CN101256325B - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置,该装置包括多个薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极;多个像素电极,分别连接至薄膜晶体管的漏电极;多条栅极线,分别设置到沿像素电极长度方向的像素电极的相对的边缘部分,并连接至薄膜晶体管的栅电极;以及多条数据线,分别设置到沿像素电极宽度方向的像素电极的单个边缘部分,并连接到薄膜晶体管的源电极,两者间夹有单条数据线的彼此相邻的一对像素电极,以及一对薄膜晶体管,分别连接至与同一单条数据线连接的一对像素电极。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置,更具体地,涉及简化配置以及改善显示器的开口率。
背景技术
液晶显示器(LCD)面板具有形成在显示装置的显示区域中的多个薄膜晶体管、像素电极、栅极线和数据线等。如同各种其它电路和薄膜布线等,与栅极线、数据线等连接的集成驱动电路芯片可以安装在显示装置的非显示区域中或与之集成地形成。在常规显示装置中,这些部件的存在限制了减小非显示区域的尺寸的能力。另外,许多集成电路驱动芯片相对较贵。
同样,在常规显示装置中,不透明的数据线和栅极线延伸以围绕像素电极,因而降低了开口率。
发明内容
在本发明的示例性实施例中,一种显示装置包括:多个薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极;多个像素电极,分别连接至薄膜晶体管的漏电极;多条栅极线,并分别设置到沿像素电极长度方向的像素电极的相对的边缘部分,并连接到薄膜晶体管的栅电极;以及多条数据线,分别设置到沿像素电极宽度方向的像素电极的单个边缘部分,并连接至薄膜晶体管的源电极,一对像素电极彼此相邻以使单条数据线介于其间,且分别连接至一对像素电极的一对薄膜晶体管与同一单条数据线连接。
根据本发明的示例性实施例,连接至单条数据线的一对薄膜晶体管与不同的栅极线连接。
根据本发明的示例性实施例,栅极线成对地设置在布置在宽度方向上的像素电极之间,数据线交替地设置在布置在长度方向上的像素电极之间。
根据本发明的示例性实施例,以不同的方向对分别设置在像素电极之间的一对栅极线施加栅极信号,且显示装置还包括与数据线连接的集成驱动电路芯片、和分别与栅极线和集成驱动电路芯片连接的移位寄存器。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加相同极性的数据信号,而对一对像素电极施加的数据信号的极性不同于在数据线的长度方向上相邻的另一对像素电极。
根据本发明的示例性实施例,从单条数据线施加的数据信号的极性每两个像素电极改变。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加具有相同极性的数据信号,且在数据线的长度方向上具有不同极性的数据信号交替地施加到每三个像素电极。
根据本发明的示例性实施例,从单条数据线施加的数据信号的极性每六个像素电极改变。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加具有相同极性的数据信号,且对与单条数据线连接的所有像素电极施加相同极性的数据信号。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加不同极性的数据信号。
根据本发明的示例性实施例,对像素电极施加的数据信号极性不同于在数据线的长度方向上相邻的其它像素电极,且从单条数据线施加的数据信号的极性从第二个像素电极开始每两个像素电极变化。
根据本发明的示例性实施例,对布置在数据线的长度方向的像素电极施加相同极性的数据信号,且从单条数据线施加的数据信号的极性每个像素电极改变。
在本发明的示例性实施例中,提供一种显示装置的驱动方法,该显示装置包括多个像素电极、设置到与像素电极的长度方向交叉的单个边缘部分的多条数据线,以及分别设置到与像素电极的长度方向平行的相对的边缘部分的多条栅极线,该驱动方法包括根据反转驱动方法(inversion driving method)通过数据线施加驱动电压到像素电极。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加相同极性的数据信号。
