CN101256296B - 半导体器件、显示装置及具备其的电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备。实现能够在以辉光放电型荧光灯等以一定周期进行闪烁的外光下高精度地进行采用了光传感器的照度检测的电光装置。具备：在第1及第2基板间具备有显示区域的面板，和设置于第1或第2基板上、对面板的周围光的照度进行检测的光检测部；光检测部，隔预定的时间间隔，进行多次检测工作；前述预定的时间间隔设定为除了1/100秒或1/120秒的整数倍或接近于它们的值以外的值。

Description

半导体器件、显示装置及具备其的电子设备
技术领域
本发明，例如，涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备。
背景技术
近年来，在显示装置上装载光传感器功能，通过测定外光照度对辉度等进行调整而谋求消耗电力降低、像质提高的技术的开发正在进展(例如专利文献1)。作为光传感器可举出薄膜晶体管、PIN二极管、PN二极管等。受光部不管在哪种情况下都为硅薄膜，为了不使制造上的成本增大，优选以与构成显示的开关元件的硅薄膜同一制造工序所制造。此时，所谓外光指所有种类的环境光，即日光、荧光灯、白炽灯泡、LED的光等，并要求相对于这些全部作为光传感器检测正确的照度。
【专利文献1】美国专利第5831693号说明书
发明内容
相对于日光总是为一定的光量，采用AC电源类型的人工光大多以一定周期反复闪烁，尤其在辉光放电型荧光灯成为主要的环境光的情况下，以100Hz或120Hz的闪烁显著，光传感器受此影响，不能正确地进行照度的检测。本发明，实现即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环境下也能够高精度地进行照度检测的电光装置。
本发明，为电光装置，其具备有：在第1(在实施方式中，为有源矩阵基板101)及第2基板(在实施方式中，为对向基板912)间夹持电光物质(在实施方式中，为向列液晶材料922)的形成有显示区域的面板(在实施方式中，为液晶面板911)，和设置于前述第1或第2基板上、对前述面板的周围光的照度进行检测的光检测部(在实施方式中，为检测电路360、受光传感器350P)；其特征为：前述光检测部，隔开预定的时间间隔(为RST信号的周期TR)，进行多次检测工作；前述预定的时间间隔设定为除了1/100秒或1/120秒的整数倍或接近于它们的值以外的值。若如此地进行设定，则即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环境下，照度检测的精度也因短时间、少次数的采样而提高。
本发明，为半导体器件，其特征在于，具备：形成于基板上、用于对前述基板周边的外光照度进行测定的光传感器(受光传感器350P)，和连接于前述光传感器而对应于前述外光照度进行输出的检测电路(在实施方式中，为检测电路360)；前述检测电路，基于来自前述光传感器的输入多次进行前述外光照度检测工作；若设前述多次检测工作的第1检测工作、与继前述第1检测工作所进行的第2检测工作的时间间隔为T1，则前述时间间隔T1设定为除了1/100秒或1/120秒的整数倍及接近于它们的值以外的值。若如此地进行设定，则即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环境下，照度检测的精度也因短时间、少次数的采样而提高。更具体地为以下半导体器件：前述时间间隔T1，当设n为任意的整数时，设定为1/100秒的(n+0.5)倍、或1/120秒的(n+0.5)倍、或二者的中间值；进而为具有多次对前述检测电路的输出采样、进行统计处理的电路(在实施方式中，为中央运算电路781)的半导体器件。若如此地进行设定，则以最少2次的采样而使精度显著提高。
进而本发明，为半导体器件，其特征为：若设前述第2检测工作、与继前述第2检测工作所进行的第3检测工作的时间间隔为T2，则前述时间间隔T1与前述时间间隔T2互不相同。通过如此地使检测间隔不为一定，能够对应于所有的外光的闪烁周期。
进而为一种半导体器件，其特征为：前述光传感器为将前述外光照度变换成电流的元件；前述检测电路是：在每次前述检测周期的开始将连接有前述光传感器的节点的一端复位成初始电位，通过对前述节点的电位变化进行检测而进行前述检测工作的电路。如此的检测电路即使来自光传感器的输出电流微弱也可以以高精度进行检测，但是因为需要一定的检测工作期间，所以容易受外光的闪烁的影响，适合应用本实施例。
进而本发明为以：前述光传感器为采用了薄膜多晶硅的PIN结二极管或PN结二极管为特征的半导体器件。如此的光传感器可以低成本地制造于液晶显示装置上，但是因为光电流效率低，所以适合应用本实施例。
而且本发明为采用了这些半导体器件的显示装置，和采用了该显示装置的电子设备。因为在所有的环境下内置高精度的光传感器，所以能够提供即使在室内也能适当地对像质、辉度进行调整，可视性高、消耗电力少而电池驱动时间长的装置。并且，此时，若是显示的帧周期为前述时间间隔T1的整数倍的显示装置，则信号生成容易而成本低廉。
附图说明
图1是本发明的实施例中的液晶显示装置910的立体图。
图2是本发明的第1实施例中的有源矩阵基板101的构成图。
图3是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素电路图。
图4是表示本发明的电子设备的实施例的框图。
图5是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素部的俯视图。
图6是沿图5的A-A’的剖面图。
图7是沿图5的B-B’的剖面图。
图8是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-1、遮光传感器350D-1的俯视图。
图9是沿图8的C-C’的剖面图。
图10是沿图8的D-D’的剖面图。
图11是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-1～350P-6、遮光传感器350D-1～350D-6的等效电路图。
图12是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-1～350P-6、遮光传感器350D-1～350D-6的简化了的等效电路图。
图13是表示构成本发明的第1实施例中的受光传感器350P-1～350P-6、遮光传感器350D-1～350D-6的PIN二极管的特性的曲线图。
图14是本发明的第1实施例中的检测电路360的电路图。
图15是用于对本发明的现有问题进行说明的定时图。
图16是用于对本发明的现有问题进行说明的第2定时图。
图17是用于对本发明的效果进行说明的定时图。
图18是本发明的实施例中的外部光的检测照度与背光源辉度的设定图。
图19是用于半透射液晶显示装置的外部光的检测照度与背光源辉度的设定图。
图20是本发明的第2实施例中的布线RST的信号电位的定时图。
符号说明
