CN101252094A - 电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法 - Google Patents

电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101252094A
CN101252094A CNA2008100018705A CN200810001870A CN101252094A CN 101252094 A CN101252094 A CN 101252094A CN A2008100018705 A CNA2008100018705 A CN A2008100018705A CN 200810001870 A CN200810001870 A CN 200810001870A CN 101252094 A CN101252094 A CN 101252094A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resinoid
heating
matrix
circuit chip
conductive pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100018705A
Other languages
English (en)
Inventor
小林弘
小八重健二
竹内周一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN101252094A publication Critical patent/CN101252094A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/90—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies using means for bonding not being attached to, or not being formed on, the body surface to be connected, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83095—Temperature settings
    • H01L2224/83096—Transient conditions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子器件的制造方法，包括如下步骤：使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；以及在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上。

Description

电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法
技术领域
本发明涉及电子器件的制造方法，其中封装电子器件的电子设备的制造方法，以及其中安装电子器件的物品的制造方法，具体地，本发明涉及其中电路芯片被安装在膜状基体上的电子器件的制造方法，其中封装该电子器件的电子设备的制造方法，以及其中安装该电子器件的物品的制造方法。
背景技术
传统上，已知一种电子器件，在该电子器件中，电路芯片被安装在基体(例如印刷电路板)上。这样的电子器件被嵌入电子设备中，用于控制该电子设备，或者单独用于与外部设备交换信息。作为这样的电子器件的示例，已知各种射频识别(RFID)标签，它们以非接触方式用无线电波与以读取器/写入器为代表的外部设备交换信息。作为这些RFID标签的一种，已经提出了一种RFID标签，其具有将导体图案和用于无线电波通信的IC芯片安装在基体板上的结构。这种RFID标签的可以想到的应用包括：将该RFID标签附装到例如物品等上，通过与外部设备交换与物品有关的信息来对物品进行识别。
需要尺寸和重量更小的RFID标签，具体地说，使它们更薄、更灵活以及更低成本。因此，已经提出了一种RFID标签，它采用由例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)的树脂材料制成的膜用作安装IC芯片的基体的材料(例如参见日本专利申请公开No.2001-156110)。
图8是对传统技术中制造RFID标签的方法进行说明的示意图。
图8在其部分(a)至部分(d)中依次示出了制造RFID标签的各个步骤。
为了制造RFID标签，首先如图8的部分(a)所示，预备基体91，在基体91中，由PET制成的膜911上形成有导体图案912，其中导体图案912用作RFID标签的天线。将通过加热固化的热固性粘合剂93p粘附到该基体91。
接着，如图8的部分(b)所示，将IC芯片92安装在基体91上粘附有热固性粘合剂93p的那部分上。IC芯片92上形成有连接到导体图案912的凸起921。如图8的部分(c)所示，将IC芯片92安装在基体91上，使凸起921在位置上与导体图案912对准。