根据本发明的示例性实施例,对一对像素电极施加的数据信号极性不同于在数据线的长度方向上相邻的另一对像素电极。
根据本发明的示例性实施例,通过单条数据线施加的数据信号的极性每两个像素电极改变。
根据本发明的示例性实施例,在数据线的长度方向上,不同极性的数据信号交替地施加到每三个像素电极。
根据本发明的示例性实施例,对与单条数据线连接的所有像素电极施加具有相同极性的数据信号。
根据本发明的示例性实施例,对彼此面对以在两者之间夹有单条数据线的一对像素电极施加不同极性的数据信号。
根据本发明的示例性实施例,对像素电极施加的数据信号极性不同于在数据线的长度方向上相邻的其它像素电极,且通过单条数据线施加的数据信号的极性从第二个像素电极开始每两个像素电极改变。
附图说明
本发明的上述和/或其它方面将从下面结合附图的示例性实施例的描述变得清晰和更容易理解,在附图中:
图1是根据本发明的第一示例性实施例的显示装置的等效电路图;
图2示出施加到图1中的显示装置的数据信号;
图3是示出图1中的显示装置在第一显示基板中央的部分的布置图;
图4是示出沿线IV-IV剖取的包括图1中的第一显示基板的显示装置的截面图;
图5是根据本发明的第二示例性实施例的显示装置的等效电路图;
图6示出施加到图5中的显示装置的数据信号;
图7是根据本发明的第三示例性实施例的显示装置的等效电路图;
图8示出施加到图7中的显示装置的数据信号;
图9是根据本发明的第四示例性实施例的显示装置的等效电路图;
图10示出施加到图9中的显示装置的数据信号;
图11是根据本发明的第五示例性实施例的显示装置的等效电路图;以及
图12示出施加到图11中的显示装置的数据信号。
具体实施方式
如在附图中所示,示例性地描述了使用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)的显示装置,所述非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)由五次掩模工艺形成。作为替换,本发明可以应用到各种类型的显示装置。
如图1所示,显示装置901包括第一显示基板100、靠近第一显示基板100的第二显示基板200、以及布置在第一显示基板100和第二显示基板200之间的图4所示的液晶层300。第二显示基板200具有小于第一显示基板100的面积。因此,第一显示基板100的一个边缘没有被第二显示基板200覆盖,而第一显示基板100的其它边缘被第二显示基板200覆盖。另外,显示装置901分为形成有像素的显示区域D、和围绕显示区域D的非显示区域N。这里,像素指的是显示图像的最小单元。
显示区域D形成在第一显示基板100和第二显示基板200彼此覆盖的一个区域,而非显示区域N分为第一区域N1和第二区域N2,第一区域N1中显示基板100和第二显示基板200彼此覆盖,第二区域N2中只设有第一显示基板100。
另外,显示装置901还包括安装在第二区域N2上的集成驱动电路芯片500,第二区域N2中只设有第一显示基板100。也就是,第一显示基板100和第二显示基板200在第二区域N2中不彼此重叠。
第一显示基板100包括形成到显示区域D的多个薄膜晶体管(TFT)101、多个像素电极180、多条栅极线121、多条数据线161等。
另外,第一显示基板100还包括形成到非显示区域N的薄膜布线421、移位寄存器410和其它电路单元。薄膜布线421将集成驱动电路芯片500和移位寄存器410相互连接。移位寄存器410与第一显示基板100安装有集成驱动电路芯片500的边缘交叉,分别形成到第一显示基板100的相对的边缘。移位寄存器410将从集成驱动电路芯片500接收的栅极信号依次提供到多条栅极线121。
数据线161和栅极线121从显示区域D延伸到非显示区域N以分别连接集成驱动电路芯片500和移位寄存器410。