101...有源矩阵基板，102...伸出部，201-1～201-480...扫描线，202-1～202-1920...数据线，301...扫描线驱动电路，302...数据线驱动电路，320...信号输入端子，330-1～330-2...对向导通部，335...共用电位布线，350P-1～350P-6...受光传感器(本发明的“第1光传感器”之一例)，350D-1～350D-6...遮光传感器(本发明的“第2光传感器”之一例)，360...检测电路(本发明的“光检测部”之一例)，361...自校正电压电路，611P-1～611P-6、611D-1～611D-6...背光源遮光电极，612P-1、612D-1...透明电极，781...中央运算电路，784...外部电源电路，910...液晶显示装置，911...液晶面板(本发明的“面板”之一例)，912...对向基板(本发明的“第2基板”之一例)，922...向列相液晶材料，923...密封材料，926...背光源单元，927...导光板，940...黑矩阵，990-1～990-6...受光开口部，LA...外光，LB...背光源光。
具体实施方式
以下，关于本发明中的电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备的实施方式，基于附图而进行说明。
第1实施方式
图1是本实施例中的液晶显示装置910的立体构成图(部分剖面图)。液晶显示装置910，具备：使有源矩阵基板101与对向基板912通过密封材料923以一定的间隔相贴合，夹持有向列相液晶材料922的液晶面板911。在有源矩阵基板101上虽然未图示，但是涂敷有由聚酰亚胺等构成的取向材料，对其进行摩擦处理而形成取向膜。并且，对向基板912，虽然未图示，但是形成有：对应于像素的滤色器，由用于防止光泄漏、使对比度提高的低反射、低透射率树脂构成的黑矩阵940，和与有源矩阵基板101上的对向导通部330-1～330-2相短路的被供给共用电位的以ITO膜形成的对向电极930。在与向列相液晶材料922相接触的面涂敷由聚酰亚胺等构成的取向材料，在与有源矩阵基板101的取向膜的摩擦处理的方向相正交的方向被实施摩擦处理。
进而在对向基板912的外侧、有源矩阵基板101的外侧，分别配置上偏振板924、下偏振板925，并且互相的偏振方向相正交地(十字尼科耳状)进行配置。进而在下偏振板925下，配置背光源单元926与导光板927，从背光源单元926朝向导光板927照射光，导光板927通过使来自背光源单元926的光朝向有源矩阵基板101变成垂直且均匀的面光源地使光进行反射弯折而作为液晶显示装置910的光源起作用。背光源单元926，虽然在本实施例中为LED单元，但是也可以为冷阴极管(CCFL)。虽然背光源单元926通过连接器929而连接于电子设备主体、被供给电源，但是在本实施例中具有通过将电源调整为适宜恰当的电流、电压而调整来自背光源单元926的光量的功能。
虽未图示，但是进而相应于需要，既可以以外壳覆盖周围，或者也可以在上偏振板924的上方安装保护用的玻璃、丙烯酸板，还可以为了视场角改善而贴附光学补偿膜。
并且，在液晶显示装置910的外周部设置光传感器受光开口部990。并且，有源矩阵基板101，设置有从对向基板912伸出的伸出部102，对处于该伸出部102的信号输入端子320，安装FPC(柔性基板)928而电连接。FPC(柔性基板)928连接于电子设备主体，供给必需的电源、控制信号等。
进而在液晶显示装置910上设置6个光传感器的受光开口部990-1～990-6。该受光开口部990-1～990-6通过部分去除对向电极930上的黑矩阵940所形成，使外部的光到达有源矩阵基板101上。各受光开口部990-1～990-6的周围并不去除对向电极930上的黑矩阵940地形成，使外光不到达有源矩阵基板101上。
图2是有源矩阵基板101的框图。在有源矩阵基板101上，480条扫描线201-1～201-480与1920条数据线202-1～202-1920相正交所形成，480条电容线203-1～203-480与扫描线201-1～201-480并行地所配置。电容线203-1～203-480相互短路，与共用电位布线335相连接，进而与2个对向导通部330-1～330-2相连接，而由信号输入端子320被供给0V～5V的反相信号、反相时间为47.6μ秒的共用电位。扫描线201-1～201-480连接于扫描线驱动电路301，并且数据线202-1～202-1920连接于数据线驱动电路302，分别适当地被驱动。并且扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302从信号输入端子320被供给在驱动中必需的信号。信号输入端子320配置于伸出部102上。另一方面，扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302配置于与对向基板912相重叠的区域、即配置于伸出部102外。扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302，通过由低温多晶硅TFT工艺而在有源矩阵基板上集成在驱动中必需的电路功能的玻璃上系统(SOG，System OnGlass)技术，通过在有源矩阵基板上集成多晶硅薄膜晶体管所形成，成为以与后述的像素开关元件401-n-m同一工序所制造的，所谓的驱动电路内置型的液晶显示装置。
并且在与6个受光开口部990-1～990-6俯视重叠的区域分别形成6个受光传感器350P-1～350P-6，与其交替地形成6个遮光传感器350D-1～350D-6。该受光传感器350P-1～350P-6与遮光传感器350D-1～350D-6也通过玻璃上系统(SOG)技术，形成于有源矩阵基板上。通过如此地在玻璃基板上以与像素开关元件401-n-m同一工序进行制造，能够降低制造成本。
虽然受光传感器350P-1～350P-6与受光开口部990-1～990-6俯视重叠而外光到达传感器，但是遮光传感器350D-1～350D-6并不与受光开口部990-1～990-6俯视重叠，外光以对向电极930上的黑矩阵940所吸收而几乎不到达。受光传感器350P-1～350P-6与布线PBT、布线VSH、布线SENSE相连接；遮光传感器350D-1～350D-6与布线DBT、布线VSL、布线SENSE相连接。这些布线PBT、布线VSH、布线SENSE、布线DBT、布线VSL连接于检测电路360。检测电路360变换成对应于和来自受光传感器350P-1～350P-6与遮光传感器350D-1～350D-6的外光照度具有相关性的输出模拟电流的脉冲长度的二值输出信号OUT，并向信号输入端子320进行输出。并且，布线VCHG、布线RST、布线VSL、布线VSH也通过信号输入端子320供给于检测电路360。
详情进行后述，构成为：因为受光传感器350P-1～350P-6与背光源遮光电极611P-1～611P-6、遮光传感器350D-1～350D-6与背光源遮光电极611D-1～611D-6分别俯视重叠，分别被遮蔽来自背光源的光，所以外光的检测精度不会由于来自背光源的光而下降。并且，受光传感器350P-1～350P-6与透明电极612P-1～612P-6、遮光传感器350D-1～350D-6与透明电极612D-1～612D-6也重叠，检测精度也不会由于对显示区域310进行驱动时产生的电磁噪声而下降。因为通过这些构成，受光传感器350P-1～350P-6及遮光传感器350D-1～350D-6即使配置于显示区域310附近，检测精度也不下降，所以设计的自由度比现有的产品提高。在本实施例中受光开口部990-1～990-6的尺寸、即各受光传感器350P-1～350P-6上的黑矩阵940的开口尺寸设定为10mm×0.3mm，并且使从受光开口部990-1～990-6的端部到显示区域310的距离为0.5mm。
