KR100413014B1 - 개선된지지포스트를구비한마이크로기계장치및그제조방법과,디지털마이크로미러장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 목적은 마이크로 기계 장치(10)에 대해 개선된 지지 포스트(16, 23, 25)를 제공하는데 있다. 지지 포스트(16)의 외면을 한정하는 비아(34a)는 스페이서층(34) 내에서 에칭된다. 산화물층(41)을 스페이서층(34) 상과 비아(34a) 내에 균일하게 침착시킨 후 스페이서층(34)의 상부면까지 에칭백하여 비아(34a)의 내면 상에 측벽링(23a)을 남겨 놓는다. 다음에, 측벽링(23a)을 피복하기 위해 스페이서층(34) 상과 비아(34a) 내에 금속층(61)을 침착시킨다. 다음에 이 금속층(61)을 비아(34a) 내에 지지 포스트 스템(23)이 형성되도록 에칭시킨다. 스페이서층(34)이 제거되어 스템(23) 주변에 지지 포스트 스템(23)과 측벽링(23a)이 남겨진다.

Description

개선된 지지 포스트를 구비한 마이크로 기계 장치 및 그 제조 방법과, 디지털 마이크로 미러 장치.
발명의 기술적 분야
본 발명은 마이크로 기계 장치(micro-mechanical devices)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이들 장치의 가동 소자들에 대한 지지 포스트(support posts)를 제조하는 개선된 방법에 관한 것이다.
발명의 배경
전기-기계 분야에서의 최근의 개발 경향은 각종 기계 장치의 소형화에 집중되어져 왔다. 이러한 장치의 대표적인 것으로서는 소형 기어, 레버 및 밸브들이 있다. 이들 "마이크로 기계" 장치들은 종종 전기 제어 회로와 함께 집적 회로를 사용하여 제조된다. 일반적인 응용으로서는 가속계, 압력 감지기 및 액츄에이터를 포함할 수 있으며, 다른 예로서는 마이크로 기계 픽셀들로 구성할 수 있는 공간 광 조절기들을 포함할 수 있다.
마이크로 기계 공간 광 조절기 중 한 형태가 디지털 마이크로-미러 장치(DMD)인데, 이 장치를 종종 변형 미러 장치라 부른다. DMD는 수백 또는 수천개의 소형 틸팅 미러의 배열을 갖고 있다. DMD에 입사하는 광이 영상을 생성하기 위해각 미러에서부터 영상면으로 선택적으로 반사되거나 또는 반사되지 않는다. 미러들을 기울이기 위해 이들 미러들은 지지 포스트 상에 장착된 하나 또는 그상의 힌지(hinges)에 부착되고 기부(underlying) 제어 회로 상에서 공기 갭(air gap)에 의해 이격되어 있다. 이 제어 회로는 정전력을 공급하여 각각의 미러가 선택적으로 경사지게 한다.
DMD는 여러 형태로 설계될 수 있는데, 대부분은 힌지가 부착되어 있는 지지포스트를 제조하는 형태로 설계된다. 지지 포스트의 제조는 여러 방법으로 달성되는데, 그중 한가지 방법으로서는 스페이서 물질층 중의 비아(via)를 에칭시킨 후, 비아 내에 금속을 침착시켜 비아 각각의 내면을 피복시킴으로써 중공 금속 포스트를 형성하는 것이다. 그러나, 이러한 방법에 있어서의 문제점은 비아의 내면을 균일하게 피복시키는 것이 곤란하다는 것이다. 실리콘 공정시, 침착 물질의 양호한 "스텝 커버리지(step coverage)"를 달성하기가 곤란하여 비아 내측의 침착물은 통상적으로 스페이서 물질 층이 매우 얇은 곳에서 수차(aberrations)를 갖는다. 비아의 종횡비가 증가할 수록 스텝 커버리지의 불량성이 증가하는 문제가 있다. 따라서, 지지 포스트가 기계적으로 약화되어 진다.