接着，如图8的部分(d)所示，由加热设备80在从基体91的膜911那侧和IC芯片92那侧压紧加热设备80的情况下夹住(clamp)安装有IC芯片92的基体91。然后，由加热设备8中与IC芯片92那侧毗邻的加热头81对热固性粘合剂93p进行加热和固化。由此，以凸起921接触导体图案912的方式将IC芯片92固定到基体91上，从而完成小巧轻便的RFID标签。
但是，因为作为膜911的材料的PET的耐热温度较低，所以在对热固性粘合剂93p进行固化时，膜911容易由于加热发生变形。
图9是对图8的部分(d)中的加热步骤中的基体状态进行说明的示意图。
如图9的部分(a)所示，当在IC芯片92安装在基体91上的状态下执行加热处理时，基体91的温度升高，导致膜911发生变形，如图9的部分(b)所示。当正被固化的热固性粘合剂93p随着膜911的变形而流动时，热固性粘合剂93p中产生气泡，并且即使在固化之后也变为空洞931的形式并留下来。因为固化的热固性粘合剂93p中的空洞降低了IC芯片92与基体91之间的粘附强度，所以RFID标签的可靠性变差了。
由于如上所述产生的这种空洞而造成的可靠性变差问题不限于RFID标签，而是对其中电路芯片安装在膜状基体上的电子器件来说普遍的。
发明内容
本发明是考虑到上述情况而作出的，并提供了通过抑制空洞产生而具有更高的可靠性的电子器件的制造方法，其中封装有此电子器件的电子设备的制造方法，以及其中安装有该电子器件的物品的制造方法。
本发明的电子器件的制造方法包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；以及
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上。
在本发明的电子器件的制造方法中，在第二加热条件下加热和固化热固性粘合剂而使其在主加热步骤变为第二固化状态之前，热固性粘合剂在第一加热条件在预热步骤中被加热，所述第一加热条件是使得膜的变形被抑制并且热固性粘合剂变为较软的第一固化状态的低温。因为热固性粘合剂在主加热步骤之前已经变为第一固化状态，所以在主加热步骤中，当加热和固化热固性粘合剂时，热固性粘合剂的流动被抑制，这避免了空洞的产生。因此，电子器件的可靠性被提高。此外，因为电子器件的生产成品率被提高，所以制造成本变得低廉。
在此，在上述的本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
因为在与主加热步骤类似的预热步骤中，热固性粘合剂在由加热器夹持和压紧的情况下被加热，所以在主加热步骤和预热步骤中可以使用相同类型的加热设备。
在此，在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
虽然加热条件中包括加热温度和加热时间，但是因为第一加热条件的温度条件被设为低于此处的第二加热条件的温度条件，所以可以控制热固性粘合剂的固化状态，而不用对主加热步骤和预热步骤的时间进行大的改变。因此，容易同时并行地在生产线中进行多个步骤。
在此，在本发明的电子器件的制造方法中，优选的是，所述电子器件是RFID标签，所述RFID标签使得导体图案充当通信天线，并且由所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信。
在安装在物品或卡中的状态下使用的RFID标签要求具有薄膜形状，以满足小型化和柔性的要求。本发明的电子器件的制造方法适于制造RFID标签。
此外，本发明的电子设备的制造方法包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上；以及
封装步骤，所述封装步骤将所述基体封装在设备主体中，其中，在所述基体中，所述电路芯片被固定到所述导体图案，所述设备主体基于所述电路芯片的操作而被驱动。
为了提高电子设备的小型化和在设备主体中布置的自由度，要被安装在电子设备中的电子器件需要是较薄的。在本发明的电子设备的制造方法中，即使当安装在电子设备中的器件被制成其中电路芯片通过热固性粘合剂安装在由膜制成的基体上的不引人注目的外形时，当加热和固化热固性粘合剂时空洞的产生也会被抑制。因此，电子设备的可靠性被提高。
在此，在本发明的电子设备的制造方法中，优选的是，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
此外，在本发明的电子设备的制造方法中，优选的是，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
此外，在本发明的电子设备中，优选的是，所述导体图案充当通信天线，所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信。
而且，本发明的其中安装有电子器件的物品的制造方法包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上；
安装步骤，所述安装步骤将所述电子器件安装在接收物品中，其中，在所述电子器件中，所述电路芯片被固定到所述基体的所述导体图案；以及
存储步骤，所述存储步骤将表示所述接收物品的属性的信息存储在所述电路芯片中。
例如，在其中安装有诸如RFID标签的器件的物品中，要求减薄所述器件，以保持物品和电子器件之间的整体性。在本发明的电子设备的制造方法中，即使当封装在物品中的器件被制成其中电路芯片通过热固性粘合剂安装在由膜制成的基体上的不引人注目的外形时，当加热和固化热固性粘合剂时空洞的产生也会被抑制。因此，所述器件的可靠性被提高。
