KR20090076520A - 가변 인덕터 및 광대역 전압 제어 발진기 - Google Patents

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방희문
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Abstract

본 발명은 가변 인덕터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 가변 인덕터는 교류 신호를 인가받는 제1 도선부, 루프 형태로 이루어져, 제1 도선부에 상기 교류 신호가 인가되면 유도 전류가 발생되는 제2 도선부, 및, 외부 제어신호에 따라 제2 도선부의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 제1 도선부의 인덕턴스를 조정하는 스위치를 포함한다. 이에 의해, 사이즈를 소형화하면서 인덕턴스 변화율은 높일 수 있는 가변 인덕터를 구현할 수 있다.
가변 인덕터, 차동신호, 인덕턴스

Description

가변 인덕터 및 광대역 전압 제어 발진기{ADJUSTABLE INDUCTOR AND WIDEBAND VOLTAGE CONTROL OSCILLATOR}
본 발명은 가변 인덕터(Adjustable Inductor) 및 광대역 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부 제어신호에 따라 인덕턴스가 가변되는 가변 인덕터 및 이를 이용하는 광대역 전압 제어 발진기(Voltage Controled Oscillator)에 관한 것이다.
휴대폰 단말기와 같은 통신 장비에는 라디오 주파수 통신용 회로를 구현하는 반도체 칩 소자들이 채용되어 있다. 이러한 칩 소자를 구현할 때 인덕터 소자는 매우 중요하게 다루어진다. 특히, 통신용 회로를 구성하는데 필수적으로 사용되는 전압 제어 발진기(Voltage Control Oscillator)는 작은 사이즈를 가지면서 높은 인덕턴스와 양호도(Quality Factor)를 가지는 인덕터가 요구되고 있다.
또한, 근래에 들어서는, 디지털 TV(Digital Television) 방송이 본격화됨으로써, 기존 아날로그 방송과 디지털 방송을 혼용하여 제공하는 것이 가능한 영상표시장치의 일 예인 TV가 개발되어 보급되어 지고 있는 추세이다. 아날로그 방송과 디지털 방송을 혼용하여 제공하는 것이 가능한 영상표시장치를 일체형 디지털 TV(Built in DTV)라고 한다. 일체형 디지털 TV는 안테나를 통해 외부로부터 수신한 아날로그 방송 및 디지털 방송을 제공하는 것이 가능하다.
이와 같이 아날로그 방송 및 디지털 방송을 동시에 제공하기 위해서, 종래의 디지털 TV는 필요한 대역별로 다수의 전압제어 발진기를 구비하고, 이후 스위칭에 따라 필요한 대역을 출력하는 방식으로 튜너를 구성하였다. 그러나 다수의 전압 제어 발진기를 이용하는 것은 제품의 가격 상승을 초래하여 사용자에게 부담이 될 뿐더러 공간 제약에 따라 설계 효율이 감소되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 사이즈를 소형화하면서 인덕턴스 변화율은 높일 수 있는 가변 인덕터 및 광대역 전압 제어 발진기를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 가변 인덕터는, 교류 신호를 인가받는 제1 도선부, 루프 형태로 이루어져, 상기 제1 도선부에 상기 교류 신호가 인가되면 유도 전류가 발생되는 제2 도선부, 및, 외부 제어신호에 따라 상기 제2 도선부의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 상기 제1 도선부의 인덕턴스를 조정하는 스위치를 포함한다.
이 경우, 상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부 내측에 배치되며, 루프 형태를 가지는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제1 도선부는, 중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대 칭을 이루는 형태인 것이 바람직하다.
한편, 상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부와 동일 평면 상에 위치하며, 다중 나선형 구조를 가지는 것도 바람직하다.
한편, 상기 제2 도선부는, 중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것이 바람직하다.