발명의 요약
본 발명의 특징중 하나는 지지 포스트를 갖는 타입의 개선된 마이크로 기계장치이다. 개선된 것으로서는 나중에는 제거되어지는 스페이서층 내에 에칭된 비아내에 침착되어진 스템(stem) 물질로 제조된 지지 포스트 스템을 갖는 지지 포스트가 있다. 상기 스템의 원주면 둘레가 측벽링으로 둘러싸여져 이 스템의 내면 또는 외면 중 적어도 일부가 피복된다. 이 측벽링은 상기 스페이서층 상에, 그리고 비아 내에 산화물층을 침착 시킨후 이 산화물층을 스페이서층의 상단면까지 에칭백(etching back)시킴으로써 형성된다.
본 발명의 제1 실시예의 경우, 측벽링은 스템 물질을 침착시키기 전에 형성된다. 이 때문에, 비아의 내부 형상(profile)은 비아의 상부 엣지에서 원형으로 되고, 약간 볼록하며, 바닥이 90° 이상의 각을 갖게 된다. 이러한 형상로 인해 지지포스트 스템을 형성하게 될 나중에 침착되어지는 금속층의 스텝 커버리지가 상당히 향상되어진다.
본 발명의 장점은 보다 강한 지지 포스트를 제공하는데 있다. 측벽링이 스템보다 먼저 형성되면, 측벽링은 비아의 내면 상에 침착된 금속 두께가 종래 방법의 경우 보다 한층 균일해 진다는 점에서 금속층의 스텝 커버리지를 개선시킨다. 측벽링은 제조 후에 제 위치에 보유되어 금속 벽의 강도를 보강시킨다.
상세한 설명
실시예의 목적을 위해, 이하에서는 종종 "변형 미러 장치"로 불리워지는 특정 형의 "디지털 마이크로 기계 장치(DMD)에 대해 기술하고자 한다. 발명의 배경 부분에서 기술된 바와 같이, DMD의 응용 중 하나는 화상을 생성하기 위한 것으로서, 여기서 DMD는 광을 화상면으로 선택적으로 반사시키는 편향 가능 미러들의 배열을 갖고 있다. DMD에 의해 생성된 화상들은 표시 시스템이나 비-충격 프린팅 응용에 사용될 수 있다. 또한 DMD는 광 스티어링, 광 스위칭, 가속계와 같은 화상 생성을 포함하지 않는 다른 응용도 가능하다.
이러한 응용 중 가속계와 같은 일부의 경우에, "미러"는 반사할 필요가 없으므로, 인가되는 힘은 정전 보다는 가속에 의한다. 또한, 일부 응용의 경우, DMD를 반드시 디지털 모드로 할 필요는 없다.
일반적으로, 본 원에서 "DMD"란 용어는 인가된 힘에 응답하여 접촉하는, 공기 갭에 의해 기판과 이격되어 있는 적어도 하나의 힌지되고 편향 가능한 질량체(mass)를 갖는 임의 형의 마이크로 기계 장치를 포함하는 것으로 사용된다.본 발명은 DMD의 제조 중에 힌지에 대한 지지 포스트를 제공하고, 일부 DMD 설계의 경우에는 기판상에서 이격되어 있는 다른 소자들에 대한 지지 포스트를 제공하는데 이용된다.
제1도는 미러 소자들(12)의 배열을 갖는 DMD(10)의 일부에 대한 평면도이다. 제1도에서는 단지 각 미러 소자(12)의 미러(14) 및 미러 지지 포스트(16)만을 도시하고 있다. 전형적인 DMD(10)의 경우, 미러 소자들(12)은 17 미크론 중심 상에서 제조된다.
제2도는 단일 미러 소자(12)의 확대 사시도이다. 실시예의 목적을 위해, DMD(10)는 히든-힌지(hidden-hinge)형 DMD이다. 다른 DMD 설계에서와 같이, 힌지(22)는 지지 포스트(23) 상에서 지지되어 있다. 또한, 어드레스 전극(24)은 힌지(22)와 동일 레벨의 전극 포스트(25)와 힌지 지지 포스트(23)에 의해 지지되어 있다. 미러(14)는 힌지/전극 층 상에서 제조되며 미러 지지 포스트(16)에 의해 지지되어 있다.