在此，在本发明的物品的制造方法中，优选的是，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
此外，在本发明的物品的制造方法中，优选的是，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
此外，在本发明的物品中，优选的是，所述导体图案充当通信天线，所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信。
如上所述，本发明实现了一种因防止产生空洞而可靠性被提高的电子器件的制造方法，一种其中封装有该电子器件的电子设备的制造方法，以及一种其中安装有该电子器件的物品的制造方法。
附图说明
图1是图示了根据本发明一种实施例制造的RFID标签的立体图；
图2是图1所示的REID标签的制造方法的说明图；
图3是图示了以连续工艺执行图2所示的REID标签的制造方法的生产线的视图；
图4是图示了制造图1所示的REID标签的制造方法的第二实施例的说明图；
图5是图示了以连续工艺执行图4所示的REID标签的制造方法的生产线的视图；
图6是其中安装REID标签的服装的制造方法的说明图；
图7图示了其中封装有根据本发明一个实施例制造的印刷电路板器件的便携式电话；
图8是对传统技术中制造RFID标签的方法进行说明的示意图；以及
图9是图示了图8的加热步骤中基体状态的视图。
具体实施方式
下面将参考附图对本发明的实施例进行说明。
图1是图示了根据本发明一种实施例制造的RFID标签的立体图。
图1所示的RFID标签1包括：基体11，其中，金属天线图案112形成于由PET材料制成的膜111上；IC芯片12，安装在基体11上；以及热固性粘合剂13p，用于将IC芯片12和基体11接合。
本实施例中的RFID标签1是电子器件，用于与图中未示出的读取器/写入器以非接触方式交换数据，其通过天线图案112以电能的形式接收由读取器/写入器发射的电磁场能量。然后，由该电能驱动IC芯片12。天线图案112用作通信天线，IC芯片12通过天线图案112执行无线电通信。
在此，RFID标签1对应于本发明的电子器件的一种示例；天线图案112对应于本发明的导体图案的一种示例；IC芯片12对应于本发明的电路芯片的一种示例。
另外，对于本申请所属技术领域的技术人员，本发明所用的“RFID标签”可以看作是用于“RFID标签”的内部构件(嵌体(inlay))的“RFID标签的嵌体”。或者，这种“RFID标签”也可以称为“无线IC标签”。另外，此“RFID标签”也包括非接触式的IC卡。
下面将描述这种RFID标签1的制造方法。
图2是图1所示的REID标签的制造方法的说明图。
图2从部分(a)至部分(e)依次图示了制造RFID标签的各个步骤。为了容易看清附图，RFID标签1在厚度方向上的尺寸以及IC芯片12的尺寸比图1所示的尺寸夸大了。此外，在实际的制造过程中，两个或者更多个RFID标签并排地形成在一片长的膜上，并且通过将该膜分成各个单独的RFID标签，来制成多个RFID标签。但是，在此，将针对一个RFID标签描述制造方法。
为了制造RFID标签1，首先，在图2的部分(a)所示的粘附步骤中，预备其中天线图案112被形成在由PET材料制成的膜111上的基体11，并且将液体热固性粘合剂13p粘附到此基体11上。在基体11的天线图案112被形成于其上的安装表面11a上，热固性粘合剂13p被涂到用于安装IC芯片12的区域以及该区域的周边。
作为本实施例的热固性粘合剂13p，例如可以使用环氧粘合剂，更具体地，使用如下的无氧-无水环氧粘合剂，该环氧粘合剂的固化率(即，将被固化的组分的比率)在190℃和8秒的固化条件下加热时不小于90％。然而，作为热固性粘合剂13p，除了无氧-无水环氧粘合剂之外，还可以采用具有热固性性质的树脂材料。本实施例的热固性粘合剂13p在固化率不小于90％时达到实际强度。此后，热固性粘合剂13p的190℃和8秒的固化条件被称为实际固化条件。
接着，在图2的部分(b)和部分(c)所示的安装步骤中，将IC芯片12安装在基体11中粘附了热固性粘合剂13p的那部分上。用倒装芯片技术将IC芯片12安装在基体11上。即，通过热固性粘合剂13p将IC芯片12安装在基体11上，使得IC芯片12的形成有电路的那个面12a面向基体11。在面12a上还形成有要与天线图案112相连的凸起121。如图2的部分(c)所示，IC芯片12在使得凸起121与天线图案112对准的状态下安装在基体11上。
接着，在2的部分(d)所示的预热步骤中，由加热设备2从膜111侧和IC芯片12侧夹持和压紧安装了IC芯片12的基体11。加热设备2具有作为下压部分的加热头21和作为支撑部分的加热台22，从而基体11被保持在加热头21和加热台22之间。加热头21中包括图中未示出的加热器。在预热步骤中，加热头21抵靠IC芯片12，而加热台22抵靠膜111。在预热步骤中，使得加热头21产生热，并且在第一加热条件下预热热固性粘合剂13p。本实施例的第一加热条件被设为如下条件，通过该条件，热固性粘合剂13p开始固化反应，并且具有约50％的固化率，以成为凝胶，即半硬化状态。在本实施例中的第一加热条件为150℃和8秒，并且是较实际固化条件更低温度的条件。此外，在此第一加热条件下，膜111几乎不变形。虽然当即使为150℃的温度被施加30秒时，热固性粘合剂13p可以被固化到具有实际粘附强度的程度，但是通过将时间设为8秒，固化率变为约50％。使得热固性粘合剂13p成为其中固化率为约50％的凝胶态也被称为进入B阶段。此其中固化率为约50％的凝胶状态对应于本发明中的第一固化状态的示例。
