CN101258737A - 在成像器光传感器的电极上提供电容器的方法及设备 - Google Patents

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Abstract

一种具有像素阵列的成像装置，其中存储电容器的一个极板耦合到存储节点，而另一个极板由光转换区域的电极形成。

Description

在成像器光传感器的电极上提供电容器的方法及设备
技术领域
本发明一般来说涉及半导体成像装置，且更具体来说涉及具有像素单元阵列及包含电容器的用于所述单元的电路的成像器。
背景技术
当前存在对用作低成本成像装置的CMOS有源像素成像器的关注。图1显示成像器100，其包含CMOS有源像素传感器(“APS”)像素阵列230及控制器232，控制器232提供计时及控制信号以允许以所属技术领域的技术人员通常已知的方式读出存储在像素中的信号。实例性阵列具有M×N像素的尺寸，其中阵列230的大小取决于具体应用。使用列平行读出体系结构一次一行地读出所述成像器像素。控制器232通过控制行寻址电路234及行驱动器240的操作来选择阵列230中的特定像素行。在列线上将存储在所选像素行中的电荷信号提供到读出电路242。然后使用列寻址电路244顺序地读出从每一列中的像素中读取的像素信号(通常为每一像素的复位信号Vrst与图像信号Vsig)并将其供应到差分放大器212，其中在A-到-D转换器214中数字转换代表由像素看见的光的差分信号Vrst-Vsig并将其提供到图像处理器216。
图2更详细地显示图1像素阵列230的一部分。图2图解说明像素阵列230中的实例性四晶体管(4T)CMOS像素10。CMOS像素10一般包括：光转换装置23，其用于产生并收集通过光入射到像素10上而产生的电荷；及转移晶体管17，其用于将光电电荷从光转换装置23转移到传感节点，通常为浮动扩散区域5。浮动扩散区域5电连接到输出源极跟随晶体管19的栅极。像素10还包含：复位晶体管16，其用于将浮动扩散区域5复位到预定电压(显示为阵列像素电源电压Vaa_pix)；及行选择晶体管18，其用于响应于地址信号将信号从源极跟随晶体管19输出到输出列线。在这个实例性像素10中，还包含电容器20。电容器20的一个极板耦合到Vaa_pix单元且电容器20的另一个极板耦合到浮动扩散区域5。不需要存在电容器20，但其在使用时的确具有增大浮动扩散节点5的电荷存储能力的益处。另外，所述电容器可与晶体管开关串联连接以选择性地控制所述电容器到浮动扩散节点5的连接。
图3是图2的像素10一部分的剖面图，图中显示光转换装置23、转移晶体管17及复位晶体管16。实例性CMOS像素10具有可形成为钉扎光电二极管的光转换装置23。光电二极管光转换装置23具有p-n-p构造，其包括p型表面层22及n型累积区域21，所述n型累积区域位于形成于p型衬底11上的p型外延有源层24中。光电二极管23与转移晶体管17相邻且部分地位于其下方。复位晶体管16位于与光电二极管23相对的转移二极管17的一侧。如图3中所示，复位晶体管16包含耦合到所述电源电压Vaa_pix的源极/漏极区域2。浮动扩散区域5位于转移晶体管与复位晶体管17、16之间且电耦合到源极跟随晶体管19(图2)的栅极且在使用电容器20的情况下耦合到电容器20的一个极板。
在绘示于图2-3中的实例性CMOS像素10中，通过光入射到光转换装置23上产生电子并将所述电子存储在n型光电二极管区域21中。当激活转移晶体管17时，由转移晶体管17将这些电荷转移到浮动扩散区域5。源极跟随晶体管19基于转移的电荷产生输出信号。最大输出信号与从n型光电二极管区域21中抽取的电子数量成比例。
常规上，使用浅沟槽隔离(STI)区域3来将像素10从图像传感器的其他像素及装置隔离。通常使用常规的STI过程来形成STI区域3。STI区域3通常衬有氧化物衬层且其中充满介电材料。同样，STI区域3可包含提供若干益处的氮化物衬层，所述益处包含：改进了STI区域3角附近的角圆滑、减少了与STI区域3相邻处的压力，及减少了转移晶体管17的泄露。
增大阵列230(图1)的填充因数及电荷存储能力可是需要的。然而，包含用于增大电荷存储能力的电容器20要求阵列230中存在空间。存在对空间的折衷：由阵列中的电容器耗用的空间越大，光转换装置23可用的空间就越少。因此，阵列230中包含电容器可影响到阵列230的填充因数。因此，需要在不会显著影响阵列230的填充因数的情况下包含电容器以增大电荷存储能力。
发明内容
在如绘示于实例性实施例中的本发明一个方面中，以不会显著地减小阵列填充因数的方式在采用光电门作为光传感器的像素阵列中提供电容器。可操作用于像素的电容器的第一极板也是所述光电门的一部分，而第二极板则耦合到电荷存储区域。
