成腔体112a和112b，如图17A所示。隔体层113也被蚀刻以形成在铰链部件120a上的腔体128，如图17B所示。然后用牺牲材料330填充腔体112a、112b和两对孔109a、109b，如图18A所示。腔体128也被牺牲材料330填充，如图18B所示。孔109a和109b中的牺牲材料330与在铰链层114和衬底150之间的牺牲材料305相接触。
接下来，反射层111被淀积在隔体层113和牺牲材料330上，如图19A、19B所示(步骤470)。适合于反射层112的材料可以包括金、铝和金/铝合金。
接下来使用光刻胶掩模并且进行蚀刻来形成开口340，以限定每个镜面110的边界，如图20A、20B所示(步骤475)。也就是说，开口340将镜面110与其相邻的镜面110a、110b分离开，并暴露牺牲材料305。
去除牺牲材料305、325和330以分离镜面110，如图21a和22所示(步骤480)。镜面100包括反射层111、隔体层113和铰链层114。铰链连接柱122a和122b中的每一个都包括一个或者多个侧面层315、底层312和位于中央的腔体125a或125b。铰链部件120a与铰链连接柱122a的侧面层315相连。铰链连接柱122a进一步与铰链支撑柱121a在衬底150上相连。铰链层114、铰链连接柱122a、122b和铰链支撑柱121a、121b都是导电的，以允许通过在衬底150上的电路控制铰链层114的电势。
在由铰链层114与在衬底150上的电极130a-131b之间的电势差产生的静电扭矩下，镜面110关于由铰链部件120a和120b所限定的轴倾斜。当桥107a或者107b与着落挡块140a或140b接触时，镜面110的倾斜运动可以停止。着落挡块140a和140b可以将镜面110限定在一个准确的倾斜角度，在该倾斜角度处，反射层111可以沿预定方向反射入射光。静电力可以使桥107a或107b产生变形。当静电力被去除或者反向时，所存储的弹性能可以被释放以帮助镜面110与着落挡块107a或107b分离。
在一些实施例中，微镜的尺寸如下所示。铰链部件120a、120b可以是大约2-7μm长，大约0.2-0.6μm宽，大约0.04-0.1μm厚。铰链支撑柱121a、121b可以是大约0.5-1.1μm宽，1-2μm高。着落挡块140a、140b可以是0.5-2.0μm高，0.2-0.6μm宽。电极130a、130b可以是0.2-0.5μm高。台阶式电极131a、131b可以是0.5-1.0μm高。反射层111可以是500埃或更少的厚度。
应该理解，所公开的方法与微镜的其它构造是相兼容的。与上述不同的材料可以被用来形成微镜的不同的层、铰链连接柱、铰链支撑柱、电极和着落挡块。电极可以包括如图所示的台阶，或者单一高度的上表面。镜面也可以有不同的形状，如六边形、菱形和八边形。
Claims (19)
1、一种微镜，包括：
由衬底支撑的铰链连接柱，其中所述铰链连接柱包括底层和围绕所述铰链连接柱中央处的腔体的侧面层；
与所述铰链连接柱的所述侧面层连接的铰链部件；以及
被配置为绕着所述铰链部件倾斜的镜面。
2、如权利要求1所述的微镜，其中，所述侧面层是相对于所述衬底倾斜的。
3、如权利要求1所述的微镜，其中，所述侧面层是圆锥形状，并且所述侧面层和所述底层形成杯状结构。
4、如权利要求1所述的微镜，其中，所述侧面层、所述底层和所述铰链部件形成整体结构。
5、如权利要求1所述的微镜，其中，所述侧面层、所述底层和所述铰链部件基本上由相同材料制成。
6、如权利要求1所述的微镜，其中，所述侧面层基本上垂直于所述衬底。
7、如权利要求1所述的微镜，其中，所述镜面包括反射层和铰链层。
8、如权利要求7所述的微镜，其中，所述铰链连接柱、所述铰链部件和所述铰链层形成整体结构。
9、如权利要求7所述的微镜，其中，所述铰链部件和所述铰链层是共面的。
10、如权利要求7所述的微镜，其中，所述铰链连接柱、所述铰链部件和所述铰链层基本上由相同材料制成。
11、如权利要求7所述的微镜，其中，所述铰链连接柱、所述铰链部件和所述铰链层包括导电材料。
12、一种在衬底上制造镜面的方法，包括：
在所述衬底上形成铰链支撑柱；
同时形成在所述铰链支撑柱上的铰链连接柱和与所述铰链连接柱连接的铰链层；
在所述铰链层上形成反射面；以及
有选择地去除部分的所述反射层和所述铰链层，以形成所述镜面和连接到所述铰链连接柱和所述铰链层的铰链部件，其中，所述镜面被配置为绕着所述铰链部件倾斜。
13、如权利要求12所述的方法，其中，形成所述铰链连接柱的步骤包括：
在所述衬底和所述铰链支撑柱上设置牺牲材料；
在所述牺牲材料中形成通孔，以暴露所述铰链支撑柱的上表面；
淀积导电材料，以同时在所述通孔中形成铰链连接柱以及在所述牺牲材料上形成所述铰链层。
14、如权利要求13所述的方法，其中，所述通孔包括相对于所述衬底倾斜的表面。
15、如权利要求13所述的方法，其中，所述通孔包括基本上垂直于所述衬底的表面。
16、如权利要求12所述的方法，其中，所述铰链连接柱包括底层和锥状侧面层，其中，所述锥状侧面层的下边沿与所述底层相连以定义腔体。
17、如权利要求12所述的方法，其中，所述铰链部件和所述铰链层是共面的。
18、如权利要求12所述的方法，其中，所述铰链连接柱、所述铰链部件和所述铰链层包括导电材料。
19、如权利要求12所述的方法，进一步包括：
在所述衬底和所述铰链支撑柱上设置牺牲材料；
在所述牺牲材料中形成通孔以暴露所述铰链支撑柱的上表面；
其中，形成所述铰链连接柱的步骤包括淀积导电材料，以同时在所述通孔中形成铰链连接柱和在所述材料上形成所述铰链层；
有选择地去除在所述铰链层中的导电材料，以在所述铰链层中形成开口来在所述铰链层中并且在所述铰链连接柱上定义铰链部件；
在所述铰链层和所述铰链部件上形成隔体层；
其中，有选择地去除部分的所述反射层的步骤包括暴露所述牺牲材料和去除所述牺牲材料以形成所述镜面和与所述铰链连接柱和所述铰链层连接的铰链部件。