图3是以图2的点线310部表示的显示区域的第m条数据线202-m与第n条扫描线201-n的交叉部附近的电路图。在扫描线201-n与数据线202-m的各交点处形成由N沟道型场效应多晶硅薄膜晶体管构成的像素开关元件401-n-m，其栅电极连接于扫描线201-n，源、漏电极分别连接于数据线202-m与像素电极402-n-m。与像素电极402-n-m及同一电位短路的电极与电容线203-n形成辅助电容器403-n-m，并且当作为液晶显示装置被组装时，夹持液晶元件而与对向电极930(共用电极)仍然形成电容器。
在此，本实施例中的帧频为43.6Hz。即，各像素开关元件401-n-m每22.9m秒通过扫描线驱动电路310所选择，对各像素电极402-n-m每22.9m秒一次，写入极性交替地反相了的信号。
图4是表示本实施例的电子设备的具体的构成的框图。液晶显示装置910是以图1进行了说明的液晶显示装置，外部电源电路784、图像处理电路780通过FPC(柔性基板)928及连接器929将必需的信号与电源供给于液晶显示装置910。中央运算电路781通过外部I/F电路782取得来自输入输出设备783的输入数据。在此所谓输入输出设备783例如为键盘、鼠标、轨迹球、LED、扬声器、天线等。中央运算电路781基于来自外部的数据进行各种运算处理，将结果作为指令向图像处理电路780或者外部I/F电路782进行传送。图像处理电路780基于来自中央运算电路781的指令对图像信息进行更新，并通过改变送往液晶显示装置910的信号，使液晶显示装置910的显示图像发生变化。并且，来自液晶显示装置910上的检测电路360的二值输出信号OUT通过FPC(柔性基板)928输入于中央运算电路781，中央运算电路781将二值输出信号OUT的脉冲长度变换成相对应的离散值。接下来中央运算电路781访问由EEPROM(Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory，电可擦除可编程只读存储器)构成的参照表785，并将变换了的离散值再变换成对应于适当的背光源单元926的电压的值，并发送给外部电源电路784。外部电源电路784将对应于该所发送的值的电压的电位电源通过连接器929供给于液晶显示装置910内的背光源单元926。因为背光源单元926的辉度因由外部电源电路784所供给的电压而发生变化，所以液晶显示装置910的全白显示时辉度也发生变化。在此所谓电子设备具体地为监控器、TV、笔记本个人计算机、PDA、数字相机、摄像机、便携电话机、便携相片浏览器、便携视频播放器、便携DVD播放器、便携音频播放器等。
还有，虽然在本实施例中通过电子设备上的中央运算电路781对背光源单元926的辉度进行了控制，但是也可以例如为在液晶显示装置910内具备有驱动器IC及EEPROM的构成，并使该驱动器IC具有从二值输出信号OUT向离散值的变换功能、参照EEPROM的再变换功能、对向背光源单元926的输出电压进行调整的功能。并且，也可以不用参照表，而通过数值计算从离散值再变换成对应于背光源单元926的电压的值地构成。
图5是表示以图3表示的像素显示区域的电路图的实际的构成的俯视图。如示于图5的凡例地，各网纹不同的部位表示其为各自不同的材料布线，并且以相同的网纹表示的部位表示其为相同的材料布线。由铬薄膜(Cr)、多晶硅薄膜(Poly-Si)、钼薄膜(Mo)、铝钕合金薄膜(AlNd)、氧化铟锡薄膜(Indium Tin Oxiced＝ITO)的5层薄膜所构成，在各自的层间形成氧化硅、氮化硅、有机绝缘膜的任何膜或者叠层了它们的绝缘膜。具体地，铬薄膜(Cr)膜厚为100nm、多晶硅薄膜(Poly-Si)膜厚为50nm、钼薄膜(Mo)膜厚为200nm、铝钕合金薄膜(AlNd)膜厚为500nm、氧化铟锡薄膜(ITO)膜厚为100nm。并且，在铬薄膜(Cr)与多晶硅薄膜(Poly-Si)之间形成叠层有100nm的氮化硅膜与100nm的氧化硅膜的基底绝缘膜，在多晶硅薄膜(Poly-Si)与钼薄膜(Mo)之间形成由100nm的氧化硅膜构成的栅绝缘膜，在钼薄膜(Mo)与铝钕合金薄膜(AlNd)之间形成叠层有200nm的氮化硅膜与500nm的氧化硅膜的层间绝缘膜，在铝钕合金薄膜(AlNd)与氧化铟锡薄膜(ITO)的之间形成叠层有200nm的氮化硅膜与平均1μm的有机平坦化膜的保护绝缘膜，使布线间互相绝缘，在适当的位置开设接触孔而将它们互相连接。还有，在图5中并不存在铬薄膜(Cr)图形。
如以图5表示地，数据线202-m通过铝钕合金薄膜(AlNd)所形成，通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的源电极。扫描线201-n以钼薄膜(Mo)所构成，兼用作像素开关元件401-n-m的栅电极。电容线203-n由与扫描线201-n相同的布线材料所构成，像素电极402-n-m由氧化铟锡薄膜构成，通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的漏电极。并且，像素开关元件401-n-m的漏电极也连接于通过高浓度掺杂有磷的n+型多晶硅薄膜构成的电容部电极605，与电容线203-n俯视相重叠而构成辅助电容器403-n-m。
图6是表示液晶显示装置910的、对应于用于对像素开关元件401-n-m的结构进行说明的图5的A-A’线部分的一部分的剖面结构的图。还有，为了使图易看而比例尺并不一定。有源矩阵基板101是由无碱玻璃构成的厚度为0.6mm的绝缘基板，在其上通过叠层有200nm的氮化硅膜与300nm的氧化硅膜的基底绝缘膜而配置有由多晶硅薄膜构成的硅岛(siliconisland)602，扫描线201-n与硅岛602夹持前述的栅绝缘膜而配置于上方。在与扫描线201-n相重叠的区域中，硅岛602为完全不掺杂、或者只掺极低浓度磷离子的本征半导体区域602I，在其左右存在低浓度地掺杂有磷离子的薄层(sheet)电阻为20kΩ程度的n-区域602L、并进而在其左右存在高浓度地掺杂有磷离子的薄层电阻为1kΩ程度的n+区域602N的，LDD(Lightly Doped Drain，轻掺杂漏)结构。左右的n+区域602N通过分别形成于层间绝缘膜的接触孔而与源电极603、漏电极604相连接，源电极603与数据线202-m、漏电极604与形成于平坦化绝缘膜上的像素电极402-n-m分别相连接。在像素电极402-n-m与对向基板912上的对向电极930之间存在向列相液晶材料922。并且，与像素电极402-n-m一部分重叠地在对向基板912上形成黑矩阵940。还有，在像素开关元件401-n-m的光泄漏电流成为问题的情况下，也可以在硅岛602下形成由Cr膜构成的遮光层。因为在本实施例中，光泄漏电流基本不是问题，且若采取如此的结构，则像素开关元件401-n-m的迁移率下降，所以选择了去除硅岛602下的Cr膜的构成。
