CN101253586A - 用于多频带射频操作的电感器器件 - Google Patents

用于多频带射频操作的电感器器件 Download PDF

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Abstract

单晶片平面电感器的电感被分配到几个较小的电感器部分(L11、L21、L22、L12)中。以一种使电感器作用为差动电感器器件的方式在共源共栅配置中提供该较小的电感器部分(L11、L21、L22、L12)。直接电感器部分(L21、L22)之间的节点(CM)是电感器器件的共模点，其通常连接到信号接地。在电感器部分(L12、L11)外端处的节点(Outm，Outp)是差动输出，例如，在器件本身和随后器件(例如，混频器的输入级)的接口处的放大器器件的输出节点。某些电感器部分被安排成以一个或多个较高无线频带中的一个或多个操作步长相对于公共点而被对称地旁路或短路(S1)。通过可开关的对称短路，可以提供可控制的电感步长。不论控制条件如何，共模信号都被相同电感所影响。

Description

用于多频带射频操作的电感器器件
技术领域
本发明涉及射频(RF)电路，并且具体涉及用于多频带射频(RF)操作的集成电路。
背景技术
电信业务中具有多个同步系统和频带的多用途射频集成电路(RFIC)实现的未来趋势是不容质疑的。新的频率分配与从过时的商业系统或政府以及军方机构获取的频带一起造成了非常分散的无线接口。这是正在设置对于具有增加的复杂度以及管芯面积消耗的RFIC引擎的需求的要求。多用途RFIC中的分离的RF信号路径的总程度(overall degree)可以很高并且未来将肯定增加。例如，移动电话的RFIC可以需要支持GSM800、GSM1800、GSM1900、CDMA2000、欧洲WCDMA、美国WCDMA、WLAN、GPS和DVB无线接口。在直接转换架构中，在不替换任何外部组件的情况下，可以容易地实现单个系统的不同频率变化。在典型收发器配置中，频率变化的需求集中于RF前端。这几乎已经毫无例外地意味着对系统以及频率变化的每一个进行RF前端的增加和频率缩放。
实现RFIC放大器的典型电路配置例如是具有RLC并行谐振器的电感式负反馈共源共栅(cascode)放大器。该差动配置包括两个差动电感器，当需要多个信号路径时，必须复用该两个差动电感器。此外，不同谐振频率的谐振器必须通过将到随后级的接口进行复用来彼此分离。这不是实现多频带操作的有效芯片面积的实践，因为至少其他信号路径由于耗尽(dead)管芯面积而总是关闭。
保持特定小尺度频率步长的另一个传统方法是电容器调节。然而，这不适用于倍频调节。使用具有电容器调节的固定电感器器件实现倍频调节恶化了谐振器Q值，因为电感器器件的Q值具有很强的频率相关性。而且，开关器件的非理想性引起执行大规模可调节电容阵列的问题。典型的实践是将电容调节用于小规模带内调节以优化频率响应或补偿分量变化。
Park等人的“Variable Inductance Multilayer Inductor WithMOFET Switch Control”(IEEE Electron device letters Vol.25，No.3，March 2004，p.144-146)公开了可变单晶片(monolithic)电感器，其中三个螺旋电感器垂直堆叠，并且堆叠的电感器中的两个配备有两个并联连接的MOS-FET开关，该MOS-FET开关用于电感改变操作。当两个开关处于断开状态时，总电感约为每个电感器电感的总和，并且当两个开关处于闭合状态时，电感为一个电感器的电感。结果，针对多频带RF电路获得需要更少芯片面积的可变电感器。现有技术电感的问题是：现有技术电感(单端器件)是在差动操作中利用的开关对差动信号路径产生了噪声。此外，按照与分级结构相反的布局技术来看，IC工艺通常仅包含一个低阻金属层，该低阻金属层适于产生高性能的电感器器件。另外，现有技术没有显著节省管芯面积。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于多频带RF操作的改进的可变电感器，该可变电感器处于接收器和发射器链的RF前端。
通过根据所附的独立权利要求的发明来达到本发明的目的。在从属权利要求中公开了本发明的优选实施方式。
本发明基于在单晶片平面电感器的特定位置处提供可开关的对称短路(shortcut)，该单晶片平面电感器的电感实际分布到较小的电感器部分中。以一种使电感器执行差动电感器器件功能的方式在级联配置中提供该较小的电感器部分。在该配置中，该(电子地)中间电感器部分之间的中间节点形成了共模点，并且(电子地)外部电感器部分的外端形成差动电感器的差模输出。某些电感器部分被安排成以一个或多个较高射频带中的一个或多个操作步长相对于共模点被对称地旁路或短路。通过可开关的对称短路，可以提供可控制的电感步长。不论控制条件如何，相同的电感影响共模信号。
根据本发明的电感器器件可以通过针对所有不同频带启用单个无源电感器器件来显著地降低覆盖所有这些不同频带所需要的不同信号路径的量，该不同信号路径的量是RF前端中的最大面积消耗部分。通过此方式，RFIC芯片不包括未使用的频率谐振器的任何完全未使用的电感器器件，而是至少部分地使用每个大面积电感器。而且，在根据本发明的差动分布式电感器中，由旁路开关引起的噪声是共模噪声，并且从而不出现在该电感器的差动输出中。与现有技术的堆叠电感器相比较，这是有利的，现有技术堆叠的电感器中MOSFET开关位于电流路径上，并且开关引起的所有噪声能量叠加到信号路径。根据本发明的差动分布式电感器可直接应用于多个现有电路设计中，虽然现有技术的堆叠电感器可以作为单独的可变电感器很好地操作，但是以显著节省管芯面积并且没有明显的性能下降的方式引入到各种电路设计中是有问题的。
在倍频多频带应用中，实践中几乎可以将谐振器管芯面积一分为二。还可以在多频带操作中避免在谐振器节点处的多个接口。在负反馈应用中，可以实现针对不同无线系统的公共分布式电感器器件，所述无线系统比如GSM850&GSM1800和GSM900&GSM1900系统。另外，如果需要，可以组合不同频率变化/系统的输入级。也可以以与谐振器中类似的方式在折叠式共源共栅拓扑(topology)中使用本发明来改进宽带操作。在折叠式级联中，折叠电感器的Q值要求非常低。
附图说明