미러 지지 포스트(16)는 랜딩 요크(21) 상에서 제조된다. 랜딩 요크(21)는 두개의 비틀림 힌지(22) 각각의 한 단부에 부착되며 각 비트림 힌지(22)의 다른 단부에는 힌지 지지 포스트(23)가 부착되어 있다. 어드레스 전극(24)은 전극 지지 포스트(25)에 의해 지지되어 있다. 힌지 지지 포스트(23)와 전극 지지 포스트(25)는 제어 버스(26)와 어드레스 패드(27) 상에서 힌지(22), 어드레스 전극(24) 및 랜딩 요크(21)를 지지한다. 미러(14)가 경사질 때, 랜딩 요크(21)의 팁부(tip)가 제어 버스(26)와 접촉한다. 제어 버스(26)와 랜딩 패드(27)는 어드레스와 제어 회로의기판과 적당한 전기 접촉을 가지며, 이 회로는 전형적으로 CMOS 제조 기술을 이용하여 기판 내에서 제조된다.
제3 내지 12도에 관련하여 이하에서 기술될 바와 같이, 각각의 힌지 지지 포스트(23)는 본질적으로 스페이서층 내에서 에칭되어진 비아 내에 물질을 침착시켜 제조한 중공 스템(hollow stem: 23b)이다. 본 발명에 의하면, 측벽링(23a)은 각 스템(23b)의 내면을 피복 시킨다. 다음에 스템(23b) 및 측벽링(23a)을 남겨 놓고 스페이서층을 제거시킨다. 어드레스 전극 지지 포스트(25a)와 미러 지지 포스트(16a)는 동일하게 제조할 수 있다.
본 발명을 이용할 수 있는 다른 형의 DMD로서는, 힌지가 묻혀지지 않고 오히려 미러의 대향 측으로부터 연장되어 있는 비틀림 빔 형이 있다. 또다른 형의 DMD로서는, 캔틸레버 빔 형과 가요성 빔 형이 있다. 여러 형의 DMD에 대해서는 발명의 명칭이 "공간 광 조절기 및 방법"인 미국 특허 제4,662,746호와, 발명의 명칭이 "공간 광 조절기"인 미국 특허 제4,956,610호와, 발명의 명칭이 "공간 광 조절기 및 방법"인 미국 특허 제5,061,049호와, 발명의 명칭이 "다-레벨 변형 미러 장치"인 미국 특허 제5,083,857호와, 발명의 명칭이 "개선된 다-레벨 디지털 마이트로 미러 장치"인 미국 특허원 제08/17l,303호에서 기재되어 있다. 상기 각 특허는 텍사스 인스트루먼츠사에 양도 되었으며 본 명세서에 참고 자료가 된다.
화상 표시 응용을 위한 운용 중에, 광원은 DMD(10)의 표면을 조명한다. 광을 거의 미러 소자(12)의 배열 크기로 형상화시켜 이 광을 소자(12)로 전달시키기 위해 렌즈 시스템을 사용할 수 있다. 미러(14)는 미러 지지 포스트(16)에 의해힌지(22)의 제어하에서 회전하게 된다. 미러(14)는 어드레스 전극에 인가된 적정 전압에 의해 발생된 정전력에 따라 회전한다. 미러(14)가 회전할 때, 요크(21)가 버스(26)에 접촉하게 된다.
기부 CMOS 회로의 메모리 셀 내의 데이타에 근거한 전압이 미러(14)의 대향 코너 아래에 위치되어 있는 두 어드레스 전극(24)에 인가되어 진다. 미러(14)와 이들의 어드레스 전극(24) 간의 정전력은 어드레스 전극(24)에 전압을 선택적으로 인가함으로써 발생된다. 각각의 미러(14)는 이 정전력에 의해 약 +10도(온) 또는 약-10도(오프) 기울어져 DMD의 표면 상에 입사하는 광을 조절시킨다. "온" 미러(14)로부터 반사되어진 광은 표시 광 시스템을 통해 화상면으로 전달된다. "오프" 미러(14)로부터나온 광은 화상면으로부터 멀리 반사되어 진다. 이러한 패턴에 의해 화상이 생성된다. 미러(14)가 "온"인 각 화상 프레임 동안의 시간 비가 회색의 음영을 결정한다. 칼라 휠(color wheel) 또는 3-DMD 설비에 의해 칼라를 부가시킬 수 있다.