第二显示基板200包括形成到显示区域D的图4所示的光阻挡构件220、图4所示的滤色器230、和图4所示的公共电极280等。这里,滤色器230设置为对应于像素电极180。滤色器230包括红、绿、和蓝三基色,在像素电极的长度方向(x轴方向)和宽度方向(y轴方向)中至少一个方向上交替布置。同样,光阻挡构件220、公共电极280等一起形成到非显示区域N。
薄膜晶体管101包括图3所示的栅电极124,图3所示的源电极165和图3所示的漏电极166。像素电极180连接到薄膜晶体管101的漏电极166。栅极线121分别设置到沿像素电极180的长度方向(x轴方向)的像素电极180的相对的边缘,且与薄膜晶体管101的栅电极124连接。数据线161分别设置到沿像素电极180的宽度方向(y轴方向)的像素电极180的仅一个边缘,并与薄膜晶体管101的源电极165连接。也就是,一对栅极线121设置在于宽度方向(y轴方向)上相邻的像素电极180之间。在长度方向(x轴方向)上相邻的一对像素电极180设置在相邻的数据线161之间。这里,像素电极180在长度方向上的长度大于其在宽度方向上的长度。
这里,设置在像素电极180之间的两条栅极线121以不同的方向分别传输栅极信号。也就是,设置在像素电极180之间的两条栅极线121中的一条与形成到第一显示基板100的第一边缘的移位寄存器410连接。另外,设置在像素电极之间的两条栅极线121中的另一条与形成到第一显示基板100的与第一边缘相对的第二边缘的移位寄存器410连接。
另外,一对相邻的像素电极180之间夹有单条数据线161。这里,分别连接至该对像素电极180的一对薄膜晶体管101与同一单条数据线161连接。另外,连接至单条数据线161的一对薄膜晶体管101与不同的栅极线121连接。
根据这种配置,可以减少数据线161的总数而不降低显示装置901的分辨率。因此,显示装置901可以简化其配置、使其外观变小,并改善开口率。
也就是,与像素电极180相比,显示装置901能显著减少数据线161的总数。详细地,因为数据线161在像素电极180的长度方向上设置,所以与数据线161在像素电极180的宽度方向上设置的情况相比可以减少数据线161的总数。另外,数据线161在布置在长度方向(x轴方向)上的像素电极180之间交替地设置。因此,与数据线161没有省略地设置在像素电极180之间的情况相比,数据线161的总数可以减少一半。
另一方面,因为栅极线121在像素电极180的宽度方向上布置,所以与栅极线121在像素电极180的长度方向上布置的情况相比,栅极线121的数量相对增加。
然而,与通过数据线161传输的数据信号相比,通过栅极线121传输的栅极信号相对简单。因此,可以减少通过数据线161和栅极线121提供数据信号和栅极信号所必须的集成驱动电路芯片500的总数。另外,可以通过减少相对较贵的集成驱动电路芯片500的使用改善显示装置901的生产率。
另外,因为栅极线121从分别形成到第一显示基板100的相对的边缘的移位寄存器410接收栅极信号,所以可以显著减少用于提供栅极信号的集成驱动电路芯片500的使用。
因此,在显示装置901中,可以减小非显示区域N与显示区域D相比的比率。因此,显示装置901可以进一步变窄。
另外,由于数据线161的数量减少,可以加宽像素电极180占据的面积,由此改善开口率。
在下文,将集中于数据信号方面来描述根据本发明的第一示例性实施例的显示装置901的驱动方法。
如图1所示,对其间具有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180提供来自同一数据线的不同极性的数据信号。另外,对像素电极180施加的数据信号极性不同于在数据线161的长度方向上相邻的另一个像素电极180。这里,数据信号包括通过薄膜晶体管101施加到像素电极180的驱动电压。
图2示出通过数据线161施加的数据信号。S001指通过第一数据线161施加的数据信号,而S002指通过第二数据线161施加的数据信号。
如图2所示,从单条数据线161施加到第一像素电极180和第二像素电极180的数据信号的极性彼此改变。另外,该极性从第二像素电极180开始每两个像素电极180改变。因此,图1所示的显示装置901看起来由一种1点反转(1dot inversion)驱动方法来驱动,但实质上,如同2点反转(2dotinversion)驱动方法一样驱动。