이 경우, 본 가변 인덕터는, 상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부를 지지하는 기판을 더 포함하며, 상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부는, 동일 평면 상에 위치하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 스위치는, 상기 외부 제어신호에 의해 턴-온되면, 제2 도선부를 폐루프가 되도록 하고, 상기 외부 제어신호에 의해 턴-오프되면 상기 제2 도선부를 개루프가 되도록 스위칭하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 광대역 전압 제어 발진기는, 가변 커패시터, 교류 신호가 인가되면 상기 교류 신호에 대응되며 인덕턴스를 제공하며, 상기 교류 신호에 의해 유도되는 유도 전류를 선택적으로 이용하여 인덕턴스를 가변시킬 수 있는 가변 인덕터, 및, 상기 가변 커패시터의 캐패시턴스 및 상기 가변 인덕터의 인덕턴스를 변화시켜 발진 주파수를 조정시켜 조정부를 포함한다.
이 경우, 상기 가변 인덕터는, 상기 교류 신호를 인가받는 제1 도선부, 루프형태로 이루어져, 상기 제1 도선부에 상기 교류 신호가 인가되면 유도 전류가 발생되는 제2 도선부, 및, 상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 제2 도선부의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 상기 제1 도선부의 인덕턴스를 조정하는 스위치 를 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부의 내측에 배치되며, 루프 형태를 가지는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제1 도선부는, 중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것이 바람직하다.
한편, 상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부와 동일 평면 상에 위치하며, 다중 나선형 구조를 가지는 것도 바람직하다.
한편, 상기 제2 도선부는, 중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 가변 인덕터는, 상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부를 지지하는 기판을 더 포함하며,상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부는, 동일 평면 상에 위치하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 스위치는, 상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 의해 턴-온되면, 제2 도선부를 폐루프가 되도록 하고, 상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 의해 턴-오프되면 상기 제2 도선부를 개루프가 되도록 스위칭하는 것이 바람직하다.
이하에서는 예시된 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 인덕터 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 가변 인덕터(100)는 제1 도선부(110), 제2 도선부(120) 및 스위치(130)를 포함한다.
제1 도선부(110)는 제1 도선부(110)의 양 단에 인가되는 교류 신호에 의한 전류가 흐를 수 있도록 금속과 같은 도전성 매체로 구성될 수 있다. 제1 도선부(110)는 중심(C)을 기준으로 하는 루프 형태를 갖도록 구현될 수 있다. 구체적으로, 제1 도선부(110)는 기판(미도시)에 지지를 받으며, 동일 평면상에 중심(C)를 지나는 가상선(L-L')을 기준으로 상하좌우 대칭되도록 형성된 다각형 또는 원형 루프로 구현될 수 있다. 여기서, 교류 신호로 차동신호쌍(RF+, RF-)이 입력될 수 있다. 차동신호쌍(RF+, RF-)은 서로 180°위상차를 가지는 차동전류쌍 또는 차동전압쌍을 의미한다.
도 1에서는 제1 도선부(110)가 다각형 형태로 구현된 예를 나타내었으나, 제1 도선부(110)를 원형 형태로 구현하는 것도 가능하며, 가변 인덕터(100)의 인덕턴스 변화를 크게 하고자 할 경우에는 도 2와 같이 다중 나선형 구조로 형성할 수도 있다.
제2 도선부(120)는 제1 도선부(110)에 교류 신호가 인가되면, 유도 전류가 발생되도록, 금속과 같은 도전성 매체로 구성될 수 있다. 구체적으로, 제2 도선부(120)는 동일 평면상에 가상선(L-L')을 기준으로 대칭되도록 형성된 사각 형태로 구현될 수 있다. 그리고 제2 도선부(120)는 기판(미도시)에 지지를 받으며, 제1 도선부(110)와 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 도 1에서는 제2 도선부(120)가 사각형 형태로 구현하는 것을 나타냈지만, 제2 도선부(120)를 원형 또는 그 밖의 다각 형 루프로 구현하는 것도 가능하다.