在本发明另一方面中，耦合到一个行中像素的电荷存储区域的第二电容器极板也是不同行中不同像素的光电门电极的一部分。
在本发明另一方面中，也可以切换布置采用电容器的第二极板以将其选择性地连接到所述电荷存储节点。
附图说明
根据结合附图所提供的本发明下述详细说明可更容易地理解本发明的这些及其他特征及优点，在所述附图中：
图1是常规APS系统的方块图；
图2是可用于图1的常规像素阵列中的代表性像素的示意图；
图3是图2的常规像素的一部分的剖面图；
图4是根据本发明实例性实施例的成像装置的像素阵列的示意图；
图5是采样及保持电路的示意图；
图6是绘示图4与图5的电路的部分操作的时序图；
图7是图4的装置的布局的平面图；
图8是根据本发明实例性实施例的像素的剖面图；
图9是根据本发明实例性实施例的成像装置的像素阵列的示意图；且
图10是显示并入至少一个根据本发明实施例所构建的成像装置的处理器系统的方块图。
具体实施方式
在下列详细说明中，参照构成本文一部分的附图，且附图中以图解说明的方式显示本发明的具体实例性实施例。足够详细地阐述这些实施例以使所属技术领域的技术人员能够做出并使用本发明，且应了解，可在不背离本发明精神和范畴的情况下对所揭示的具体实施例做出结构上的、逻辑上的变化或其他变化。
图4显示成像装置1000的电路示意图，所述成像装置具有包含多个根据本发明实例性实施例的像素的像素阵列1001。像素电路900d是像素阵列1001的一部分且代表所述阵列中的其他像素。像素电路900d包含：光电门981；晶体管991，其可操作以向像素900d提供如下所述的双转换增益(DCG)；存储节点，其形成用作浮动扩散区域978；转移晶体管961；复位晶体管684；及读出电路，其包含源极跟随晶体管986及行选择晶体管988。上一个行的像素(此处为像素900a)中的光电门981的电极也用作由像素900d使用的电容器990的一个极板。像素900d的电容器990的另一个极板通过晶体管991耦合到浮动扩散区域978。在每一像素(例如，900d)中，电容器990通过晶体管991可切换地耦合到所述像素的浮动扩散区域978。
通过电容器990具有一个与像素的光电门共享的极板，可容易地将电容器990制造于光电门981一部分之上。由此可节省像素阵列1001中的布局空间。同样地，像素阵列1001可利用在不显著地影响填充因数的情况下伴随将像素电容器包含到像素阵列1001中的益处。
在电荷从光电门981通过转移晶体管901转移到各自的浮动扩散区域978期间将晶体管开关991导通一次或多次。如果导通晶体管991以在单个电荷转移情况期间将电容器990耦合到浮动扩散区域978，则所述像素以单转换增益来操作。在这种布置中，每一像素均在复位操作之后基于浮动扩散区域978处的电荷输出复位信号Vrst，且在电荷从光电门981通过转移晶体管961转移之后基于浮动扩散区域978中的电荷输出图像信号Vsig。另一方面，也可以一种方式操作每一像素，其中晶体管991在电荷从光电门981到浮动扩散区域978的第一转移期间关断，且然后在电荷从光电门981到浮动扩散区域978的第二转移期间导通。这个操作向像素提供双转换增益(DCG)。在这种情况下，每一像素均输出：复位信号Vrst；基于在将电容器990耦合到浮动扩散区域之前所转移的电荷提取的第一图像信号Vsig；及在将电容器990连接到浮动扩散区域978之后(随后是第二电荷转移)提取的第二图像信号。
像素列中的像素电路共享读出列线701(例如，701a、701b)，且耦合到各自的列共享采样及保持电路700(图5)，所述电路是列读出电路的一部分。图5的列采样及保持电路经布置以从每一像素接收三种信号Vrst、Vsig、Vdcg，所述接收信号过程是采用DCG操作时像素读取过程的一部分。如下所述，所述三种信号各自地切换到电容器714、716及718。在实例性实施例中，逐个像素行地从像素阵列1001(图4)中读取信号，从顶部像素行开始并以递增的方式进行到底部像素行。例如，将大致同时地读出像素900a、900b及900c。然后大致同时地读出像素900d、900e及900f。逐行读出所述像素阵列直至已读出所述阵列的最后一行。当每一像素均仅采用单转换增益时，可从采样及保持电路700中略去元件710、718及726。
如果使用双转换增益模式，则在用于将电荷从光电门981转移到浮动扩散区域978的电荷转移过程的部分处激活晶体管991。转移晶体管961控制下的电荷转移以如所述的两个步骤发生，且在分别地操作开关706、708及710的相应样本及保持信号SHR1、SHS1及SDCG1的控制下将所述三种信号Vrst、Vsig及Vdcg从每一像素读出并分别地存储在采样及保持电路700中的电容器714、715及718上。对单转换增益操作来说，仅在信号SHR1及SHS1的各自控制下采用电容器714及716以存储Vrst及Vsig像素输出。