用这种驱动方法,显示装置901可以显示具有相同分辨率的图像,而将数据线161的数量基本上减少一半。
在下文,通过参照图3和4来详细描述显示装置901的配置。图3是示出显示装置901在第一显示基板100中央的部分的配置图。图4是示出包括图3的第一显示基板100的显示装置901沿线IV-IV剖取的截面图。
首先,将详细描述第一显示基板100。
第一基板构件110包括诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料之类的材料,且形成为透明的。
栅极布线包括多条栅极线121,从栅极线121分支的多个栅电极124形成在第一基板构件110上。栅极布线可以还包括多条第一存储电极线(未示出)。
栅极布线121和124由诸如Al、Ag、Cr、Ti、Ta、Mo之类的金属或包括上述金属的合金形成。如图3所示,作为单层提供栅极布线121和124。替代地,栅极布线121和124可以形成为多层,该多层包括具有优越的物理化学特性的Cr、Mo、Ti、Ta,或包括上述金属的合金的金属层,以及具有小的电阻率的Al系列或Ag系列的金属层。替代地,栅极布线121和124可以由各种金属或电导体形成,并可以优选但不必要地设置为能够在相同的蚀刻条件下被图案化的多层。
栅极绝缘层130由氮化硅(SiNx)等形成在栅极布线121和124上。
数据布线形成在栅极绝缘层130上,该数据布线包括与栅极线121交叉的多条数据线161、多个源电极165和多个漏电极166,该多个源电极165从数据线161分支使得至少其部分可以与栅电极124重叠,该多个漏电极166与源电极165远离使得至少其部分能与栅电极124重叠。另外,数据配线可以还包括多条第二存储电极线(未示出)。
数据布线161、165和166由诸如铬、钼、铝或包括上述金属的合金的导电材料形成,并可以如栅极布线121和124一样设置为单层或多层。
半导体层140形成到一区域,该区域覆盖从栅电极124之上的源电极165的上部到源电极165和漏电极166的下部。这里,采用栅电极124、源电极165和漏电极166用于薄膜晶体管101三个电极。采用源电极165和漏电极166之间的半导体层140用于薄膜晶体管101的沟道区域。
这里,如图1所示,一对像素电极180相面对以在其间夹有单条数据线161。这里,一对薄膜晶体管101与该同一单条数据线161连接,该对薄膜晶体管101的漏电极166分别连接到该对像素电极180。另外,该对薄膜晶体管101的栅电极124与不同的栅极线121连接,该对薄膜晶体管101的源电极165连接至该单条数据线161。
还有,欧姆接触155和156形成在半导体层140和源电极165之间,以及半导体层140和漏电极165之间,以分别减少接触电阻。欧姆接触155和156由硅化物或用高浓度n型杂质之类掺杂的非晶硅形成。
在数据布线161、165和166上,通过等离子体增强气相淀积(PECVD)形成低介电常数绝缘材料的钝化层170,该低介电常数绝缘材料诸如a-Si:C:O,a-Si:O:F或诸如氮化硅、氧化硅之类的无机绝缘材料。
多个像素电极180形成在钝化层170上。像素电极180包括透明导电材料,诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。还有,根据显示面板的类型,像素电极180可以还包括具有优越的光反射特性的不透明导电材料,比如铝等。
还有,钝化层170包括露出漏电极166的部分的多个接触孔171。像素电极180和漏电极166通过接触孔171电连接。
在下文,将详细描述第二显示基板200。
第二基板构件210包括诸如玻璃、石英、陶瓷、塑料之类的材料,以如第一基板构件110一样是透明的。
光阻挡构件220形成在第二基板构件210上。光阻挡构件220包括面对第一显示基板100的像素电极180的开口部分,并阻止相邻像素之间的光泄漏。光阻挡构件220形成到对应于薄膜晶体管101的位置,以阻挡外部光进入薄膜晶体管101的半导体层140。光阻挡构件220可以由添加黑色素的光阻有机材料形成。这里,黑色素可以采用碳黑、钛氧化物等。另外,光阻挡构件220可以由金属材料形成。