接着，在图2的部分(e)所示的主加热步骤，由加热设备3从膜111侧和IC芯片12侧夹持和压紧经过预热的基体11。与加热设备2相似，加热设备3也具有作为下压部分的加热头31和作为支撑部分的加热台32，从而基体11被保持在加热头31和加热台32之间，并且加热头31中包括图中未示出的加热器。在主加热步骤中，加热头31抵靠IC芯片12，而加热台32抵靠膜111。在主加热步骤中，使得加热头31产生热，并且在第二加热条件下预热热固性粘合剂13p。本实施例的第二加热条件被设为如下条件，通过该条件，热固性粘合剂13p的固化率变为不低于90％。通过在第二加热条件下加热，使得热固性粘合剂13p的固化率不低于90％，并具有实际粘附强度。此其中固化率为约90％的状态对应于本发明中的第二固化状态的示例。
在主加热步骤中，因为在对应于实际固化条件的第二加热条件下加热热固性粘合剂13p，所以即使不进行预热步骤，热固性粘合剂13p也被固化到固化率不低于90％的状态。但是，在本实施例的制造方法中进行预热步骤，并且低于第二加热条件的温度条件的温度条件被用作预热步骤中的第一温度条件。因此，当在主加热步骤中进行加热时，热固性粘合剂13p已经是凝胶。于是，当在主加热步骤中加热热固性粘合剂13p时热固性粘合剂13p的流动被抑制，并且空洞的产生被抑制。
在主加热步骤之后通过冷却安装有电路芯片12的基体11，得到图1所示的RFID标签1。
至此，针对一个RFID标签描述了制造过程。从现在开始，将描述通过连续工艺在一片长的膜上布置和形成两个或者更多个RFID标签的实际制造过程。
图3是图示了以连续工艺执行图2所示的REID标签的制造方法的生产线的视图。图3示意性地示出了使用一片长的膜状基体制造两个或更多个RFID标签的生产线。
在基体11中，对应于两个或者更多个RFID标签的两个或者更多个天线图案112(参考图2)以预定间隔成一直线地布置和形成在一片长的膜111(参考图2)上。在沿运输方向D运输基体11的同时，通过依次经过粘附步骤P11、安装步骤P12、预热步骤P13和主加热步骤P14制造两个或者更多个RFID标签。粘附步骤P11、安装步骤P12、预热步骤P13和主加热步骤P14中的各个步骤一次执行对四个RFID标签的处理。四个加热设备2和四个加热设备3被分别布置在预热步骤P13和实际加热步骤P14处。各个步骤同时并行进行，并且在各个步骤处执行处理的时间段被称为处理周期。只要执行了一个处理周期时，基体11被沿运输方向D运输对应于四个RFID标签的部分。通过重复处理周期，连续地制造RFID标签。
首先，如图2的部分(a)所示，在粘附步骤P11中，热固性粘合剂13p被涂覆到基体11上。接着，如图2的部分(b)和部分(c)所示，在安装步骤P12中，将IC芯片12安装在基体11中涂覆了热固性粘合剂13p的那部分上。随后，在预热步骤P13，在由加热设备2夹持和压紧的同时，基体11在第一加热条件下被预热。更具体地，加热设备2被加热到对应于第一加热条件的温度，并且加热设备2夹持基体11，持续对应于第一加热条件的时间。随后，在主加热步骤P14，在由加热设备3夹持和压紧的同时，基体11在第二加热条件下被预热。更具体地，加热设备3被加热到对应于第二加热条件的温度，并且加热设备3夹持基体11，持续对应于第二加热条件的时间。在主加热步骤P14之后，通过切分基体11，得到RFID标签1。
布置在预热步骤P13处的四个加热设备2和布置在主加热步骤P14处的四个加热设备3是相同类型的加热设备，但是加热条件(具体来说，加热条件中的加热温度)不同。在图3所示的生产线中，可以通过使用所布置的加热设备中的一部分来提供预热步骤P13。更具体地，八个加热设备被并排布置，其中四个位于运输基体11的上游，并且被设置为第一加热条件的温度，其余四个被设置为第二加热条件的温度。
在上述实施例中，描述了在预热步骤中加热由加热设备2夹持并压紧的基体11的示例。接着，将描述其中在预热步骤中不进行压紧的本发明的第二实施例。在下面的对第二实施例的描述中，相同的标号表示与前述实施例中的相应部件相同的部件，并且将主要第一和第二实施例之间的不同。
图4是图示了制造图1所示的REID标签的制造方法的第二实施例的说明图。
图4从部分(a)至部分(e)依次图示了制造RFID标签1的各个步骤。在第二实施例的制造方法中，图4的部分(d)所示的预热步骤与第一实施例中的预热步骤不同。在图4的部分(d)所示的预热步骤中，通过使得红外辐射设备4辐射红外线来加热热固性粘合剂13p。红外辐射设备4辐射其强度足以在作为第一加热条件的150℃的温度下加热热固性粘合剂13p的红外线。由此，当在图4的部分(e)所示的主加热步骤进行加热时，热固性粘合剂13p已经是凝胶。结果，因为当在主加热步骤加热热固性粘合剂13p时，热固性粘合剂13p的流动被抑制，所以空同的产生被抑制。
图5是图示了以连续工艺执行图4所示的REID标签的制造方法的生产线的视图。