如上所述，图5是根据本发明实例性实施例的采样及保持电路700的一部分的示意图。虽然仅绘示了一个采样及保持电路700，但采样及保持电路700可代表所述像素阵列中的每一列像素电路的采样及保持电路700。
图6是绘示图4中使用根据本发明实例性实施例的采用双转换增益电路的采样及保持电路(图5)的像素阵列1001的操作的时序图，但其他操作所述阵列的方法也是可能的。为简明起见，论述行中像素的读出且其代表阵列中的其他像素。以类似于常规的从具有4T像素的成像器读出的方式来实施从像素阵列1001的读出。在图5的时序图中，信号为有效“高”，也就是高逻辑状态。“行”是指像素行，例如：900a、900b、900c(图4)。像素的第一行为行0，例如：900a、900b、900c(图4)；第二行像素是行1，例如：900d、900e、900f(图4)。
在图6中，Addr是正在读出的行的行地址。“行”0代表行0的行选择栅极信号。TX0代表行0的转移栅极信号。复位0代表行0的复位栅极信号。DCG0代表行0的DCG栅极控制信号。SHR1、SHS1及DCG1是使所述开关能够将电容器714、716及718(图5)分别地耦合到列线701a的信号。
在图6中，时间周期t0指示初始设置时间周期，在所述周期期间提供将要读出的像素单元的行地址。在这个实例中，在t0期间，提供对应于第一行(也就是行0)的Addr 000。虽然所述实例描述从一个像素(例如像素900a(图4))中的读出，但是这个实例代表如常规上已知的行中正在大致同时读出的所有像素。
在时间周期t1期间，对像素电路900a进行复位且如下存储复位电荷。启用控制信号“复位”0、“行”0、DCG0及SHR1(也就是说，确认为高)(图6)。所述“复位”0信号关断开关988并将像素900a耦合到列线701a(图6)。“复位”0信号关断开关984并将Vaa_pix耦合到像素900a(图6)。DCG0信号关断开关991并将浮动扩散区域978耦合到像素900x的电容器990(其中未图示的像素900x是像素900a上一个行的像素)。SHR1信号关断开关并将电容器714通过列线701a耦合到像素900a。因此，在时间周期t1末端，对包含电容器990的像素900a进行复位且将像素900a的复位电压Vrst存储在采样及保持电路(图5)中。在时间t1末端附近停用控制信号“复位”0、DCG0及SHR1(驱动为低)。
在时间周期t2期间，如下读出并存储在这段时间累积的像素电路900a的累积电荷(也就是光信号)。在仍启用行选择信号“行”且关断晶体管991同时启用(驱动为高)控制信号Tx0及SHS1。Tx0信号关断开关961并将光转换装置981耦合到浮动扩散区域978。SHS1信号关断采样保持电路中的开关并将电容器716(图5)通过列线701a耦合到像素900a。将存储在浮动扩散区域978上的电荷读出用作图像信号Vsig并将其存储在电容器716上。因此，在t2的末端，将像素900a的信号电压Vsig存储在采样及保持电路中。在时间周期t2末端附近(图6)停用(也就是，驱动为低)控制信号Tx0及SHS1。
在时间周期t3期间，第二电荷转移发生如下。启用(也就是，驱动为高)控制信号Tx0、DCG0及SDCG1。Tx0信号闭合开关961并将光转换装置981耦合到浮动扩散区域978。DCG0信号闭合开关991并将电容器990耦合到光转换装置981及浮动扩散区域978。SDCG1信号闭合采样保持电路中的开关710并将电容器718(图5)通过列线701a耦合到像素900a。读出存储在浮动扩散区域978上的电荷并将其存储在电容器718上。因此，在t3的末端，将像素900a的信号电压Vdcg存储在采样及保持电路中。在时间周期t3(图6)末端附近停用(也就是说，驱动为低)控制信号Tx0、DCG0及SDCG1。
存在各种操作及使用DCG栅极991及电容器990的方式。一种方式是，如上文参照图6所述，对双转换增益信号进行采样及保持。在另一种方法中，在从光电门981到仅为像素提供单转换增益的浮动扩散区域978的单个电荷转移期间，DCG栅极991是导通的。