具有三基色的滤色器230依次设置在形成有光阻挡构件220的第二基板构件210上。这里,滤色器230可以具有至少一种不同色彩而不是三基色。每个滤色器230的边界超过光阻挡构件220布置。替代地,相邻的滤色器230的边缘部分可以重叠,以获得如光阻挡构件220一样阻挡泄漏光的功能。这里,光阻挡构件220可以被省略。
偏振膜240形成在光阻挡构件220和滤色器230之上。偏振膜240可以被省略。
公共电极280形成在偏振膜之上,以与像素电极180一起形成电场。公共电极280由透明导电材料形成,比如ITO、IZO等。
利用这种配置,可以相对减少数据线161的总数,并保持显示装置901的分辨率。因此,可以简化显示装置901的配置,其外观能变窄,并能改善其开口率。
在下文,将通过参考图5和6,集中于数据信号方面描述根据本发明的第二示例性实施例的显示装置902的驱动方法。
如图5所示,从同一数据线161向两者间夹有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180施加具有相同极性的数据信号。该对像素电极180施加的数据信号的极性不同于在数据线161的长度方向上相邻的另一对像素电极180。
图6示出通过数据线161施加的数据信号。S001指通过第一数据线161施加的数据信号,而S002指通过第二数据线161施加的数据信号。
如图6所示,从单条数据线161施加的数据信号的极性每两个像素电极180改变。也就是,显示装置902由2点反转驱动方法驱动。
利用这种驱动方法,显示装置902可以显示具有相同分辨率的图像,且数据线161的数量基本减少一半。
在下文,将通过参照图7和8集中在数据信号方面描述本发明的第三示例性实施例的显示装置903的驱动方法。
如图7所示,从同一数据线161向两者间夹有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180施加相同极性的数据信号。在数据线161的长度方向上,具有不同极性的数据信号交替地施加到每三对像素电极180。
图8示出通过数据线161施加的数据信号。S001指通过第一数据线161施加的数据信号,而S002指通过第二数据线161施加的数据信号。
如图8所示,从单条数据线161施加的数据信号的极性每六个像素电极180改变。也就是,显示装置903由6点反转驱动方法驱动。
利用这种驱动方法,显示装置903可以显示具有相同分辨率的图像,且数据线161的数量基本减少一半。
在下文,将通过参照图9和10集中在数据信号方面描述根据本发明的第四示例性实施例的显示装置904的驱动方法。
如图9所示,从同一数据线161向两者间夹有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180施加不同极性的数据信号。另外,布置在数据线161的长度方向上的像素电极180施加有相同极性的数据信号。
图10示出通过数据线161施加的数据信号。S001指通过第一数据线161施加的数据信号,而S002指通过第二数据线161施加的数据信号。
如图10所示,从单条数据线161施加的数据信号的极性每个像素电极180改变。因此,图9所示的显示装置904看起来由列反转驱动方法驱动,但实质上,如同1点反转驱动方法一样驱动。
利用这种驱动方法,显示装置904可以显示相同分辨率的图像,且数据线161的数量基本减少一半。
在下文,将通过参照图11和12集中在数据信号方面描述根据本发明的第五示例性实施例的显示装置905的驱动方法。
如图11所示,从同一数据线161向两者间夹有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180施加相同极性的数据信号。在数据线161的长度方向上布置的像素电极180施加有具有相同极性的数据信号。
图12示出通过数据线161施加的数据信号。S001指通过第一数据线161施加的数据信号,而S002指通过第二数据线161施加的数据信号。
如图12所示,所有与单条数据线161连接的像素电极180施加有相同极性的数据信号。因此,显示装置905由列反转驱动方法驱动。