图5示意性地示出了使用一片长的膜状基体制造两个或更多个RFID标签的生产线。
在图5所示的生产线中，粘附步骤P21、安装步骤P22、预热步骤P23和主加热步骤P24分别不同于图3所示的生产线中的那些。在图5所示的生产线中，同时进行对应于八个RFID标签的处理的点和具有八个加热设备3的点被布置在主加热步骤P24，而红外辐射设备4被布置在预热步骤P23。在此生产线中，因为在预热步骤中红外辐射设备4执行处理，所以所有八个加热设备被布置在主加热步骤P24。
接着，作为上述RFID标签1的应用，将描述其中安装RFID标签1的物品的制造方法。该制造方法是根据本发明的其中安装电子器件的物品的制造方法的一个实施例。
图6是其中安装REID标签的服装的制造方法的说明图。
在图6的部分(a)中所示的安装步骤中，由图2到图5所述的制造方法的任一种所制造的RFID标签1通过贴附等被安装在服装5的标签5a上。
随后，在图6的部分(b)中所示的存储步骤中，表示服装5的属性的信息被存储在安装在服装5中的RFID标签1中。例如，服装5的属性信息(诸如，JAN码系统)从信息写入设备6通过无线电通信被发送到RFID标签1，并且属性信息被存储在电路芯片12(参考图1)中。
虽然在上述实施例中描述了RFID标签的示例，但是也可以将RFID标签的制造方法应用于制造具有膜状基体的印刷电路板器件。
图7图示了根据本发明一个实施例制造的印刷电路板器件，以及其中封装此印刷电路板器件的便携式电话。
图7所示的便携式电话7具有电话主体部分71和封装在电话主体部分71中的印刷电路板器件75。印刷电路板器件75具有作为基体的柔性印刷电路77(FPC 77)和利用热固性粘合剂固定到FPC 77的电路芯片76。电话主体部分71设置有显示部分71a，其基于电路芯片76的操作而被驱动，并且显示各种显示内容。
印刷电路板器件75通过与图2到图5所示的RFID标签1的制造方法相似的方法来制造。就是说，印刷电路板器件75具有其中电路芯片通过热固性粘合剂安装在由膜制成的基体上的薄形结果，并且通过依次经过粘附步骤、安装步骤、预热步骤以及主加热步骤来制造。印刷电路板器件75被封装在电话主体部分71中。印刷电路板器件75具有薄的形状，但是很可靠，这是因为其是通过抑制了空洞的产生的方法来制造的。
此外，尽管在上述实施例中，对制造RFID标签和印刷电路板器件的方法进行了描述，但是本发明不限于此。例如，本发明可以用于超薄IC卡等的制造方法，只要该方法是其中电路芯片安装在膜状基体上的电子器件的制造方法即可。
另外，尽管在上述实施例中，针对组成RFID标签的基体的膜为由PET材料制成的膜进行了说明，但是本发明的电子器件的膜不限于PET材料。膜可以由选自由下列项构成的组的材料形成：聚酯材料、聚烯烃材料、聚碳酸酯材料、丙烯酸材料等。
而且，在上述实施例中，由加热设备2或3压紧基体11的加热时间和加热热固性粘合剂13p的时间是相同的，但是本发明的预热步骤和加热步骤不限于此。例如，基体可以在加热设备压紧基体之后被加热。

Claims (12)

1.一种电子器件的制造方法，包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；以及
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上。
2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
3.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
4.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法，其中，所述电子器件是射频识别标签，所述射频识别标签由所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信，以及使得所述导体图案作为天线用于通信。
5.一种电子设备的制造方法，包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上；以及
封装步骤，所述封装步骤将所述基体封装在设备主体中，其中，在所述基体中，所述电路芯片被固定到所述导体图案，所述设备主体基于所述电路芯片的操作而被驱动。
6.根据权利要求5所述的电子设备的制造方法，其中，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
7.根据权利要求5所述的电子设备的制造方法，其中，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
8.根据权利要求5所述的电子器件的制造方法，其中，所述导体图案充当通信天线，所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信。
9.一种其中安装有电子器件的物品的制造方法，包括如下步骤：
粘附步骤，所述粘附步骤使得热固性粘合剂粘附到基体的一个面上，其中，在所述基体中，导体图案被形成在由树脂材料制成的膜上，所述面是所述导体图案被形成在其上的面；
安装步骤，所述安装步骤将要被连接到所述导体图案的电路芯片通过所述热固性粘合剂安装在所述基体上；