图7显示图4的像素阵列1001的一个像素的从上到下的布局图。如代表阵列剩余像素的像素900a中所绘示，电容器990设置在上方且其一个极板由光电门981的电极的一部分形成。像素900a还包含：转移晶体管961，其具有晶体管栅极961a；复位晶体管984，其具有复位栅极984a；双转换增益(DCG)晶体管991，其具有栅极986a；行选择晶体管988，其具有栅极988a；及浮动扩散区域978。每一电容器990均具有作为光电门981电极一部分的下极板990a及耦合到DCG晶体管991的上极板990b，所述DCG晶体管选择性地将上极板连接到像素900a下一行中的像素900d的浮动扩散区域978。
图8是图7像素900a一部分沿线8-8截取的剖面图。像素900a包含具有由光电门981电极的一部分形成的下极板990a的电容器990。电容器990的上极板990b通过像素900(d)的晶体管991电连接到在不同行中的像素900d。虽然图7和图8显示仅在像素的光电门984一部分上方的电容器990，但为使将由光电门981转换为电子的光子达到最多，在某些实施方案中，电容器990可在光电门981整个面积上方延伸。
如图7和图8中所示，像素900d包含光转换装置光电门981、转移晶体管961，及复位晶体管684。光转换装置981可形成为具有p-n-p构造的光电门，所述p-n-p构造包括p型表面层1522及位于提供于p型衬底1511上方的p型活动EPI层1524中的n型累积区域1521。如图7中最好地展示，光转换装置991与转移晶体管961的栅极相邻且部分地位于其下方。复位晶体管684位于与光转换装置991相对的转移晶体管961的一侧。如图7中所示，复位晶体管684包含连接到像素电源电压Vaa_pix的源极/漏极区域1502。浮动扩散区域978位于转移晶体管与复位晶体管961、684之间且含有p井。浮动扩散区域978耦合到源极跟随晶体管986的栅极且源极跟随晶体管986的输出端由行选择晶体管988选通。
图9显示成像装置1400的电路示意图，其具有包含多个根据本发明实例性实施例的像素的像素阵列1401。像素电路1300d是像素阵列1401的一部分且代表所述阵列中的其他像素。像素电路1300d包含：光电门1381；晶体管1391，其可操作以向像素1300d提供双转换增益(DCG)；存储节点，其形成为浮动扩散区域1378；转移晶体管1361；复位晶体管1384；及读出电路，其包含源极跟随晶体管1386及行选择晶体管1388。光电门1381的电极还可用作电容器1390的一个极板。电容器1390的另一个极板通过晶体管1391耦合到浮动扩散区域1378。像素阵列1401与像素阵列1001的不同之处在于像素阵列1401的像素(例如，1300a-f)，在每一像素(例如，1300d)中，电容器1390通过晶体管1391可切换地耦合到所述像素的浮动扩散区域1378。
通过电容器1390有一个与像素的光电门共享的极板，可在光电门1381的一部分的上方容易地制造电容器1390。由此节省像素阵列1401中的布局空间。同样地，像素阵列1401可利用在不显著地影响填充因数的情况下伴随将像素电容器包含到像素阵列1401中的益处。
图10显示处理器系统1100，其包含成像装置1000，所述成像装置与装置100(图1)相同但采用含有如参照图4至图8或图9所述而构造的像素及采样及保持电路的像素阵列。系统1100是具有可包含图像传感器装置的数字电路的实例性系统。在不受限制的情况下，这种系统可包含：计算机系统、照相机系统、扫描仪、机器视觉、车辆导航、视频电话、监视系统、自动聚焦系统、星象跟踪仪系统、运动检测系统、图像稳定系统及其他图像获取及/或处理系统。
系统1100(例如，照相机系统)通常包括通过总线1170与输入/输出(I/O)装置1150通信的中央处理器(CPU)1110(例如，微处理器)。成像装置1000还可通过总线1170与CPU 1110通信。系统1100还包含随机存取存储器(RAM)1160，且可包含可抽换式存储器1130(例如，闪存)，其同样也通过总线1170与CPU 1110通信。成像装置1000可与具有或不具有单个集成电路上存储装置的CPU 1110结合，或成像装置1000可提供在与所述处理器不同的芯片上。
应了解，本发明其他实施例包含制造系统1100的方法。例如，在一个实例性实施例中，制造CMOS电路的方法包含上述使用已知半导体制造技术在对应于单个集成电路的衬底的一部分上方至少制造具有电容器的像素阵列的步骤，其中每一电容器均具有一个由像素光电门的电极的一部分形成的极板，所述像素可以是在当前像素(图4)上一行的像素。在另一个实例性实施例中，制造CMOS电路的方法包含上述使用已知半导体制造技术在对应于单个集成电路的衬底的一部分上方至少制造具有电容器的像素阵列的步骤，其中每一电容器均具有一个由所述像素(图9)光电门的电极的一部分形成的极板。另外，所述CMOS电路可具有形成于所述光电门整个电极上方的电容器。