利用这种驱动方法,显示装置905能显示具有相同分辨率的图像,且数据线161的数目基本减少一半。
在本发明的几个示例性实施例中,可以更优选地但不必须地从同一数据线161向其间夹有单条数据线161的彼此相邻的一对像素电极180施加相同极性的数据信号而不是不同极性的数据信号。如果数据信号的极性反转期间过短,可能发生由于信号延迟导致的弊病。
如上所述,本发明提供相对减少数据线的数量并保持显示装置的分辨率的显示装置。因此,能简化显示装置的配置,并能改善其开口率。
也就是,该显示装置能通过与像素电极相比显著减少数据线的数量,来减少集成驱动电路芯片的总数。因此,通过减少相对贵的集成驱动电路芯片的使用可以改善显示装置的生产率。
另外,通过使用移位寄存器传输栅极信号到栅级线,可以进一步将集成驱动电路芯片的使用最小化。
另外,可以减少非显示区域与显示区域相比的比率。因此,显示装置可以具有更窄的外观。
另外,随着数据线数量减少,可以加宽由像素电极占据的面积。因此,可以改善显示装置的开口率。
另外,本发明提供了该显示装置的驱动方法。
尽管已经示出和描述了本发明的少数示例性实施例,应该被本领域的技术人员理解的是,在不偏离本发明的原理和精神的情况下,可以在这些示例性实施例中进行改变。本发明的原理和精神在所附的权利要求及它们的等同特征中限定。
Claims (8)
1.一种显示装置,包括:
多个薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极;
多个像素电极,分别连接至所述薄膜晶体管的所述漏电极;
多条栅极线,分别设置到沿所述像素电极长度方向的所述像素电极的相对的边缘部分,并连接至所述薄膜晶体管的所述栅电极;以及
多条数据线,分别设置到沿所述像素电极宽度方向的所述像素电极的单个边缘部分,并连接到所述薄膜晶体管的所述源电极,
其中,所述多个像素电极成对地设置,且每对像素电极彼此相邻以使所述多条数据线中的单条数据线介于其间,
其中,所述多个薄膜晶体管成对地设置,且分别与一对像素电极连接的一对薄膜晶体管与同一所述单条数据线连接,以及
其中自所述单条数据线施加的数据信号对连续的三对像素电极具有第一极性,然后变成具有第二极性。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中连接至所述单条数据线的成对薄膜晶体管与不同的所述栅极线连接。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中所述栅极线成对地设置于在所述宽度方向上布置的所述像素电极之间,以及
所述数据线交替地设置于在所述长度方向上布置的所述像素电极之间。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中以不同的方向分别对设置在所述像素电极之间的一对栅极线施加栅极信号,以及
所述显示装置还包括与所述数据线连接的集成驱动电路芯片以及分别与所述栅极线和所述集成驱动电路芯片连接的移位寄存器。
5.如权利要求3所述的显示装置,其中对彼此面对以使所述单条数据线介于其间的每对像素电极施加相同极性的数据信号,且
其中在所述数据线的长度方向上,不同极性的所述数据信号交替地施加到每三个像素电极。
6.一种显示装置的驱动方法,该显示装置包括:多对像素电极,其中每对像素电极在像素电极的长度方向上彼此相邻;多条数据线,设置到单个边缘部分,并在像素电极的宽度方向上在成对的像素电极之间穿过并与之连接;以及分别设置到平行于所述像素电极的长度方向的相对边缘部分的多条栅极线,该驱动方法包括:
根据反转驱动方法通过所述数据线施加数据信号到所述像素电极,
其中自所述数据线施加的数据信号对所述宽度方向上连续的三对像素电极具有第一极性,然后变成具有第二极性。
7.如权利要求6所述的显示装置的驱动方法,其中对彼此面对以使单条数据线介于其间的每对像素电极施加相同极性的数据信号。
8.如权利要求7所述的显示装置的驱动方法,其中在所述数据线的长度方向上,不同极性的所述数据信号交替地施加到每三个像素电极。
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