下面，将通过参考附图的示例性实施方式更详细地描述本发明，其中
图1是说明具有电感步长的电感器器件的原理的示意图；
图2示出了用于图1的差动电感器的简化布局特定的实现的示例；
图3和图4示出了用于根据本发明的另一电感器器件的示意图和布局实现；
图5和图6是用于根据本发明的又一电感器器件的示意图和布局实现；
图7是对分布式3nH/18nH电感器与两个独立的3nH和18nH传统电感器进行比较的图示；
图8示出了NMOS的动态切换以及PMOS开关器件的开关动力学(SD)；
图9是示出了电流泄漏双极开关器件的示意图；
图10是说明图9的双极开关特点的图；
图11和图12是示出了基于图1和图2中示出的分布式电感器的负载谐振器配置的仿真结果的图；
图13和图14说明了谐振器阻尼电阻Rres和寄生电阻Rpar分别对图1和图2中具有不同NMOS器件尺寸在高低频带操作的理想电感器的Q值的影响；
图15和图16是用于利用根据本发明的电流泄漏双极开关器件的另一负载谐振器配置的示意图和布局实现；
图17和图18是用于利用经过转换的拓扑以便以输出处的低共模电平来操作的又一负载谐振器配置的示意图和布局实现；
图19和图20是针对使用用于开关功能的输入级晶体管的配置的示意图和布局实现；
图21和22示出了使用用于开关功能的输入级的输入晶体管和NMOS晶体管的其他配置；
图23和图24示出了使用用于开关功能的电流泄漏双极开关和输入级的输入晶体管的其他配置；
图25是示出了根据本发明的多频带LNA示例的示意图；
图26是示出了根据本发明的折叠式共源共栅配置示例的框图；
图27示出了使用离散平面电感器的分布式电感器的布局实现；
图28示出了根据本发明的多频带分布式电感器的布局实现的示例；以及
图29是用于多增益放大器的示意图和布局实现示例。
具体实施方式
在图1中，本发明的基本思想通过示例来说明。单晶片平面电感器的电感分布到较小的电感器部分L11、L21、L22和L12中。中间电感器部分L21和L22之间的节点CM是电感器器件的共模点，其通常连接到信号接地(例如，连接到电源电压VCC或接地)。电感器部分L21和L11的外端处的节点Outm和Outp是差动输出，例如，该器件本身和随后器件(例如，混频器的输入级)的接口处的放大器器件的输出节点。中间电感器部分L22和外部电感器部分L11之间的节点SWp，以及中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWm是这样的节点，在该节点处通过连接在节点SWp和SWm之间的短路或旁路开关器件S1实现短路开关功能。图1中示出的电感器配置的通用功能呈现如下：
打开开关配置：当开关器件S1处于打开时，电感器工作非常类似于形成级联的电感部分L11、L21、L22和L12的普通电感器器件。仅有的缺点是由开关器件S1和可能的器件外的布线引起的寄生电容。例如当MOS晶体管用作开关时，这些寄生电容可能是显著的。这使电感器Q值下降。然而，事实是在打开开关操作中，器件的目的是要操作在低频，并且因此寄生电容的大小对比于较低的操作频率来说会比较高。
短路配置：当开关器件S1正在接通节点SWp和SWm时(将来自差动情况/电路的中间电感器部分L21和L22旁路)，输出节点Outp和Outm至少在理想条件下仅看见电感器部分L12和L11。可以利用该配置实现更高频带操作。开关器件S1的寄生电阻显著降低了电感器的Q值。类似地，电感器部分L21和L22通过互感M12而作为负载工作。在该配置中，共模路径等价于打开配置并且DC路径仍旧通过电感器部分L21和L22工作。
在图2中，针对图1的差动电感器呈现简化的特定布局实现示例。在任何示例中都没有示出抵抗衬底耗散(substrate dissipation)(涡流)的屏蔽结构。
在图2中，单晶片平面电感器由顺时针螺旋金属线21和逆时针螺旋金属线22组成，顺时针螺旋金属线21和逆时针螺旋金属线22在它们的一端处互连以形成中间节点，即，共模节点CM。线21和22的相对端分别形成差动输出Outm和Outp。金属线21和22被安排来通过包括到另一个(下层)金属层的直通连接的金属交叉23而在彼此内部交替。通过到其他金属层中的金属线24和25的直通连接提供开关节点SWp和SWm。应该理解可以以各种不同的方式在同层或其他层或层中形成到节点Outp、Outm、SWp、SWm以及CM的连接，特别是在开关可以置于电感器器件内时。这些各种方式的示例将也呈现在以下本发明的其他实施方式的描述中。电感器的一般形状可以是任何合适的形状。通常电感器是圆形，或者多边形，诸如此处示例中示出的八边形。
在图3和图4中，呈现了图1和图2的变形，其中在开关接触布线中未使用下面的金属层。可以发现这是可行的，例如针对输入级的负反馈。在该示例中，单晶片平面电感器分布在六个较小的电感器部分L31、L11、L21、L22、L12和L32中。中间电感器部分L21和L22之间的节点CM是电感器器件的共模点，其通常连接到信号接地(例如，连接到电源电压Vcc或接地)。电感器部分L32和L31的外端的节点Outm和Outp是差动输出，例如，该器件本身和随后器件(例如，混频器的输入级)的接口处的放大器器件的输出节点。中间电感器部分L22和外部电感器部分L11之间的节点SWp，以及中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWm是这样的节点，其中在该节点处通过连接在节点SWp和SWm之间的短路或旁路开关器件S1实现短路开关功能。而且，单晶片平面电感器由顺时针螺旋金属线31和逆时针螺旋金属线32组成，顺时针螺旋金属线31和逆时针螺旋金属线32在它们的一端处互连以形成中间节点，即，共模节点CM。线31和32的相对端分别形成差动输出/输入Outm和Outp。金属线31和32被安排来通过包括到另一个(下层)金属层的直通连接的金属交叉33而在彼此内部交替。通过到下面金属层中的金属线34的直通连接提供到共模节点CM的连接。