사실상, 미러(14)와 그 어드레스 전극(24)은 캐패시터를 형성한다. 미러(14)와 그 어드레스 전극(24)에 적정 전압이 인가되며, 미러(14)는 발생된 정전력(흡인 또는 반발)에 의해 흡인 어드레스 전극(24) 쪽으로 또는 반발 어드레스 전극(24)으로부터 멀리 기울어진다. 미러(14)는 요크(21)가 버스(26)와 접촉할 때까지 기울어진다.
일단 어드레스 전극(24)과 미러(14) 간의 정전력이 제거되면, 힌지(22)에 저장되어 있는 에너지가 미러(14)를 비편향된 위치로 복귀시키기 위한 복원력을 제공한다. 비편향 위치로의 미러(14)의 복귀를 원조하기 위해 미러(14) 또는 어드레스 전극(24)에 적정 전압을 인가시킬 수 있다.
제3 내지 12도는 미러(14), 힌지(22) 또는 어드레스 전극(24)에 대한 지지 포스트(16, 23 또는 25) 중 임의 것을 형성하는 데 사용될 수 있는 본 발명의 방법 양상을 나타낸 것이다. 실시예의 목적을 위해, 본 발명의 방법은 상술된 형의 히든-힌지 DMD(10)의 미러 소자(12)를 제조하는 것에 대해서 기술되어 있다. 지지 포스트(16, 23 및 25)의 제조를 제외하고 이러한 형의 DMD의 제조에 대한 상세는 상술된 특허원 08/17l,303호에서 기재되어 있다. 적절한 변형에 의해, 다른 형의 DMD 제조, 즉 지지 포스트를 갖는 다른 형의 마이크로 기계 장치의 제조 방법을 달성할 수 있다.
마이크로 기계 장치의 타입이 제3 내지 12도의 방법으로 제조되는 것에는 관계 없이, 방법은 기부 어드레스 및 제어 회로를 제조하는 것으로 가정한다. 이 회로는 CMOS 기판(31)으로서 도시되어 있다. 기판(31)은 보호용 산화물층(32)으로 피복되어 있다. 다음에 금속층(33)을 침착시키고, 제어 버스(26) 및 랜딩 어드레스 패드(27)를 패턴화하여 에칭시킨다. 제3도에서는 비록 도시하지는 않았지만, 산화물층(32) 내의 적당한 위치에 금속층(33)을 CMOS 기판(31)과 접촉시키기 위한 구멍이 형성되어 있다.
다음에 힌지 스페이서층(34)이 침착되어 요크(21)와 힌지(22)를 제조하기 위한 플래너 면이 형성된다. 스페이서층(34)을 패턴화하고 에칭하여 힌지 지지 포스트(23)를 한정하는 비아(34a)를 형성시킨다. 전형적으로, 비아(34a)는 원형으로서거의 원통형의 지지 포스트(23)를 한정하지만, 다른 형상도 등가적으로 사용할 수 있다. 제3 내지 12도에 있어서, 어드레스 전극 지지 포스트(24)용 비아는 도시되어 있지 않지만, 힌지 지지 포스트(23)를 형성하는 방법과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 층(34)의 두께는 랜딩 요크(21) 아래의 공기 갭의 크기를 결정하며, 랜딩 요크(21)는 미러(14)의 회전 각을 결정한다. 전형적인 스페이서층(34)은 약 20,000Å 두께를 가지며 UV 강화된 포지티브 포토레지스트로 구성된다.
제4도에서, 측벽 산화물층(41)이 층(34) 상과 비아(34a) 내에 침착되어 진다. 층(41)은 가능한 정합 되어지며(conformal), 전형적인 두께는 3000Å이다. 적당한 침착기술로는 실온에서 플루오로트리에톡시실란 액정 소스(fluorotriethoxysilane liquid source)의 사용을 포함한다. 이 액정 소스에 대해서는 Tetsuya Homma에 의한 E-MRS Spring Meeting 1994, Sysmposium A: Amorphous Insulating Thin Films Ⅱ에 대해 명칭이 "Fluorinated Interlayer Inter Connections"인 논문에 기재되어 있다. 기타 산화물 침착 방법, 예를 들어, 테트라메틸 실록산(TMDS)을 매초당 10Å으로 120℃에서 분해시키거나, 또는 트리메톡시 2를 매초당 2.7Å으로 170℃에서 분해시키는 방법을 이용하여 만족스러운 결과를 얻었다.