스위치(130)는 외부 제어신호에 따라 제2 도선부(120)의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 제1 도선부(110)의 인덕턴스를 조정하는 역활을 한다. 스위치(130)는 외부 제어신호에 의해 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)되어 제2 도선부(120)가 폐루프가 되도록 하거나, 개루프 되도록 하는 역할을 담당한다.
보다 자세하게는, 스위치(130)는 트랜지스터(Qc)로 구현할 수 있다. 트랜지스터(Qc)의 소스는 제2 도선부(120)의 일 단에 연결되고, 트랜지스터(Qc)의 드레인은 제2 도선부(120)의 타 단에 연결되며, 트랜지스터(Qc)의 게이트는 외부의 제어신호에 접속된다.
여기서, 트랜지스터(Qc)는 게이트에 인가되는 제어신호(Vcontrol)가 하이 레벨인 경우 턴-온되어 소스와 드레인 사이에 전류 패스를 형성하여 제2 도선부(120)가 폐루프 되도록 한다. 반대로, 트랜지스터(Qc)는 게이트에 인가되는 제어신호(Vcontrol)가 로우 레벨인 경우 턴-오프되어 제2 도선부(120)가 전기적으로 개방되도록 하여 개루프가 되도록 한다.
본 실시예에서, 트랜지스터는 N채널 MOSFET(metal-oxide semiconductor field effect transistor)로 구현할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 스위치 소자를 이용하여 제2 도선부(120)를 선택적으로 폐루프를 이루도록 구현할 수도 있다. 또한 본 실시예에서는 하나의 트랜지스터를 이용하여 스위치를 구성하였지만, 다수의 트랜지스터를 이용하여 스위치를 구현할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변 인덕터 구조의 예를 나타내는 도 면이다.
도 2를 참고하면, 제1 도선부(110) 및 제2 도선부(120)는 각각 다중 나선형 구조로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 제1 도선부(110)는 반경이 점차 감소하다가 소정 위치에서는 다시 반경이 점차 증가하는 다각형 구조로 구현될 수 있다. 구체적으로, 제1 도선부(110)는 제1 나선형 도선부(110a) 및 제2 나선형 도선부(110b)로 구분할 수 있다.
제1 나선형 도선부(110a)는 일단은 교류 신호 중 하나를 입력받는 일 단으로부터 소정 위치(A)까지 가상 중심을 기준으로 반경이 점진적으로 감소하는 구조를 가지며, 제2 나선형 도선부(110b)는 소정 위치(A)로부터 교류 신호 중 남은 입력받는 일 단까지 가상 중심을 기준으로 반경이 다시 증가하는 구조를 가지도록 형성될 수 있다. 또한, 제1 나선형 도선부(110a) 및 제2 나선형 도선부(110b)는 가상선(L-L')에서 교차되는 부분은 소정 거리 이격 되게 형성될 수 있다. 여기서 제1 나선형 도선부(110a) 및 제2 나선형 도선부(110b)는 가상선(L-L')을 기준으로 대치되도록 형성하고, 가상선(L-L')에서 교차되는 부분을 제외하고는 동일 평면상에 위치하도록 구현하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 따른 제2 도선부(120)는 다중 나선형 구조로 구현될 수 있다. 그리고, 제2 도선부(120)는 가상선(L-L')을 기준으로 대치되도록 형성하고 가상선(L-L')에서 교차되는 부분을 제외하고는 동일 평면상에 위치하도록 구현될 수 있다.
본 실시예에 따른 가변 인덕터(100)는 제1 도선부(110) 및 제2 도선부(120)가 다중 나선형으로 구현되는바, 발생되는 자속이 증가되어 인덕턴스를 크게 할 수 있다.