在图5和图6中呈现了仍旧基于相同的基本思想的一种更不同的结构。图5的示意图与图3的一致。而且，在图6中示出的布局中，单晶片平面电感器由顺时针螺旋金属线61和逆时针螺旋金属线62组成，顺时针螺旋金属线61和逆时针螺旋金属线62在它们的一端处互连以形成中间节点，即，共模节点CM。然而，现在在电感器的最外圈上形成共模点CM，并且在金属线61和62的内端处形成输出Outp和Outm，其通过直通连接和下面金属层中的金属线63和64连接在电感器的外面。线31和32的相对端分别形成差动输出/输入Outm和Outp。金属线61和62的圈被安排成两个组，以使三个最外侧的圈形成第一组，并且四个最内侧的圈形成第二组。组之间的间隔大于每组内的圈之间的间隔。因此，电感器部分L21、L22和L31、L32之间的互感M12较低。开关节点SWp和SWm形成于第一、外部组的最内圈。结果，当开关S1处于打开开关配置中时，电感器是电感部分L31、L11、L21、L22、L12和L32的级联，并且适于低频带(LB)操作。在短路配置中，开关器件S1将节点SWp和SWm接通(将电感器部分L21和L22旁路)，输出节点Outp和Outm至少在理想条件下仅看见电感器部分L31、L22、L21和L11的级联。可以利用该配置实现改进的更高频带(HB)操作。在此情况中，由于自谐振频率增加以及外部电感器对内部电感器施加的负载(较小的M12)减少，所以在高频带电感器(HB)的Q值方面获得了改善。而且，从干扰技术的观点来看，高频带电感器基本上较小。很明显，在片上系统的概念中，较高频带(HB)包含比较低频带更有问题的干扰环境。该缺点是低频带(LB)电感器的Q值轻微地降低并且管芯面积消耗增加。
图7示出了分布式3nH/18nH电感器与两个独立的3nH和18nH传统电感器的比较。传统电感器是供应商提供的组件模型，而分布式电感器是在没有衬底屏蔽的情况下利用Momentum来仿真。
下面给出适于用在根据本发明的分布式电感器器件中的开关功能S1的示例，并非意在将本发明限制为这些示例。一个方法是CMOS开关功能，其可以取决于共模电压电平而利用NMOS或PMOS开关来实现。在典型实现中，NMOS开关用在负反馈中，并且PMOS开关用在谐振器中，但是例如折叠式共源共栅拓扑解除了这种初步的实践。
在图8中呈现了来自于标准BiCMOS工艺中的1000μm/0.35μm NMOS和PMOS器件的开关动力学。如期望的那样，打开开关条件(ZOFF或实际COFF)仅是尺寸中心数量，并且因此，几乎导致独立于器件的结果。短路条件(ZON或实际RON)给出了关于p型和n型晶体管的迁移率的结果。值得注意的是在多频带操作中，对于不同的开关条件，感兴趣的频带不在相同频率处。这明显地扩大了开关动力学的有效范围，如图8中以斜线线段(SD NMOS&SD PMOS)所描述。在下面的该示例性情况中，双频带操作旨在针对从850MHz到1950MHz处的WCDMA EU频带的倍频步长。
另一方法是双极开关功能。CMOS器件尺寸很大，达到不恶化较高频带电感器的Q值的满意RON。这引起了寄生电容COFF的增加，并且因此，使得在较高频率上的操作很困难。可以利用双极器件来以很小的器件尺寸保持适度低的RON，以及因此保持适度低的寄生COFF。开发新型的开关器件以为了特殊目的尤其是在高频上保持较高的开关动力学。
在图9中，呈现了这种特定电流泄漏双极开关器件。它包括共基极晶体管Q1和Q2。例如，Q1和Q2的基极连接到共偏置电压Vbias，并且它们的集电极连接到电源电压Vcc。发射极连接到分布式电感器中的开关节点SWp和SWm。值得注意的是，在短路条件中，该器件需要具有通过该器件的恒定静态电流泄漏的恒定操作点。应该理解，该器件的缺点是丢失的电压余量(headroom)或额外的电流消耗。当该器件与信号路径串联连接时，电压余量下降。当它与信号路径并联连接时，电流消耗增加。
图9的BJT开关器件的介绍是简单的。当输入阻抗(RON)在操作点处被偏置时，可以给出输入阻抗(RON)如下：
Zin = 1 g m = kT qI C
其中，Zin是具有短路集电极和基极节点的差动共源共栅配置(共基极)的输入阻抗(发射极阻抗)，gm是双极器件的跨导，k是Boltzmann常数，T是绝对温度，q是电荷，并且IC是该器件操作点处的集电极电流。在打开条件(IC＝0)下，器件的输入阻抗由晶体管寄生效应来定义，所述晶体管寄生效应对于小面积器件来说是可忽略的。性能优势主要在于打开条件状态的最大高频隔离。
在图10中，呈现了操作点IC＝10mA处的双极开关的特性。CMOS开关的相应结果在左下角以斜线标示的频率范围[0.5GHz...5.0GHz]处勾画出。可以注意到，特别是开关动力学的上端很高，并且类似地很明显改进了宽带操作。NMOS(A)和PMOS(B)的开关动力学的标记A和B状态在2GHz频率处切换。BJT开关导致在11GHz(A)和20GHz(B)处性能相同。
第三种方法是离散切换。在离散设计中，可以利用不同的可替换商业产品实现该开关，诸如pin二极管、基于FET的开关、机电开关或机械开关。在此情况中，标准离散电感器是可以使用的。而且，上面呈现的BJT开关的离散版本是可能的，例如利用双晶体管芯片。
现在，让我们来研究在某些应用中的根据本发明的分布式可开关电感器。典型RF设计块的负载谐振器是本发明的最重要应用区域。电感器面积相对较大，并且因此，本发明可以节省下大的管芯面积。而且，不同块之间的避免的内部接口可以发现很显著。下面，各种不同的拓扑适于利用NMOS或PMOS开关或不同的HBT配置在较低或较高共模电压电平上操作的负载谐振器。
优选的谐振器配置可以是具有PMOS或NMOS开关的图1和图2中示出的分布式电感器。该配置适于连接到较高(VccPMOS)或较低(gndNMOS)操作电压的传统负载谐振器。如果该电感器可以连接到较低操作电压，则具有优选的开关动力学的NMOS开关器件可以被利用。
在图11和图12中，呈现了关于此类谐振器配置的仿真结果。图11呈现了在关闭的NMOS器件[400...2000μm]/0.35μm以及理想短路的高频带(HB)条件下的电感和Q值的仿真。图12呈现了在打开的NMOS器件[400...2000mm]/0.35mm以及打开配置的低频带(LB)条件下的电感和Q值的仿真。该仿真排除了衬垫屏蔽。使用的开关器件是拥有仅具有中度开关动力学的过时的0.35μm晶体管长度的NMOS晶体管。谐振器阻尼电阻Rres和寄生电阻Rpar(电感器&开关器件)对2GHz处3nH的理想电感器的Q值的影响呈现在图13和图14中。阻尼电阻器的相关值是几百欧姆，并且将要呈现的示例中是在100Ohm以下。这表示了在很多设计块中对于谐振器Q值的非常低的要求(Q＜10)。