제5도에서, 층(41)에 대해 이방성 에칭을 행하여 비아(34a)의 내면상에 측벽링(23a)을 남겨놓는다. 이 산화물을 스페이서층(34)의 상부면까지 에칭시키는 이러한 에칭을 본원에서는 "에칭백"이라 부른다. 제3도와 5도를 비교해 보면, 측벽링(23a)을 갖고 있는 비아(34a)의 형상은 더이상 상부에 걸쳐있지 않고 양측면에서 활 모양으로 휘어져 있다. 대신에, 비아(34a)의 형상은 그 상부의 엣지에서 약간 원형으로 되어 있으며 그 측면이 약간 볼록하게 되어있다. 비아(34a)의 하부 단의 각은 최소한 90° 이상이 되어 비아(34a)의 하부단에서의 돌출점 문제를 피할 수 있다. 이러한 특성들로 인하여, 측벽링(23a)이 부가됨으로써 지지 포스트 스템(23b)에 대한 금속층의 후속 침착을 위한 형상이 더욱 양호하게 된다.
제6도에서, 포스트 금속층(61)이 스페이서층(34) 상과 비아(34a) 내에 침착되어 있다. 층(61)은 비록 이것이 다른 소자들을 형성하는데 사용될 수 있더라도 본원의 실시예에서는 힌지(22)와 힌지 지지 포스트(23)를 형성하는데 사용되어 "포스트" 금속층이라 부르기로 한다. 특히, 층(61)은 포스트(23)의 스템(23b)을 형성한다. 층(61)의 두께는 약 600Å이다. 포스트 금속층(61)의 전형적인 물질로서는 알루미늄 합금이 있다. 전형적인 침착 수단은 스퍼터링을 이용한다.
비아(34a)가 측벽링(23a)을 가져 형상이 개선되어 졌기때문에, 층(61)의 침착으로 인해 측벽링(23a)을 갖지 않는 비아(34a) 내에 침착을 행했을 경우 보다 스텝 커버리지가 보다 균일하게 된다. 비아(34a)의 상부 근처에 침착되어 있는 층의 두께는 스페이서층(34)의 상부면 상의 두께와 거의 동일하다. 비아(34a)의 하부단에서의 돌출점은 최소로된다. 환언하자면, 측벽링(23a) 및 스템(23b)에 의해 새로이 정해진 지지 포스트(23)의 내부 형상은 상술된 측벽링(23a)을 갖는 비아의 형상에 상당한다. 이 형상은 상부에서 원형으로 되어 있으며, 약간 볼록하며, 하부단에서 90° 이상으로 되어 있다.
제7도는 힌지(22)와 요크(21)에 대한 에칭 단계의 결과들을 나타내고 있다.층(61)상에 제2 금속층(71)이 침착되어 있다. 층(71)의 두께는 전형적으로 약3000Å이며, 층(61)과 동일하게, 전형적인 물질로서는 알루미늄 합금이 있다. 힌지(22), 전극(24, 제7도에서는 도시되어 있지 않음), 지지 포스트(23)의 상부, 요크(21)를 패턴화 시키기 위해 플라즈마 에칭을 이용한다. 제7도에서는 도시되지는 않았지만, 산화물층이 에칭 저지대로서 작용하여 에칭 저저대 아래의 금속을 보호한다. 플라즈마 에칭을 완료한 후에 산화물 에칭 저지대를 제거시킨다.
제8도에서, 미러 스페이서층(81)이 요크(21), 힌지(22) 및 전극(24) 상에 침착되어 있으며, 미러 지지 포스트(16)를 한정하는 비아(81a)가 패턴 형성되어 있다. 스페이서층(81)의 전형적인 두께는 2.2μm이다. 이것은 약 180℃의 온도에서 UV 경화되어 진다.