图7是表示液晶显示装置910的、对应于用于对辅助电容器403-n-m的结构进行说明的图5的B-B’线部分的一部分的剖面结构的图，与漏电极604相连的电容部电极605和电容线203-n通过夹持栅绝缘膜相重叠而形成存储电容。
图8是受光传感器350P-1(第1光传感器)与遮光传感器350D-1(第2光传感器)附近的放大俯视图。还有，为了使图易看，而使纵向与横向的比例尺并不一定。并且，凡例与图5同样。受光传感器350P-1与以粗点线表示的受光开口部990-1俯视重叠，使得被外光照射。受光传感器350P-1通过：4处孤立的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线SENSE的阳极区域350P-1P，和连接于布线VSH的阴极区域350P-1N所构成。受光部350P-1I、阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N都通过同一多晶硅薄膜岛根据掺杂浓度不同被分离所构成，阳极区域350P-1P被掺杂比较高浓度的硼离子，阴极区域350P-1N被掺杂比较高浓度的磷离子，受光部350P-1I只以极低浓度包括硼、磷离子。并且，阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N、受光部350P-1I宽度分别为10μm，受光部350P-1I的长度分别为1000μm。如此地受光传感器350P-1构成多个并联连接的PIN结二极管。虽然在受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1的接近于显示区域310侧配置共用电位布线335，但是在本实施例中其并不连接于受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1，为了避免电磁噪声的影响而离开100μm地进行配置。
遮光传感器350D-1通过：4处孤立的受光部350D-1I、相邻于其的连接于布线VSL的阳极区域350D-1P，和连接于布线SENSE的阴极区域350D-1N所构成。因为除了连接负级与阳极的布线不同，和不与受光开口部990-1俯视重叠以外，受光传感器350P-1与遮光传感器350D-1为同一构成，所以对除此以外的说明进行省略。并且，因为受光传感器350P-2～350P-5与受光传感器350P-1、遮光传感器350D-2～350D-5与遮光传感器350D-1，除了配置位置以外分别为同样的构成，所以对说明进行省略。
图9是表示液晶显示装置910的、对应于用于对受光传感器350P-1的结构进行说明的图8的线C-C’线部分的一部分的剖面结构的图。在有源矩阵基板101上通过基底绝缘膜配置背光源遮光电极611P-1(第1遮光电极)，在其上夹持栅绝缘膜形成由薄膜多晶硅构成的受光传感器350P-1。受光传感器350P-1通过：4处孤立的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线VSL的阳极区域350P-1P，和连接于布线SENSE的阴极区域350P-1N所构成，正如前述。在受光传感器350P-1的上方通过层间绝缘膜、平坦化绝缘膜配置由氧化铟锡薄膜(ITO)构成的透明电极612P-1(第1透明电极)，作为相对于受光部350P-1I的电场屏蔽器件而起作用。
透明电极612P-1的上方被封入向列液晶材料922，配置有对向基板912上的对向电极930。还有，有时也根据受光传感器350P-1的配置位置而配置密封材料923代替向列液晶材料922。受光开口部990-1通过部分去除对向基板912上的黑矩阵940所形成。虽未图示，但是因为在遮光传感器350D-1上并不存在受光开口部，所以不去除黑矩阵940。
成为下述构成：从对向基板912的上方照射外光LA，另一方面，从有源矩阵基板101的下方照射来自背光源单元926的光(背光源光LB)。
还有，虽然在本实施例中并未实施，但是也可以在受光开口部990-1放置光学校正层。例如也可以与受光开口部990-1相重叠而形成构成形成于对向基板912的对应于像素的滤色器的色材之中的一种或者几种，使视见度分光特性与受光传感器350P-1更加一致。例如若重叠于受光开口部990-1上而形成对应于绿色的像素的色材，则因为对短波长与长波长侧进行截去，所以即使受光传感器350P-1的分光特性与视见度分光特性相比向短波长或者长波长偏离，也能够进行校正。此外，可以相应于目的而使受光开口部990-1部与反射防止膜、干涉层、偏振层等相重叠。并且，虽然在本图中并未图示，但是上偏振板924既可以与受光开口部990-1相重叠，也可以去掉。虽然相重叠的一方的受光开口部990-1变得不明显，但是若去掉则感光灵敏度提高。
因为在本实施例中，液晶显示装置910为了实现低消耗电力化，而进行在共用电位布线335施加反相信号的共用电极反相驱动(共用AC驱动)，所以在对向电极930施加振幅为0V～5V、频率为14KHz的AC信号。但是因为由对向电极930产生的电磁波通过透明电极612P-1所屏蔽，所以当对向电极930反相时，几乎不对受光传感器350P-1施加噪声。同样地对于来自下方的电磁噪声，背光源遮光电极611P-1作为屏蔽器件而起作用。
图10是表示液晶显示装置910的、对应于图8的线D-D’线部分的一部分的剖面结构的图。形成于基底绝缘膜上的背光源遮光电极611P-1(第1遮光电极)与背光源遮光电极611D-1(第2遮光电极)通过遮光电极间隙611G互相离开，被提供各自的电位。并且形成于平坦化绝缘膜上的透明电极612P-1(第1透明电极)与透明电极612D-1(第2透明电极)也通过透明电极间隙612G互相离开，被提供各自的电位。背光源遮光电极611P-1与透明电极612P-1相互通过中间电极613P-1和形成于栅绝缘膜、层间绝缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔而连接，最终连接于布线PBT。背光源遮光电极611D-1与透明电极612D-1相互通过中间电极613D-1和形成于栅绝缘膜、层间绝缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔而连接，最终连接于布线DBT。
在此遮光电极间隙611G与透明电极间隙612G在有源矩阵基板101及对向基板912的铅垂方向上互不重叠。若如此地构成，则因为平面性地上下都不存在未受屏蔽的区域，所以从间隙进入的电磁噪声难以左右扩展，能够减轻由间隙引起的屏蔽性能的降低。
并且，与遮光电极间隙611G相重叠地形成由钼薄膜(Mo)构成的间隙遮光体610。由此，能够显著地减小：通过遮光电极间隙611G进入的背光源光以各种绝缘膜、玻璃的界面等所多次反射，成为杂散光而到达受光传感器350P-1、遮光传感器350D-1的比例。