图15和图16呈现了特别适于高频操作的另一负载谐振器相关配置。根据本发明的基本思想，单晶片平面电感器的电感分布到较小电感器部分L11、L21、L22和L12中。电感器部分L12和L11的外端处的节点Outm和Outp是差动输出。根据图9的双极开关连接在位于中间电感器部分L22和外部电感器部分L11之间的节点SWpHB与位于中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWmHB之间，以便在由电压Vb2接通晶体管Q1和Q2时提供用于高频(HB)操作的短路。另外，根据图9的类似开关功能连接在中间电感器部分L21和L22、节点SWpLB和SWmLB的其他端之间。在较高频率操作中，当Q1和Q2由电压Vb2接通时，晶体管Q3和Q4关闭，并且反之亦然。当晶体管对被偏置时，差动发射极阻抗等于1/gm并且被短路，然而在其他晶体管对中，它等于寄生电容，即，它是打开的。所呈现的配置适于操作在电压余量减少的较高操作电压处。图16中示出了示例布局。单晶片平面电感器由顺时针螺旋金属线161和逆时针螺旋金属线162组成，其中顺时针螺旋金属线161和逆时针螺旋金属线162在它们的一端互连，在节点SWpLB和SWmLB处连接到Q3和Q4的发射极。线161和162的相对端分别形成差动输出/输入Outm和Outp。开关节点SWpHB和SWmHB分别连接到Q1和Q2的发射极。
适合在较低共模电平处的经过转换的拓扑呈现在图17和图18中。根据本发明的基本思想，单晶片平面电感器的电感分布到较小电感器部分L11、L21、L22和L12中。共模节点CM连接到地。电感器部分L12和L11的外端处的节点Outm和Outp是差动输出。根据图9的双极开关器件连接在位于中间电感器部分L22和外部电感器部分L11之间的节点SWp与位于中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWmHB之间，以在由电压Vb接通晶体管Q1和Q2时提供用于较高频率(HB)操作的短路。该拓扑具有用于开关器件的额外电流路径。在图18中示出的示例布局中，单晶片平面电感器由顺时针螺旋金属线181和逆时针螺旋金属线182组成，其中顺时针螺旋金属线181和逆时针螺旋金属线182在它们的一端CM处连接到地。线181和182的相对端分别形成差动输出/输入Outm和Outp。开关节点SWp和SWm分别连接到Q1和Q2的发射极。
第二个应用领域是可开关电感器配置中用于跨导gm级，例如输入级的电感式负反馈。在此环境中，可以使用NPN型输入晶体管，但是例如PNP、NMOS或PMOS的其他类型晶体管也是可能的。下面，各种不同拓扑适用于利用NMOS或PMOS开关或不同HBT配置操作在较低或较高共模电压电平的电感式负反馈的输入级。从n型到p型的转换实现是可能的。
图19和图20示出了其中较高频率(HB)和较低频率(LB)输入级本身的晶体管用于开关功能的示例。HB输入晶体管QPHB和QMHB的发射极连接到位于中间电感器部分L22和外部电感器部分L11之间的节点SWpHB以及位于中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWmHB，以提供用于输入HB INM和HB INP的较高频率(HB)操作。从QPHB和QMHB的集电极获取HB输入级和电感器的差动HB输出。类似地，晶体管QPLB和QMLB现在连接到开关节点SWpLB和SWmLB(输处Outp和Outm)以提供用于输入LB INM LBINP的LB操作。从QPLB和QMLB的集电极获取LB输入级和电感器的差动LB输出。图20中示出的布局类似于图18中的布局，除了利用两个输入晶体管级来提供参考图19描述的开关功能，并且不需要单独的开关。
图21和图22示出了其中输入级的输入晶体管QP和QM使其发射极分别连接到电感器部分L11和L12的外部端子的其他示例。从该集电极获取输入晶体管和电感器的差动输出。开关功能由NMOS晶体管提供，该NMOS晶体管使一个主要电极连接到位于中间电感器部分L21和外部电感器部分L11之间的节点SWp并使另一主要电极连接到位于中间电感器部分L21和外部电感器部分L12之间的节点SWm，以便在NMOS晶体管由控制输入SW接通时提供用于高频(HB)操作的短路。在该配置中，再使用相同输入级的可能性是可以想象的。图21中示出的布局是图20的示意图对上述电感器的直接应用。
图23和图24示出了其中输入级的输入晶体管Qp和QM使其发射极分别连接到L11和L12的外部端子的其他示例。从该集电极获取输入晶体管和电感器的差动输出。开关功能由电流泄漏开关Q1和Q2提供，该电流泄漏开关Q1和Q2连接在节点SWp以及节点SWm之间，以便在电流泄漏开关由控制输入电压Vb接通时提供用于高频(HB)操作的短路。而且在该配置中，再使用相同输入级的可能性是可以想象的。图24中示出的布局是图23的示意图对上述电感器的直接应用。
下面将呈现多频带操作的指导性示例。在图25中，示出了用以保持以850MHz以及EU WCDMA频带操作的根据本发明的多频带LNA。LNA旨在基础业务中的次级LNA。双频带LNA的电感器251和输入级252提供这样的配置：该配置的结构和操作类似于图20中示出的配置的那些结构和操作。单晶片平面电感器L1由顺时针螺旋金属线和逆时针螺旋金属线组成，其中顺时针螺旋金属线和逆时针螺旋金属线在它们的一端CM处连接到地。金属线的相对端SWpLB和SWmLB分别连接到较低频带(LB)输入晶体管QpLB和QmLB的发射极。从QPLB和QMLB的集电极获取LB输入级和电感器的差动LB输出。HB输入晶体管QPHB和QMHB的发射极连接到开关节点SWpHB。从QPHB和QMHB的集电极获取HB输入级和电感器的差动HB输出。换句话说，使用输入晶体管用于提供开关功能以便获取自动自切换的双频带电感负反馈。
输入晶体管QpLB、QmLB、QPHB和QMHB的集电极连接到双频带LNA的共源共栅级253。级联级253的输出连接到信号路径中随后器件的输入级254，诸如具有宽广操作带宽的混频器。谐振器的双频带电感器在器件254的输入处通过根据本发明原理的分布式电感器L和PMOS开关255来提供。单晶片平面电感器L由顺时针螺旋金属线和逆时针螺旋金属线组成，其中顺时针螺旋金属线和逆时针螺旋金属线在它们的一端处互连以形成连接到地的公共节点CM。金属线的相对端形成连接到级254的输入的差动输出。开关节点SWp和SWm分别连接到该电感器上对面的第二最外圈。CMOS开关功能255可以利用PMOS开关255实现。