제9 및 10도에서, 미러 지지 포스트(16)의 측벽링(16a)이 비아(81a) 둘레에 형성되어 있다. 이 측벽링(16a)은 힌지 지지 포스트(23)의 측벽링(23a)에 대해 상술된 방법과 동일하게 형성된다. 보다 상술하자면, 산화물층(91)이 정합 침착되고 에칭백 되어진다.
제11도에서, 미러(14)와 미러 지지 포스트(16)를 형성하기 위해 미러층(111)을 침착시켜 패턴화시킨다. 이 층(111)의 전형적인 두께는 4250Å이다. 이 층(111)의 전형적인 물질로서는 알루미늄 합금이 있다. 미러를 형성하기 위해, 마스킹 산화물 층을 침착시키고, 패턴화시켜 층(111)과 함께 에칭시킨다. 이 층은 웨이퍼를 보호 피복재로 피복시키고, 칩 어레이 들로 소잉(saw)하고 세정하는 동안 제 위치에 보유되어 있다.
제12도에서, 제11도의 칩들을 스페이서층(34 및 81)이 제거되도록 에칭시킨다. 이와 같이 함으로써 힌지(22) 및 요크(21)와 미러(14)아래에서 공기 갭이 존재하게 된다.
제13도에서는 상기 방법의 대안을 나타내는 것으로서, 힌지 금속층(61)을 측벽 산화물 층(41) 전에 침착시킨다. 측벽링(23a)은 동일하게 제조된다. 후속 공정은 제6 내지 12도에서 도시된 것과 동일하다. 이 대안의 장점으로서는 스페이서층(34)을 제거하는 동안 금속층(61)이 측벽링(23a)을 보호한다는 것이다. 측벽링(23a)은 지지 포스트(23)의 스템(23b)을 지지 하기 위한 위치에 보존되어 진다.
제14도는 상술된 방법의 다른 대안을 나타내는 것으로, 두개의 금속층(61a 및 61b)이 침착되어 있는데, 하나는 제13도에서와 같이 측벽층(41)아래에 침착되며, 다른 하나는 제6도에서와 같이 측벽링(23a) 아래에 침착된다. 층(61a 또는 61b) 중 어느 하나 또는 모두를 힌지(22) 및 요크(21)를 형성하는데 사용할 수 있다.
다른 실시예
비록 본 발명이 상기 특정 실시예들에 대해서만 기술되어 졌더라도, 본 발명은 이것에만 한정되지 않고, 본 기술 분야의 숙련자들에 의하면 여러 변형 실시예 및 대체 실시예들이 가능하다. 따라서, 첨부된 특허 청구의 범위가 본 발명의 사상 및 범주 내에 속한 모든 변형 및 수정들을 포함한다는 것을 말할 필요도 없다.
제1 및 제2도는 본 발명에 따라 제조된 디지털 마이크로-미러 장치(DMD)의 도면.
제3 내지 12도는 본 발명에 따른 방법의 단계를 도시하는 도면.
제13도는 본 발명의 다른 실시예도.