본 실시예에 따른 가변 인덕터(100)의 인덕턴스가 가변되는 동작원리를 설명하면 다음과 같다. 예를 들어, 스위치(130)가 턴-오프된 경우, 제1 도선부(110)에만 교류 신호에 의한 전류가 흐르지만, 제2 도선부(120)는 개루프인바, 유도 전류가 생성되지 않는다. 따라서, 가변 인덕터(100)의 인덕턴스는 제1 도선부(110)만으로 이루어진 경우의 인덕턴스와 같다.
반대로, 스위치(130)가 턴-온된 경우, 제2 도선부(120)는 폐루프를 구성하게 된다. 이 경우, 제1 도선부(110)에 교류 신호에 의한 전류가 흐르는 경우, 제2 도선부(120)에 전자기 유도현상에 의해 제2 도선부(120)에 유도 전류가 흐르게 된다. 그리고 제2 도선부(120)에 흐르는 유도 전류의 방향은 렌츠의 법칙에 따라 외부자기장의 변화를 상쇄시키는 방향으로 작용하도록 결정된다. 따라서, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 도선부(110)에 전류가 시계 반대방향으로 흐를 경우, 제2 도선부(120)에 유도 전류가 시계 방향으로 흐르게 되며, 전류 방향이 서로 반대가 된다. 즉, 제1 도선부(110)에 흐르는 전류에 의한 자속과 제2 도선부(120)에 흐르는 전류에 의한 자속은 서로 상쇄되는 방향을 가지며, 제1 도선부(110)와 제 2 도선부(120)는 음의 상호결합(negative mutual coupling)을 이룬다. 따라서, 가변 인덕터(100)의 인덕턴스는 스위치(130)가 턴-오프된 경우보다 작아지게 된다.
이에 따라, 본 실시예에 따른 가변 인덕터(100)는, 제어 신호에 따라 인덕턴 스 값을 용이하게 가변할 수 있다. 또한, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이 본 가변 인덕터(100)는 제1 및 제2 도선부(110, 120)를 동일 평면 상에 배치한다. 이에 따라, 본 실시예에 따른 가변 인덕터(100)는 양호도가 개선됨과 동시에 인덕터가 차지하는 사이즈를 소형화할 수 있다.
한편, 교류 신호로서 차동신호쌍(RF+, RF-)이 도선의 양 단에 인가되는 경우 도전선의 중간 부분은 교류 성분에 대한 가상 그라운드가 된다. 따라서, 차동신호쌍(RF+,RF-)이 제1 도선부(110)에 인가되면 제1 도선부(110)의 중간 부분(A)은 가상 그라운드가 된다. 이를 기초로 도 3의 가변 인덕터의 등가 회로 모델에 대해 살펴본다.
도 3a는 도 2의 가변 인덕터에서 스위치가 턴-오프된 경우의 등가 회로 모델을 나타낸 회로도이고, 도 3b는 도 2의 가변 인덕터에서 스위치가 턴-온된 경우의 등가 회로 모델을 나타낸 회로도이다.
먼저, 도 3a 및 도 3b에서 참조부호 'Rsub1'은 제1 나선형 도선부(110a)와 기판(미도시) 사이의 기생 저항이고, 'Rsub2'는 제2 나선형 도선부(110b)와 기판 사이의 기생 저항이다. 참조부호 'Cp1'은 제1 나선형 도선부(110a)와 기판 사이의 기생 커패시턴스이고, 참조부호 'Cp2'는 제2 도선부(120)와 기판 사이의 기생 커패시턴스이다. 참조부호 'Rs1'은 제1 나선형 도선부(110a)의 직렬 저항이며, 참조부호 'Rs2'는 제2 도선부(120)의 직렬 저항이다. 참조부호 'Rs2'는 제2 도선부(120)의 일단에서 가상 그라운드인 제2 도선부(120)의 중간 부분까지의 직렬저항이며, 참조부호 'R'은 스위치(130)의 저항으로, 턴-온되었을 때의 저항으로 2.5Ω 정도로 매우 작은 값을 갖으나, 스위치(130)가 턴-온되었을 때의 무한대의 저항값을 갖는다. 참조부호 'Cgd + db'는 스위치(130)가 턴-오프 되었을 때의 기생 커패시턴스이다.