本发明还可以以与谐振器中类似的方式用在折叠式共源共栅拓扑中以改进宽带操作。可以用不同折叠式共源共栅配置来使用全部n型或p型开关器件。在图26中，呈现了适于各种RF设计块的折叠式共源共栅拓扑。输入电压VIN输入到n型输入级261。来自于输入级261的输出电流Igm施加于折叠阻抗262，并且进一步施加于共源共栅级263的输入。折叠阻抗262可以利用任何晶体管的有源器件或无源器件(R、L、RC、RL、或RLC网络)实现。在该情况下关于接地电位实现信号折叠，但是也可以关于任何其他电位实现它。具有n型开关器件的分布式电感器在共源共栅级263的输出处提供，并且产生输出电压VOUT。在此情况下，折叠式共源共栅拓扑实现具有更好的开关动力学的n型开关器件。
根据本发明的分布式电感器器件也可以利用“离散电感器”实现，以便可以避免非常复杂的分布式电感器模型。图27中示出了这样的分布式电感器的示例。该器件包括两个基本上分开的平面电感器部分，其中第一电感器部分271由顺时针螺旋金属线272和逆时针螺旋金属线273组成，其中顺时针螺旋金属线272和逆时针螺旋金属线273在它们的一端CM处连接到地以形成中间电感器部分L21和L22。金属线272和273的相对端分别形成开关节点SWp和SWm。第二电感器部分274由顺时针螺旋金属线275和逆时针螺旋金属线276组成，其中顺时针螺旋金属线275和逆时针螺旋金属线276在它们的内端处连接到开关节点SWp和SWm。线275和276的外端形成差动电感器的差动输出Diffm和Diffp。在此环境中，销售商提供的标准库模型可以直接使用。一个明显的缺点是显著增加的管芯面积消耗但是仍旧提供用于多频带操作的单接口。
上面针对本发明的各种实施方式呈现的示例是双频带电感器，但是多频带电感器也是可行的。一种非常直接的实现是例如以图28中示出的方式提供多电感器步长。而且，提供了两条螺旋金属线281和282以便它们的第一端连接到共模节点CM。线281和282的外端形成差动电感器的差动输出Diffm和Diffp。第一对开关节点SWp3和SWm3从该电感器的最内圈中的一个处抽出(tap)。第二对开关节点SWp1和SWm1从该电感器的中间圈中的一个处抽出。第三对开关节点SWp2和SWm2从该电感器的最外圈中的一个处抽出。在每对开关处提供根据本发明的开关功能以形成选择性的短路。当不存在短路时，电感器操作在最低频带中。当接通第一对开关节点SWp3和SWm3时，使用下一较高频带。当接通第二对开关节点SWp1和SWm1时，使用更较高频带。最后，当接通第三对开关节点SWp2和SWm2时，使用最高频带。典型示例是具有倍频步长的多频带设计块，例如2GHz、900MHz和450MHz。由于当前现有开关器件的相对小的开关动力学，非常小的频率步长是不可行的。在图28中，两个开关器件被设计在器件外并且一个示例性开关器件被设计在电感器器件内部。
可以利用图29中示出的电路配置实现可编程增益放大器(PGA)。提供AC耦合的输入晶体管QpHB1...QpHBn，QmHB1...QmHBn，QpLB1...QpLBn和QmLB1...QmLBn的阵列形成输入LB和HB。不同增益码可以通过偏置(利用偏置电压Vb1...Vbn)具有不同条件的输入级来选择。仅当连接到LB输入的晶体管被偏置时，那么履行低增益模式。相比于传统“恒定IM3”Gilbert Cell VGA，一个清楚的优势是可以提供恒定的OIP3。
对于本领域的技术人员来说应该很显然，由于技术进步，可以以各种方式实现本发明的概念。本发明及其实施方式不限于上述示例，而是可以在权利要求书的范围内变化。

Claims (19)

1.一种用于在射频(RF)进行多频带操作的单晶片平面电感器器件，包括：
分布到在共源共栅配置中的四个或更多较小电感器部分中的单晶片平面电感器，该共源共栅配置使所述电感器起作用为差动电感器器件，其中中间电感器部分的第一端之间的中间节点形成共模点并且外部传感器部分的外端形成用于至少在低频带中操作的差动电感器的差模输出，以及
装置，用于以一个或多个高频带中的一个或多个操作步长中相对于共模点将某些电感器部分对称地旁路。
2.根据权利要求1所述的电感器器件，其中所述装置包括开关装置，所述开关装置连接在中间电感器部分的第二端之间，以便将中间电感器部分旁路以用于较高射频带中的操作，并且通过中间电感器部分提供信号路径以用于较低频带中的操作。
3.根据权利要求1或2所述的电感器器件，其中所述单晶片平面电感器由顺时针螺旋导线和逆时针螺旋导线组成，所述导线被安排为在彼此内部交替并且在它们的一端互连以形成中间节点，相对端组成差动输出。
4.根据权利要求1、2或3所述的电感器器件，其中所述单晶片平面电感器的所述部分包括共源共栅配置中的两个或更多基本上离散的平面电感器部件，每个部件由顺时针螺旋导线和逆时针螺旋导线组成。
5.根据权利要求1-4中任何一项所述的电感器器件，其中所述中间电感器部分由所述螺旋导线的最内部的一个或多个圈组成，并且所述外部电感器部分由所述螺旋导线的最外部的一个或多个圈组成。
6.根据权利要求1-4中任何一项所述的电感器器件，其中所述中间电感器部分由所述平面电感器最外部的一个或多个圈组成，并且所述外部电感器部分由所述螺旋导线最内部的一个或多个圈组成。
7.根据权利要求6所述的电感器器件，其中所述中间电感器部分的所述最内部的圈和所述外部电感器部分的所述外圈之间的间距被扩大。
8.根据权利要求1-7中任何一项所述的电感器器件，其中所述装置包括如下器件的一个或多个：硅上互补金属(CMOS)晶体管开关；双极晶体管开关；离散开关；基于PIN型二极管的开关；基于场效应晶体管(FET)的开关；机电开关；机械开关。
9.根据权利要求1-8中任何一项所述的电感器器件，其中所述装置包括电流泄露双极晶体管开关。
10.根据权利要求1-9中任何一项所述的电感器器件，其用于谐振器电路，其中所述装置包括第一电流泄露双极晶体管开关，并且其中所述电感器器件进一步包括所述中间部分之间的所述公共节点处的第二电流泄露双极晶体管开关。