제14도는 본 발명의 또 다른 실시예도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 마이크로 기계 장치
16, 25 : 지지 포스트
23 : 지지 포스트 스템
23a : 측벽링
34 : 스페이서층
34a : 비아

Claims (24)

  1. 기판에 형성된 마이크로 기계 장치에 있어서,
    공기 갭(air gap)에 의해 기판의 구조적 특징부와 이격된 부분들을 갖는 기계 소자, 및
    공기 갭을 통해 기계 소자를 지지하기 위한 지지 포스트
    를 포함하고,
    상기 지지 포스트는
    내면을 갖고, 상기 구조적 특징부의 선택된 위치에 배치되는 측벽링, 및
    상기 측벽 링의 내면에 접촉하여 배치되고, 상기 기계 소자의 적어도 일부와 인접하는 지지 포스트 스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지지 포스트 스템은 나중에 제거되는 스페이서층 내의 비아 내로 스템 물질을 침착시킴으로써 형성되고,
    상기 측벽 링은 상기 스템 물질을 침착시키기 앞서 스페이서층 위에 및 상기 비아 내에 산화물층을 침착시키고 상기 산화물층을 에칭백시킴으로써 형성되고,
    상기 측벽링은 상기 스템의 내면을 피복하고, 상기 스템 물질을 침착시킨 후에 상기 산화물층을 침착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지 포스트 스템은 나중에 제거되는 스페이서층 내의 비아내에 침착된 두 개층의 스템 물질을 포함하고,
    상기 측벽링은 상기 스페이서층 위 및 상기 비아 내의 산화물층을 상기 두개의 스템 물질층 사이에 침착시키고 상기 산화물층을 에칭백함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상(profile)은 상기 비아의 상부 엣지에서 원형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상은 약간 볼록한 형태인 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상은 바닥에서 90°이상의 각을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  7. 마이크로 기계 장치용 지지 포스트를 제조하는 개선된 방법에 있어서,
    기판 상에 스페이서층을 침착시키는 단계,
    상기 스페이서층 내에 상기 지지 포스트의 외면을 한정하는 비아를 에칭하는 단계,
    상기 스페이서층 상에 그리고 상기 비아 내에, 상기 비아의 내면을 실질적으로 균일하게(conformally) 피복하는 산화물층을 침착시키는 단계,
    상기 산화물층을 상기 스페이서층의 상부면까지 에칭백함으로써 각 비아의 내면을 피복하는 상기 산화물층의 측벽링을 남기는 단계,
    상기 스페이서층 상에 상기 측벽링의 내면을 피복하는 포스트 금속층을 침착시키는 단계, 및
    상기 포스트 금속층을 에칭하여 상기 지지 포스트를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 산화물층의 침착 단계는 실온에서 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 산화물층의 침착 단계는 실온과 120℃의 온도 사이에서 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 산화물층의 침착 단계는 플루오로트리에톡시실란 소스에 의해 산화물을 침착시켜 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 침착 단계는 테트라메틸 실록산(TMDS) 소스에 의해 산화물을 침착시켜 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 에칭백 단계는 이방성 에칭으로 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 포스트 금속층의 침착 단계는 스퍼터링에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 기판,
    상기 기판에 배치된 적어도 하나의 어드레스 전극,
    상기 기판에 배치되고, 스템과 상기 스템의 외주 둘레에 연장하는 측벽링을 포함하는 지지 포스트,
    상기 지지 포스트로부터 연장하는 힌지, 및
    상기 힌지에 부착된 미러
    를 포함하고,
    상기 힌지는 힘이 가해지면 상기 미러가 기울어지도록 변형가능한 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 측벽링은 상기 지지 포스트의 외면에 있는 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 측벽링은 상기 스템으로 둘러싸여진 상기 지지 포스트의 내면에 있는 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 측벽링은 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상은 상기 비아의 상부 엣지에서 원형인 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상은 약간 볼록한 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 지지 포스트의 내부 형상은 바닥이 90°이상의 각을 갖는 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  21. 제1항에 있어서, 상기 지지 포스트 스템은 나중에 제거되는 스페이서 층에 있는 비아(via) 내에 스템 물질을 침착시킴으로써 형성되고,
    상기 측벽 링은 상기 스템 물질을 침착시키기 전에 상기 스페이서층 위에, 그리고 상기 비아 내에 산화물층을 침착시키고 상기 산화물층을 에칭백 시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 기계 장치.
  22. 제14항에 있어서, 상기 스템과 측벽링은, 나중에 제거되는 스페이서층 내에 에칭된 비아 내에 물질을 침착시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 디지털 마이크로 미러 장치.
  23. 제1항에 있어서, 상기 기계 소자는
    지지 포스트에 접속된 힌지, 및
    상기 힌지에 접속된 이동가능 소자
    를 포함하는 마이크로 기계 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 이동 가능 소자는
    상기 힌지에 접속된 요크,
    제2 지지 포스트
    를 포함하고,
    상기 제2지지 포스트는
    상기 요크에 배치된 제2 측벽링, 및
    상기 제2 측벽링 내면에 접촉하여 배치되는 제2 지지 포스트 스템, 및
    상기 제2 지지 포스트에 의해 요크로부터 지지되도록, 적어도 일부분이 상기 제2 지지 포스트 스템과 인접하는 제2 기계 소자를 포함하는 마이크로 기계 장치.
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