虽然已参照具体实例性实施例描述及阐释本发明，但应了解，可在不背离本发明精神及范畴的情况下做出许多修改及替代。例如，虽然已关于电容器对本发明做出描述(所述电容器设置于一个像素的光转换区域上方且具有一个耦合到不同行中不同像素的浮动扩散区域的极板)，但是本发明并不限于此，且这个电容器的所述一个极板可耦合到所述像素的相同浮动扩散区域或耦合到像素阵列中其他处像素的浮动扩散区域。同样，可省略晶体管991且所述电容器经由其一个极板不可切换地连接到浮动扩散区域。因此，不应将本发明视为由前述说明限定，而是仅由权利要求书的范围限定。

Claims (53)

1、一种像素阵列，其包括：
像素，其具有采用第一电极的光转换区域；
电容器；及
具有浮动扩散节点的像素，其中所述浮动扩散节点耦合到所述电容器的一个极板，所述电容器具有与所述第一电极共用的另一个极板。
2、如权利要求1所述的像素阵列，其中所述具有光转换区域的像素及所述具有浮动扩散节点的像素是相同的像素。
3、如权利要求1所述的像素阵列，其中所述具有光转换区域的像素及所述具有浮动扩散节点的像素是不同的像素。
4、如权利要求3所述的像素阵列，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在不同行中。
5、如权利要求4所述的像素阵列，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相同列中。
6、如权利要求4所述的像素阵列，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相邻行中。
7、如权利要求3所述的像素阵列，其中所述光转换区域是光电门。
8、如权利要求7所述的像素阵列，其进一步包括将所述浮动扩散节点耦合到所述电容器的开关。
9、如权利要求7所述的像素阵列，其中所述开关是双转换增益开关。
10、如权利要求8所述的像素阵列，其中所述电容器至少部分地设置于所述第一电极上方。
11、如权利要求8所述的像素阵列，其中所述电容器整个地设置于所述第一电极上方。
12、一种像素阵列，其包括：
第一像素，其包括：
晶体管区域；
光转换区域；
所述光转换区域具有第一电极；
第二像素，其包括：
电荷存储节点；及
电容器，其具有一个耦合到所述存储节点的极板及与所述第一电极共用的第二极板，所述第一及第二像素位于所述像素阵列的不同行中。
13、如权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一及所述第二像素在像素阵列的相邻行中。
14、如权利要求12所述的像素阵列，其中所述第一像素的所述光转换区域是光电门。
15、如权利要求13所述的像素阵列，其进一步包括将所述存储节点与所述电容器耦合在一起的开关。
16、如权利要求15所述的像素阵列，其中所述开关是双转换增益开关。
17、如权利要求12所述的像素阵列，其中所述电容器至少部分地设置于所述第一电极上方。
18、如权利要求12所述的像素阵列，其中所述电容器整个地设置于所述第一电极上方。
19、一种操作像素阵列的方法，其包括：
使用光电门光传感器将电荷累积在像素中；及
将所述累积电荷存储在像素的电荷存储区域中，所述存储区域具有选择性地耦合到其的电容器的第一电容器极板、所述电容器的与所述光电门的电极共用的第二电容器极板。
20、如权利要求19所述的操作像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
选择性地将所述存储区域的所述第一极板从所述存储区域断开连接。
21、如权利要求20所述的操作像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
将所述电荷存储区域连接到像素电压；
将所述电荷存储区域连接到所述电容器的所述一个极板；及
存储来自所述电荷存储区域的所述复位信号。
22、如权利要求21所述的操作像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
将所述电荷存储区域从所述电容器的所述第一极板断开连接；及
将所述电荷存储区域从所述像素电压断开连接。
23、如权利要求22所述的操作像素阵列的方法，其中所述具有所述光电门光传感器的像素是与所述具有所述电容器的像素相同的像素。
24、如权利要求22所述的操作像素阵列的方法，其中所述具有所述光电门光传感器的像素是与所述具有所述电容器的像素不同的像素。
25、一种制造像素阵列的方法，其包括：
形成衬底；
在所述衬底上方形成第一像素以包含具有第一电极的光转换区域；
在所述衬底上方形成第二像素以包含电荷存储区域；