11.根据权利要求1-9中任何一项所述的电感器器件，其用于较低频率和较高频率输入级，其中所述装置包括连接到所述电感器的所述差动输出节点的所述频率输入级的晶体管，以及连接在所述中间电感器部分和所述下一个外部电感器部分的互连节点之间的所述较高频率输入级的晶体管。
12.根据权利要求1-9中任何一项所述的电感器器件，其用于多频带输入级，其中所述装置包括连接到所述电感器的所述差动输出节点的所述频率输入级的晶体管，以及连接所述中间电感器部分和所述下一个外部电感器部分的所述互连节点的硅上金属(MOS)或电流泄露双极晶体管开关。
13.根据权利要求1-8中任何一项所述的电感器器件，其用于可编程增益放大器，其中所述装置包括连接到所述电感器的所述差动输出节点的所述频率输入级的独立控制晶体管阵列，以及连接所述中间电感器部分和所述下一个外部电感器部分的所述互连节点的所述较高频率输入级的独立控制晶体管阵列。
14.根据权利要求1-13中任何一项所述的电感器器件，其中所述平面电感器分布到在级联配置中的六个或更多较小的电感器部分中，并且其中所述装置连接到所述电感器部分的每个互连节点以选择性地将所述电感器部分旁路，从而为多频带操作提供多个电感器步长。
15.一种负载谐振器电路，包括根据权利要求1-13中任何一项的电感器。
16.一种多频带低噪声放大器，包括根据权利要求1-13中任何一项的电感器。
17.一种负反馈输入级，包括根据权利要求1-13中任何一项的电感器。
18.一种可编程增益放大器，包括根据权利要求1-13中任何一项的电感器。
19.一种折叠式共源共栅电路，包括输入级、折叠电感、共源共栅级以及位于所述共源共栅级的所述输出处的根据权利要求1-13中任何一项的电感器。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102483984A (zh) * 2009-08-31 2012-05-30 高通股份有限公司 可切换电感器网络
CN102543361A (zh) * 2010-12-20 2012-07-04 联发科技（新加坡）私人有限公司 可调电感器
CN103222188A (zh) * 2010-11-22 2013-07-24 瑞典爱立信有限公司 具有阻抗增加电路的低噪声放大器
CN103675374A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 成都开谱电子科技有限公司 标准电感箱
WO2015085876A1 (zh) * 2013-12-10 2015-06-18 成都开谱电子科技有限公司 标准电感箱
CN107731780A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 瑞昱半导体股份有限公司 半导体元件
CN107731781A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 瑞昱半导体股份有限公司 半导体元件
CN108538808A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 瑞昱半导体股份有限公司 集成电感及其制造方法
CN108696257A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 三星电机株式会社 可调电感器电路
CN108899158A (zh) * 2013-10-16 2018-11-27 瑞典爱立信有限公司 可调谐电感器装置、收发器、方法和计算机程序
US10497507B2 (en) 2016-08-05 2019-12-03 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
CN110676028A (zh) * 2018-07-03 2020-01-10 瑞昱半导体股份有限公司 变压器装置
US10580568B2 (en) 2016-08-05 2020-03-03 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
US10593464B2 (en) 2016-08-05 2020-03-17 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
CN115954192A (zh) * 2022-12-28 2023-04-11 中国移动通信有限公司研究院 电感、滤波器、调谐电路、阻抗匹配电路及电子设备

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100794796B1 (ko) * 2005-09-08 2008-01-15 삼성전자주식회사 가변 인덕터
WO2008007307A1 (en) * 2006-07-07 2008-01-17 Nxp B.V. Programmable inductor
US7761078B2 (en) 2006-07-28 2010-07-20 Qualcomm Incorporated Dual inductor circuit for multi-band wireless communication device
US8219060B2 (en) 2006-07-28 2012-07-10 Qualcomm Incorporated Dual inductor circuit for multi-band wireless communication device
US7605667B2 (en) * 2007-04-26 2009-10-20 Mediatek Inc. Frequency synthesizer with a harmonic locked phase/frequency detector
US7468547B2 (en) * 2007-05-11 2008-12-23 Intersil Americas Inc. RF-coupled digital isolator
JP4946876B2 (ja) * 2008-01-09 2012-06-06 ソニー株式会社 バラン共振器、半導体装置および受信装置
KR20090076520A (ko) * 2008-01-09 2009-07-13 삼성전자주식회사 가변 인덕터 및 광대역 전압 제어 발진기