여기서, 기생 저항 성분, 기생 커패시턴스 성분 및 스위치(130)의 저항 성분에 의한 효과는 제1 도선부(110) 및 제2 도선부(120)에 의한 인덕턴스 성분에 의한 효과에 비해 매우 작으므로 무시할 수 있다.
따라서, 스위치(130)가 턴-오프된 경우 가변 인덕터(100)는 도 3a에 나타낸 바와 같이 제1 나선형 도선부(110a)에 대응하는 인덕터(L1)가 port1과 가상 그라운드(VG) 사이에 위치하고, 제2 나선형 도선부(110b)에 대응하는 인덕터(L1': 미도시)가 port2와 가상 그라운드(VG) 사이에 위치하는 것과 동일한 회로적 특성을 갖게 된다. 제1 나선형 도선부(110a)와 제2 나선형 도선부(110b)가 가상선(L-L')을 기준으로 대칭으로 형성되어 있는바, 설명의 편의를 위하여 도 3a 및 도 3b에서는 제1 나선형 도선부(110a)에 대응하는 회로만을 이용하여 설명한다.
한편, 스위치(130)가 턴-온된 경우 도 3b에 도시한 바와 같이 가변 인덕터(100)는 제1 나선형 도선부(110a)에 대응하는 인덕터(L1)와 제2 도선부(120)의 일단에서 제2 도선부(120)의 중간 부분(B)까지에 대응하는 인덕터(L2)가 음의 상호결합(negative mutual coupling)을 이루다. 이 경우, 인덕터(L1) 및 인덕터(L2)가 음의 상호결합을 이루는바 스위치(130)가 턴-오프된 경우보다 인덕턴스 값은 작아진다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 인덕터의 인덕턴스(inductance)가 도시된 그래프이다. 그래프에 도시된 바와 같이, 본원의 가변 인덕터는 스위치가 온오프됨에 따라, 스위치 온인 경우, 1.07*10-9 H를 가지며, 스위치가 오프인 경우, 7.09*10-10 H를 가질 수 있다. 이를 통해 약 30%의 인덕턴스가 가변 됨을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 광대역 전압 제어 발진기의 구성을 나타내는 모식도이고, 도 6은 도 5의 광대역 전압 제어 발진기(300)에서 이용되는 LC 탱크 회로(200)의 일 예를 나타내는 모식도이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 전압제어 발진기(300)는 가변 커패시터(C21-C27), 가변 인덕터(100) 및 조정부(미도시)를 포함한다.
가변 인덕터(100)는 교류 신호가 인가되면 교류 신호에 대응되는 인덕턴스를 제공하며, 교류 신호에 의해 유도되는 유도전류를 선택적으로 인용하여 인덕턴스를 가변시킬 수 있다. 그리고, 가변 인덕터(100)는 가변 인덕터(C21-C28)와 병렬 연결되어 LC 탱크(200)를 형성하며(도 5) 발진 주파수를 생성할 수 있다. 가변 인덕터(100)는 도 1 또는 도 2에 도시된 형태로 구현될 수 있다.
조정부(미도시)는 가변 커패시터(310)의 캐패시턴스 및 상기 가변 인덕터(100)의 인덕턴스를 변화하여 발진 주파수를 조정할 수 있다. 구체적으로 조정부는 제어 신호를 출력하여 가변 인덕터(100) 내의 스위치(130)를 온/오프시킨다. 이 에 따라, 가변 인덕터(100)의 인덕턴스를 가변시켜 발진 주파수를 큰 폭으로 가변할 수 있다. 그리고 조정부는 가변 커패시터(C21-C28)의 커패시턴스를 가변하여 발진 주파수를 정밀하게 가변하여 출력할 수 있다.