预热步骤，所述预热步骤在第一加热条件下加热所述热固性粘合剂，由此所述热固性粘合剂变为第一固化状态；
主加热步骤，所述加热步骤在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下，通过在使得所述热固性粘合剂变为较之所述第一固化状态更硬的第二固化状态的第二加热条件下加热和固化所述热固性粘合剂，将所述电路芯片固定到所述导体图案上；
安装步骤，所述安装步骤将所述电子器件安装在接收物品中，其中，在所述电子器件中，所述电路芯片被固定到所述基体的所述导体图案；以及
存储步骤，所述存储步骤将表示所述接收物品的属性的信息存储在所述电路芯片中。
10.根据权利要求9所述的物品的制造方法，其中，所述预热步骤是在所述基体被从所述电路芯片侧和所述膜侧夹持和压紧的情况下加热所述热固性粘合剂的步骤。
11.根据权利要求9所述的物品的制造方法，其中，所述主加热步骤是使用所述第二加热条件作为温度条件的步骤，所述预热步骤是使用所述第一加热条件作为温度条件的步骤，其中，所述第一加热条件低于所述第二加热条件的所述温度条件。
12.根据权利要求9所述的物品的制造方法，其中，所述导体图案充当通信天线，所述电路芯片通过所述导体图案执行无线电通信。
CNA2008100018705A 2007-02-23 2008-01-17 电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法 Pending CN101252094A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007043183A JP2008209961A (ja) 2007-02-23 2007-02-23 電子装置の製造方法、電子装置が実装された電子機器の製造方法、および、電子装置が装着された物品の製造方法
JP2007043183 2007-02-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101252094A true CN101252094A (zh) 2008-08-27

Family

ID=39512581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100018705A Pending CN101252094A (zh) 2007-02-23 2008-01-17 电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080202678A1 (zh)
EP (1) EP1962231A3 (zh)
JP (1) JP2008209961A (zh)
KR (1) KR20080078538A (zh)
CN (1) CN101252094A (zh)
TW (1) TW200836603A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709203A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 山田尖端科技株式会社 接合装置及接合方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102204419A (zh) * 2008-10-31 2011-09-28 东丽株式会社 电子部件和挠性薄膜基板的接合方法及接合装置
TWI417525B (zh) * 2009-11-12 2013-12-01 具有無線射頻系統標籤之溫度感測貼片
CN114787977A (zh) * 2019-12-26 2022-07-22 佐藤控股株式会社 Ic芯片搭载装置、ic芯片搭载方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6333206B1 (en) * 1996-12-24 2001-12-25 Nitto Denko Corporation Process for the production of semiconductor device
JP3402267B2 (ja) * 1999-06-23 2003-05-06 ソニーケミカル株式会社 電子素子の実装方法
JP3451373B2 (ja) 1999-11-24 2003-09-29 オムロン株式会社 電磁波読み取り可能なデータキャリアの製造方法
JP4311862B2 (ja) * 2000-05-29 2009-08-12 東レエンジニアリング株式会社 チップ実装方法
JP3665579B2 (ja) * 2001-02-26 2005-06-29 ソニーケミカル株式会社 電気装置製造方法
JP3753984B2 (ja) * 2002-01-09 2006-03-08 シャープ株式会社 非接触通信機器用モジュール及びその製造方法
JP3750606B2 (ja) * 2002-01-11 2006-03-01 ソニーケミカル株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004213259A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Konica Minolta Holdings Inc Ｉｃカード、ｉｃカード製造方法及びｉｃカード製造装置並びにｉｃカード判定システム