JP5114794B2 (ja) * 2009-03-03 2013-01-09 旭化成エレクトロニクス株式会社 可変インダクタ及び電圧制御発振器
EP2600525A3 (en) * 2009-04-30 2014-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Wireless communication device and semiconductor package device having a power amplifier therefor
CN102156235B (zh) * 2010-02-12 2013-05-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 射频电路中电感的短路测试装置及短路测试方法
EP2421011A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-22 Nxp B.V. Symmetrical inductor
KR101105380B1 (ko) * 2010-08-31 2012-01-16 한국과학기술원 최소잡음특성과 입력 파워매칭을 동시에 얻을 수 있는 씨모스 저잡음 증폭기 및 무선수신기
EP2648193B1 (en) 2012-04-03 2015-07-29 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) An inductor layout, and a voltage-controlled oscillator (VCO) system
CN103400820B (zh) * 2013-01-30 2016-08-10 威盛电子股份有限公司 半导体装置
CN103199851A (zh) * 2013-03-19 2013-07-10 苏州朗宽电子技术有限公司 金属氧化物场效应管和双极性晶体管的混合共源共基电路
EP2863429B1 (en) 2013-10-16 2017-06-14 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Tunable inductor arrangement, transceiver, method and computer program
US9478344B2 (en) * 2013-12-18 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Phase locked loop including a varainductor
US9697938B2 (en) * 2014-01-17 2017-07-04 Marvell World Trade Ltd. Pseudo-8-shaped inductor
US9653204B2 (en) * 2015-01-22 2017-05-16 Globalfoundries Inc. Symmetric multi-port inductor for differential multi-band RF circuits
TWI627646B (zh) * 2015-03-02 2018-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 適用於振盪器之變壓器與其方法
US9966182B2 (en) * 2015-11-16 2018-05-08 Globalfoundries Inc. Multi-frequency inductors with low-k dielectric area
US10447204B2 (en) * 2017-09-15 2019-10-15 Qualcomm Incorporated Switchable inductor network for wideband circuits
US10381981B2 (en) 2017-09-15 2019-08-13 Qualcomm Incorporated Degeneration for a wideband voltage-controlled oscillator
JP6885834B2 (ja) * 2017-09-19 2021-06-16 株式会社村田製作所 ワイヤレス充電用回路用のコモンモードチョークコイルおよびワイヤレス充電用回路
TWI643216B (zh) * 2017-11-10 2018-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感
CN114762246A (zh) * 2019-11-28 2022-07-15 华为技术有限公司 电感器、振荡器及终端设备
KR102421174B1 (ko) * 2020-04-17 2022-07-15 인하대학교 산학협력단 개선된 클럭킹 애플리케이션을 위한 저전력 고속 ilfm
CN115188559B (zh) * 2022-09-08 2022-12-09 东南大学 一种基于折纸结构的mems电感

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5629553A (en) * 1993-11-17 1997-05-13 Takeshi Ikeda Variable inductance element using an inductor conductor
US5892425A (en) * 1997-04-10 1999-04-06 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Interwound center-tapped spiral inductor
FR2812445B1 (fr) * 2000-07-31 2002-11-29 St Microelectronics Sa Structure integree d'inductances a valeurs partagees sur un substrat semiconducteur