이에 따라, 본원의 전압 제어 발진기(300)는 복수의 인덕터를 이용하는 것이 아니라, 하나의 가변 인덕터(100)를 이용하여 발진 회로를 구현하는바, 사이즈를 소형화할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 인덕터 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가변 인덕터 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3a는 도 1의 가변 인덕터에서 스위치가 턴-오프된 경우의 등가 회로 모델을 나타낸 회로도,
도 3b는 도 1의 가변 인덕터에서 스위치가 턴-온된 경우의 등가 회로 모델을 나타낸 회로도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 인덕터의 인덕턴스(inductance)가 도시된 그래프,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광대역 전압 제어 발진기의 구성을 나타내는 모식도, 그리고,
도 6은 도 5의 광대역 전압 제어 발진기에서 이용되는 LC 탱크 회로의 일 예를 나타내는 모식도이다.
*도면의 주요부분에 대한 간단한 설명*
100: 가변 인턱터 110: 제1 도선부
120: 제2 도선부 130: 스위치
200: LC 탱크 회로 300: 전압 제어 발진기(VCO)

Claims (15)

  1. 교류 신호를 인가받는 제1 도선부;
    루프 형태로 이루어져, 기 제1 도선부에 상기 교류 신호가 인가되면 유도 전류가 발생되는 제2 도선부; 및
    외부 제어신호에 따라 상기 제2 도선부의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 상기 제1 도선부의 인덕턴스를 조정하는 스위치;를 포함하는 가변 인덕터.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부의 내측에 배치되며, 루프 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 도선부는,
    중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 도선부는,
    상기 제2 도선부와 동일 평면 상에 위치하며, 다중 나선형 구조를 가지는 것 을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 도선부는,
    중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부를 지지하는 기판;을 더 포함하며,
    상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부는, 동일 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스위치는,
    상기 외부 제어신호에 의해 턴-온되면, 제2 도선부를 폐루프가 되도록 하고, 상기 외부 제어신호에 의해 턴-오프되면, 상기 제2 도선부를 개루프가 되도록 스위칭하는 것을 특징으로 하는 가변 인덕터.
  8. 가변 커패시터;
    교류 신호가 인가되면 상기 교류 신호에 대응되며 인덕턴스를 제공하며, 상 기 교류 신호에 의해 유도되는 유도 전류를 선택적으로 이용하여 인덕턴스를 가변시킬 수 있는 가변 인덕터; 및
    상기 가변 커패시터의 캐패시턴스 및 상기 가변 인덕터의 인덕턴스를 변화시켜 발진 주파수를 조정하는 조정부;를 포함하는 광대역 전압 제어 발진기.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 가변 인덕터는,
    상기 교류 신호를 인가받는 제1 도선부;
    루프 형태로 이루어져, 상기 제1 도선부에 상기 교류 신호가 인가되면 유도 전류가 발생되는 제2 도선부; 및
    상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 따라 상기 제2 도선부의 루프 연결 상태를 스위칭하여, 상기 제1 도선부의 인덕턴스를 조정하는 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 도선부는, 상기 제2 도선부의 내측에 배치되며, 루프 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 도선부는,
    중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 도선부는,
    상기 제2 도선부와 동일 평면 상에 위치하며, 다중 나선형 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 제2 도선부는,
    중심을 지나는 가상선을 기준으로 상하좌우대칭을 이루는 형태인 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 가변 인덕터는,
    상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부를 지지하는 기판;을 더 포함하며,
    상기 제1 도선부 및 상기 제2 도선부는, 동일 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 스위치는,
    상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 의해 턴-온되면, 제2 도선부를 폐루프가 되도록 하고, 상기 조정부에서 인가되는 제어신호에 의해 턴-오프되면, 상기 제2 도선부를 개루프가 되도록 스위칭하는 것을 특징으로 하는 광대역 전압 제어 발진기.
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