图11为如以上的构成的受光传感器350P-1～350P-6、遮光传感器350D-1～350D-6的等效电路图。各受光传感器350P-1～350P-6、遮光传感器350D-1～350D-6，分别并联连接4个PIN二极管。并且，各受光传感器350P-1～350P-6也互相并联连接，遮光传感器350D-1～350D-6也互相并联连接。所以最终图11与图12的电路图等效。即，遮光传感器350D-1～350D-6为沟道宽度为24000μm、沟道长度为10μm的PIN二极管，其阳极连接于布线VSL，其阴极连接于布线SENSE。并且，与遮光传感器350D-1～350D-6俯视重叠的背光源遮光电极611D-1～611D-6及透明电极612D-1～612D-6连接于布线DBT。受光传感器350P-1～350P-6为沟道宽度为24000μm、沟道长度为10μm的PIN二极管，其阳极连接于布线SENSE，其阴极连接于布线VSH。并且，与受光传感器350P-1～350P-6俯视重叠的背光源遮光电极611P-1～611P-6及透明电极612P-1～612P-6连接于布线PBT。
图13是表示当一定的外光照度LX照射于液晶显示装置910时的构成受光传感器350P-1～350P-6与遮光传感器350D-1～350D-6的PIN二极管的特性的曲线图。横轴为偏置电位Vd(＝阳极电位-阴极电位)，纵轴为流通阳极-阴极间的电流量Id。以实线表示的曲线(A)为受光传感器350P-1～350P-6的特性，以虚线表示的曲线(B)为遮光传感器350D-1～350D-6的特性。如此地虽然在正向偏置区域(Id＞0)中二者基本相一致，但是在反向偏置区域(Id＜0)中受光传感器350P-1～350P-6的曲线(B)的一方的电流的绝对值变大。这是因为以下原因：虽然因为外光未照射于遮光传感器350D-1～350D-6，所以仅流通起因于温度的热电流量Ileak，但是因为若光照射于构成受光传感器350P-1～350P-6的PIN二极管的受光部350P-1I～350P-6I则生成载流子对，流通光电流量Iphoto，所以在受光传感器350P-1～350P-6中流通光电流量与热电流量之和、Iphoto+Ileak。热电流量Ileak表示Vd(＝阳极电位-阴极电位)相关性，并能够在-5.0≤Vd≤-1.5的区域中作为斜率为KA(KA＞0)的直线进行近似。在此，KA为相对于温度的函数，若温度升高则指数函数性地上升。在该Vd区域(Vd＝-5.0≤Vd≤-1.5)中流通于受光传感器350P-1～350P-6的光电流量Iphoto具有基本一定的值，正比于外光照度LX(以下，设为Iphoto＝LX×k)。所以，流通于受光传感器350P-1～350P-6的电流(曲线(A))、流通于遮光传感器350D-1～350D-6的电流(曲线(B))，在-5.0≤Vd≤-1.5的区域中都为斜率为KA(KA＞0)的直线。
在此，若使受光传感器350P-1～350P-6与遮光传感器350D-1～350D-6的Vd变得相同地对偏置电位进行设定、即将布线SENSE的电位VSENSE设定为作为布线VSH的电位VVSH与布线VSL的电位VVSL的正好中间值的(VVSH+VVSL)÷2，则流通于受光传感器350P-1～350P-6与遮光传感器350D-1～350D-6的热电流量Ileak完全相一致。此时，因为流通于布线VSH的电流量(＝流通于受光传感器350P-1～350P-6的电流量)为Iphoto+Ileak，流通于布线VSL的电流量(＝流通于遮光传感器350D-1～350D-6的电流量)为Ileak，所以根据基尔霍夫第1定律，流通于布线SENSE的电流量成为Iphoto＝LX×k，正比于外光照度LX。还有虽然在实施例中将受光传感器连接于高电位侧，将遮光传感器连接于低电位侧，但是不用说即使为其它方式也无妨，结论相同。
图14是检测电路360的电路图。布线VCHG、布线RST、布线VSL、布线VSH、布线OUT与信号输入端子320相连接，并且布线VSL、布线VSH、布线SENSE、布线PBT、布线DBT连接于受光传感器350P-1～350P-6及遮光传感器350D-1～350D-6。在此布线VCHG、布线VSL、布线VSH连接于由外部电源电路784所供给的DC电源，VCHG布线被供给电位VVCHG(＝2.0V)，VSL布线被供给电位VVSL(＝0.0V)，VSH布线被供给电位VVSH(＝5.0V)。还有，在此VSL布线的电位VVSL为液晶显示装置910的GND。
布线SENSE连接于第1电容器C1与第3电容器C3的各一端。并且，连接于初始充电晶体管NC的漏电极。第3电容器C3的另一端连接于布线VSL。第1电容器C1的另一端连接于节点A。初始充电晶体管NC的源电极连接于布线VCHG，被供给电位VVCHG(＝2.0V)电源。初始充电晶体管NC的栅电极连接于布线RST。节点A还连接于第1N型晶体管N1的栅电极与第1P型晶体管P1的栅电极与复位晶体管NR的漏电极，还连接于第2电容器C2的一端。第2电容器C2的另一端连接于布线RST。
第1N型晶体管N1的漏电极与第1P型晶体管P1的漏电极与复位晶体管NR的源电极连接于节点B，节点B还连接于第2N型晶体管N2的栅电极与第2P型晶体管P2的栅电极。第2N型晶体管N2的漏电极与第2P型晶体管P2的漏电极连接于节点C，节点C还连接于第3N型晶体管N3的栅电极与第3P型晶体管P3的栅电极。第3N型晶体管N3的漏电极与第3P型晶体管P3的漏电极连接于节点D，节点D还连接于第4N型晶体管N4的栅电极与第4P型晶体管P4的栅电极。第4N型晶体管N4的漏电极与第4P型晶体管P4的漏电极连接于布线OUT，布线OUT也连接于第5N型晶体管N5的漏电极。第5N型晶体管N5的栅电极与第5P型晶体管P5的栅电极连接于布线RST，第5P型晶体管P5的漏电极连接于第4P型晶体管P4的源电极。第1～第5N型晶体管N1～N5的源电极连接于布线VSL，被供给电位VVSL(＝0V)。并且第1～第3P型晶体管P1～P3以及第5P型晶体管P5的源电极连接于布线VSH，被供给电位VVSH(＝+5V)。
并且，在检测电路360还具备对施加于布线PBT与布线DBT的电位根据晶体管的阈值电压(Vth)自动地进行校正的自校正电压电路361。自校正电压电路361构成为：第6N型晶体管N11、与第6P型晶体管P11的漏电极及栅电极分别连接于布线PBT；第7N型晶体管N21、与第7P型晶体管P21的漏电极及栅电极分别连接于布线DBT；第6N型晶体管N11、与第7N型晶体管N21的源电极连接于布线VSL而被供给电位VVSL(＝0V)；第6P型晶体管P11、与第7P型晶体管P21的源电极连接于布线VSH，被供给电位VVSH(＝+5V)。
并且，检测电路360通过以与构成像素电极402-n-m的氧化铟锡薄膜(ITO)为同一膜所形成的屏蔽电极369而覆盖整面。屏蔽电极369通过布线VSL连接于液晶显示装置910的GND电位，作为对于电磁噪声的屏蔽器件而起作用。
在此在本实施例中，第1N型晶体管N1的沟道宽度为10μm，第2N型晶体管N2的沟道宽度为35μm，第3N型晶体管N3的沟道宽度为100μm，第4N型晶体管N4的沟道宽度为150μm，第5N型晶体管N5的沟道宽度为150μm，第6N型晶体管N11的沟道宽度为4μm，第7N型晶体管N21的沟道宽度为200μm，第1P型晶体管P1的沟道宽度为10μm，第2P型晶体管P2的沟道宽度为35μm，第3P型晶体管P3的沟道宽度为100μm，第4P型晶体管P4的沟道宽度为300μm，第5P型晶体管P5的沟道宽度为300μm，第6P型晶体管P11的沟道宽度为200μm，第7P型晶体管P21的沟道宽度为4μm，复位晶体管NR的沟道宽度为2μm，初始充电晶体管NC的沟道宽度为50μm，所有的N型晶体管的沟道长度都为8μm，所有的P型晶体管的沟道长度都为6μm，所有的N型晶体管的迁移率都为80cm2/Vsec，所有的P型晶体管的迁移率都为60cm2/Vsec，所有的N型晶体管的阈值电压(Vth)都为+1.0V，所有的P型晶体管的阈值电压(Vth)都为-1.0V，第1电容器C1的电容值为1pF，第2电容器C2的电容值为100fF，第3电容器C3的电容值为100pF。