JP4672384B2 (ja) * 2004-04-27 2011-04-20 大日本印刷株式会社 Ｉｃタグ付シートの製造方法、ｉｃタグ付シートの製造装置、ｉｃタグ付シート、ｉｃチップの固定方法、ｉｃチップの固定装置、およびｉｃタグ
TWI339358B (en) * 2005-07-04 2011-03-21 Hitachi Ltd Rfid tag and manufacturing method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709203A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 山田尖端科技株式会社 接合装置及接合方法
CN102709203B (zh) * 2011-03-28 2016-09-28 山田尖端科技株式会社 接合装置及接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200836603A (en) 2008-09-01
JP2008209961A (ja) 2008-09-11
US20080202678A1 (en) 2008-08-28
EP1962231A2 (en) 2008-08-27
EP1962231A3 (en) 2009-02-25
KR20080078538A (ko) 2008-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101097607B (zh) Rfid标签的制造方法和rfid标签
US20110011939A1 (en) Contact-less and dual interface inlays and methods for producing the same
KR20010075628A (ko) 실장된 전자 소자를 갖는 제조품 및 그 제조 방법
US7789316B2 (en) Electronic device, electronic apparatus mounted with electronic device, article equipped with electronic device and method of producing electronic device
CN101385402A (zh) 电路基板以及电路基板的制造方法
EP1956873B1 (en) RFID tag and method of manufacturing the same
US20080129455A1 (en) Method for forming rfid tags
US7456748B2 (en) RFID antenna with pre-applied adhesives
CN101252094A (zh) 电子器件、封装器件的电子设备、安装器件的物品的制造方法
US7456506B2 (en) Radio frequency identification (RFID) tag lamination process using liner
US7884719B2 (en) Radio frequency identification (RFID) tag lamination process
CN102014573A (zh) 带有射频识别的印制电路板及其制作方法
JP2010237877A (ja) Ｒｆｉｄタグおよびｒｆｉｄタグの製造方法
CN100593364C (zh) 电子器件及其制造方法
EP3588384B1 (en) Method for manufacturing product, exterior component, and device for selecting antenna pattern
CN210924630U (zh) 织物的热转印rfid卷标结构
KR20100043945A (ko) 무선 인식 태그의 제조 방법 및 제조 장치
KR20120033732A (ko) 전자태그를 구비한 절첩상자 제조방법
Falinski An overview of radio frequency identification (RFID) tags technology
Gillissen et al. Low temperature snap cure thermoset adhesives with good worklife
JPH10236042A (ja) 非接触データキャリアの製造方法
JPH10236043A (ja) 非接触データキャリアの製造方法
JPH10291390A (ja) 非接触データキャリアの製造方法
KR20090084499A (ko) 무선 주파수 인식 태그의 제조방법 및 이에 의해 제조된무선 주파수 인식태그

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20080827