US6573822B2 (en) * 2001-06-18 2003-06-03 Intel Corporation Tunable inductor using microelectromechanical switches
DE10162263A1 (de) * 2001-12-18 2003-07-10 Infineon Technologies Ag Induktives Bauteil
FR2851078A1 (fr) * 2003-02-07 2004-08-13 St Microelectronics Sa Inductance integree et circuit electronique l'incorporant
JP2005057270A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Stmicroelectronics Sa 切換え可能なインダクタンス
US7432794B2 (en) * 2004-08-16 2008-10-07 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Variable integrated inductor
US20060066431A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-30 Anand Seema B Adjustable differential inductor

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8842410B2 (en) 2009-08-31 2014-09-23 Qualcomm Incorporated Switchable inductor network
CN102483984A (zh) * 2009-08-31 2012-05-30 高通股份有限公司 可切换电感器网络
CN102483984B (zh) * 2009-08-31 2015-06-03 高通股份有限公司 可切换电感器网络
CN103222188B (zh) * 2010-11-22 2016-06-29 瑞典爱立信有限公司 具有阻抗增加电路的低噪声放大器
CN103222188A (zh) * 2010-11-22 2013-07-24 瑞典爱立信有限公司 具有阻抗增加电路的低噪声放大器
US8963674B2 (en) 2010-12-20 2015-02-24 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Tunable inductor
CN102543361A (zh) * 2010-12-20 2012-07-04 联发科技（新加坡）私人有限公司 可调电感器
CN108899158A (zh) * 2013-10-16 2018-11-27 瑞典爱立信有限公司 可调谐电感器装置、收发器、方法和计算机程序
CN108899158B (zh) * 2013-10-16 2021-03-12 瑞典爱立信有限公司 可调谐电感器装置、收发器、方法和计算机程序
WO2015085876A1 (zh) * 2013-12-10 2015-06-18 成都开谱电子科技有限公司 标准电感箱
US10297378B2 (en) 2013-12-10 2019-05-21 Chengdu Kaipu Electronic Science And Technologies Co. Ltd. Standard inductance box
CN103675374A (zh) * 2013-12-27 2014-03-26 成都开谱电子科技有限公司 标准电感箱
CN103675374B (zh) * 2013-12-27 2016-06-08 成都开谱电子科技有限公司 标准电感箱
US10580568B2 (en) 2016-08-05 2020-03-03 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
US10497507B2 (en) 2016-08-05 2019-12-03 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
US10593464B2 (en) 2016-08-05 2020-03-17 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
US11250985B2 (en) 2016-08-05 2022-02-15 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
US11302470B2 (en) 2016-08-05 2022-04-12 Realtek Semiconductor Corporation Semiconductor element
CN107731781A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 瑞昱半导体股份有限公司 半导体元件
CN107731780A (zh) * 2016-08-12 2018-02-23 瑞昱半导体股份有限公司 半导体元件
CN108538808A (zh) * 2017-03-01 2018-09-14 瑞昱半导体股份有限公司 集成电感及其制造方法
CN108696257A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 三星电机株式会社 可调电感器电路
CN110676028A (zh) * 2018-07-03 2020-01-10 瑞昱半导体股份有限公司 变压器装置
CN115954192A (zh) * 2022-12-28 2023-04-11 中国移动通信有限公司研究院 电感、滤波器、调谐电路、阻抗匹配电路及电子设备
CN115954192B (zh) * 2022-12-28 2024-02-02 中国移动通信有限公司研究院 电感、滤波器、调谐电路、阻抗匹配电路及电子设备

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