布线RST为电位振幅为0-5V的脉冲波，在每周期22.9m秒中，在脉冲长度为100μ秒期间保持为高电位(5V)，在剩余的22.8m秒期间保持为低电位(0V)地通过图像处理电路780所驱动。若RST布线每22.9m秒成为高(5v)，则初始充电晶体管NC与复位晶体管NR导通，对布线SENSE充电VCHG布线的电位(2.0V)，节点A与节点B发生短路。因为第1N型晶体管N1与第1P型晶体管P1构成反相器电路，所以反相器电路的IN/OUT被短路。此时，节点A与节点B的电位最终达到由以下的数式所表示的电位VS(详细的计算例如参照Kang Leblebici著“CMOSDigital Integrated Circuits”Third Edition P206等)。
式1
VS＝〔Vthn+SQRT(WpLnμp/WnLpμn)×(VVSH-VVSL+Vthp)〕/〔1+SQRT(WpLnμp/WnLpμn)〕
在此，因为Wn：为第1N型晶体管N1的沟道宽度，Ln：为第1N型晶体管N1的沟道长度，μn：为第1N型晶体管N1的迁移率，Vthn：为第1N型晶体管N1的阈值电压，Wp：为第1P型晶体管P1的沟道宽度，Lp：为第1P型晶体管P1的沟道长度，μp：为第1P型晶体管P1的迁移率，Vthp：为第1P型晶体管P1的阈值电压，所以在本实施例中计算为VS＝2.5(v)。还有，布线RST为高(5V)期间，因为第5N型晶体管N5导通、且第5P型晶体管P5截止，所以OUT布线为0V。
若RST布线在100μ秒后变成低(0V)，则复位晶体管NR截止、节点A与节点B电断开。此时，若节点A的电位比VS低，则以第1N型晶体管N1与第1P型晶体管P1所构成的反相器电路将比VS高的电位输出于节点B，若节点A的电位比VS高则将比VS低的电位输出于节点B。第2N型晶体管N2与第2P型晶体管P2及第3N型晶体管N3与第3P型晶体管P3也分别构成反相器电路，同样地若输入级的电位比VS低将比VS高的电位输出，若输入级的电位比VS高则将比VS低的电位输出。此时，输出级的电位与VS之差变得比输入级的电位与VS之差大，向布线VSH的电位VVSH(＝+5V)或布线VSL的电位VVSL(＝0V)靠近。结果，若节点A的电位比VS低，则节点D基本成为VSH布线的电位VVSH(＝+5V)，若节点A的电位比VS高，则节点D基本成为VSL布线的电位VVSL(＝0V)。因为第4及第5N型晶体管N4、N5，第4及第5P型晶体管P4、P5构成“或非”电路，所以在RST布线的电位为低(0V)期间，若节点D为高(+5V)则将低(0V)、若节点D为低(0V)则将高(+5V)，分别向布线OUT进行输出。即，在RST布线的电位为低(0V)期间，若节点A的电位比VS低，则向布线OUT的输出为低(0V)，若节点A的电位比VS高，则向布线OUT的输出为高(+5V)。
节点A如前述地，虽然RST布线成为低(0V)而复位晶体管NR截止、节点A与节点B电断开，但是与此同时由于第2电容器C2的耦合而使电位与布线RST同时下降。在此，若第1电容器C1的电容值CC1(＝1pF)比第2电容器C2的电容值CC2(＝100fF)及第1N型晶体管N1、第1P型晶体管P1、复位晶体管NR的栅-漏间电容值(在本实施例中都为10fF以下)足够大，并且若复位晶体管NR的写入阻抗与第1电容器C1的电容值之积(在本实施例中约为1μ秒)比布线RST的电位的下降沿期间(在本实施例中为100n秒)足够大，则当布线RST变成低(0V)时(以下，设此时间为t＝0)的节点A的电位(以下，设为VA(t))可由以下的式表示。
式2
VA(t＝0)＝VS-(CC2/CC1)×(VVSH-VVSL)
在本实施例中成为VA(t＝0)＝2.0V。此时，加于受光传感器350P-1的偏置电位为Vd＝-3.0V，加于遮光传感器350D-1的偏置电位为Vd＝-2.0V。如根据图13的说明而明了地，此时，构成受光传感器350P-1与遮光传感器350D-1的PIN二极管的热电流量Ileak之差可由KA ×1.0所表示。从而，在布线SENSE中流通着对相应于照射到受光传感器350P-1的外光的光电流量Iphoto增加了电流量KA×1.0的电流。在此，若KA＜＜Iphoto则流通于布线SENSE的电流量能够近似为仅Iphoto，能够去掉热电流的影响。在本实施例中工作保证温度上限的70℃时的KA与照度10勒克斯下的Iphoto变得相等。由此，若外光照度为100勒克斯以上则在工作保证温度范围内能够有效地去除热泄漏电流。
在此外光与Iphoto的关系如前述地，在该偏置条件下外光正比于照射受光传感器350P-1的外光照度LX而与Vd无关地成为Iphoto＝LX·k(k为一定的系数)。若RST布线成为低(0V)，则因为节点A为浮置状态，所以如果忽略第2电容器C2的电容值CC2及第1N型晶体管N1、第1P型晶体管P1的栅-源间电容则有效的电容值基本上成为仅第3电容器C3的电容值CC3，布线SENSE的电位VSENSE如由以下的式表示地发生变化。
式3
VSENSE(t)＝VVCHG+(LX×k/CC3)×t
还有，在此为了说明，忽略在受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1、及引绕布线的附加电容值而进行说明。这些附加电容值的量加到上述的CC3即可。并且，在受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1、及引绕布线的附加电容值足够大的情况下，也可以不设置第3电容器C3。从而，CC3的值根据受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1、及引绕布线的附加电容值而确定下限。
若VSENSE(t)发生变化，则VA(t)因电容耦合而变化相同的电位量。从而，节点A的电位VA可由如以下的式所表示。
式4
VA(t)＝VS-(CC2/CC1)×(VVSH-VVSL)+(LX×k/CC3)×t
在此成为VA(t)＝VS的时间t0，可由如以下的式所表示。
式5
t0＝(CC2×CC3/(CC1×LX×k))×(VVSH-VVSL)
即，在时间t0，OUT输出从低(0V)向高(5V)进行反相，根据该时间t0容易求出外光照度LX。
检测电路360在RST布线为低(0V)期间，节点A成为浮置状态，若在此电磁噪声进入而节点A的电位发生变化，则发生误工作。从而，电磁噪声的防止极其重要，为此而配置屏蔽电极369。