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7884021B2 (en) * | 2007-02-27 | 2011-02-08 | Spartial Photonics, Inc. | Planarization of a layer over a cavity |
| US20090109515A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Spatial Photonics, Inc. | Encapsulated spatial light modulator having large active area |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5142405A (en) * | 1990-06-29 | 1992-08-25 | Texas Instruments Incorporated | Bistable dmd addressing circuit and method |
| US5650881A (en) * | 1994-11-02 | 1997-07-22 | Texas Instruments Incorporated | Support post architecture for micromechanical devices |
| US5552924A (en) * | 1994-11-14 | 1996-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device having an improved beam |
| US5719695A (en) * | 1995-03-31 | 1998-02-17 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator with superstructure light shield |
| US5942054A (en) * | 1995-12-22 | 1999-08-24 | Texas Instruments Incorporated | Micromechanical device with reduced load relaxation |
| US5912758A (en) * | 1996-09-11 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Bipolar reset for spatial light modulators |
| US6025951A (en) * | 1996-11-27 | 2000-02-15 | National Optics Institute | Light modulating microdevice and method |
| US6147790A (en) * | 1998-06-02 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Spring-ring micromechanical device |
| US6992810B2 (en) * | 2002-06-19 | 2006-01-31 | Miradia Inc. | High fill ratio reflective spatial light modulator with hidden hinge |
| CA2414980A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-23 | Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee | Deferred incremental integrity maintenance of base tables having contiguous data blocks |
| US6947196B2 (en) * | 2003-04-22 | 2005-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Trench-embedded mirror structure for double substrate spatial light modulator |
| US7167298B2 (en) * | 2003-10-27 | 2007-01-23 | Spatial Photonics, Inc. | High contrast spatial light modulator and method |
| US7307777B2 (en) * | 2003-10-23 | 2007-12-11 | Spatial Photonics, Inc. | High-resolution spatial light modulation |
| US7183618B2 (en) * | 2004-08-14 | 2007-02-27 | Fusao Ishii | Hinge for micro-mirror devices |
| US7095545B2 (en) * | 2004-04-02 | 2006-08-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microelectromechanical device with reset electrode |
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