形成具有一个与所述第一电极共享的极板的电容器；及
形成将所述电容器耦合到所述电荷存储区域的电通道。
26、如权利要求25所述的制造像素阵列的方法，其中所述光转换区域是光电门。
27、如权利要求25所述的制造像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
在所述像素阵列的第一像素行中形成所述第一像素并在所述像素阵列的第二像素行中形成所述第二像素。
28、如权利要求27所述的制造像素阵列的方法，其中所述第一像素行与所述第二像素行相邻。
29、如权利要求27所述的制造像素阵列的方法，其中所述第一像素与所述像素位于所述像素阵列的相同列中。
30、如权利要求27所述的制造像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
形成用于将所述电容器选择性地耦合到所述电荷存储区域的开关。
31、如权利要求25所述的制造像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
在所述第一电极的至少一部分上方形成所述电容器。
32、如权利要求25所述的制造像素阵列的方法，其进一步包括以下步骤：
在整个所述第一电极上方形成电容器。
33、一种集成电路，其包括：
像素阵列，其包括：
像素，其具有采用第一电极的光转换区域；及
电容器，其位于所述第一电极至少一部分的上方且具有与所述第一电极共用的第一极板及可电耦合到像素的存储节点的第二极板。
34、如权利要求33所述的集成电路，其中所述具有所述光转换区域的像素与所述具有所述电荷存储区域的像素是相同像素。
35、如权利要求33所述的集成电路，其中所述具有所述光转换区域的像素与所述具有所述电荷存储区域的像素是不同像素。
36、如权利要求35所述的集成电路，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在不同行中。
37、如权利要求35所述的集成电路，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相同列中。
38、如权利要求36所述的集成电路，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相邻行中。
39、如权利要求35所述的集成电路，其中所述光转换区域是光电门。
40、如权利要求33所述的集成电路，其进一步包括将所述浮动扩散节点耦合到述电容器的开关。
41、如权利要求40所述的集成电路，其中所述开关是双转换增益开关。
42、如权利要求33所述的集成电路，其中所述电容器设置于所述整个所述第一电极上方。
43、一种处理器系统，其包括：
处理器；及
成像器，其耦合到所述处理器，所述成像器包括：
像素阵列，其包括：
像素，其具有采用第一电极的光转换区域；
电容器，其位于所述第一电极至少一部分的上方且具有与所述第一电极共用的第一极板及可电耦合到像素的存储节点的第二极板。
像素，其具有采用第一电极的光转换区域；
电容器；及
具有浮动扩散节点的像素，其中所述浮动扩散节点耦合到所述电容器的一个极板，所述电容器具有与所述第一电极共用的另一个极板。
44、如权利要求43所述的处理器系统，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素是相同像素。
45、如权利要求43所述的处理器系统，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素是不同像素。
46、如权利要求45所述的处理器系统，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在不同行中。
47、如权利要求46所述的处理器系统，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相同列中。
48、如权利要求46所述的处理器系统，其中所述具有光转换区域的像素与所述具有浮动扩散节点的像素在相邻行中。
49、如权利要求45所述的处理器系统，其中所述光转换区域是光电门。
50、如权利要求49所述的处理器系统，其进一步包括将所述浮动扩散节点耦合到所述电容器的开关。
51、如权利要求49所述的处理器系统，其中所述开关是双转换增益开关。
52、如权利要求50所述的处理器系统，其中所述电容器至少部分地设置于所述第一电极上方。
53、如权利要求50所述的处理器系统，其中所述电容器整个地设置于所述第一电极上方。
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