如本构成的横向结构的PIN型二极管、PN型二极管存在光电流量Iphoto相对于垂直方向的电场发生变化的问题。若对于本实施例具体而言，则连接于布线PBT的透明电极612P-1～612P-6与背光源遮光电极611P-1～611P-6的电位(以下，为VPBT)、连接于布线DBT的透明电极612D-1～612D-6与背光源遮光电极611P-1～611P-6的电位(以下，为VDBT)分别影响受光传感器350P-1～350P-6的特性、遮光传感器350D-1～350D-6的特性。VPBT及VDBT的最佳电位虽然由于制造不一致而按每个产品不同，但是它们与薄膜晶体管的阈值(Vth)具有强的相关性。在本实施例中采用：将基于薄膜晶体管的阈值(Vth)对电压进行了自校正的电位VPBT与电位VDBT分别施加于布线PBT与布线DBT的自校正电压电路361。在本实施例的制造不一致中的平均的值中，VthN＝+1.0V、VthP＝-1.0V，此时自校正电压电路361对布线PBT施加3.6V，对布线DBT施加1.4V。因为在受光传感器350P-1～350P-6中阴极与布线VSH相连接而为5.0V，所以背光源遮光电极611P-1～611P-6及透明电极612P-1～612P-6与阴极的电位差成为-1.4V，其成为得到光电流的最佳电位。晶体管的特性因制造不一致而发生变动，并且例如若VthN＝+1.5、VthP＝-0.5则对布线PBT施加4.1V、对布线DBT施加1.9V。同样地例如若VthN＝+0.5、VthP＝-1.5则分别对布线PBT、布线DBT施加3.1V、0.9V。因为不管在哪种情况下若晶体管的阈值发生变动则与其相应地施加于布线PBT与布线DBT的电位VPBT、VDBT也都发生变动，所以总是基本最大地得到光电流。
虽然在至此为止的说明中，使外光照度LX固定而对其进行了说明，但是在辉光式荧光灯下等环境光周期性地闪烁。若荧光灯的电源为正弦波，照度正比于瞬时电压，则作为时间t’的函数的外光照度LX(t’)可由以下的式所表示。
式6
LX(t’)＝LX0×|SIN(2π(t’+Δt)/TH)|
在此TH为电源周期，即几乎在全世界都为1/50或1/60秒。式6成为具有TH/2即1/100秒或1/120秒的周期的波形。在此周期并非TH而变成TH/2，是因为不管电位为正还是为负、照度都相同，因为电位变成0的瞬间在期间TH之中存在2次(电位从正变成负的瞬间与电位从负变成正的瞬间)。Δt为从荧光灯的电源电位最终变成0而照度变成0的瞬间到RST信号成为低(0V)而检测电路360开始检测的期间，为0～TH/2的随机值。
若考虑如此的LX(t’)的时间性变化，则式4如以下地所变形。
式7
VA(t)＝VS-(CC2/CC1)×(VVSH-VVSL)+(k×LX0/CC3)∫0 t|SIN(2π(t’+Δt)/TH)|dt’
如根据以上的数式可知地，因为VA(t)的值与Δt相关而进行变动，因为VA(t0)＝VS的时间t0也与Δt相关，所以随机产生不一致而精度下降。因为t0越小该精度降低越大，所以灵敏度越高的传感器越显著。为了避免如此的精度降低可以进行多次测定，而取平均值。但是若当在第1次检测中Δt＝Δt0时，设RST信号的周期为TR(时间间隔T1)，则在第2次的定时中Δt成为对Δt0加上TR与TH/2的余数的数值。即，若TR为TH/2的整数倍(余数为0)，则即使在第2次检测中也为Δt＝Δt0。如此地，若RST信号的周期为TH/2的整数倍则精度下降。对如此的问题点利用图15及图16具体地进行说明。
图15的曲线(A)为电源频率为50Hz时的AC电源。期间TH为20m秒。曲线(B)为此时的在辉光式荧光灯下的照度，具有10m秒的周期而闪烁。设在进行了计测的环境光下，其他光并不照射于液晶显示装置910。曲线(C)为布线RST的信号电位。在此布线RST的信号周期TR＝40m秒。首先在t＝0而RST信号从高(5V)变成低(0V)的定时时，外光照度LX＝0(Δt＝0)。此时，在t＝t0＝12m秒时从检测电路360所输出的布线OUT的电位进行了反相。虽然在接下来的检测期间中在t＝40m秒时RST信号再次从高(5V)变成低(0V)，但是因为TR为TH/2整数倍(4倍)，所以检测期间再次从照度为0的定时开始(Δt＝0)，t＝t0+TR＝52秒，即从RST信号从高(5V)变成低(0V)的定时以相同的t0＝12m秒进行反相。从而无论是第1次还是第2次检测照度都相同，不管以后重复几次结果都相同。
图16是在图15的测定后，在暂时再次加入电子设备的电源时的完全相同的环境光下的测定结果。各符号的说明与图15相同。因为再次加入电子设备的电源，所以定时微小地改变，这次在RST信号从高(5V)变成低(0V)的定时中外光照度LX为MAX(＝LX0)(Δt＝5m秒)。于是，因为照度从MAX状态开始，所以相比于以图15表示的定时，积分电流快速达到一定，并且布线OUT的反相比图15快而在t0＝10.3m秒进行了反相。因此，相比于图15的测定结果，照度计算出大17％。因为TR为相同的40m秒，即使在第2次也成为相同的检测结果，所以不管采样几次而取平均，结果仍然相同。
如此地，尽管外光条件完全相同，但是每次接通、关断开关而检测结果不一致最大竟达17％。检测时间(t0)越短该不一致越发显著。尤其显示装置大多以60Hz的帧频所驱动，若为了使生成信号的电路(在本实施例中为图像处理电路780)的构成简易而利用显示装置的驱动信号生成布线RST的信号，则TR成为1/60秒的整数倍的周期的情况很多，在AC电源为60Hz的地区容易发生上述的问题。
虽然在至此的例中，RST周期TR为TH÷2的整数倍的情况，但是在RST周期TR极其接近TH÷2的整数倍的情况下，检测结果变得具有长周期的起伏。因为例如若TH＝1/50秒、RST周期为TR＝1/101秒，则检测结果以1秒为周期缓慢地进行变化，所以若不进行1秒期间以上的采样则不能计算出正确的平均值，传感器的响应性变得非常差。如以上地，RST周期TR应当避免为1/100及1/120的整数倍及接近于其的值。
图17表示TR改善为TH/2的整数+0.5倍的情况。各符号的说明仍然与图15相同。在该例中TR＝35m秒。因为TH为20m秒并不改变，所以TR为TH/2的3.5倍。因为与图15同样地在t＝0时照度＝0而开始测定，所以在t0＝12m秒时计算出第1次的测定结果。但是因为TR为TH/2的整数+0.5倍，所以第2次测定从照度为MAX时开始。从而，在第2次测定中所检测到的时间t0为时间t0＝10.3秒。通过对该2次的结果进行平均，能够对以图15、图16进行了说明的不一致进行计算上平均而抑制为约41％。
但是，实际上存在TH为1/50秒的地区与为1/60秒的地区，若在所有的地区使TR成为TH/2的整数+0.5倍，则TR变得非常长。于是，可以为从1/100秒到1/120秒之间的值的整数+0.5倍。在本实施例中作为1/109秒的2.5倍而采用22.9m秒作为TR。在计算中，相比于取TR为TH/2的整数倍的情况(例如20m秒)，即使最低也能够按51％地抑制不一致。
当然，若是只在电力为50Hz或60Hz的地区使用的设备，则可以采用1/100秒或1/120秒的整数+0.5倍。并且，也可以具有2种TR，可以由图像处理电路780进行转换地构成。此时，转换既可以由用户进行，也可以由图像处理电路780自动转换。
在本实施例中，中央运算电路781对端子OUT的信号进行监视，并根据进行了反相的时间t0首先得到离散值V10。2次采样离散值V10，得到其平均值V10。根据该V10而对参照表785进行参照，得到对应于V10_的适当的背光源单元926的电压设定值V20。中央运算电路781通过将该V20值传送给外部电源电路784而改变背光源单元926的辉度。由此液晶显示装置910全白显示时辉度发生变化，对于用户而言通过抑制过量的辉度能够使辨认性提高并抑制消耗电力的增大。还有，采样次数也可以不是2次，只要是偶数可以为任意的次数。
虽然布线RST的信号由图像处理电路780所提供，但是因为液晶显示装置910的帧频与布线RST的信号周期相一致，所以布线RST的信号可以根据与用于扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302的驱动信号生成相同的基础时钟(base clock)容易地进行输出信号的生成。因此，用于布线RST的信号的电路规模不会变大，成本得到抑制。
在本实施例中，外部光的检测照度与背光源辉度的关系如图18地进行了设定。直至检测照度为300(勒克斯)而使背光源的照度缓慢上升，在300勒克斯以上使斜率比较大而升高照度。在检测照度为2000勒克斯，辉度成为MAX而以后成为相同的状态。若如此地进行设定，则能够当外光在300勒克斯以下而周围极暗、用户的瞳孔张开时将背光源抑制为不刺眼的程度，在300勒克斯～2000勒克斯的外光映入液晶面板的区域中一致于周围的明亮度，使辉度急速上升不使辨认性降低。
另一方面，在并非如本实施例地为透射型、而使用半透射型液晶的情况下，只要如图19地即可。因为虽然直至外光照度为5000勒克斯都同样，但是在其以上仅以反射部分就达到足够的辨认性，使背光源完全关闭，使得能够节约消耗电力，所以尤其在室外进行使用时，其搭载的电子设备的电池驱动时间显著地延长。
不用说，该控制曲线为一例，相应于用途，既可以进行各种曲线的设定，也可以为了抑制闪烁而使曲线具有滞后等。并且，也可以并非每次测定进行辉度调整，而进行多次测定，并取平均、中央值而对辉度进行调整等。
第2实施方式
图20是第2实施例中的布线RST电位的定时图。还有，使附图的易看性优先，比例尺并不一定。在本实施例中，RST信号变成高(5V)而第1检测期间开始的脉冲PS1、与第2检测期间开始的脉冲PS2的间隔为102m秒。接下来第3检测期间开始的脉冲PS3为脉冲PS2的99m秒后。并且接下来第4检测期间开始的脉冲PS4为脉冲PS3的105m秒后。接下来第5检测期间开始的脉冲PS5返回到脉冲PS4的102m秒后，此后，以306m秒为周期重复这些工作。
液晶显示装置910、电子设备的构成，因为与第1实施例完全相同，所以说明进行省略。
在本实施例中，中央运算电路781对端子OUT的信号进行监视，并根据进行了反相的时间t0首先得到离散值V1，根据在接下来的检测期间的进行了反相的时间t0得到离散值V2，进而根据在接下来的检测期间的进行了反相的时间t0得到离散值V3。在此V1、V2、V3按值的大小顺序所重新排列，根据V1、V2、V3的最大值与V1、V2、V3的最小值的平均得到值V1_。根据该V1_对参照表785进行参照，得到对应于V1_的适当的背光源单元926的电压设定值V2。中央运算电路781通过将该V2值传送给外部电源电路784而改变背光源单元926的辉度。
如此地，通过边一点一点地改变检测期间边进行3次以上的采样，找出其中互相最接近的二个值而舍弃一方的值(最接近的值的检测期间有可能一致于外光的闪烁周期的整数倍)，以剩下来的值进行平均等的统计处理，由此能够对应于所有的外光的闪烁周期。
通过如此的构成，即使在如外光的闪烁周期并不限于1/100秒、1/120秒的特殊的环境下也能够高精度地进行检测。具体地在供电情况恶劣的地区等存在电力的频率从50Hz、60Hz显著偏离的情况。并且，虽然在特殊的照明设备等中有时闪烁周期变成1/100秒、1/120秒以外的值，但是即使在如此的环境下在本实施例中也可以高精度地进行测定。
在此在互不相同的多个检测期间之中，至少之一不是1/100秒、1/120秒的整数倍较好，优选全部检测期间都不是1/100秒、1/120秒的整数倍。因为考虑到外光的闪烁周期为1/100秒、1/120秒的环境的频度高，所以应当避开它们的整数倍。考虑以上之点，在本实施例中使检测期间分别为102m秒、99m秒、105m秒三种。
除了如此地预先设定好多个检测期间之外，也可以随机地设定检测期间。既可以采用随机数产生电路、随机数表，也可以对某些外部原因、例如若电子设备具备振动传感器等的其他的传感器，则对它们的测定结果进行输入而确定检测期间。
还有，此次所公开的实施方式，应当认为以全部的点为例示而非限制。本发明的范围，通过并非上述的实施方式的说明而是通过技术方案的范围所表示，而且包括与技术方案的范围等同的意思及在范围内的所有的改变。
本发明并不限定于实施例的方式，可以应用于具备有所有种类的光传感器的设备。尤其在有可能在室内被使用的电子设备中效果较好。
并且，作为显示装置也可以在并非为TN模式而是垂直取向模式(VA模式)的、利用了横向电场的IPS模式、利用了边缘电场的FFS模式等的液晶显示装置中进行利用。并且，不仅是全透射型而且可以为全反射型、反射透射兼用型。并且，既可以用于并非为液晶显示装置、而是有机EL显示器、场致发射型显示器的设备中，也可以用于液晶显示装置以外的半导体器件中。

Claims (8)

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：
形成于基板上、用于对前述基板周边的外光照度进行测定的光传感器，和
连接于前述光传感器而对应于前述外光照度进行输出的检测电路；
前述检测电路，基于来自前述光传感器的输入，多次进行前述外光照度检测工作；
当设前述多次检测工作的第1检测工作、与继前述第1检测工作所进行的第2检测工作的时间间隔为T1时，当设n为任意的整数时，
前述时间间隔T1设定为1/100秒的(n+0.5)倍、或1/120秒的(n+0.5)倍、或二者的中间值，
该半导体器件还具有对前述检测电路的输出进行偶数次采样而进行统计处理的电路。
2.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
当设前述第2检测工作、与继前述第2检测工作所进行的第3检测工作的时间间隔为T2时，则前述时间间隔T1与前述时间间隔T2互不相同。
3.按照权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
前述光传感器为将前述外光照度变换成电流的元件；前述检测电路是下述电路：在每次前述检测周期的开始，将连接有前述光传感器的节点的一端复位成初始电位，通过对前述节点的电位变化进行检测而进行前述检测工作。
4.按照权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：
基于前述节点的电位达到预定的电位为止的时间，对前述基板周边的外光照度进行测定。
5.按照权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
前述光传感器为采用了薄膜多晶硅的PIN结二极管或PN结二极管。
6.一种显示装置，其特征在于：
采用了权利要求1或2所述的半导体器件。
7.按照权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
前述时间间隔T1为作为进行显示的重写的周期的帧周期的整数倍。
8.一种电子设备，其特征在于：
采用了权利要求6所述的显示装置。
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